JPS5944805A - 電圧非直線抵抗磁器 - Google Patents
電圧非直線抵抗磁器Info
- Publication number
- JPS5944805A JPS5944805A JP57154969A JP15496982A JPS5944805A JP S5944805 A JPS5944805 A JP S5944805A JP 57154969 A JP57154969 A JP 57154969A JP 15496982 A JP15496982 A JP 15496982A JP S5944805 A JPS5944805 A JP S5944805A
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- JP
- Japan
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- voltage
- porcelain
- atoms
- nonlinear resistance
- voltage nonlinear
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電圧非直線抵抗磁器、きらに詳しくは過電圧
保護用素子として用いられる酸化唾鉛（Ｚ ｎ Ｏ）を
主成とした電圧非直線抵抗磁器に関する。
保護用素子として用いられる酸化唾鉛（Ｚ ｎ Ｏ）を
主成とした電圧非直線抵抗磁器に関する。
従来％１（シ子機器、電気機器の過′区圧保護を目的と
して、それぞれ７リコンカー／くイド（ＳｉＣ）。
して、それぞれ７リコンカー／くイド（ＳｉＣ）。
セレン（Ｓｅ ）、シリコン（８ｉ）又はＺｎＯを主成
分としたバリスタが利用されている。中でもＺ【１０を
主成分としたバリスタは一般に制限亀ＥＥが低く。
分としたバリスタが利用されている。中でもＺ【１０を
主成分としたバリスタは一般に制限亀ＥＥが低く。
電圧非直線係数が大きいなどの特徴を有しているため、
半２／９体素子の、しうな過電流耐ｔＪの小さいもので
セ・！成される機器の過電圧に対する保Ｈｆｊに適して
いるので、ＳｉＣよりなるバリスタなどに代って広く利
用されるようになった。
半２／９体素子の、しうな過電流耐ｔＪの小さいもので
セ・！成される機器の過電圧に対する保Ｈｆｊに適して
いるので、ＳｉＣよりなるバリスタなどに代って広く利
用されるようになった。
捷プと：ｓ ＺｎＯを主成分とし、副成分としてザマリ
ウム（Ｓｍ）及びコバル） （Ｃｏ）を元素又（ま化合
物の形で添加し−Ｃ：ｌ；＋＋４成することにより製造
される＆圧非直線抵抗磁器が電圧非直線性に優れている
ことが知られている。しかし、この３しりん古、圧非直
線抵抗磁器においてｔよ、動作開始１）ｆ、圧が周囲温
度の上９ノによって著しく減少すると漏れ霜、ｒ６Ｌが
大きくなり、従って熱埜走（ｌＴ−起こす町ｆ１ヒ性が
生ずる。
ウム（Ｓｍ）及びコバル） （Ｃｏ）を元素又（ま化合
物の形で添加し−Ｃ：ｌ；＋＋４成することにより製造
される＆圧非直線抵抗磁器が電圧非直線性に優れている
ことが知られている。しかし、この３しりん古、圧非直
線抵抗磁器においてｔよ、動作開始１）ｆ、圧が周囲温
度の上９ノによって著しく減少すると漏れ霜、ｒ６Ｌが
大きくなり、従って熱埜走（ｌＴ−起こす町ｆ１ヒ性が
生ずる。
さらに制限電圧かや＼高いという欠点がよ）っだ。
従ッテ、実用土ｒ／′、１１．コれらノ（ｈ２ ｉ７．
ｐ、 ７ｙ、圧非Ｍｊ Ｉ’ｄ性の他に、できるたり
動作開始′ｉＪ、圧が周囲汎１． Ｌｌ’ｊに７・ｊし
て安＞ｊＬであると、どと、更に制限Ｔｉε川が低いこ
とが望壮れるのである。
ｐ、 ７ｙ、圧非Ｍｊ Ｉ’ｄ性の他に、できるたり
動作開始′ｉＪ、圧が周囲汎１． Ｌｌ’ｊに７・ｊし
て安＞ｊＬであると、どと、更に制限Ｔｉε川が低いこ
とが望壮れるのである。
？ｉｅっで、本発明ＶＪ動作開始′１１を圧の周囲ｒＡ
Ａ ＩＪ’： Ｉ”−月する安だ性を向上させ、ｔ４、
