JPH06264231A - 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法 - Google Patents
高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法Info
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- JPH06264231A JPH06264231A JP7757293A JP7757293A JPH06264231A JP H06264231 A JPH06264231 A JP H06264231A JP 7757293 A JP7757293 A JP 7757293A JP 7757293 A JP7757293 A JP 7757293A JP H06264231 A JPH06264231 A JP H06264231A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 直流スパッタリング法により高誘電体薄膜を
形成することのできるターゲット材およびその製造法を
提供する。 【構成】 （１） ＢａとＳｒのチタン酸複合化合物の
周囲を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）が
包囲している複合被覆粒子が金属Ｔｉ素地中に均一分散
している組織を有する材料で構成されたターゲット材。 （２） 上記（１）の材料素地中に、さらにＴｉＯ2 粉
末が均一分散している組織を有するターゲット材。 （３） （ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に、Ｔｉ粉末
またはＴｉ粉末およびＴｉＯ2 粉末を混合し、ホットプ
レスするターゲット材の製造法。
形成することのできるターゲット材およびその製造法を
提供する。 【構成】 （１） ＢａとＳｒのチタン酸複合化合物の
周囲を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）が
包囲している複合被覆粒子が金属Ｔｉ素地中に均一分散
している組織を有する材料で構成されたターゲット材。 （２） 上記（１）の材料素地中に、さらにＴｉＯ2 粉
末が均一分散している組織を有するターゲット材。 （３） （ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に、Ｔｉ粉末
またはＴｉ粉末およびＴｉＯ2 粉末を混合し、ホットプ
レスするターゲット材の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング法に
より基板表面に高誘電体薄膜を形成する際に用いられる
ターゲット材およびその製造法に関するものであり、特
に直流スパッタリング法により基板表面に高誘電体薄膜
を形成することができるターゲット材およびその製造法
に関するものである。
より基板表面に高誘電体薄膜を形成する際に用いられる
ターゲット材およびその製造法に関するものであり、特
に直流スパッタリング法により基板表面に高誘電体薄膜
を形成することができるターゲット材およびその製造法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、組成が例えば（Ｂａ0.5 Ｓ
ｒ0.5 ）ＴｉＯ3 でありペロブスカイト構造を有する複
合チタン酸化合物の薄膜は誘電体薄膜として優れた特性
を有することおよびこの（Ｂａ0.5 Ｓｒ 0.5）ＴｉＯ3
複合チタン酸化合物からなる誘電体薄膜はスパッタリン
グ装置にターゲット材を設置し、高周波スパッタリング
法により作製されることは知られている。
ｒ0.5 ）ＴｉＯ3 でありペロブスカイト構造を有する複
合チタン酸化合物の薄膜は誘電体薄膜として優れた特性
を有することおよびこの（Ｂａ0.5 Ｓｒ 0.5）ＴｉＯ3
複合チタン酸化合物からなる誘電体薄膜はスパッタリン
グ装置にターゲット材を設置し、高周波スパッタリング
法により作製されることは知られている。
【０００３】上記（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 薄膜を
作製するためのターゲット材は、従来、ＢａＣＯ3 粉
末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴｉＯ2 粉末を配合したのち
ボールミルにて湿式混合し、乾燥したのち大気中で温
度：１２００℃、４時間保持の条件で焼成し、粉砕して
粉末とし、この粉末をホットプレスすることにより製造
されていた。
作製するためのターゲット材は、従来、ＢａＣＯ3 粉
末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴｉＯ2 粉末を配合したのち
ボールミルにて湿式混合し、乾燥したのち大気中で温
度：１２００℃、４時間保持の条件で焼成し、粉砕して
粉末とし、この粉末をホットプレスすることにより製造
されていた。
【０００４】このようにして製造されたターゲット材
は、（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 （但し、０＜ｘ＜１）
相を主相としているところから抵抗値が高く、そのため
スパッタリング法としては高周波スパッタリング法が用
いられていた。
は、（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 （但し、０＜ｘ＜１）
相を主相としているところから抵抗値が高く、そのため
スパッタリング法としては高周波スパッタリング法が用
いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高周波
