JPS63104305A - サ−ミスタ用酸化物半導体 - Google Patents

サ−ミスタ用酸化物半導体

Info

Publication number
JPS63104305A
JPS63104305A JP61249920A JP24992086A JPS63104305A JP S63104305 A JPS63104305 A JP S63104305A JP 61249920 A JP61249920 A JP 61249920A JP 24992086 A JP24992086 A JP 24992086A JP S63104305 A JPS63104305 A JP S63104305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
oxide semiconductor
atomic
resistance value
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61249920A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0727802B2 (ja
Inventor
功 下野
小黒 正恒
一夫 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61249920A priority Critical patent/JPH0727802B2/ja
Publication of JPS63104305A publication Critical patent/JPS63104305A/ja
Publication of JPH0727802B2 publication Critical patent/JPH0727802B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、0°C〜500°Cの範囲で温度センサーと
して利用できるところの負の抵抗温度係数を有するサー
ミスタ用酸化物半導体に関するものである。
従来の技術 従来、この種のサーミスタ用酸化物半導体は、Mn −
Go −Ni系、 Mn −Co −Cu系およびMn
 −N1− cr系で構成された組成を有するものであ
った。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、高温で熱的および化学的に
不安定であり300’Cを超えるような温度領域では使
用することができないという問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、0°C
〜500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的に
も安定なサーミスタ用酸化物半導体を提供することを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明のサーミスタ用酸化
物半導体は金属元素としてマンガンを主成分とし、ニッ
ケル0.1〜5.0原子%、クロム0.1〜5.0原子
%、ジルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜2
8.0原子%およびイツトリウム0.2〜2.9原子%
の6種を含有し、この6種の合計が100原子%となる
ような組成としたものである。
作用 この構成により、サーミスタ用酸化物半導体は0°C〜
500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも
安定することとなる。
実施例 以下、本発明の実施例について説明する。市販の原料Y
2O3、ZrO2、HfO2を後述する表に示す組成比
となるよう配合した。これをボールミルで混合後乾燥さ
せ、1100°Cで仮焼する。これを再びボールミルで
粉砕し、得られたスラリーを乾燥する。このスラリー乾
燥後の粉体に市販の原料MnCO3、NiO、Gr20
5を加え、後述する表に示す組成となるように配合した
。これをボールミルで混合後乾燥させ、900°Cで仮
焼する。これを再びボールミルで粉砕し、得られたスラ
リーを乾燥する。このスラリーの乾燥後、ポリビニール
アルコールをバインダとして添加混合し、所要量採って
13mmφX 2 mm tのディスク状に加圧成形し
、これを空気中1450’Cの温度で2時間焼成した。
こうして得られたディスク状焼結体の両面に白金電極を
設けた。このようにして製造したディスク状酸化物半導
体の各組成比について、250’Cにおける比抵抗値、
サーミスタ定数および500’CI 000時間後にお
ける抵抗値経時変化率を下記の表に併せて示す。
(以下糸 白) 比較用試料はいずれも500°Cでの抵抗値経時変化率
が±6%以上と高く、実用上安定性に欠けるため請求範
囲外とした。なお、今回の試料はディスク状サーミスタ
としたが、焼成抜角型にカッティングし、ガラス封入サ
ーミスタとして用いてもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、Mnを主成分とするMn
 −Ni −Cr系酸化物半導体にYを固溶したZrO
2とHf02i加えたサーミスタ用酸化物半導体とする
ことにより、600°Cでの使用に対して長期にわたり
高い安定性を維持できるという効果が得られた。すなわ
ち、250°C〜s o O’Cの範囲で高い信頼性が
要求される温度センサーとして有用なものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  金属元素としてマンガンを主成分とし、ニッケル0.
    1〜5.0原子%、クロム0.1〜5.0原子%、ジル
    コニウムとハフニウムを合わせて10.0〜28.0原
    子%およびイットリウム0.2〜2.9原子%の6種を
    合計100原子%含有することを特徴とするサーミスタ
    用酸化物半導体。
JP61249920A 1986-10-21 1986-10-21 サ−ミスタ用酸化物半導体 Expired - Lifetime JPH0727802B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61249920A JPH0727802B2 (ja) 1986-10-21 1986-10-21 サ−ミスタ用酸化物半導体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61249920A JPH0727802B2 (ja) 1986-10-21 1986-10-21 サ−ミスタ用酸化物半導体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63104305A true JPS63104305A (ja) 1988-05-09
JPH0727802B2 JPH0727802B2 (ja) 1995-03-29

Family

ID=17200151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61249920A Expired - Lifetime JPH0727802B2 (ja) 1986-10-21 1986-10-21 サ−ミスタ用酸化物半導体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0727802B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0727802B2 (ja) 1995-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4324702A (en) Oxide thermistor compositions
EP0149681B1 (en) Oxide semiconductor for thermistor
JP2841395B2 (ja) Ntcサーミスタの製造方法
JPS63104305A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPS63104303A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPH03214702A (ja) サーミスタ用組成物
JPS6211202A (ja) サ−ミスタ用組成物
JPS61168205A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法
JPS61168204A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法
JPH0543161B2 (ja)
JPS62108503A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPS6097601A (ja) サーミスタ用酸化物半導体磁器の製造方法
JPS62108505A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPH0578921B2 (ja)
JPS6211201A (ja) サ−ミスタ用組成物
JPS6236602B2 (ja)
JPS59208804A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPS61113210A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法
JPS62108504A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPS61113207A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法
JPS62263606A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体磁器の製造方法
JP2578889B2 (ja) サーミスタ
JPS61113209A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法
JPS6013285B2 (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体
JPS61122156A (ja) サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法