JPS59195576A - セラミツク原料粉末の製造方法 - Google Patents
セラミツク原料粉末の製造方法Info
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- JPS59195576A JPS59195576A JP58071018A JP7101883A JPS59195576A JP S59195576 A JPS59195576 A JP S59195576A JP 58071018 A JP58071018 A JP 58071018A JP 7101883 A JP7101883 A JP 7101883A JP S59195576 A JPS59195576 A JP S59195576A
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- ceramic raw
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は微細な、結晶粒径を有するセラミック原料粉
末の製造方法に関するものである。
末の製造方法に関するものである。
従来、セラミック原料粉末、たとえばB1Ti0.・C
aTij、、5rTiO,などを合成する方法とし′C
は同相反応法がある。しかしながら、この方法によれば
、高温処理を経なければならないため結晶粒径が1μm
以上と犬きくなシ、しかも不均一になるという欠点が見
られた。
aTij、、5rTiO,などを合成する方法とし′C
は同相反応法がある。しかしながら、この方法によれば
、高温処理を経なければならないため結晶粒径が1μm
以上と犬きくなシ、しかも不均一になるという欠点が見
られた。
この他、溶液中での化学反応によシセラミック原料を合
成する方法がある。この溶液反応による製造方法としC
は、たとえば、Ba、 Sr、 Ca、 Ti。
成する方法がある。この溶液反応による製造方法としC
は、たとえば、Ba、 Sr、 Ca、 Ti。
Zr、 Snなどの金属アルコキシドのアルコール溶液
を作シ、各々所定量を混合したのち水中に加え゛C加水
分解し、各金属の水酸化・吻とし゛C沈澱させ、一過し
゛C合成粉末を得る方法がある。もつともこの場合にお
い°Cは、Ea、Sr、Caなどを水酸化!吻または塩
類の水溶液としC加えても同じ結果が得られることを付
記して2く。
を作シ、各々所定量を混合したのち水中に加え゛C加水
分解し、各金属の水酸化・吻とし゛C沈澱させ、一過し
゛C合成粉末を得る方法がある。もつともこの場合にお
い°Cは、Ea、Sr、Caなどを水酸化!吻または塩
類の水溶液としC加えても同じ結果が得られることを付
記して2く。
しかしながら、この方法では生成したBa(OL()2
゜5r(OH)、、Ca(OH)2などはほとんどまた
はその一部が水に溶解するので、共沈澱・吻とはなり得
す、蒸発乾燥し−C合成するほかない。また得られたこ
れらの析出、結晶も池の金属水酸化物と同等の粒径まで
粉砕されるという床証がないなどの欠点がある。
゜5r(OH)、、Ca(OH)2などはほとんどまた
はその一部が水に溶解するので、共沈澱・吻とはなり得
す、蒸発乾燥し−C合成するほかない。また得られたこ
れらの析出、結晶も池の金属水酸化物と同等の粒径まで
粉砕されるという床証がないなどの欠点がある。
この発明は上記した従来列の欠点を解消し、微粉末のセ
ラミック原料を生成することができる方法を提供しよう
とするものである。
ラミック原料を生成することができる方法を提供しよう
とするものである。
すなわち、この発明の要旨とするところは1、i)
第1の糟にンいC1構成元素としC少なくともEa、B
r、Caの1種を含む硝酸塩または塩化物の水溶液に、
シュウ酸、クエン設、酒石酸、およびこれらシュウ酸、
クエン酸、酒石酸のアルカリ金属塩、アンモニウム塩か
らなる有機酸または有機酸塩の水溶液のいずれかを加え
”CX)Hを7〜10に、凋差し、肩、機酸塩として沈
澱させ、第2のJ9; 1fci−い゛C1構成元素と
しC少なくともTi、 Zr、 Sn、 P bの1種
を含む硝酸塩まだは塩化物の水溶液に、苛性ンーダ、水
酸化アンモニウムなどの可溶性水酸化物水溶液を加えて
pHを7〜10に調整し、水酸化物とし′C沈澱させる
ことからなる第1の工程と、 に)第1の工程によつ′C得られた各沈澱物を含むスラ
リーを混合し、枦通したのち水洗、乾燥する第2の工程
と、 に)得られた粉末を仮焼、粉砕する第6の工程と、 からなるセラミック原料粉末の製造方法である0上記し
た工程において、第1の工程の第1の槽でンユウ峨、ク
エン:俊、酒石酸、pよびこれらシュウ酸、クエン酸、
f西石酸のアルカリ金属塩、アンモニラ・、」盆の信磯
