JPS6138841B2 - - Google Patents
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- JPS6138841B2 JPS6138841B2 JP9024780A JP9024780A JPS6138841B2 JP S6138841 B2 JPS6138841 B2 JP S6138841B2 JP 9024780 A JP9024780 A JP 9024780A JP 9024780 A JP9024780 A JP 9024780A JP S6138841 B2 JPS6138841 B2 JP S6138841B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は酸化マンガンを主成分とし、特にクロ
ムとケイ素を含有させることを特徴とした負の抵
抗温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体に
関するものである。 従来、酸化クロムを含有し、酸化マンガンを主
成分とするサーミスタ用酸化物組成としては、
Mn−Cr系の２成分系酸化物（〔株〕日立製作所
中央研究所創立二十周年記念論文集、P40、昭和
37年）、Mn−Ni−Cr系の３成分系酸化物（電気
化学Vol.19.1951年９月）が知られている。 本発明のサーミスタ組成は金属元素として
Mn93.7〜30原子％、Ni5〜30原子％、Cr0.3〜39
原子およびSi1〜4.8原子％の４種を含有し、これ
らの合計が100原子％である。ここで、ケイ素は
粒径制御添加元素として働く。この組成は、既に
市販されている汎用NTCサーミスタ（負特性サ
ーミスタ）の中で、比抵抗が1KΩ．cmおよびＢ
定数が3900〓以上の比較的高抵抗．高Ｂ定数用サ
ーミスタの材料組成である。また、Mn.Ni.Crお
よびSiの含有量の限定理由は、上記特性範囲（比
抵抗；1kΩ．cm〜1MΩ．cm、Ｂ定数；3900〓〜
6000〓）からくるものである。 以下、本発明を実施例を挙げて説明する。ま
ず、市販の原料MnCO3.NiO.Cr2O3およびSiO2を
後述する表に示すようにそれぞれの原子％の組成
になるように配合した。次に、サーミスタ製造過
程を例示すると、これらの配合組成物をボールミ
ルで湿式混合し、これらのスラリーを乾燥後、
800℃の温度で仮焼し、これらの仮焼物をボール
ミルで湿式粉砕混合を行つた。そして、得られた
スラリーを乾燥し、ポリビニルアルコールをバイ
ンダーとして添加混合し、所要量採つて円板状に
加圧成形して成形品を多数作り、これらを空気中
1250℃の温度（実用サーミスタの焼成温度は1000
〜1300℃の範囲で可変である。）で２時間焼結さ
せ、これらの円板状焼結体（直径約７mm、厚み約
1.5mm）の両面にAgを主成分とする電極を焼付け
てオーミツク接触を得た。これらの試料について
25℃および50℃での抵抗値（それぞれＲ25℃およ
びＲ50℃）を測定し、25℃での抵抗率ρ25℃を下
記(1)式より、またＢ定数を下記(2)式より算出し
た。 ρ25℃＝Ｒ25℃×Ｓ／ｄ ………(1) （Ｓ＝電極面積・ｄ＝電極間距離） Ｂ＝8.868×103×logＲ２５℃／Ｒ５０℃………(2) これらの結果を下記の表にまとめて示す。
ムとケイ素を含有させることを特徴とした負の抵
抗温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体に
関するものである。 従来、酸化クロムを含有し、酸化マンガンを主
成分とするサーミスタ用酸化物組成としては、
Mn−Cr系の２成分系酸化物（〔株〕日立製作所
中央研究所創立二十周年記念論文集、P40、昭和
37年）、Mn−Ni−Cr系の３成分系酸化物（電気
化学Vol.19.1951年９月）が知られている。 本発明のサーミスタ組成は金属元素として
Mn93.7〜30原子％、Ni5〜30原子％、Cr0.3〜39
原子およびSi1〜4.8原子％の４種を含有し、これ
らの合計が100原子％である。ここで、ケイ素は
粒径制御添加元素として働く。この組成は、既に
市販されている汎用NTCサーミスタ（負特性サ
ーミスタ）の中で、比抵抗が1KΩ．cmおよびＢ
定数が3900〓以上の比較的高抵抗．高Ｂ定数用サ
ーミスタの材料組成である。また、Mn.Ni.Crお
よびSiの含有量の限定理由は、上記特性範囲（比
抵抗；1kΩ．cm〜1MΩ．cm、Ｂ定数；3900〓〜
6000〓）からくるものである。 以下、本発明を実施例を挙げて説明する。ま
ず、市販の原料MnCO3.NiO.Cr2O3およびSiO2を
後述する表に示すようにそれぞれの原子％の組成
になるように配合した。次に、サーミスタ製造過
