JPS60210568A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

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JPS60210568A
JPS60210568A JP59065202A JP6520284A JPS60210568A JP S60210568 A JPS60210568 A JP S60210568A JP 59065202 A JP59065202 A JP 59065202A JP 6520284 A JP6520284 A JP 6520284A JP S60210568 A JPS60210568 A JP S60210568A
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dielectric ceramic
ceramic composition
oxide
dielectric
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鬼頭 良造
有馬 安孝
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、SHF帯等のマイクロ波帯域用誘電体共振器
材料として好適な誘電体磁器組成物に関するものである
更に詳しくは9本発明は、無負荷Q値が大きく。
換言すると誘電体損失が極めて小さく、また共振周波数
の温度係数(τf)がすぐれ、さらには適度に大きい比
誘電率(εr)を有する。特にマイクロ波帯域における
電気的特性のすぐれた誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
誘電体共振器は、マイクロ波回路の小型軽量化。
周波数安定化等の手段として1例えばフィルタ。
発振器等に組込まれ、マイクロ波帯域における重要な回
路素子として広く利用されるようになって来ておシ、放
送衛星からの放送や地上のSHF放送の受信機にも使用
されている。
誘電体共振器に必要とされる電気的特性は、無負荷Q値
が大きいこと、共振周波数の温度係数が小さく温度変化
に安定であること、比誘電率が適度に大きいこと等であ
るが、これらの特性は誘電体共振器に用いられる誘電体
磁器組成物によってほぼ決定される。
従来誘電体共振器等に用いられる誘電体磁器組成物に関
しては1例えばBa(Znl/3 Nbzys ) 0
3+Ba(Znl/3 Ta2/3 ) o3等やこれ
らにAtzO3を含有させたもの+ Ba2 Ti90
20 t C!aTi03MyTi03 La2032
Ti02 + Ti0z ZrO25n02等すでに多
数知られている。
しかしながらこれら誘電体磁器組成物は、特にQ値の周
波数依存性が大きく1周波数が高くなるに従ってQ値が
著しく小さくなるという大きな欠点を有している。寸だ
さらには共振周波数の温度係数のばらつきが太きかつた
りするという難点があり、衛星放送用受信機の開発とあ
い1って高い周波数7例えば10GHzを越える周波数
帯域において室温付近でQ値が10000以上、共振周
波数の温度係数が±5 ppm / ℃以下、比訪電率
か25〜40程度のよりすぐれた電気的特性を示す誘電
体磁器組成物の開発が強く要望されている。
本発明者らは、これらの実情に鑑み、上述した電気的特
性を満足させることができる新規な誘電体磁器組成物を
開発することを目的として鋭意研究を行った結果+ B
a(My+/3Taz/3)03で表わされるペロブス
カイト構造の酸化物およびこの酸化物のM7および/捷
たはTaの一部を+ Znおよび7寸たは1輔で置換し
たペロブスカイト構造の酸化物に、少量の酸化バナジウ
ムを含有させてなる磁器組成物か、10GH2を越える
高い周波数帯域において10000をはるかに越える大
きなQ値を示し、共振周波数の温度係数も小さく、前記
目的を達成できることを知見し9本発明に到った。
本発明は。
式 %式%(1) (式中Xは0〜0.95で、yはO〜0.4である。)
で表わづれるペロブスカイト構造の酸化物に少量の酸化
バナジウムを含有させてなる誘電体磁器組成物に関する
ものである。
本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波帯域用誘電体
共振器材料として好適に使用きれ、後記実施例および比
較例からも明らかであるように。
高い周波数帯域7例えば10.5()HzにおいてQ値
が従来公知のBa(Mji’l/3 Ta2/3 ) 
03 + Ba(Znl/3 Ta2/3)03+Ba
(Zn1/:+ Nb+2/3) 03などの誘電体磁
器組成物より大きな値を示すという特長がある。
まだ本発明の誘電体磁器組成物は、Q値が太きいだけで
なく、適度の比誘電率を示し、共振周波数の温度係数(
τf)も±5ppm/℃以下ときわめてすぐれているた
め、受信機例えば衛星放送用受信機の性能を大巾に向上
させることができるという利点がある。
本発明の誘電体磁器組成物は、従来公知の誘電体磁器組
成物の製造法1例えば所定量の出発原料を混合して仮焼
し2次いで粉砕、整粒した後、成形、焼成する方法によ
って製造することができるが+ Ba+ Zn+ My
+ N’b+ Ta等の酸化物や塩の如き出発原料を水
、アルコール等の溶媒とともに湿式混合した後、乾燥し