スパッタリング法による成膜速度は通常１０オングスト
ローム／分と遅いために生産性が向上せず、この高周波
スパッタリング法で得られた薄膜組織は柱状でかつパー
ティクルが多いためにリーク電流が大きく、誘電体薄膜
として満足な特性は得られないという課題があった。
スパッタリング法による成膜速度は通常１０オングスト
ローム／分と遅いために生産性が向上せず、この高周波
スパッタリング法で得られた薄膜組織は柱状でかつパー
ティクルが多いためにリーク電流が大きく、誘電体薄膜
として満足な特性は得られないという課題があった。
【０００６】
【課題を解決しようとする手段】そこで、本発明者等
は、成膜速度の速い直流スパッタリング法（成膜速度は
１０００オングストローム／分以上と言われている）を
用いて効率よく特性の優れた複合チタン酸化合物からな
る誘電体薄膜を得るべく研究を行った結果、ＢａとＳｒ
のチタン酸複合化合物の周囲を酸化チタンが包囲してい
る複合被覆粒子、または上記複合被覆粒子およびＴｉＯ
2 粒子が金属Ｔｉ素地中に均一分散している組織を有す
る材料で構成されたターゲット材は、素地が金属Ｔｉで
あるところから高導電性を有し、したがって直流スパッ
タリング装置を用いて成膜を行なうことがてき、得られ
た誘電体薄膜の特性は従来よりも優れたものとなるとい
う知見を得たのである。
は、成膜速度の速い直流スパッタリング法（成膜速度は
１０００オングストローム／分以上と言われている）を
用いて効率よく特性の優れた複合チタン酸化合物からな
る誘電体薄膜を得るべく研究を行った結果、ＢａとＳｒ
のチタン酸複合化合物の周囲を酸化チタンが包囲してい
る複合被覆粒子、または上記複合被覆粒子およびＴｉＯ
2 粒子が金属Ｔｉ素地中に均一分散している組織を有す
る材料で構成されたターゲット材は、素地が金属Ｔｉで
あるところから高導電性を有し、したがって直流スパッ
タリング装置を用いて成膜を行なうことがてき、得られ
た誘電体薄膜の特性は従来よりも優れたものとなるとい
う知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、（１） ＢａとＳｒのチタン酸複合
化合物の周囲を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ
＜２）が包囲している複合被覆粒子が金属Ｔｉ素地中に
均一分散している組織を有する高誘電体薄膜製造用ター
ゲット材、（２） 上記材料の素地中に、さらに酸化チ
タン粒子が均一分散している組織を有する高誘電体薄膜
製造用ターゲット材、（３） 上記（１）および（２）
の高誘電体薄膜製造用ターゲット材の製造法、に特徴を
有するものである。
れたものであって、（１） ＢａとＳｒのチタン酸複合
化合物の周囲を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ
＜２）が包囲している複合被覆粒子が金属Ｔｉ素地中に
均一分散している組織を有する高誘電体薄膜製造用ター
ゲット材、（２） 上記材料の素地中に、さらに酸化チ
タン粒子が均一分散している組織を有する高誘電体薄膜
製造用ターゲット材、（３） 上記（１）および（２）
の高誘電体薄膜製造用ターゲット材の製造法、に特徴を
有するものである。
【０００８】この発明の高誘電体薄膜製造用ターゲット
材は、まず、ＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴ
ｉＯ2 粉末からなる混合粉末、またはＢａＯ粉末、Ｓｒ
Ｏ粉末およびＴｉＯ2 粉末からなる混合粉末を焼成して
ＢａおよびＳｒのチタン酸複合化合物を製造し、このＢ
ａおよびＳｒのチタン酸複合化合物を粉砕して得られた
ＢａおよびＳｒのチタン酸複合化合物粉末に対して、Ｔ
ｉ粉末またはＴｉ粉末とＴｉＯ2 粉末の混合粉末を添加
して混合し、ついで真空中でホットプレスすることによ
り得られる。
材は、まず、ＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴ
ｉＯ2 粉末からなる混合粉末、またはＢａＯ粉末、Ｓｒ
Ｏ粉末およびＴｉＯ2 粉末からなる混合粉末を焼成して
ＢａおよびＳｒのチタン酸複合化合物を製造し、このＢ
ａおよびＳｒのチタン酸複合化合物を粉砕して得られた
ＢａおよびＳｒのチタン酸複合化合物粉末に対して、Ｔ
ｉ粉末またはＴｉ粉末とＴｉＯ2 粉末の混合粉末を添加
して混合し、ついで真空中でホットプレスすることによ
り得られる。
【０００９】このようにして得られたターゲット材は直
流スパッタリング法で（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 高
誘電体薄膜を製造することができるだけでなく、高周波
スパッタリング法でも製造することができる。
流スパッタリング法で（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 高
誘電体薄膜を製造することができるだけでなく、高周波
スパッタリング法でも製造することができる。
【００１０】上記ターゲット材を用いて（Ｂａ0.5 Ｓｒ
0.5 ）ＴｉＯ3 高誘電体薄膜を製造するには、酸素を含
んだ雰囲気中でスパッタリングする必要がある。このス
パッタリング雰囲気中の酸素を減少させるために、上記
ターゲット材の素地中にＴｉＯ2 粉末を含有させるのが
好ましい。ＴｉＯ2 粉末含有ターゲット材に含まれるＴ
ｉＯ2 粒子の量は０．５〜１０容量％であり、ＴｉＯ2
粒子の周囲は素地のＴｉにより一部還元されてＴｉＯ
2-y （但し、０≦ｙ＜２）となっていることもある。
0.5 ）ＴｉＯ3 高誘電体薄膜を製造するには、酸素を含
んだ雰囲気中でスパッタリングする必要がある。このス
パッタリング雰囲気中の酸素を減少させるために、上記