つｉｔ’ｌｌ ｌｆｔ退ｔｉ、 ＩＪ−、を史に減少さ
せ、しかも一層好適な特性を付与された７１圧非直線抵
抗磁器を提供することを目的とする。
Ａ ＩＪ’： Ｉ”−月する安だ性を向上させ、ｔ４、
つｉｔ’ｌｌ ｌｆｔ退ｔｉ、 ＩＪ−、を史に減少さ
せ、しかも一層好適な特性を付与された７１圧非直線抵
抗磁器を提供することを目的とする。
こ５に、本発明者は、ＺｎＯｆ主成分とし、副成分とし
てＳｍとＣｏを添加してなる従来技術の電圧非直線抵抗
磁器に、更に副成分としてセシウム（Ｃｓ）とクロム（
Ｃｒ）を添加することにより。
てＳｍとＣｏを添加してなる従来技術の電圧非直線抵抗
磁器に、更に副成分としてセシウム（Ｃｓ）とクロム（
Ｃｒ）を添加することにより。
優れた電圧非直線性を保持した」二で、動作−１１始重
圧の周囲温度に対する安定性が向」二し、且つ制限ＴＩ
（、川が低減された電圧非直線抵抗器が得られムことを
見出ｌ〜、本発明を完成した。
圧の周囲温度に対する安定性が向」二し、且つ制限ＴＩ
（、川が低減された電圧非直線抵抗器が得られムことを
見出ｌ〜、本発明を完成した。
しかして、本発明によれば、Ｚ ｎ Ｏを主成分と（７
，副成分としてＳｍ、Ｃｏを含む電圧非直線抵抗磁器に
おいて、更に副成分とＬ７てＣｓ及びＣｒを添加したこ
とを特徴とする雷、圧非直線抵抗磁器が提供される。
，副成分としてＳｍ、Ｃｏを含む電圧非直線抵抗磁器に
おいて、更に副成分とＬ７てＣｓ及びＣｒを添加したこ
とを特徴とする雷、圧非直線抵抗磁器が提供される。
本発明の更に好ましい具体例に」：れば、ＺｎＯを、１
コ成分とし、副成分とＬ７てＳ ｍ及び（０の他にＣｓ
及びＣｒをＳｍが０１〜５０原子％、Ｃｏが０、５〜５
原子％、 Ｃｓが０．０５〜０．５原子係、Ｃｒが０．
０５〜０，５原子チであるような旬で含むｓｒ丁升直線
抵抗磁器が提供される。
コ成分とし、副成分とＬ７てＳ ｍ及び（０の他にＣｓ
及びＣｒをＳｍが０１〜５０原子％、Ｃｏが０、５〜５
原子％、 Ｃｓが０．０５〜０．５原子係、Ｃｒが０．
０５〜０，５原子チであるような旬で含むｓｒ丁升直線
抵抗磁器が提供される。
こ＼で、原子チとは、所定の電圧非直線抵抗磁器を製造
するために配合された原料組成物中の各成分金属元素の
原子数の総和に対する添加金属元素の原子数の百分率を
意味する。
するために配合された原料組成物中の各成分金属元素の
原子数の総和に対する添加金属元素の原子数の百分率を
意味する。
本発明に従う電圧非直線抵抗磁器は、一般にｄ。
Ｚ ｎ Ｏと添加成分の金属又は化合物の混合物を酸素
含有雰囲気のもとて高温で焼成り、焼結させることによ
って製造される。
含有雰囲気のもとて高温で焼成り、焼結させることによ
って製造される。
通常、添加成分は金属酸化物の形で添加されるが、焼成
過程で酸化物になり得る化合物、例えば炭酸塙、水酸化
物、弗化物なども用いることができ、或いは単体元素の
形で用いて焼成過程で酸化物にすることもできる。
過程で酸化物になり得る化合物、例えば炭酸塙、水酸化
物、弗化物なども用いることができ、或いは単体元素の
形で用いて焼成過程で酸化物にすることもできる。
竹に好ましい方法によれば１本発明の電圧非ｉｆｆ線抵
抗磁器は、Ｚ ｎ （Ｊ 粉末に添加成分金属又は化合
物の粉末を十分に混合し、焼成前に空気中で５００〜１
０００℃で数時間仮焼し、仮焼物を十分に粉６’ＬＬ
、所屋の形状に成形し１次いで空気中で１２０１３〜１
４００１０程度の温度で数時間焼成する仁とにより製造
される。１２００℃より低い焼成温度では焼結が不十分
で特性が不安定である。また。
抗磁器は、Ｚ ｎ （Ｊ 粉末に添加成分金属又は化合
物の粉末を十分に混合し、焼成前に空気中で５００〜１
０００℃で数時間仮焼し、仮焼物を十分に粉６’ＬＬ
、所屋の形状に成形し１次いで空気中で１２０１３〜１
４００１０程度の温度で数時間焼成する仁とにより製造
される。１２００℃より低い焼成温度では焼結が不十分
で特性が不安定である。また。
