JPS63102202A - 正特性サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS63102202A JPS63102202A JP24864586A JP24864586A JPS63102202A JP S63102202 A JPS63102202 A JP S63102202A JP 24864586 A JP24864586 A JP 24864586A JP 24864586 A JP24864586 A JP 24864586A JP S63102202 A JPS63102202 A JP S63102202A
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- Japan
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- manufacture
- thermistor
- positive characteristics
- positive temperature
- characteristics thermistor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
自己発熱による抵抗値上昇によシミ流値を減少させる限
流用素子に用いられる正特性サーミスタの製造方法に関
するものである。
流用素子に用いられる正特性サーミスタの製造方法に関
するものである。
従来の技術
従来、この種の正特性サーミスタの製造方法は、成形体
を１１６０〜１２ｏｏ℃の範囲で仮焼したものであった
。
を１１６０〜１２ｏｏ℃の範囲で仮焼したものであった
。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の製造方法では、耐電圧試倹または寿命
試験において要求特性を満足できずに素子ワレを起こす
という問題があった。
試験において要求特性を満足できずに素子ワレを起こす
という問題があった。
本発明はこの問題点を解決するもので耐電圧特性、寿命
特性の優れた正特性サーミスタを提供することを特徴と
する特性サーミスタの製造方法である。
特性の優れた正特性サーミスタを提供することを特徴と
する特性サーミスタの製造方法である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の正特性サーミスタ
の製造方法は（Ｂ’０，９６ Ｓｒｏ、。２ｐｔ＋。−
８２）”１．０１Ｏ３にＮｂ２Ｏ５をｏ、ｏ ０１ ｍ
ｏｌ添加してなる組成物を混合したのち、圧力をかけて
成形し、膨張率を０〜６％の範囲に制御しつつ１１００
〜１１５０℃で仮焼し、その後添加物を加えて混合粉砕
し、さらに所定の温度で焼結することから構成される。
の製造方法は（Ｂ’０，９６ Ｓｒｏ、。２ｐｔ＋。−
８２）”１．０１Ｏ３にＮｂ２Ｏ５をｏ、ｏ ０１ ｍ
ｏｌ添加してなる組成物を混合したのち、圧力をかけて
成形し、膨張率を０〜６％の範囲に制御しつつ１１００
〜１１５０℃で仮焼し、その後添加物を加えて混合粉砕
し、さらに所定の温度で焼結することから構成される。
作用
この製造方法により、仮焼体の膨張率により的確な仮焼
状態が把握できかつ正特性サーミスタの緒特性を十分に
予想できることとなる。
状態が把握できかつ正特性サーミスタの緒特性を十分に
予想できることとなる。
実施例
ＣＢａｄ、９６５ｒＯ００２Ｐｂ０．０２ ） Ｔｉ＋
、ｏ＋ ０３に０．００１１ ｍｏｌのＮｂ２Ｏ５を添
加し、ボールミルを用いて温式混合し、有機バインダを
加えて造粒し、３００に＊／ｃｒＩの圧力で直径６００
．厚み４０鵡の円板に成形した後１１００〜１１５ｏ℃
で仮焼する。このように得られた成形仮焼体を粉末に砕
き、添加物５ｂ２０．５ｉｎ２．Ａ３２０３．ＭｎＯ２
を加え、ボールミルで混合粉砕し、その後有機バインダ
を加えて造粒し１０ｏｏＫＩＰ／ｄの圧力で直径２２鵡
、厚み３鵡の円板に成形した後１３５０℃で焼成する。
、ｏ＋ ０３に０．００１１ ｍｏｌのＮｂ２Ｏ５を添
加し、ボールミルを用いて温式混合し、有機バインダを
加えて造粒し、３００に＊／ｃｒＩの圧力で直径６００
．厚み４０鵡の円板に成形した後１１００〜１１５ｏ℃
で仮焼する。このように得られた成形仮焼体を粉末に砕
き、添加物５ｂ２０．５ｉｎ２．Ａ３２０３．ＭｎＯ２
を加え、ボールミルで混合粉砕し、その後有機バインダ
を加えて造粒し１０ｏｏＫＩＰ／ｄの圧力で直径２２鵡
、厚み３鵡の円板に成形した後１３５０℃で焼成する。
こうして得られた焼結体にオーミック性のＮｉ電極を施
し、さらにＮｉ電極の保護のためにムｇ電極を塗布焼付
する。このようにして得られた試料と従来の製造方法で
得られた試料とを、耐電圧試験及び寿命試験を行った結
果を次表に示す。寿命試験は試料と１０Ωの固有抵抗と
を接続し、その両端に２００ｖの電圧を印加し５秒間Ｏ
Ｎ、１１５秒間ＯＦＦという０Ｎ−ＯＦＦを繰り返し素
子ワレに至るまでの回数で示している０ この表から明らかなように仮焼を１１００〜１１５０℃
の温度で、膨張率を０〜５％に制御しつつ行うことで優
れた正特性サーミスタを製造することができる。
し、さらにＮｉ電極の保護のためにムｇ電極を塗布焼付
する。このようにして得られた試料と従来の製造方法で
得られた試料とを、耐電圧試験及び寿命試験を行った結
果を次表に示す。寿命試験は試料と１０Ωの固有抵抗と
を接続し、その両端に２００ｖの電圧を印加し５秒間Ｏ
Ｎ、１１５秒間ＯＦＦという０Ｎ−ＯＦＦを繰り返し素
子ワレに至るまでの回数で示している０ この表から明らかなように仮焼を１１００〜１１５０℃
の温度で、膨張率を０〜５％に制御しつつ行うことで優
れた正特性サーミスタを製造することができる。
＊１ 従来工法で得られたセラミック特性発明の効果
以上のように本発明によれば、仮焼体の膨張率により的
確な仮焼状態が把握でき、量童時においても、仮焼条件
を制御することで、優れた正特性サーミスタを大量に提
供できるという効果が得られる。
確な仮焼状態が把握でき、量童時においても、仮焼条件
を制御することで、優れた正特性サーミスタを大量に提
供できるという効果が得られる。
Claims (1)
- （Ｂａ＿０＿．＿９＿６Ｓｒ＿０＿．＿０＿２Ｐｂ＿０
＿．＿０＿２）Ｔｉ＿１＿．＿０＿１Ｏ＿３にＮｂ＿２
Ｏ＿５を０．００１１ｍｏｌ添加してなる組成物を混合
したのち圧力をかけて成形し、膨張率を０〜５％の範囲
になるように制御しつつ１１００〜１１５０℃で仮焼し
、その後添加物を加えて混合粉砕し、さらに所定の温度
で焼結することを特徴とする正特性サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864586A JPS63102202A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864586A JPS63102202A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102202A true JPS63102202A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17181198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24864586A Pending JPS63102202A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102202A (ja) |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24864586A patent/JPS63102202A/ja active Pending
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