ターゲット材の素地中にＴｉＯ2 粉末を含有させるのが
好ましい。ＴｉＯ2 粉末含有ターゲット材に含まれるＴ
ｉＯ2 粒子の量は０．５〜１０容量％であり、ＴｉＯ2
粒子の周囲は素地のＴｉにより一部還元されてＴｉＯ
2-y （但し、０≦ｙ＜２）となっていることもある。
【００１１】
実施例１ いずれも純度：３ＮのＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉末
およびＴｉＯ2 粉末を原料粉末として用意し、これら粉
末をＺｒＯ2 ボール（径：５mmφ）５００ｇと共にボー
ルミル用ポット（容積：５００ml）に入れ、１０時間混
合粉砕し、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに移
し、電気炉内で温度：１２５０℃、大気中にて６時間保
持することにより表１に示される組成のチタン酸複合化
合物（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 焼成塊を作製した。
およびＴｉＯ2 粉末を原料粉末として用意し、これら粉
末をＺｒＯ2 ボール（径：５mmφ）５００ｇと共にボー
ルミル用ポット（容積：５００ml）に入れ、１０時間混
合粉砕し、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに移
し、電気炉内で温度：１２５０℃、大気中にて６時間保
持することにより表１に示される組成のチタン酸複合化
合物（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 焼成塊を作製した。
【００１２】このチタン酸複合化合物（ＢａｘＳ
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 焼成塊を乳鉢で粉砕し、次いてボール
ミル法により１０時間粉砕し、平均粒径：４．５μｍ
（マイクロトラック法により測定）の（ＢａｘＳ
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末を作製し、この（ＢａｘＳ
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に対して平均粒径：５μｍのＴｉ
粉末を表１に示される割合で配合し、これをボールミル
に装入して１０時間混合粉砕し、（ＢａｘＳｒ1-x ）Ｔ
ｉＯ3 粉末とＴｉ粉末の混合粉末を作製した。
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 焼成塊を乳鉢で粉砕し、次いてボール
ミル法により１０時間粉砕し、平均粒径：４．５μｍ
（マイクロトラック法により測定）の（ＢａｘＳ
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末を作製し、この（ＢａｘＳ
ｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に対して平均粒径：５μｍのＴｉ
粉末を表１に示される割合で配合し、これをボールミル
に装入して１０時間混合粉砕し、（ＢａｘＳｒ1-x ）Ｔ
ｉＯ3 粉末とＴｉ粉末の混合粉末を作製した。
【００１３】この（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末とＴ
ｉ粉末の混合粉末をグラファイトモールドに充填し、温
度：１２００℃、真空度：１０-3torr、圧力：１５０kg
／cm2 の条件で２時間保持することによりホットプレス
を行ない、ついで表面加工することにより直径：７．６
４cmの本発明ターゲット材１〜１３を作製した。
ｉ粉末の混合粉末をグラファイトモールドに充填し、温
度：１２００℃、真空度：１０-3torr、圧力：１５０kg
／cm2 の条件で２時間保持することによりホットプレス
を行ない、ついで表面加工することにより直径：７．６
４cmの本発明ターゲット材１〜１３を作製した。
【００１４】これら本発明ターゲット材１〜１３の組織
を顕微鏡で観察したところ、ＢａとＳｒのチタン酸複合
化合物（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 の周囲を酸化チタン
（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）で包囲されている相
がＴｉ素地中に島状に均一に分散していた。
を顕微鏡で観察したところ、ＢａとＳｒのチタン酸複合
化合物（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 の周囲を酸化チタン
（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）で包囲されている相
がＴｉ素地中に島状に均一に分散していた。
【００１５】さらに、本発明ターゲット材１〜１３につ
いて、直流四探針法で抵抗率を測定したのち抗折力を測
定し、これらの測定値を表１に示した。
いて、直流四探針法で抵抗率を測定したのち抗折力を測
定し、これらの測定値を表１に示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】この本発明ターゲット材１〜１３をＤＣ用
スパッタ装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ スパッタ時間 ：５分 の条件で厚さ：５０００オングストロームの誘電体薄膜
を作製した。
スパッタ装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ スパッタ時間 ：５分 の条件で厚さ：５０００オングストロームの誘電体薄膜
を作製した。