１４００℃より高い温度では、均質・な焼結体を得るこ
とが困離となり、電圧非直線性が低下し＋ ’Ｉ”Ｆ性
の制御などの再現性にｆ１１１点があり、実用に供する
莢品を得がたい。
とが困離となり、電圧非直線性が低下し＋ ’Ｉ”Ｆ性
の制御などの再現性にｆ１１１点があり、実用に供する
莢品を得がたい。
こ＼で２本発明をさらに例示するために実施例を示す。
実施例
Ｚｒ２Ｏ粉末Ｋ ５ｒｎ２０３ 、 Ｃｏｇ０４ 、
Ｃ８２ｃ０３ 、 Ｃ”ｔ’ｓ粉末を後記の第１表に記
載の所定の原子チに相当するｍで添加し、十分に混合し
た後、５００〜１０００℃で数時間仮焼した。次いで、
仮焼物を十分に粉砕し、金型を用いて直径１７門の円板
状に成型して、１２００〜１４００℃で空・気中で１時
間焼成して焼結磁器を得た。このようにして得られた磁
器を厚さ２朔の試料に研磨し、その両面に電極を暁付け
て素子を作り、その電気的特性を一１ｌｌ定した。
Ｃ８２ｃ０３ 、 Ｃ”ｔ’ｓ粉末を後記の第１表に記
載の所定の原子チに相当するｍで添加し、十分に混合し
た後、５００〜１０００℃で数時間仮焼した。次いで、
仮焼物を十分に粉砕し、金型を用いて直径１７門の円板
状に成型して、１２００〜１４００℃で空・気中で１時
間焼成して焼結磁器を得た。このようにして得られた磁
器を厚さ２朔の試料に研磨し、その両面に電極を暁付け
て素子を作り、その電気的特性を一１ｌｌ定した。
′電気的特性としては、２５℃において素子に工ｍＡの
電流を流しだときの動作開始用、圧ｖ、＋ｎＡ、２５℃
における？−圧非直線係数α” ’ ＩＴＩＡの２５℃
と８５℃との間の変化率△Ｖ＋／Ｖ＋ 並びに素子に
４０Ａの市原を流したときの制限知、圧Ｖ４ｎＡ と
”ｍＡの比を求めた。非（α純係数αは朱子電流１の？
Ｉｊ圧■に対する変化を次式に近似したときに（ｊ）ら
れる。
電流を流しだときの動作開始用、圧ｖ、＋ｎＡ、２５℃
における？−圧非直線係数α” ’ ＩＴＩＡの２５℃
と８５℃との間の変化率△Ｖ＋／Ｖ＋ 並びに素子に
４０Ａの市原を流したときの制限知、圧Ｖ４ｎＡ と
”ｍＡの比を求めた。非（α純係数αは朱子電流１の？
Ｉｊ圧■に対する変化を次式に近似したときに（ｊ）ら
れる。
ここで、Ｃは’ｒｌＬ流密度がｌ ｍ 、Ａ ／ｃｎＩ
のときの素子のｊ早を１胴当り（ｈ市、川である。
のときの素子のｊ早を１胴当り（ｈ市、川である。
磁器の配合組成をイ中々変えたときの電気的Ｉトη＋１
の測定結央を第１表に示す。第１表に示した配合組成Ｃ
１１，配合？゛れた原料中の各成分金属元素の原子数の
総和に対する際加冗素の原子数の比から臀８（’＋
１ 表 第１表に示す試料Ｎｕ １はＺｎＯｉＣ８ｍ、Ｃｏのみ
を添加して調造した従来の磁器に相当し、その■１１□
、Ａの温度変化率△Ｖ＋／Ｖ＋ は−７，５幅、制限
電工と動作開始電圧の比Ｖ＜ｎＡ／Ｖ１ｍＡは２．０で
ある。本発明の目的であるＶ の温１Ｎ！Ｌに対する
安’ ｍＡ 定性と制限電圧特性が良好である。即ち△Ｖ＋／Ｖ＋カ
ー ７．５ ％ Ｊ：す０ニ近く、ｖ４ｏＡ／ｖＩ１１
．Ａカ２．０以下の試料は、表からＩｌＮ ３〜８．１
１〜１４．１７〜２０．２３〜２６である。従って、Ｓ
ｍは０．１〜５．０原子％ＩＣＯは０．５〜５．０原子
チ、ＣＦＩは０．０５−（１，５以下％、Ｃｒは０．０
５〜０．５原子φの節囲内で添加する必−要があること
がわかる。
の測定結央を第１表に示す。第１表に示した配合組成Ｃ
１１，配合？゛れた原料中の各成分金属元素の原子数の
総和に対する際加冗素の原子数の比から臀８（’＋
１ 表 第１表に示す試料Ｎｕ １はＺｎＯｉＣ８ｍ、Ｃｏのみ
を添加して調造した従来の磁器に相当し、その■１１□
、Ａの温度変化率△Ｖ＋／Ｖ＋ は−７，５幅、制限
電工と動作開始電圧の比Ｖ＜ｎＡ／Ｖ１ｍＡは２．０で
ある。本発明の目的であるＶ の温１Ｎ！Ｌに対する
安’ ｍＡ 定性と制限電圧特性が良好である。即ち△Ｖ＋／Ｖ＋カ
ー ７．５ ％ Ｊ：す０ニ近く、ｖ４ｏＡ／ｖＩ１１
．Ａカ２．０以下の試料は、表からＩｌＮ ３〜８．１
