JPS5945964A - セラミツク抵抗材料 - Google Patents
セラミツク抵抗材料Info
- Publication number
- JPS5945964A JPS5945964A JP57155942A JP15594282A JPS5945964A JP S5945964 A JPS5945964 A JP S5945964A JP 57155942 A JP57155942 A JP 57155942A JP 15594282 A JP15594282 A JP 15594282A JP S5945964 A JPS5945964 A JP S5945964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- ceramic
- resistivity
- resistor material
- ceramic resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は高温まで安定で抵抗の変化が小さいセラミック
抵抗材料に関するものである。
抵抗材料に関するものである。
従来抵抗材料として、Ｃｕ−Ｎｉ系合金、炭素抵抗材、
’ｌ’ｉＮ、 ＳｉＣなどのセラミック抵抗材等が用
いられている。
’ｌ’ｉＮ、 ＳｉＣなどのセラミック抵抗材等が用
いられている。
この内Ｃｕ−Ｎｉ系合金の抵抗の温度係数は５０ｐｐｍ
ＩＯと非常に小さく、安定したものであるが固有抵抗率
は４〜５×ｌＯＱ儂であるだめ高い抵抗値を持つ抵抗体
を作製する際に断面積を小さくするか、長さを大きくし
なければならないという欠点がおりた。
ＩＯと非常に小さく、安定したものであるが固有抵抗率
は４〜５×ｌＯＱ儂であるだめ高い抵抗値を持つ抵抗体
を作製する際に断面積を小さくするか、長さを大きくし
なければならないという欠点がおりた。
また炭素抵抗は安価で必シ、抵抗率が１０４０儂程度で
おるが、温度係数が−１５００ｐｐｍ／℃と大きく、高
精度を必要としない低価格用抵抗材として用いられてい
た。
おるが、温度係数が−１５００ｐｐｍ／℃と大きく、高
精度を必要としない低価格用抵抗材として用いられてい
た。
ＴｉＮ、ＳｉＣなどのセラミック尋電性微粉末とガラス
フリットとを用いた抵抗拐は製造工程が＆雑なためコス
ト高となる欠点が必シ、シかも抵抗緒特性は必ずしも満
足できるものではなかった。
フリットとを用いた抵抗拐は製造工程が＆雑なためコス
ト高となる欠点が必シ、シかも抵抗緒特性は必ずしも満
足できるものではなかった。
本発明は上述の欠点に始みてなされたもので、高温まで
簀定した抵抗値を有し、固有抵抗が大きく、シかも安価
なセラミンク抵抗材料を提供することを目的とする。
簀定した抵抗値を有し、固有抵抗が大きく、シかも安価
なセラミンク抵抗材料を提供することを目的とする。
本発明は、化学式でＢａ、 −ｘ’＞、ＰｂＯ，（０，
２＜ｘ＜０．３）と示されるセラミック抵抗祠科である
。
２＜ｘ＜０．３）と示されるセラミック抵抗祠科である
。
つま如本光明はＨａｌ’ｂＯ，ケ基本材料として種々の
る。
る。
なお本発明における数値限定は以下の如き理由温度係数
の低減化に効果が小さく、固有抵抗のみが増加する。一
方Ｘが０．３を越えると、抵抗の温度係数は負の大きな
値となり、固有抵抗は増加し、Ｘ ＝ ０．３の時Ｂａ
ＰｂＯ５よりも２桁高い固有抵抗率を持つようになる。
の低減化に効果が小さく、固有抵抗のみが増加する。一
方Ｘが０．３を越えると、抵抗の温度係数は負の大きな
値となり、固有抵抗は増加し、Ｘ ＝ ０．３の時Ｂａ
ＰｂＯ５よりも２桁高い固有抵抗率を持つようになる。
従って台の含有量は０．２ ＜ｘ ＜０．３とするが、
実用上は固有抵抗率の点から０．２５＜ｘ＜０．３とす
る事が望ましい。
実用上は固有抵抗率の点から０．２５＜ｘ＜０．３とす
る事が望ましい。
調合し、ボールミルを用いて湿式混合した。この混合粉
末を乾燥後アルミナルツボを用い酸素フロー中８８０℃
３時間仮焼した。仮焼粉末は再びボールミルによる混合
、乾燥を経て酸素フロー中８８０℃３時間の仮焼を行い
、粉砕、混合、乾燥を行った。
末を乾燥後アルミナルツボを用い酸素フロー中８８０℃
３時間仮焼した。仮焼粉末は再びボールミルによる混合
、乾燥を経て酸素フロー中８８０℃３時間の仮焼を行い
、粉砕、混合、乾燥を行った。
ここで２回の仮焼工程は混合粉を均一に反応させるため
に行ったものであるが、必ずしも８伎ではなく、１回の
仮焼でも十分な効果が得られる。仮焼の終了した粉末は
一般に用いられるバインダと混合した後、両押しプレス
を用いて２０φ×５に成形した。成形体は白金板上に置
き、酸素フロー中で１０００〜１１５０℃ ３時間焼成
した。こうして作製した試料はＸ線回折により均一なペ
ロプスカイト′＃４造であることが確認芒れた。
に行ったものであるが、必ずしも８伎ではなく、１回の
仮焼でも十分な効果が得られる。仮焼の終了した粉末は
一般に用いられるバインダと混合した後、両押しプレス
を用いて２０φ×５に成形した。成形体は白金板上に置