酸丑たは有機酸塩が用いらrしC1,*るが、こ(つう
ちシュウ酸、クエン酸、IV’A石酸のアルカリ金属塩
、アンモニウム塩の有機酸または有、)幾酸1穏とし°
C8□よ、ンtとえンず、シュウ1設ナトリウム、クエ
ン敢アンモニウ11、クエン献ソーダ、を四石酸カリウ
ムなどがある。
第1の糟にンいC1構成元素としC少なくともEa、B
r、Caの1種を含む硝酸塩または塩化物の水溶液に、
シュウ酸、クエン設、酒石酸、およびこれらシュウ酸、
クエン酸、酒石酸のアルカリ金属塩、アンモニウム塩か
らなる有機酸または有機酸塩の水溶液のいずれかを加え
”CX)Hを7〜10に、凋差し、肩、機酸塩として沈
澱させ、第2のJ9; 1fci−い゛C1構成元素と
しC少なくともTi、 Zr、 Sn、 P bの1種
を含む硝酸塩まだは塩化物の水溶液に、苛性ンーダ、水
酸化アンモニウムなどの可溶性水酸化物水溶液を加えて
pHを7〜10に調整し、水酸化物とし′C沈澱させる
ことからなる第1の工程と、 に)第1の工程によつ′C得られた各沈澱物を含むスラ
リーを混合し、枦通したのち水洗、乾燥する第2の工程
と、 に)得られた粉末を仮焼、粉砕する第6の工程と、 からなるセラミック原料粉末の製造方法である0上記し
た工程において、第1の工程の第1の槽でンユウ峨、ク
エン:俊、酒石酸、pよびこれらシュウ酸、クエン酸、
f西石酸のアルカリ金属塩、アンモニラ・、」盆の信磯
酸丑たは有機酸塩が用いらrしC1,*るが、こ(つう
ちシュウ酸、クエン酸、IV’A石酸のアルカリ金属塩
、アンモニウム塩の有機酸または有、)幾酸1穏とし°
C8□よ、ンtとえンず、シュウ1設ナトリウム、クエ
ン敢アンモニウ11、クエン献ソーダ、を四石酸カリウ
ムなどがある。
また、第1の工Q ’) 2’F’r 2の(曹で用い
られる4、14成元素とし′C1そのほかにBi、 N
b、 Zr+、 Y、希十項元素を含有させることがで
きる。−侍に、猪土頌元素は1.吉晶の粒成長を抑制す
ることができる。−またM n 、 A l 、 :E
lを含有させ゛〔もよい。これらの元素は世1ヒ剤と
しての役割を果−七す。
られる4、14成元素とし′C1そのほかにBi、 N
b、 Zr+、 Y、希十項元素を含有させることがで
きる。−侍に、猪土頌元素は1.吉晶の粒成長を抑制す
ることができる。−またM n 、 A l 、 :E
lを含有させ゛〔もよい。これらの元素は世1ヒ剤と
しての役割を果−七す。
第1の槽と第2のhhrqに各原料をそれぞれ所定比率
で没入し、尼全、・て沈澱させたスラリー同志を第20
工t(4て混合し、さらに第6の工程で仮焼することに
よつC1比率にズレのないセラミック原料を生成するこ
とができる。
で没入し、尼全、・て沈澱させたスラリー同志を第20
工t(4て混合し、さらに第6の工程で仮焼することに
よつC1比率にズレのないセラミック原料を生成するこ
とができる。
また、第1の工程においC得られた各沈澱物を第2の工
程におい°C混合したとき、その粒子径が約0,01〜
0.02μmで、各粒子が一次粒子同志で隣接する混合
物を得ることができる。そし−C混合物を一過したのち
、水洗、乾燥することによつ01反応しやすり活性な原
料が得られる。
程におい°C混合したとき、その粒子径が約0,01〜
0.02μmで、各粒子が一次粒子同志で隣接する混合
物を得ることができる。そし−C混合物を一過したのち
、水洗、乾燥することによつ01反応しやすり活性な原
料が得られる。
この原料を第3の工程で仮焼するとと吟よつ゛C1所定
比率のAElつ3型のセラミック原料が生成され、同時
に凝集させることができる。セラミック原料を二次粒子
に凝集させるのは、たとえばセラミックグリーンシート
を作るためにバインダと混練したとき、二次粒子の比表
面+=A(m/gr)を小さくし、バインダの吏用量が
少なく゛〔すむことになり、また成形物を焼成したとき
収縮率を低下させることができるからである。なお、仮
焼段階で二次粒子に凝集するが、各原料粒子はあくまで
歳粒子同志で混合し°Cおり、焼成して得られるセラミ
ックもファイングレインのものであシ、二次粒子に凝集
させCもファイングレインのセラミックを得る上で何ら
支障となるものではない。
比率のAElつ3型のセラミック原料が生成され、同時
に凝集させることができる。セラミック原料を二次粒子
に凝集させるのは、たとえばセラミックグリーンシート
を作るためにバインダと混練したとき、二次粒子の比表
面+=A(m/gr)を小さくし、バインダの吏用量が
少なく゛〔すむことになり、また成形物を焼成したとき
収縮率を低下させることができるからである。なお、仮
焼段階で二次粒子に凝集するが、各原料粒子はあくまで
歳粒子同志で混合し°Cおり、焼成して得られるセラミ