１〜１４．１７〜２０．２３〜２６である。従って、Ｓ
ｍは０．１〜５．０原子％ＩＣＯは０．５〜５．０原子
チ、ＣＦＩは０．０５−（１，５以下％、Ｃｒは０．０
５〜０．５原子φの節囲内で添加する必−要があること
がわかる。
以上、第１表から明らかなように、副成分としてのＳｍ
、Ｃｏ糸にＣｓ、Ｃｒを添加することにより。
、Ｃｏ糸にＣｓ、Ｃｒを添加することにより。
”’＋ｎＡの温度特性と制限電圧特性が大ｌＪに改良さ
れる。これはＺｎＯ［Ｓ＋ｎ、Ｃｏ、Ｃｓ、Ｃｒが共有
しで初めて達成されるものである。これらの副成分を単
独で重加すると、電圧非直線性は極めて惑く、はヌオー
ミックな／１ｉｆ性しかイｑられない。また、８ｍ、Ｃ
ｏの外に、Ｃ５またはＣｒだけを添加した場合には５高
抵抗化したりあるいは低抵抗化して電圧非直線性が失わ
れ、バリスタとして実用に供することができない。
れる。これはＺｎＯ［Ｓ＋ｎ、Ｃｏ、Ｃｓ、Ｃｒが共有
しで初めて達成されるものである。これらの副成分を単
独で重加すると、電圧非直線性は極めて惑く、はヌオー
ミックな／１ｉｆ性しかイｑられない。また、８ｍ、Ｃ
ｏの外に、Ｃ５またはＣｒだけを添加した場合には５高
抵抗化したりあるいは低抵抗化して電圧非直線性が失わ
れ、バリスタとして実用に供することができない。
上述したように、本発明の゛亀圧非直紳ＩＩ（抗磁器は
、良好な電圧非直線性を保持した上で、ｖ＋１□、への
温＃特性と制限′電圧特性が大巾に向上し、従って、バ
リスタとして極めて有効に使用することができる。
、良好な電圧非直線性を保持した上で、ｖ＋１□、への
温＃特性と制限′電圧特性が大巾に向上し、従って、バ
リスタとして極めて有効に使用することができる。
２
Claims (1)
- ｌ）酸化亜鉛を主成分とし、これに副成分としてす７１
Ｊ ＋／ム、コバルト、セシウムおヨヒクロムヲ元素ま
たは化合物の形で、それぞれ元素に換算してザマリウム
は０．１〜５．０原子チ、コノ（ルトは０．５〜５．０
原子チ、セゾウノ、は０．０５〜０．５原子宏クロムは
０．０５〜０．５原子チの範囲で添加し焼成してなるこ
と全特徴とする電圧非直線抵抗磁器０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154969A JPS5944805A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154969A JPS5944805A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944805A true JPS5944805A (ja) | 1984-03-13 |
| JPS644647B2 JPS644647B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=15595845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154969A Granted JPS5944805A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944805A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5591523B2 (ja) | 2009-11-19 | 2014-09-17 | 出光興産株式会社 | 長期成膜時の安定性に優れたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57154969A patent/JPS5944805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS644647B2 (ja) | 1989-01-26 |
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