【００１８】得られた誘電体薄膜の電気的特性を測定し
その測定結果を表２に示したのち、さらに誘電体薄膜の
顕微鏡による組織観察を行ない、パーティクル数を測定
しその測定結果を表２に示した。
その測定結果を表２に示したのち、さらに誘電体薄膜の
顕微鏡による組織観察を行ない、パーティクル数を測定
しその測定結果を表２に示した。
【００１９】
【表２】
【００２０】実施例２ 実施例１で作製したＢａとＳｒのチタン酸複合化合物
（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に対して、ＴｉＯ2 粉
末およびＴｉ粉末を表３に示される割合となるように配
合し、以下、実施例１と同様にして本発明ターゲット材
１４〜２６を作製した。
（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 粉末に対して、ＴｉＯ2 粉
末およびＴｉ粉末を表３に示される割合となるように配
合し、以下、実施例１と同様にして本発明ターゲット材
１４〜２６を作製した。
【００２１】得られた本発明ターゲット材１４〜２６の
組織を顕微鏡で観察したところ、チタン酸複合化合物
（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 の周囲が酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2-z、但し、０≦ｚ＜２）で包囲されている相および
ＴｉＯ2 相がＴｉマトリックス中に島状に均一に分散し
ていた。
組織を顕微鏡で観察したところ、チタン酸複合化合物
（ＢａｘＳｒ1-x ）ＴｉＯ3 の周囲が酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2-z、但し、０≦ｚ＜２）で包囲されている相および
ＴｉＯ2 相がＴｉマトリックス中に島状に均一に分散し
ていた。
【００２２】さらに、本発明ターゲット材１４〜２６に
ついて、直流四探針法により抵抗率を測定したのち抗折
力を測定し、これら測定値を表３に示した。
ついて、直流四探針法により抵抗率を測定したのち抗折
力を測定し、これら測定値を表３に示した。
【００２３】
【表３】
【００２４】この本発明ターゲット材１４〜２６をＤＣ
用スパッタ装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝７：３ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ スパッタ時間 ：５分 の条件で厚さ：５０００オングストロームの誘電体薄膜
を作製した。
用スパッタ装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝７：３ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ スパッタ時間 ：５分 の条件で厚さ：５０００オングストロームの誘電体薄膜
を作製した。
【００２５】得られた誘電体薄膜の電気的特性を測定し
その測定結果を表４に示したのち、さらに誘電体薄膜の
顕微鏡による組織観察を行ない、パーティクル数を測定
しその測定結果を表４に示した。
その測定結果を表４に示したのち、さらに誘電体薄膜の
顕微鏡による組織観察を行ない、パーティクル数を測定
しその測定結果を表４に示した。
【００２６】
【表４】
【００２７】従来例１ 実施例１と同様にしてチタン酸複合化合物（Ｂａ0.5 Ｓ
ｒ0.5 ）ＴｉＯ3 焼成塊を作製し、これを粉砕してチタ
ン酸複合化合物（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3粉末を作
製し、このチタン酸複合化合物（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）Ｔ
ｉＯ3 粉末をグラファイトモールドに充填してホットプ
レスし、表面加工することにより従来ターゲット材を作
製した。
ｒ0.5 ）ＴｉＯ3 焼成塊を作製し、これを粉砕してチタ
ン酸複合化合物（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3粉末を作
製し、このチタン酸複合化合物（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）Ｔ
ｉＯ3 粉末をグラファイトモールドに充填してホットプ
レスし、表面加工することにより従来ターゲット材を作
製した。
【００２８】この従来ターゲット材の組織を顕微鏡観察
したところ、（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 の焼結体組
織が見られ、さらにこの従来ターゲット材について実施
例１と同様にして抗折力および電気抵抗を測定したとこ
ろ、 抗折力：６０kg／cm2 、 抵抗率：１×１０9 Ω・cm、 であった。
したところ、（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 の焼結体組
織が見られ、さらにこの従来ターゲット材について実施
例１と同様にして抗折力および電気抵抗を測定したとこ
ろ、 抗折力：６０kg／cm2 、 抵抗率：１×１０9 Ω・cm、 であった。
【００２９】この従来ターゲット材を高周波スパッタリ
ング装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ の条件で高周波スパッタリングを行ない、厚さ：５００
０オングストロームの誘電体薄膜を作製し、得られた誘
電体薄膜の電気的特性およびパーティクル数を測定した
ところ、 誘電率 ：６３０ リーク電流 ：６×１０-6（Ａ／cm2 ） パーティクル数：８７個／cm2 であった。