ックもファイングレインのものであシ、二次粒子に凝集
させCもファイングレインのセラミックを得る上で何ら
支障となるものではない。
仮焼段階での処理温度は好ましくは700〜1000υ
の范1[甜で選:・ずれる。これ1低70υむ末、4で
・、・4丈セラミック原料粉末の合成が十分に行われず
、1000ζを4えると凝集が諷みすぎるためである。
の范1[甜で選:・ずれる。これ1低70υむ末、4で
・、・4丈セラミック原料粉末の合成が十分に行われず
、1000ζを4えると凝集が諷みすぎるためである。
なお、この発明方法で得られたセラミック原料粉末は一
般にABO3型の酸化物であるが、第1の工、−で得ら
れる各沈澱物は、第1の糟がA、第2の檀7:)J:
Bに相当するものでlよなく、第1の槽では有機酸塩と
し゛CC沈金せることができる元素、また第2の糟では
水酸1ヒ物として沈廖殻ざぜることができる元素という
駅点から選択したものでる。ろ。
般にABO3型の酸化物であるが、第1の工、−で得ら
れる各沈澱物は、第1の糟がA、第2の檀7:)J:
Bに相当するものでlよなく、第1の槽では有機酸塩と
し゛CC沈金せることができる元素、また第2の糟では
水酸1ヒ物として沈廖殻ざぜることができる元素という
駅点から選択したものでる。ろ。
第2の(ザ叶ζおい°c、pHを7〜10の調請しCい
ろが、この9屯囲にpH値を1艮定しだの1.ま、こC
より低ぐ゛〔も高い1直を示し゛〔も溝成元索が溶ける
からである。ま/こ第1の(傍の11H直と第2の栖の
piI値は一致さぜ〕こほうが好ましい。これは第2の
上回におい゛C名沈澱吻を合むスラリー奮混合する:ノ
后でpH′直のrれが士じないよう(でするためであり
、二 また第1の槽のpH値の影響を受け゛C第2の槽水酸化
物・バ溶けないようにするた、っである。
ろが、この9屯囲にpH値を1艮定しだの1.ま、こC
より低ぐ゛〔も高い1直を示し゛〔も溝成元索が溶ける
からである。ま/こ第1の(傍の11H直と第2の栖の
piI値は一致さぜ〕こほうが好ましい。これは第2の
上回におい゛C名沈澱吻を合むスラリー奮混合する:ノ
后でpH′直のrれが士じないよう(でするためであり
、二 また第1の槽のpH値の影響を受け゛C第2の槽水酸化
物・バ溶けないようにするた、っである。
まだ、第2の槽において、安定剤として過酸化水素水(
H2O2)を加え”〔も↓いっ これは溶液が加水分)
鉾し゛C沈妙するのを抑制するためである。
H2O2)を加え”〔も↓いっ これは溶液が加水分)
鉾し゛C沈妙するのを抑制するためである。
以下この発明をスー施シ;1に1足つ゛〔詳細に説明す
るう実施例1 使用原料とじて下味l/C示すものを準り、佑し、り、
つまず、第1の7!におい゛(、fl a C712の
水溶液にクエン:峻アンモニウムを〕川え−Cpl“I
4:q〜9,5に調整し、クエン液バリウムとして沈
澱させた。
るう実施例1 使用原料とじて下味l/C示すものを準り、佑し、り、
つまず、第1の7!におい゛(、fl a C712の
水溶液にクエン:峻アンモニウムを〕川え−Cpl“I
4:q〜9,5に調整し、クエン液バリウムとして沈
澱させた。
また、:lX27)漕QCF?A’C,TIC/< 、
Bn’li +a i Cl 、、 >’、hよび、A
nC/4・4ノー120の各水溶液を・昆合し、安定剤
である69%過竣化/JC素水15 ff1. lを加
え、これに水jR化アンモニウム(NH4Di’f)を
加え’CpHを9〜95に調整し、Ti、 Sn、Si
、Mnを含む沈澱物を得た。
Bn’li +a i Cl 、、 >’、hよび、A
nC/4・4ノー120の各水溶液を・昆合し、安定剤
である69%過竣化/JC素水15 ff1. lを加
え、これに水jR化アンモニウム(NH4Di’f)を
加え’CpHを9〜95に調整し、Ti、 Sn、Si
、Mnを含む沈澱物を得た。
さらに、各沈澱物スラリーを混合し、濾過したのち水洗
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづい
゛CC通過乾燥したところ、0.02−の微粒子状のセ
ラミック原料粉末を得た。
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづい
゛CC通過乾燥したところ、0.02−の微粒子状のセ
ラミック原料粉末を得た。
そののち、900Cの温度で1時間仮焼し、Ba(’r
i、5n)o3系の仮焼粉末を得た。
i、5n)o3系の仮焼粉末を得た。
この仮焼粉末にバインダを加えて造粒し、圧力1000
ルタ/】で成形しC10」ψ、1mtの円板とし、これ
を1600で、2時間の条件で焼成し゛C円板磁器を得
た。この円板磁器の両面に銀ペーストを塗布し、800
’C,50分間の条件で焼き付け゛C電極を形成し、コ
ンデンサを・得た。
ルタ/】で成形しC10」ψ、1mtの円板とし、これ
を1600で、2時間の条件で焼成し゛C円板磁器を得
た。この円板磁器の両面に銀ペーストを塗布し、800
’C,50分間の条件で焼き付け゛C電極を形成し、コ
ンデンサを・得た。
このコンデンサの誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)
、誘電率の温度特性(’r c )、および耐電圧特性
を測定し、その結果を下表に示した。
、誘電率の温度特性(’r c )、および耐電圧特性
を測定し、その結果を下表に示した。
誘電率(ε)、誘′心損失(tanδ)は1KHz、1
■r、 m、 B、の条件で、jj+J定し、また誘電
率の温度特性(TC)a+25 ′cを基量にして−1
0’c 〜+ 85 ’cの温度範囲で測定した値であ
る。
■r、 m、 B、の条件で、jj+J定し、また誘電
率の温度特性(TC)a+25 ′cを基量にして−1
0’c 〜+ 85 ’cの温度範囲で測定した値であ
る。
実施例2
使用原料として下表に示すものを準備した。
まず、第1の槽に2いC,B a (hi 01 )
21 Ca(NO3)2・4H20の各水溶液を混合し
、仁れにシュウ墳ソーダを加え°CpHを7〜10にl
A整し、それぞれシュウ酸バリウム(BaC,04)、
シュウ酸カルシウム(CaCOj)とし゛C沈澱させた
。
21 Ca(NO3)2・4H20の各水溶液を混合し
、仁れにシュウ墳ソーダを加え°CpHを7〜10にl
A整し、それぞれシュウ酸バリウム(BaC,04)、
シュウ酸カルシウム(CaCOj)とし゛C沈澱させた
。
また、第2の槽におい°(ST’1C14,Zr0C1
z ・8H,O,SnCl、 、 Bi(NO3)j−
5H,O,Pb(No3)2゜am(Noj)3 ・6
H,Oの各水溶液を混合し、これに安定剤である50チ
過酸化水素水151nl!を加え、さらに苛性ソーダ(
NaOH)を加え°cpaを7〜1゜に調整し、Ti、
Zr、 Sn、Bi、Pb、Smを含む沈澱物を得た。
z ・8H,O,SnCl、 、 Bi(NO3)j−
5H,O,Pb(No3)2゜am(Noj)3 ・6
H,Oの各水溶液を混合し、これに安定剤である50チ
過酸化水素水151nl!を加え、さらに苛性ソーダ(
NaOH)を加え°cpaを7〜1゜に調整し、Ti、
Zr、 Sn、Bi、Pb、Smを含む沈澱物を得た。
ざらに、各沈澱物スラリーを混合し、濾過したのチ氷洗
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき
濾過、乾燥したところ、0.015.c!の微粒子状の
セラミック原料、粉末を得た。
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき
濾過、乾燥したところ、0.015.c!の微粒子状の
セラミック原料、粉末を得た。
そののら、800’cの温度で1時間仮焼し、(Ba。
Ca’、Pb)(Ti、 Zr、 Sn、 Bi)03
系の仮滉粉末を得た。
系の仮滉粉末を得た。
との仮焼粉末を実施例1と同様に処理し′Cコンデンサ
を作成し、その電気特性を測定しCその結果を下表に示
した。
を作成し、その電気特性を測定しCその結果を下表に示
した。
なお、焼成温度は1120′cであったっまた、この原
料を用い°〔積層コンデンサを作成し、その電気特注を
測定した。
料を用い°〔積層コンデンサを作成し、その電気特注を
測定した。
試料の作成は、仮焼原料粉末にバインダ、分散剤などを
加え゛〔ペースト状とし、これを印刷方式で厚=+20
μmの誘電体セラミック層を作成し、内部電極とし°L
Ag:Pd=70 :30のAイーPC1系ペーストを
印刷し、これを交互に操り返して誘電体セラミック層の
積層枚数を10枚とした。次いで焼成温度1120C,
焼成時間2時間の条件で焼成し、両端面に外部接続電極
を形成し゛C積層コンデンサを得た。得られた積層コン
デンサの大きさは4 +ns x、3 vts X O
,15MIIであシ、その静電容量は0.43丘 μlであった。また焼成後の誘電体セラミック層の1枚
当シの厚みは12μmであったっ実施例6 使用原料とし゛C下表に示すものを準漏した。
加え゛〔ペースト状とし、これを印刷方式で厚=+20
μmの誘電体セラミック層を作成し、内部電極とし°L
Ag:Pd=70 :30のAイーPC1系ペーストを
印刷し、これを交互に操り返して誘電体セラミック層の
積層枚数を10枚とした。次いで焼成温度1120C,
焼成時間2時間の条件で焼成し、両端面に外部接続電極
を形成し゛C積層コンデンサを得た。得られた積層コン
デンサの大きさは4 +ns x、3 vts X O
,15MIIであシ、その静電容量は0.43丘 μlであった。また焼成後の誘電体セラミック層の1枚
当シの厚みは12μmであったっ実施例6 使用原料とし゛C下表に示すものを準漏した。
まず、第1の糟におい−(、、BaCl2−2H2J
の水溶液にン四石識カリウムを加えtpHを9〜9.5
に、J@整し、酒石酸バリウムとし゛C沈澱させた。
の水溶液にン四石識カリウムを加えtpHを9〜9.5
に、J@整し、酒石酸バリウムとし゛C沈澱させた。
また、第2の槽におイー(、HdCl、 −6H20,
TiC4,、Bi(No、)、・5H20,。
TiC4,、Bi(No、)、・5H20,。
−謄一煙←4. MnC14−4H20,SiC14の
各水溶液を混合し、安定剤である30チ過酸化水素水1
0m# を加え、これに水酸化アンモニウム(NH。
各水溶液を混合し、安定剤である30チ過酸化水素水1
0m# を加え、これに水酸化アンモニウム(NH。
OH) をガロえ・C’DHを9〜95に調整し、N
cl、 Ti・Bi、 Mn、 Siを含む沈澱物を得
た。
cl、 Ti・Bi、 Mn、 Siを含む沈澱物を得
た。
さらに、各沈澱物スラリーを混合し、濾過したのち水洗
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき
濾過し、乾燥したところ、o、oiμmの微粒子状の原
料粉末を得だ0 そののち、aoorの温度で1時間仮焼し、(BaNd
)(Ti、Bi)O,系の仮焼粉末を得だ。この仮焼粉
末を実施例1と同様に処理し′Cコンデンサを作成し、
その電気特性を測定し°Cその結果を下表に示した。
した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき
濾過し、乾燥したところ、o、oiμmの微粒子状の原
料粉末を得だ0 そののち、aoorの温度で1時間仮焼し、(BaNd
)(Ti、Bi)O,系の仮焼粉末を得だ。この仮焼粉
末を実施例1と同様に処理し′Cコンデンサを作成し、
その電気特性を測定し°Cその結果を下表に示した。
なお、焼成温度は1100Cであった。また誘電率の温
度特性(TC)は+25′cを基準にして+10〜+8
5 での温度範囲で測定した値である。
度特性(TC)は+25′cを基準にして+10〜+8
5 での温度範囲で測定した値である。
実施例
使用原料として下表に示すものを準’DIQ した。
ユウ酸を加え、さらにアンモニア水をリロえ〔pHを9
〜95に調整し、シュク酸カルシクムとして沈澱させた
。
〜95に調整し、シュク酸カルシクムとして沈澱させた
。
また、第2の橿におい゛(1TiCl< 、 N bz
CIVsの各水溶+Rを混合し、安定剤である60係
過酸化水素水25m/を力■え、これに苛1ノーダ(N
式OH)を加え−cpuと9〜°?、5にA整し、Ti
、Wbを含む沈澱物と得た。
CIVsの各水溶+Rを混合し、安定剤である60係
過酸化水素水25m/を力■え、これに苛1ノーダ(N
式OH)を加え−cpuと9〜°?、5にA整し、Ti
、Wbを含む沈澱物と得た。
さらに各沈澱物スラリーを混合し、p過したのち水洗し
た。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき−
過、乾燥したところ、l)、01μmの微粒子状の原料
粉末を得た。
た。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづき−
過、乾燥したところ、l)、01μmの微粒子状の原料
粉末を得た。
そののち、800 ’Cの温度で1時間仮焼し、Ca(
Ti、 11+)03系の仮焼粉末を得た。
Ti、 11+)03系の仮焼粉末を得た。
この仮焼粉末を実施列1と同様にし゛Cコンデンサを作
成し、その心気特性を測定し′Cその結果を下表に示し
た。
成し、その心気特性を測定し′Cその結果を下表に示し
た。
なお、焼成温度は1100′cであった。また誘電率の
温度特i生(TC)は+25′cを基準にしC−55〜
+125での温度範囲で測定した値である。
温度特i生(TC)は+25′cを基準にしC−55〜
+125での温度範囲で測定した値である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 H) 、=) Qg1ノlv!1iCA−イ′C,
構成元素としc′J)なくともBa、 Sr、 Caの
1踵を含む硝酸塩また1;・i塩させ、 第2の槽に努tハ′C1、溝)反元素とし゛〔少なくと
j、Tj−、Zr、Sn、Pbの1 ’−省f:aむ硝
、で夜1まt′コロま塩化多グの水浴液(・ζ、’rh
キソーダ、水設置ヒアンモニウムなどの可溶(生水1浚
1七1勿水f容叔を頴えてpH全7〜10に、凋:芝し
、水、浚比、勿として沈1.段さすることからなる筋1
の工、:呈と、 (ロ)151の工作によつC1号られた各?尤誠物上に
むスラリーを1昆合し7.7/:i及したのち水・先、
吃環する第2の上弓と、 に)得られた粉末を仮焼、粉砕する第5の工程と、 からなるセラミック原料粉末の製造方法っ(2)第1の
工程において、第2の槽で用いられる構成元素とし〔、
さらにBi、 Nb、 Zn、 Y、希土類元素、in
n、 kl、 Eliのうち少なくとも1種をよむこと
からなる特許請求の範囲第1t)項記載のセラミック原
料分末の製造方法。 (3)第5の工程における仮焼温度は700〜1000
″Cである特許請求の範囲第+1)項記載のセラミック
原料粉末の製造方法っ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58071018A JPS59195576A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP58071018A JPS59195576A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59195576A true JPS59195576A (ja) | 1984-11-06 |
JPH0210091B2 JPH0210091B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=13448350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58071018A Granted JPS59195576A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59195576A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63141206A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
JPS63233035A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 多成分セラミツクスの製造方法 |
JPH02107552A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-19 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
US5032559A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-16 | Gte Products Corporation | Method of preparing barium, titanium, zirconium oxide ferroelectric ceramic compositions |
CN102503407A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-06-20 | 天津大学 | 新型无铅x8r型多层陶瓷电容器介质及其制备方法 |
JP2020083672A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 堺化学工業株式会社 | チタン酸バリウムの製造方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58071018A patent/JPS59195576A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63141206A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
JPS63233035A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 多成分セラミツクスの製造方法 |
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JP2020083672A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 堺化学工業株式会社 | チタン酸バリウムの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0210091B2 (ja) | 1990-03-06 |
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