JPH02107550A - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物Info
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- JPH02107550A JPH02107550A JP63257647A JP25764788A JPH02107550A JP H02107550 A JPH02107550 A JP H02107550A JP 63257647 A JP63257647 A JP 63257647A JP 25764788 A JP25764788 A JP 25764788A JP H02107550 A JPH02107550 A JP H02107550A
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- dielectric porcelain
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- dielectric
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成物、特に、
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すナワら、温度補償用コン
デンサを初め、５ｆ（Ｆ帯で低損失なることを利用する
衛星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体
共振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられ
る誘電体磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含
有させることにより、組成中のＺｎを所要値に制御して
内質的に均一で特性のすぐれた磁器となした電子・デバ
イス用誘電体磁器組成物に関する。
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すナワら、温度補償用コン
デンサを初め、５ｆ（Ｆ帯で低損失なることを利用する
衛星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体
共振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられ
る誘電体磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含
有させることにより、組成中のＺｎを所要値に制御して
内質的に均一で特性のすぐれた磁器となした電子・デバ
イス用誘電体磁器組成物に関する。
背景技術
一般に、ＳＨＦ帯用として用いられる誘電体磁器組成物
としては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂ４・Ａ１／２）Ｏ３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
としては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂ４・Ａ１／２）Ｏ３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
ずなわら、
（１）Ｂａ（Ｚｎ４・Ｔａ−１）０３系Ａ＝Ａ（２）Ｂ
ａ（Ｚｎ１／２・Ｎｂ２／３）Ｏ３系材等である。
ａ（Ｚｎ１／２・Ｎｂ２／３）Ｏ３系材等である。
このＳＨＦ帯に利用される誘電体磁器組成物に要求され
る高εｒ、高Ｑ、ｄ＝０、等の特性は１肢しく、かかる
特性に合致させるためには、組成制御が重要である。
る高εｒ、高Ｑ、ｄ＝０、等の特性は１肢しく、かかる
特性に合致させるためには、組成制御が重要である。
従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、前記組成
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂“皮″を形成し易く、内質の均一
なセラミックスを安定して得ることが困難であり、特性
の安定したセラミックスを得ることが困難であった。（
参考文献Ｊ、Ａｍ。
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂“皮″を形成し易く、内質の均一
なセラミックスを安定して得ることが困難であり、特性
の安定したセラミックスを得ることが困難であった。（
参考文献Ｊ、Ａｍ。
Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ、 ６８ ［１０］ ５４６−５１
（１９８５））発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、工ｆ、 ｅｒ特性を有し、磁器組成物中に
含有のＺｎの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、か
つ内質均一のセラミックスを安定的に得ることができる
電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としてい
る。
（１９８５））発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、工ｆ、 ｅｒ特性を有し、磁器組成物中に
含有のＺｎの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、か
つ内質均一のセラミックスを安定的に得ることができる
電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としてい
る。
発明の概要
この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物の欠点を
解消し、誘電体磁器組成物におけるＺｎの制御を目的に
、前記Ｂａ（Ｚｎ★・ＡＮ）Ｏａ組成について種々検討
した結果、特定の３価金属イオンを含有させることによ
り、組成中のＺｎを所要値に制御して内質的に均一で特
性のすぐれた磁器が得られることを知見し、完成したも
のである。
解消し、誘電体磁器組成物におけるＺｎの制御を目的に
、前記Ｂａ（Ｚｎ★・ＡＮ）Ｏａ組成について種々検討
した結果、特定の３価金属イオンを含有させることによ
り、組成中のＺｎを所要値に制御して内質的に均一で特
性のすぐれた磁器が得られることを知見し、完成したも
のである。
この発明は、基本組成を、
ＸＢａ（Ｚｎ★・Ａ−ｉｌ）０３−ＹＢａ（Ｂ１／２・
ＡＮ）０３と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値
を満足な組成からなることを特徴とする電子デバイス用
誘電体磁器組成物である。
ＡＮ）０３と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値
を満足な組成からなることを特徴とする電子デバイス用
誘電体磁器組成物である。
０．８５≦Ｘ＜１．０
０＜Ｙ≦０．１５
但し Ａ：Ｔａ、 Ｎｂ
Ｂ；Ｓｍ、 Ｎｄ
発明の構成
この発明において、好ましい誘電体磁器組成物は、
１１１ｊ記組成式の最初のＡかＴａの場合、（１）Ｂａ
（Ｚｎ４／・Ｔａ２／３）Ｏ３−Ｂａ（Ｓｍ１／２・Ｔ
ａ４）Ｃａ系（２）Ｂａ（Ｚｎｉ／−Ｔａ２／３）Ｏ３
−Ｂａ（Ｓｍ１／２・Ｎｂ２／３）Ｏ３系前記組成式の
最初のＡがＮｂの場合、（３）Ｂａ（Ｚｎ４／・ＮＪ）
０３−Ｂａ（Ｎｄ４・Ｔａ＋）０３系（４）Ｂａ（Ｚｎ
４／−Ｎｂ２／３）Ｏ３−Ｂａ（Ｎｄ１／２・Ｎｂ４）
Ｃａ系である。
（Ｚｎ４／・Ｔａ２／３）Ｏ３−Ｂａ（Ｓｍ１／２・Ｔ