ング装置に組み込み、 スパッタガス圧：１ｍtorr、 パワー ：５０ｗ 雰囲気ガス組成：Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ターゲットと基板の距離：５０mm 基板温度 ：５５０℃ の条件で高周波スパッタリングを行ない、厚さ：５００
０オングストロームの誘電体薄膜を作製し、得られた誘
電体薄膜の電気的特性およびパーティクル数を測定した
ところ、 誘電率 ：６３０ リーク電流 ：６×１０-6（Ａ／cm2 ） パーティクル数：８７個／cm2 であった。
【００３０】
【発明の効果】上記実施例１および２並びに従来例１に
示される結果から、本発明ターゲット材１〜２６は従来
ターゲットに比較して、電気抵抗率が格段に小さいので
直流スパッタリング法で誘電体薄膜を作製することがで
き、さらに抗折力が大きいので取扱い時に割れることが
ない、という優れた効果がある。
示される結果から、本発明ターゲット材１〜２６は従来
ターゲットに比較して、電気抵抗率が格段に小さいので
直流スパッタリング法で誘電体薄膜を作製することがで
き、さらに抗折力が大きいので取扱い時に割れることが
ない、という優れた効果がある。
【００３１】さらに、本発明ターゲット材１〜２６を用
いて作製した誘電体薄膜は、従来ターゲット材を用いて
作製した誘電体薄膜に比べて、パーティクル数が少ない
ところから、リーク電流が少なく、さらに誘電率も優れ
た値を示すことがわかる。
いて作製した誘電体薄膜は、従来ターゲット材を用いて
作製した誘電体薄膜に比べて、パーティクル数が少ない
ところから、リーク電流が少なく、さらに誘電率も優れ
た値を示すことがわかる。
【００３２】上述のように、この発明のターゲット材
は、直流スパッタリング装置を用いて効率よく安価に優
れた特性を有する誘電体薄膜を提供することができ、電
子産業の発展に大いに貢献しうるものである。
は、直流スパッタリング装置を用いて効率よく安価に優
れた特性を有する誘電体薄膜を提供することができ、電
子産業の発展に大いに貢献しうるものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＢａとＳｒのチタン酸複合化合物の周囲
を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）が包囲
している複合被覆粒子が金属Ｔｉ素地中に均一分散して
いる組織を有することを特徴とする高誘電体薄膜製造用
ターゲット材。 - 【請求項２】 ＢａとＳｒのチタン酸複合化合物の周囲
を酸化チタン（ＴｉＯ2-z 、但し、０≦ｚ＜２）が包囲
している複合被覆粒子並びに酸化チタン粒子が金属Ｔｉ
素地中に均一分散している組織を有することを特徴とす
る高誘電体薄膜製造用ターゲット材。 - 【請求項３】焼成して得られたＢａおよびＳｒのチタン
酸複合化合物を粉砕してＢａおよびＳｒのチタン酸複合
化合物粉末を製造し、このＢａおよびＳｒのチタン酸複
合化合物粉末に対して、Ｔｉ粉末またはＴｉ粉末とＴｉ
Ｏ2 粉の混合粉末を添加混合し、ついで真空雰囲気中で
ホットプレスすることを特徴とする高誘電体薄膜製造用
ターゲット材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7757293A JPH06264231A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7757293A JPH06264231A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06264231A true JPH06264231A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=13637729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7757293A Pending JPH06264231A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06264231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19721989A1 (de) * | 1996-05-27 | 1998-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | Dielektrikum-Sputtertarget mit hoher Festigkeit und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5997704A (en) * | 1996-11-01 | 1999-12-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for depositing ferroelectric film, method for preparing the same, and method for preparing a DRAM using the same |
| JP2014070234A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | チタン酸化物系蒸着材料 |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP7757293A patent/JPH06264231A/ja active Pending
Cited By (5)
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