JPH02107552A - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物Info
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- JPH02107552A JPH02107552A JP63257649A JP25764988A JPH02107552A JP H02107552 A JPH02107552 A JP H02107552A JP 63257649 A JP63257649 A JP 63257649A JP 25764988 A JP25764988 A JP 25764988A JP H02107552 A JPH02107552 A JP H02107552A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成物、特に、
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、温度補償用コン
デンサを初め、ＳＨＦ帯で低損失なることを利用する衛
星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体共
振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられる
誘電体磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含有
させることにより、組成中のＺｎを所要値に制御して内
質的に均一で特性のすぐれた磁器となした電子デバイス
用誘電体磁器組成物に関する。
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、温度補償用コン
デンサを初め、ＳＨＦ帯で低損失なることを利用する衛
星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体共
振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられる
誘電体磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含有
させることにより、組成中のＺｎを所要値に制御して内
質的に均一で特性のすぐれた磁器となした電子デバイス
用誘電体磁器組成物に関する。
背景技術
一般に、ＳＨＦ帯用８して用いられる誘電体磁器組成物
としては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂ４・Ａ２／３）Ｏ３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
としては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂ４・Ａ２／３）Ｏ３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
すなわち、
（１）Ｂａ（Ｚｎ＋−Ｔａ−４）Ｏａ系材（２ンＢａ（
Ｚｎ！ｒ−Ｎｂ４ン０３系材等である。
Ｚｎ！ｒ−Ｎｂ４ン０３系材等である。
このＳＨＦ帯に利用される誘電体磁器組成物に要求され
る高εｒ、高Ｑ、ｄ＝０、等の特性は厳しく、かかる特
性に合致させるためには、組成制御が重要である。
る高εｒ、高Ｑ、ｄ＝０、等の特性は厳しく、かかる特
性に合致させるためには、組成制御が重要である。
従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、前記組成
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂“皮″を形成し易く、内質の均一
なセラミックスを安定して得ることが困難であり、特性
の安定したセラミックスを得ることが困難であった。（
参考文献Ｊ、Ａｍ。
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂“皮″を形成し易く、内質の均一
なセラミックスを安定して得ることが困難であり、特性
の安定したセラミックスを得ることが困難であった。（
参考文献Ｊ、Ａｍ。
Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ、 ６８ ［１０１５４６−５１（
１９８５））発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、 ｚｆ、ｅｒ特性を有し、磁器組成物中に
含有のＺｎの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、か
つ内質均一のセラミックスを安定的に得ることができる
電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としてい
る。
１９８５））発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、 ｚｆ、ｅｒ特性を有し、磁器組成物中に
含有のＺｎの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、か
つ内質均一のセラミックスを安定的に得ることができる
電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としてい
る。
発明の概要
この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物の欠点を
解消し、誘電体磁器組成物におけるＺｎの制御を目的に
、前記Ｂａ（Ｚｎ＋・ＡＩ）Ｏａ組成ついて種々検８り
した結果、特定の３価金属イオンを含有させることによ
り、組成中のＺｎを所要値に制御して内質的に均一で特
性のすぐれた磁器が得られることを知見し、完成したも
のである。
解消し、誘電体磁器組成物におけるＺｎの制御を目的に
、前記Ｂａ（Ｚｎ＋・ＡＩ）Ｏａ組成ついて種々検８り
した結果、特定の３価金属イオンを含有させることによ
り、組成中のＺｎを所要値に制御して内質的に均一で特
性のすぐれた磁器が得られることを知見し、完成したも
のである。
この発明は、基本組成を、
ＸＢａ（Ｚｎｉ・Ａ２／３）Ｏ３−ＹＣａ（Ａｌ）・Ａ
４）０３と表し、組成範囲を限定するｘ、Ｙが下記値を
満足する組成からなることを特徴とする電子デバイス用
誘電体磁器組成物である。
４）０３と表し、組成範囲を限定するｘ、Ｙが下記値を
満足する組成からなることを特徴とする電子デバイス用
誘電体磁器組成物である。
０．９≦Ｘ＜１．０
０＜Ｙ≦０．１
但し Ａ：Ｔａ、 Ｎｂ
発明の構成
この発明において、好ましい誘電体磁器組成物は、
（１）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｔａ（）Ｏａ−Ｃａ（Ａｌｌ・Ｔ
ａ４）Ｃａ系（２）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｎｂ１）０３−Ｃａ
（Ａｌ１／２・Ｔａ＋）０３系この発明において、０．
９≦Ｘ＜１．０．０＜Ｙ≦０．１に限定した理由は、Ｘ
値が０゜９未満、Ｙ値が０．１を越えると、得られる誘
電体磁器組成物はＱ値の劣化が著しく、また温度係数の
劣化も大きくなり、また、Ｘ値が１．０以上、Ｙ値がＯ
では、Ｑ値の改善効果が見られないため、０．９≦Ｘ＜
１．０．０＜Ｙ≦０．１の範囲とする。
ａ４）Ｃａ系（２）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｎｂ１）０３−Ｃａ
（Ａｌ１／２・Ｔａ＋）０３系この発明において、０．
９≦Ｘ＜１．０．０＜Ｙ≦０．１に限定した理由は、Ｘ
値が０゜９未満、Ｙ値が０．１を越えると、得られる誘
電体磁器組成物はＱ値の劣化が著しく、また温度係数の
劣化も大きくなり、また、Ｘ値が１．０以上、Ｙ値がＯ
では、Ｑ値の改善効果が見られないため、０．９≦Ｘ＜
１．０．０＜Ｙ≦０．１の範囲とする。
発明の効果
この発明の誘電体磁器組成物は、９ＧＨｚにおけるＱは
５０００〜１１０００．１ｒ≦５０ｐｐｍ／℃、ｅｒ３
１〜４４となり、従来の誘電体磁器組成物と同等または
それ以上の特性のものが得られ、焼成時においても、磁
器組成物中に含まれるＺｎの蒸発がある程度抑制される
ため、組成の制御がより容易となり、また、セラミック
ス内のＺｎの偏析も防止し易く、内質均一なセラミック
スを安定的に得ることができる。
５０００〜１１０００．１ｒ≦５０ｐｐｍ／℃、ｅｒ３
１〜４４となり、従来の誘電体磁器組成物と同等または
それ以上の特性のものが得られ、焼成時においても、磁
器組成物中に含まれるＺｎの蒸発がある程度抑制される
ため、組成の制御がより容易となり、また、セラミック
ス内のＺｎの偏析も防止し易く、内質均一なセラミック
スを安定的に得ることができる。
なお、この発明においては、ＺｎをＮｉ”Ｃｏｚ＋、Ｍ
ｎ２＋などの２価金属イオンやＣａ２ ＋Ｍｇ２＋等の
アルカリ土類イオンで約２０ｍｏｌ／％まで置換しても
ほぼ同等の効果が得られる。
ｎ２＋などの２価金属イオンやＣａ２ ＋Ｍｇ２＋等の
アルカリ土類イオンで約２０ｍｏｌ／％まで置換しても
ほぼ同等の効果が得られる。
実施例
原料を第１表に示した組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混式混合し、１３００℃に２時間仮焼した後、
再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
ミルにて混式混合し、１３００℃に２時間仮焼した後、
再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
この粉砕粉を加圧成形し、１５００℃〜１６５０℃に焼
成して、寸法１０ｍｍΦ×２軸皿の焼結体を得た。
成して、寸法１０ｍｍΦ×２軸皿の焼結体を得た。
得られた焼結体について、２５℃、９ＧＨｚにおける比
誘電率εｒ、 Ｑ、共振周波数の温度係数−ｃ ｆ（ｐ
ｐｍ／”Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
誘電率εｒ、 Ｑ、共振周波数の温度係数−ｃ ｆ（ｐ
ｐｍ／”Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
なお、第１表における比誘電率とＱは、Ｈａｋｋｉａｎ
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎら よる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数１ｆ、誘電率、誘電
率の温度係数Ｉεとは、磁器の線熱膨張係数αとの間に
下記式の如き関係がある。
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎら よる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数１ｆ、誘電率、誘電
率の温度係数Ｉεとは、磁器の線熱膨張係数αとの間に
下記式の如き関係がある。
ｄ＝−１／２ｔε−〇
第１表の結果より明らかなように、この発明による誘電
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
＋５０ｐｐｍ／℃付近まで広く、低損失、高誘電率材料
であることが分る。
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
＋５０ｐｐｍ／℃付近まで広く、低損失、高誘電率材料
であることが分る。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基本組成を ＸＢａ（Ｚｎ１／３・Ａ２／３）Ｏ＿３−ＹＣａ（Ａｌ
１／２・Ａ１／２）Ｏ＿３と表し、組成範囲を限定する
Ｘ、Ｙが下記値を満足する組成からなることを特徴とす
る電子デバイス用誘電体磁器組成物。 ０．９≦Ｘ＜１．０ ０＜Ｙ≦０．１ 但しＡ：Ｔａ、Ｎｂ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257649A JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257649A JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107552A true JPH02107552A (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0617264B2 JPH0617264B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=17309182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257649A Expired - Lifetime JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617264B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517985A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric material |
| JPS56103804A (en) * | 1980-12-10 | 1981-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric material |
| JPS59195576A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 株式会社村田製作所 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257649A patent/JPH0617264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517985A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric material |
| JPS56103804A (en) * | 1980-12-10 | 1981-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric material |
| JPS59195576A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 株式会社村田製作所 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617264B2 (ja) | 1994-03-09 |
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