JPH0727801B2 - サ−ミスタ用酸化物半導体 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体Info
- Publication number
- JPH0727801B2 JPH0727801B2 JP61249917A JP24991786A JPH0727801B2 JP H0727801 B2 JPH0727801 B2 JP H0727801B2 JP 61249917 A JP61249917 A JP 61249917A JP 24991786 A JP24991786 A JP 24991786A JP H0727801 B2 JPH0727801 B2 JP H0727801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- oxide semiconductor
- atomic
- present
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、０℃〜400℃の範囲で温度センサーとして利
用できるところの負の抵抗温度係数を有するサーミスタ
用酸化物半導体に関するものである。
用できるところの負の抵抗温度係数を有するサーミスタ
用酸化物半導体に関するものである。
従来の技術 従来、この種のサーミスタ用酸化物半導体は、Mn−Co−
Ni系,Mn−Co−Cu系およびMn−Ni−Cr系で構成された組
成を有するものであった。
Ni系,Mn−Co−Cu系およびMn−Ni−Cr系で構成された組
成を有するものであった。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、高温で熱的および化学的に
不安定であり300℃を超えるような温度領域では使用す
ることができないという問題があった。
不安定であり300℃を超えるような温度領域では使用す
ることができないという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、０℃〜40
0℃で適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも安定な
サーミスタ用酸化物半導体を提供することを目的とする
ものである。
0℃で適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも安定な
サーミスタ用酸化物半導体を提供することを目的とする
ものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ用酸
化物半導体を金属元素としてマンガンを主成分とし、ニ
ッケル0.1〜5.0原子％，クロム0.1〜5.0原子％およびジ
ルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜29.0原子％含
有し、この５種の合計が100原子％となるような組成と
したものである。
化物半導体を金属元素としてマンガンを主成分とし、ニ
ッケル0.1〜5.0原子％，クロム0.1〜5.0原子％およびジ
ルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜29.0原子％含
有し、この５種の合計が100原子％となるような組成と
したものである。
作用 この構成により、サーミスタ用酸化物半導体は０℃〜40
0℃で適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも安定す
ることとなる。
0℃で適当な抵抗値を示し、熱的にも化学的にも安定す
ることとなる。
実施例 以下、本発明の実施例について説明する。市販の原料Mn
Co3,NiO,Cr2O3,ZrO2,HfO2を後述する表に示す組成とな
るように配合した。これをボールミルで混合後乾燥さ
せ、1000℃で仮焼した。これを再びボールミルで粉砕
し、得られたスラリーを乾燥する。このスラリーの乾燥
後、ポリビニールアルコールをバインダとして添加混合
し、所要量採って13mmφ×2mmtのディスク状に加圧成形
し、これを空気中1400℃の温度で２時間焼成した。この
ようにして製造したディスク状酸化物半導体の各組成比
について、25℃における比抵抗値，サーミスタ定数およ
び400℃1000時間後における抵抗値経時変化率を下記の
表に併せて示す。
Co3,NiO,Cr2O3,ZrO2,HfO2を後述する表に示す組成とな
るように配合した。これをボールミルで混合後乾燥さ
せ、1000℃で仮焼した。これを再びボールミルで粉砕
し、得られたスラリーを乾燥する。このスラリーの乾燥
後、ポリビニールアルコールをバインダとして添加混合
し、所要量採って13mmφ×2mmtのディスク状に加圧成形
し、これを空気中1400℃の温度で２時間焼成した。この
ようにして製造したディスク状酸化物半導体の各組成比
について、25℃における比抵抗値，サーミスタ定数およ
び400℃1000時間後における抵抗値経時変化率を下記の
表に併せて示す。
比較用試料はいずれも400℃での抵抗値経時変化率が±
５％以上と高く、実用上安定性に欠けるため請求範囲外
とした。なお、今回の試料はディスク状サーミスタとし
たが、焼成後角型にカッティングし、ガラス封入サーミ
スタとして用いてもよい。
５％以上と高く、実用上安定性に欠けるため請求範囲外
とした。なお、今回の試料はディスク状サーミスタとし
たが、焼成後角型にカッティングし、ガラス封入サーミ
スタとして用いてもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、Mnを主成分とするMn−Ni
−Cr系酸化物半導体にZrO2とHfO2を加えたサーミスタ用
酸化物半導体とすることにより、400℃での使用に対し
て長期にわたり高い安定性を維持できるという効果が得
られた。すなわち、250℃〜400℃の範囲で高い信頼性が
要求される温度センサーとして多大な貢献ができるもの
である。
−Cr系酸化物半導体にZrO2とHfO2を加えたサーミスタ用
酸化物半導体とすることにより、400℃での使用に対し
て長期にわたり高い安定性を維持できるという効果が得
られた。すなわち、250℃〜400℃の範囲で高い信頼性が
要求される温度センサーとして多大な貢献ができるもの
である。
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素としてマンガンを主成分とし、ニ
ッケル0.1〜5.0原子％，クロム0.1〜5.0原子％およびジ
ルコニウムとハフニウムを合わせて10.0〜29.0原子％の
５種を合計100原子％含有することを特徴とするサーミ
スタ用酸化物半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249917A JPH0727801B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249917A JPH0727801B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104303A JPS63104303A (ja) | 1988-05-09 |
| JPH0727801B2 true JPH0727801B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17200111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61249917A Expired - Lifetime JPH0727801B2 (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727801B2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP61249917A patent/JPH0727801B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63104303A (ja) | 1988-05-09 |
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