JPS63126204A - サ−ミスタ組成物 - Google Patents
サ−ミスタ組成物Info
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- JPS63126204A JPS63126204A JP61272658A JP27265886A JPS63126204A JP S63126204 A JPS63126204 A JP S63126204A JP 61272658 A JP61272658 A JP 61272658A JP 27265886 A JP27265886 A JP 27265886A JP S63126204 A JPS63126204 A JP S63126204A
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- thermistor
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- Pending
Links
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
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- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 7
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- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はサーミスタ組成物に関する。
(従来技術)
従来、サーミスタ組成物としては、酸化マンガン、酸化
二ソケjl<および酸化コバルトの3成分系の組成物が
用いられていた。
二ソケjl<および酸化コバルトの3成分系の組成物が
用いられていた。
(発明が解決しようとする問題点)
従来のサーミスタ組成物では、高温度雰囲気中において
、その抵抗値の変動が大きかった。特に、300℃以上
の雰囲気中では、サーミスタとして使用することができ
なかった。
、その抵抗値の変動が大きかった。特に、300℃以上
の雰囲気中では、サーミスタとして使用することができ
なかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、200℃〜70
0℃の高温度雰囲気中で適当な抵抗値を有し、かつ、そ
の抵抗値の変動が小さいサーミスタ組成物を提供するこ
とである。
0℃の高温度雰囲気中で適当な抵抗値を有し、かつ、そ
の抵抗値の変動が小さいサーミスタ組成物を提供するこ
とである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、成分がマンガン、ニッケル、コバルト、ア
ルミニウムおよびジルコニウムの各酸化物を含むサーミ
スタ組成物であって、各構成原料をMn、Nr、Co、
Aj2およびZrと表したとき、Mn、NiおよびCo
の合計が100原子%で、かつ、Mn64.0〜98.
、O原子%、Ni0.1〜34.0原子%、CoQ、1
〜14.0原子%の関係を満足し、上記3種の元素10
0原子%に対して、A、420.1〜9.9原子%、
Zr0〜3.0原子%が添加含有されている、サーミ
スタ組成物である。
ルミニウムおよびジルコニウムの各酸化物を含むサーミ
スタ組成物であって、各構成原料をMn、Nr、Co、
Aj2およびZrと表したとき、Mn、NiおよびCo
の合計が100原子%で、かつ、Mn64.0〜98.
、O原子%、Ni0.1〜34.0原子%、CoQ、1
〜14.0原子%の関係を満足し、上記3種の元素10
0原子%に対して、A、420.1〜9.9原子%、
Zr0〜3.0原子%が添加含有されている、サーミ
スタ組成物である。
(発明の効果) ′
この発明によれば、サーミスタは、300℃の雰囲気中
において、10Ω〜100にΩの抵抗値を有する。さら
に、そのサーミスタ定数は3,800〜9.0OOKで
ある。また、Mn、Ni。
において、10Ω〜100にΩの抵抗値を有する。さら
に、そのサーミスタ定数は3,800〜9.0OOKで
ある。また、Mn、Ni。
COおよびA2からなるサーミスタでは、500℃の雰
囲気中に1,000時間放置した場合の抵抗変化率は2
.596以内である。さらに、Zrを3.0原子%まで
添加することによって、サーミスタの抵抗変化率を2%
以内にすることができる。
囲気中に1,000時間放置した場合の抵抗変化率は2
.596以内である。さらに、Zrを3.0原子%まで
添加することによって、サーミスタの抵抗変化率を2%
以内にすることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
Mn、COn 、N j CO3、CO3O4、AEz
03およびZrO,を、別表に示した各試料の組成比と
なるように配合した。これらの原料を乾燥後、850°
Cで仮焼した。そして、仮焼した原料を粉砕し、これに
バインダを添加し混合した。この原料を乾燥、造粒後、
成型して1,300°C〜1.350’Cで4時間焼成
した。原料焼成後、Ag−Pdペーストを塗布し、85
0℃で90分焼き付けて電極を形成した。
03およびZrO,を、別表に示した各試料の組成比と
なるように配合した。これらの原料を乾燥後、850°
Cで仮焼した。そして、仮焼した原料を粉砕し、これに
バインダを添加し混合した。この原料を乾燥、造粒後、
成型して1,300°C〜1.350’Cで4時間焼成
した。原料焼成後、Ag−Pdペーストを塗布し、85
0℃で90分焼き付けて電極を形成した。
このようにして得られたサーミスタ材料の各組成につい
て、300℃における抵抗値、サーミスタ定数および抵
抗経時変化率を測定した。抵抗経時変化率は、サーミス
タ材料を500℃の温度雰囲気中にl 000時間放
置した後の抵抗変化率を測定したものである。
て、300℃における抵抗値、サーミスタ定数および抵
抗経時変化率を測定した。抵抗経時変化率は、サーミス
タ材料を500℃の温度雰囲気中にl 000時間放
置した後の抵抗変化率を測定したものである。
以上の結果を別表に示した。
表において、*印を付したものは、この発明の範囲外の
組成物とその特性である。
組成物とその特性である。
表かられかるように、*印の付されたサーミスタ組成物
では、抵抗経時変化率が2.5%を超える。しかし、こ
の発明の範囲内のサーミスタ組成物では抵抗経時変化率
が2.5%以内と安定している。さらに、Zrを3原子