程を例示すると、これらの配合組成物をボールミ
ルで湿式混合し、これらのスラリーを乾燥後、
800℃の温度で仮焼し、これらの仮焼物をボール
ミルで湿式粉砕混合を行つた。そして、得られた
スラリーを乾燥し、ポリビニルアルコールをバイ
ンダーとして添加混合し、所要量採つて円板状に
加圧成形して成形品を多数作り、これらを空気中
1250℃の温度（実用サーミスタの焼成温度は1000
〜1300℃の範囲で可変である。）で２時間焼結さ
せ、これらの円板状焼結体（直径約７mm、厚み約
1.5mm）の両面にAgを主成分とする電極を焼付け
てオーミツク接触を得た。これらの試料について
25℃および50℃での抵抗値（それぞれＲ25℃およ
びＲ50℃）を測定し、25℃での抵抗率ρ25℃を下
記(1)式より、またＢ定数を下記(2)式より算出し
た。 ρ25℃＝Ｒ25℃×Ｓ／ｄ ………(1) （Ｓ＝電極面積・ｄ＝電極間距離） Ｂ＝8.868×103×logＲ２５℃／Ｒ５０℃………(2) これらの結果を下記の表にまとめて示す。
【表】
試料1002.1020.1021.1022.1031は比較用であ
る。このうち、試料1021.1022.1031は原料混合お
よび仮焼物粉砕混合にメノウ玉石を用いた場合に
混入するSi量であり、いずれも１原子％以下であ
つた。この表のように、Siを１〜５原子％加える
ことにより、比抵抗を調整でき、しかもセラミク
スの微細構造を制御できることは非常に有効で、
サーミスタ用酸化物半導体としてきわめて有用で
産業性は大なるものである。
る。このうち、試料1021.1022.1031は原料混合お
よび仮焼物粉砕混合にメノウ玉石を用いた場合に
混入するSi量であり、いずれも１原子％以下であ
つた。この表のように、Siを１〜５原子％加える
ことにより、比抵抗を調整でき、しかもセラミク
スの微細構造を制御できることは非常に有効で、
サーミスタ用酸化物半導体としてきわめて有用で
産業性は大なるものである。
Claims (1)
- １ 金属酸化物の焼結混合物において、その金属
元素がマンガン93.7〜30原子％、ニツケル５〜30
原子％、クロム0.3〜39原子％およびケイ素１〜
4.8原子％を含有し、合計少なくとも４種以上の
金属元素を総合計100原子％含有するサーミスタ
用酸化物半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9024780A JPS5715403A (en) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Oxide semiconductor for thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9024780A JPS5715403A (en) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Oxide semiconductor for thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715403A JPS5715403A (en) | 1982-01-26 |
| JPS6138841B2 true JPS6138841B2 (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=13993164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9024780A Granted JPS5715403A (en) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | Oxide semiconductor for thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5715403A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106107A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | 松下電器産業株式会社 | サ−ミスタ用酸化物半導体磁器の製造方法 |
-
1980
- 1980-07-02 JP JP9024780A patent/JPS5715403A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715403A (en) | 1982-01-26 |
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