、必要に応じて粉砕し7次いて酸素含有ガス雰囲気下、
一般には空気中で1000〜1450℃、好捷しくは1
100〜1400℃でろ〜12時間仮焼し、仮焼物を必
要に応じて粉砕し、仮焼物捷だはその粉砕物を再度酸素
含有ガス雰囲気下7例えば空気中で1100〜1500
℃、好ましくは1200〜1400℃で6〜12時間仮
焼し9次いで粉砕、好ましくは湿式粉砕して所定量のバ
ナジウム化合物および必要に応じてバインダー、例えば
ポリビニルアルコールの如き有機バインダーを添加して
均質に混合した後、成形し、酸素含有ガス雰囲気下1例
えば空気中で1400〜1700℃、好ましくは150
0〜1650℃で1〜10時間焼成、焼結する方法で製
造した方が電気的特性のすぐれた誘電体磁器組成物が得
られる。なお、上記ノくナジウム化合物としては、仮焼
、焼成等で酸化物になるようなものであればいずれでも
よく1例えば五酸化ノ(ナジウ鴫硫酸バナジル、メクバ
ナジン酸アンモニウム。
塩化バナジル等を挙げることができる。
本発明の誘電体磁器組成物においては、酸化)くナンウ
ムを少量含有させる必要があるが、その含有量としては
2式(1)で表わされるペロブスカイト構造の酸化物に
対して■205換算で0.05〜2モルチ、特には0.
1〜1.5モルチになるようにするのが好適である。酸
化バナジウムの含有量が少なすぎると、ペロブスカイト
構造の酸化物の焼結が不十分になったり、酸化・;ナジ
ウムを含有させたことによる電気的特性の向上効果の発
現が十分でなかったりいまだ多すぎるとかえって電気的
特性が低下する。
次に実施例および比較例を示す。
実施例1 炭酸バリウム[BaCO3]粉末0.3モル、酸化マグ
ネシウムCr、hg o ]粉末0.1モルおよび五酸
化り/タル[:TazOs :]粉末0.1モルをボー
ルミルに入れ、エタノールを加えて10時時間式混合し
た。
次いでエタノールを蒸発きせた後、イ4Iられた粉末を
アルミナ製容器に移し、空気雰囲気下、1200℃でi
o時間仮焼した。得られた仮焼物を捕漬機で粉砕した後
、再度アルミナ製容器に移して空気雰囲気下、1250
℃で10時間仮焼した。これに硫酸バナジル[VO3O
4〕水浴液をv205換算で1.0モル係になるように
加えて均一に混合した後。
直径20+m11厚さ5mmのベレットに成形して空気
雰囲気下に1600℃で4時間焼成、焼結して誘電体磁
器組成物を得た。
得られた誘電体磁器組成物から直径約6イ戸。
厚啓約26咽の円板状の素子を切り出し、電気的特性を
測定した。共振周波数10.5 GH2における比誘電
率(εr)+無負荷Q値、および共振周波数の温度係数
(τf)(−20℃〜+50℃)を第1表に示す。
比較例1 実施例1において硫酸バナジル水溶液を添加しなかった
ほかは、実施例1に準じて誘電体磁器組成物を製造し、
電気的特性を測定した。その結果は第1表に示す。
実施例2〜7 実施例1のマグネシウムの一部を亜鉛で置換した第1表
記載の誘電体磁器組成物を実施例1に準じて製造し、電
気的特性を測定した。その結果は第1表に示す。なお亜
鉛源としては酸化亜鉛粉末を使用した。
比較例2 硫酸バナジル水溶液を添加せず、マグネシウムの一部を
亜鉛で置換した第1表記載の誘電体磁器組成物を実施例
1に準じて製造し、電気的特性を測定した。その結果は
第1表に示す。
実施例8〜10 実施例1のマグネシウムおよびタンクルの一部を!lI
L鉛およびニオブで置換した第2表に記載の誘電体磁器
組成物を実施例1に準じて製造し、電気的特性を測定し
た。その結果は第2表に示す。なお亜鉛源としては酸化
亜鉛粉末を、−またニオブ源としては五酸化ニオブ粉末
を使用した。
比較例己 硫酸バナジル水溶液を添加せず、マダイ・/ラムおよび
タンタルの一部を亜鉛およびニオブて置換した第2表記
載の誘電体磁器組成物を実施例1に準じて製造し、電気
的特性を測定した。その結果は第2表に示す。
第 1 表

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式 %式% (式中Xは0−0.95で、yは0−0.4である。)
    で表わされるペロブスカイト構造の酸化物に少量の酸化
    バナジウムを含有させてなる誘電体磁器組成物。
  2. (2)酸化バナジウムの含有量がV2O5換算で0.0
    5〜2モルチである特許請求の範囲第1項記載の誘電体
    磁器組成物。
JP59065202A 1984-04-03 1984-04-03 誘電体磁器組成物 Granted JPS60210568A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107382313A (zh) * 2017-06-02 2017-11-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107382313A (zh) * 2017-06-02 2017-11-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法
CN107382313B (zh) * 2017-06-02 2020-06-12 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法

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