%まで添加することによって、サーミスタの抵抗経時変
化率を2%以内にすることができる。このことは、Zr
の添加されていない試料番号25の組成物の特性と、こ
の発明の範囲内にある他の組成物の特性とを比較するこ
とによって理解することができる。しかし、試料番号2
8の組成物の特性かられかるように、Zrの添加率が3
原子%を超えると、Zrは固溶しなくなり、抵抗経時変
化率は2.5%を超える。
では、抵抗経時変化率が2.5%を超える。しかし、こ
の発明の範囲内のサーミスタ組成物では抵抗経時変化率
が2.5%以内と安定している。さらに、Zrを3原子
%まで添加することによって、サーミスタの抵抗経時変
化率を2%以内にすることができる。このことは、Zr
の添加されていない試料番号25の組成物の特性と、こ
の発明の範囲内にある他の組成物の特性とを比較するこ
とによって理解することができる。しかし、試料番号2
8の組成物の特性かられかるように、Zrの添加率が3
原子%を超えると、Zrは固溶しなくなり、抵抗経時変
化率は2.5%を超える。
この実施例かられかるように、この発明によるサーミス
タ組成物を用いることによって、200°C〜700℃
の高温度雰囲気中で使用しても、抵抗変化率の小さい安
定したサーミスタを得ることができる。
タ組成物を用いることによって、200°C〜700℃
の高温度雰囲気中で使用しても、抵抗変化率の小さい安
定したサーミスタを得ることができる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
(ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 成分がマンガン、ニッケル、コバルト、アルミニウムお
よびジルコニウムの各酸化物を含むサーミスタ組成物で
あって、 各構成原料をMn、Ni、Co、AlおよびZrと表し
たとき、Mn、NiおよびCoの合計が100原子%で
、かつ Mn64.0〜98.0原子% Ni0.1〜34.0原子% Co0.1〜14.0原子% の関係を満足し、 上記3種の元素100原子%に対して、Al0.1〜9
.9原子%、Zr0〜3.0原子%が添加含有されてい
る、サーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61272658A JPS63126204A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−ミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61272658A JPS63126204A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−ミスタ組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63126204A true JPS63126204A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17516987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61272658A Pending JPS63126204A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−ミスタ組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63126204A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
WO2009119681A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社 村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
WO2020002336A1 (de) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Tdk Electronics Ag | Ntc-masse, thermistor und verfahren zur herstellung des thermistors |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61272658A patent/JPS63126204A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03279252A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | サーミスタ用組成物 |
JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
WO2009119681A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社 村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
JP5083639B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-11-28 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
WO2020002336A1 (de) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Tdk Electronics Ag | Ntc-masse, thermistor und verfahren zur herstellung des thermistors |
CN112334430A (zh) * | 2018-06-27 | 2021-02-05 | Tdk电子股份有限公司 | Ntc物料、热敏电阻和制造该热敏电阻的方法 |
US11929193B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-03-12 | Tdk Electronics Ag | NTC compound, thermistor and method for producing the thermistor |
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