ａ４）Ｃａ系（２）Ｂａ（Ｚｎｉ／−Ｔａ２／３）Ｏ３
−Ｂａ（Ｓｍ１／２・Ｎｂ２／３）Ｏ３系前記組成式の
最初のＡがＮｂの場合、（３）Ｂａ（Ｚｎ４／・ＮＪ）
０３−Ｂａ（Ｎｄ４・Ｔａ＋）０３系（４）Ｂａ（Ｚｎ
４／−Ｎｂ２／３）Ｏ３−Ｂａ（Ｎｄ１／２・Ｎｂ４）
Ｃａ系である。
この発明において、０．８５≦Ｘ＜１．０．０＜Ｙ≦０
．１５に限定した理由は、Ｘ値が０．８５未満、Ｙ値が
０．１５を越えると、得られる誘電体磁器組成物はＱ値
の劣化が著しく、また温度係数の劣化も大きくなり、ま
た、Ｘ値が１．０以上、Ｙ値が０では、Ｑ値の数音効果
が見られないため、０．８５ＳＸ＜１．０．０＜Ｙ≦０
．１５ （７）範囲とする。
．１５に限定した理由は、Ｘ値が０．８５未満、Ｙ値が
０．１５を越えると、得られる誘電体磁器組成物はＱ値
の劣化が著しく、また温度係数の劣化も大きくなり、ま
た、Ｘ値が１．０以上、Ｙ値が０では、Ｑ値の数音効果
が見られないため、０．８５ＳＸ＜１．０．０＜Ｙ≦０
．１５ （７）範囲とする。
発明の効果
この発明の誘電体磁器組成物は、９ＧＨｚにおけるＱは
５０００〜１００００、ｖｆ≦５０ｐｐｍ／”Ｃ、ｅｒ
３１〜４１となり、従来の誘電体磁器組成物と同等ま
たはそれ以上の特性のものが得られ、焼成時においても
、磁器イ１■成物中に含まれるＺｎの蒸発がある程度抑
制されるため、組成の制御がより容易となり、また、セ
ラミックス内のＺｎの偏析も防止し易く、内質均一なセ
ラミックスを安定的に得ることができる。
５０００〜１００００、ｖｆ≦５０ｐｐｍ／”Ｃ、ｅｒ
３１〜４１となり、従来の誘電体磁器組成物と同等ま
たはそれ以上の特性のものが得られ、焼成時においても
、磁器イ１■成物中に含まれるＺｎの蒸発がある程度抑
制されるため、組成の制御がより容易となり、また、セ
ラミックス内のＺｎの偏析も防止し易く、内質均一なセ
ラミックスを安定的に得ることができる。
なお、この発明においては、ＺｎをＮｉ”Ｃｏｚ＋、Ｍ
ｎ２＋などの２価金属イオンやＣａ２＋Ｍｇ２＋等のア
ルカリ土類イオンで約２０ｍｏｌ／％まで置換してもほ
ぼ同等の効果が得られる。
ｎ２＋などの２価金属イオンやＣａ２＋Ｍｇ２＋等のア
ルカリ土類イオンで約２０ｍｏｌ／％まで置換してもほ
ぼ同等の効果が得られる。
実施例
原料を第１表に示した組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混式混合し、１３００”Ｃに２時間仮焼した後
、再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
ミルにて混式混合し、１３００”Ｃに２時間仮焼した後
、再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
この粉砕粉を加圧成形し、１５００℃〜１５５０□″Ｃ
に焼成して、寸法１０ｍｍΦｘ ２０ｍｍの焼結体を得
た。
に焼成して、寸法１０ｍｍΦｘ ２０ｍｍの焼結体を得
た。
得られた焼結体について、２５℃、９ＧＨｚにおける比
誘電率ｅｒ、Ｑ、共振周波数の温度係数Ｉｆ（ｐｐｍ／
’Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
誘電率ｅｒ、Ｑ、共振周波数の温度係数Ｉｆ（ｐｐｍ／
’Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
なお、第１表における比誘電率とＱは、Ｈａｋｋｉａｎ
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎらによる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数ｄ、誘電率、誘電率
の温度係数１８とは、磁器の線熱膨張係数Ｇとの間に下
記式の如き関係がある。
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎらによる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数ｄ、誘電率、誘電率
の温度係数１８とは、磁器の線熱膨張係数Ｇとの間に下
記式の如き関係がある。
Ｔ ｆ＝−１／２ｔ ｅ−ａ
第１表の結果より明らかなように、この発明による誘電
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
＋５０ｐｐｍ／−Ｃ付近まで広く、低損失、高誘電率相
打であることが分る。
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
＋５０ｐｐｍ／−Ｃ付近まで広く、低損失、高誘電率相
打であることが分る。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基本組成を ＸＢａ（Ｚｎ１／３・Ａ２／３）Ｏ＿３−ＹＢａ（Ｂ１
／２・Ａ１／２）Ｏ＿３と表し、組成範囲を限定するＸ
、Ｙが下記値を満足する組成からなることを特徴とする
電子デバイス用誘電体磁器組成物。 ０．８５≦Ｘ＜１．０ ０＜Ｙ≦０．１５ 但しＡ：Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；Ｓｍ、Ｎｄ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257647A JPH02107550A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257647A JPH02107550A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107550A true JPH02107550A (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0569056B2 JPH0569056B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=17309152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257647A Granted JPH02107550A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5172093A (en) * | 1990-11-22 | 1992-12-15 | Fujitsu Ten Limited | Alarming system |
| JP2008102825A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokai Rika Co Ltd | 車両のガラス割れ検知装置 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257647A patent/JPH02107550A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5172093A (en) * | 1990-11-22 | 1992-12-15 | Fujitsu Ten Limited | Alarming system |
| JP2008102825A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokai Rika Co Ltd | 車両のガラス割れ検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569056B2 (ja) | 1993-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |