JPS63104305A - サ−ミスタ用酸化物半導体 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体Info
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- JPS63104305A JPS63104305A JP61249920A JP24992086A JPS63104305A JP S63104305 A JPS63104305 A JP S63104305A JP 61249920 A JP61249920 A JP 61249920A JP 24992086 A JP24992086 A JP 24992086A JP S63104305 A JPS63104305 A JP S63104305A
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- Japan
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- thermistor
- oxide semiconductor
- atomic
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- Granted
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、0°C〜500°Cの範囲で温度センサーと
して利用できるところの負の抵抗温度係数を有するサー
ミスタ用酸化物半導体に関するものである。
して利用できるところの負の抵抗温度係数を有するサー
ミスタ用酸化物半導体に関するものである。
従来の技術
従来、この種のサーミスタ用酸化物半導体は、Mn −
Go −Ni系、 Mn −Co −Cu系およびMn
−N1− cr系で構成された組成を有するものであ
った。
Go −Ni系、 Mn −Co −Cu系およびMn
−N1− cr系で構成された組成を有するものであ
った。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、高温で熱的および化学的に
不安定であり300’Cを超えるような温度領域では使
用することができないという問題があった。
不安定であり300’Cを超えるような温度領域では使
用することができないという問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、0°C
〜500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的に
も安定なサーミスタ用酸化物半導体を提供することを目
的とするものである。
〜500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的に
も安定なサーミスタ用酸化物半導体を提供することを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明のサーミスタ用酸化
物半導体は金属元素としてマンガンを主成分とし、ニッ
ケル0.1〜5.0原子%、クロム0.1〜5.0原子
%、ジルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜2
8.0原子%およびイツトリウム0.2〜2.9原子%
の6種を含有し、この6種の合計が100原子%となる
ような組成としたものである。
物半導体は金属元素としてマンガンを主成分とし、ニッ
ケル0.1〜5.0原子%、クロム0.1〜5.0原子
%、ジルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜2
8.0原子%およびイツトリウム0.2〜2.9原子%
の6種を含有し、この6種の合計が100原子%となる
ような組成としたものである。
作用
この構成により、サーミスタ用酸化物半導体は0°C〜
500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも
安定することとなる。
500°Cで適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも
安定することとなる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。市販の原料Y
2O3、ZrO2、HfO2を後述する表に示す組成比
となるよう配合した。これをボールミルで混合後乾燥さ
せ、1100°Cで仮焼する。これを再びボールミルで
粉砕し、得られたスラリーを乾燥する。このスラリー乾
燥後の粉体に市販の原料MnCO3、NiO、Gr20
5を加え、後述する表に示す組成となるように配合した
。これをボールミルで混合後乾燥させ、900°Cで仮
焼する。これを再びボールミルで粉砕し、得られたスラ
リーを乾燥する。このスラリーの乾燥後、ポリビニール
アルコールをバインダとして添加混合し、所要量採って
13mmφX 2 mm tのディスク状に加圧成形し
、これを空気中1450’Cの温度で2時間焼成した。
2O3、ZrO2、HfO2を後述する表に示す組成比
となるよう配合した。これをボールミルで混合後乾燥さ
せ、1100°Cで仮焼する。これを再びボールミルで
粉砕し、得られたスラリーを乾燥する。このスラリー乾
燥後の粉体に市販の原料MnCO3、NiO、Gr20
5を加え、後述する表に示す組成となるように配合した
。これをボールミルで混合後乾燥させ、900°Cで仮
焼する。これを再びボールミルで粉砕し、得られたスラ
リーを乾燥する。このスラリーの乾燥後、ポリビニール
アルコールをバインダとして添加混合し、所要量採って
13mmφX 2 mm tのディスク状に加圧成形し
、これを空気中1450’Cの温度で2時間焼成した。
こうして得られたディスク状焼結体の両面に白金電極を
設けた。このようにして製造したディスク状酸化物半導
体の各組成比について、250’Cにおける比抵抗値、
サーミスタ定数および500’CI 000時間後にお
ける抵抗値経時変化率を下記の表に併せて示す。
設けた。このようにして製造したディスク状酸化物半導
体の各組成比について、250’Cにおける比抵抗値、
サーミスタ定数および500’CI 000時間後にお
ける抵抗値経時変化率を下記の表に併せて示す。
(以下糸 白)
比較用試料はいずれも500°Cでの抵抗値経時変化率
が±6%以上と高く、実用上安定性に欠けるため請求範
囲外とした。なお、今回の試料はディスク状サーミスタ
としたが、焼成抜角型にカッティングし、ガラス封入サ
ーミスタとして用いてもよい。
が±6%以上と高く、実用上安定性に欠けるため請求範
囲外とした。なお、今回の試料はディスク状サーミスタ
としたが、焼成抜角型にカッティングし、ガラス封入サ
ーミスタとして用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Mnを主成分とするMn
−Ni −Cr系酸化物半導体にYを固溶したZrO
2とHf02i加えたサーミスタ用酸化物半導体とする
ことにより、600°Cでの使用に対して長期にわたり
高い安定性を維持できるという効果が得られた。すなわ
ち、250°C〜s o O’Cの範囲で高い信頼性が
要求される温度センサーとして有用なものである。
−Ni −Cr系酸化物半導体にYを固溶したZrO
2とHf02i加えたサーミスタ用酸化物半導体とする
ことにより、600°Cでの使用に対して長期にわたり
高い安定性を維持できるという効果が得られた。すなわ
ち、250°C〜s o O’Cの範囲で高い信頼性が
要求される温度センサーとして有用なものである。
Claims (1)
- 金属元素としてマンガンを主成分とし、ニッケル0.
1〜5.0原子%、クロム0.1〜5.0原子%、ジル
コニウムとハフニウムを合わせて10.0〜28.0原
子%およびイットリウム0.2〜2.9原子%の6種を
合計100原子%含有することを特徴とするサーミスタ
用酸化物半導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61249920A JPH0727802B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61249920A JPH0727802B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63104305A true JPS63104305A (ja) | 1988-05-09 |
JPH0727802B2 JPH0727802B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17200151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61249920A Expired - Lifetime JPH0727802B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0727802B2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP61249920A patent/JPH0727802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0727802B2 (ja) | 1995-03-29 |
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