き、酸素フロー中で１０００〜１１５０℃ ３時間焼成
した。こうして作製した試料はＸ線回折により均一なペ
ロプスカイト′＃４造であることが確認芒れた。
次にベレット状試料から約１５ Ｘ ３ Ｘ １ （ｓ
ａ、”）の矩形を切り出し抵抗率測定用サンプルとした
。抵抗率の測定は通常の直流四端子法を用い室温から９
００℃まで測定した。この′成極としてＡｆ Ｐｄ又
はｐｔ置換で徐々に減少しｘ〉０．２５で負の値をとる
ようになる。ここで抵抗率ρの温度依存性は室温抵抗率
ρ。、温度係数αとして次式で示されるとして求めた。
ａ、”）の矩形を切り出し抵抗率測定用サンプルとした
。抵抗率の測定は通常の直流四端子法を用い室温から９
００℃まで測定した。この′成極としてＡｆ Ｐｄ又
はｐｔ置換で徐々に減少しｘ〉０．２５で負の値をとる
ようになる。ここで抵抗率ρの温度依存性は室温抵抗率
ρ。、温度係数αとして次式で示されるとして求めた。
ρ；ρｏ（１＋α（Ｔ−Ｔａ））
ただし′ｒ几は室温。
この結果第２図から明らかな如くＸＯ値が０．２ ＜ｘ
＜０．３の範囲で温度係数が士ａｏＯｐｐｍ／”０以
下の時性が得られ、ｘ＝０．２５で最も低い値（−５５
ｐｐｍ／’Ｏ）をもつ、すぐれた抵抗特性が得られた。
＜０．３の範囲で温度係数が士ａｏＯｐｐｍ／”０以
下の時性が得られ、ｘ＝０．２５で最も低い値（−５５
ｐｐｍ／’Ｏ）をもつ、すぐれた抵抗特性が得られた。
また特に０．２５ ＜ ｘ ＜０．３の範囲では固有抵
抗値が１０−”（ΩｃｒＩＬ）以上の高い値を有する為
、高抵抗体を小型化する事ができる。
抗値が１０−”（ΩｃｒＩＬ）以上の高い値を有する為
、高抵抗体を小型化する事ができる。
以上の如く本発明に係るセラミック抵抗材料は高温まで
安定した抵抗値を有し、かつ比較的太きｐｂ、ｏ、を用
いる事ができるため、その抵抗特性と併せ、従来技術に
比幀して安価なセラミック抵抗材料を得ることができる
。
安定した抵抗値を有し、かつ比較的太きｐｂ、ｏ、を用
いる事ができるため、その抵抗特性と併せ、従来技術に
比幀して安価なセラミック抵抗材料を得ることができる
。
第１図は本発明に係るセラミック抵抗材料にお代理人
弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 、ｆ−７＃ｆ χ 第 ２ 図 Ｄ ４００ ＺＤＤ 、３００湿崖 （０
Ｃ）
弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 、ｆ−７＃ｆ χ 第 ２ 図 Ｄ ４００ ＺＤＤ 、３００湿崖 （０
Ｃ）
Claims (1)
- 化学式Ｈａ 、 −ｘ’ｅＡ’ ＰｂＯ３で表わされ０
．２＜ｘく０．３なる組成を有する事を％徴としたセラ
ミック抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155942A JPS5945964A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155942A JPS5945964A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945964A true JPS5945964A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15616885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155942A Pending JPS5945964A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | セラミツク抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326265A (ja) * | 1986-03-19 | 1988-02-03 | Olympus Optical Co Ltd | 溶接監視装置 |
| CN104134800A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-11-05 | 天能集团江苏科技有限公司 | 一种提高铅酸钡性能的制备方法 |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57155942A patent/JPS5945964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326265A (ja) * | 1986-03-19 | 1988-02-03 | Olympus Optical Co Ltd | 溶接監視装置 |
| CN104134800A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-11-05 | 天能集团江苏科技有限公司 | 一种提高铅酸钡性能的制备方法 |
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