JP2002163817A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】非金属基板において電磁変換特性に優れた安価
な磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
を提供する。 【解決手段】表面に線密度が７５００［本／ｍｍ］以上
であるテクスチャー痕を有した非金属基板とその上に形
成された配向調整膜、非磁性下地層及び磁性層とを少な
くとも含む磁気記録媒体によって解決される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方
法および磁気記録再生装置に関するものであり、特に、
電磁変換特性に優れたものに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録再生装置の１種であるハードデ
ィスク装置は、現在その記録密度が年率６０％で増えて
おり今後もその傾向は続くと言われている。高記録密度
に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発
が進められている。

【０００３】ハードディスク装置などに用いられる磁気
記録媒体は、基本的に以下の構成になっている。Ａｌ合
金の上にＮｉ-Ｐメッキした基板やガラスの基板の上に
スパッター法等で、ＣｒもしくはＣｒＷ、ＣｒＭｏなど
のＣｒ合金をＣｏ合金層の結晶配向用の非磁性下地層と
して成膜し、その上に磁性層としてＣｏ合金の薄膜を成
膜する、さらにカーボンを主成分とする保護膜を成膜
し、パーフルオロポリエーテルなどの潤滑剤を塗布して
潤滑膜を形成する。

【０００４】磁気ディスク装置などの高記録密度化に伴
い、円周方向の磁気異方性を有した磁気記録媒体とする
ことによる電磁変換特性の良好なものが求められてい
る。そのために、現在、アルミニウム合金にＮｉＰをメ
ッキした基板（「アルミ基板」ともいう。）を用いた磁
気記録媒体はＮｉＰ表面に機械的に溝を円周方向に入れ
る（「メカニカルテクスチャー加工」という。）ことに
より円周方向に磁気異方性を持たせている。

【０００５】一方、非磁性基板、例えばガラス基板は耐
衝撃性にすぐれた剛性を有し、ヘッドの浮上量を低下さ
せた高記録密度に適応できる平坦性を有しているのでこ
れらを用いることが検討されている。しかし、ガラス基
板は充分な機械的なテクスチャ加工を施したものが得ら
れておらず、そのためガラス基板はこれまでおもに磁気
的に等方性である磁気記録媒体として用いられている。
またテクスチャー加工を施しただけでは充分な磁気異方
性は発現せず、そのためガラス基板はこれまでおもに磁
気的に等方性である磁気記録媒体として用いられてい
る。

【０００６】このため、ガラス基板を用いた磁気記録媒
体に磁気異方性を持たせる研究が進められており、たと
えば特開平４-２９５６１号公報や特開平９-１６７３３
７号公報などでは非金属基板上にテスクチャ加工が可能
な硬質膜を形成することが提案されている。また、特開
平５-１９７９４１号公報ではテクスチャ加工用の硬質
膜をスパッタで形成したものが提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】特開平４-２９５６１
号公報や特開平９-１６７３３７号公報などでは非金属
基板上にテスクチャ加工が可能な硬質膜を形成すること
が提案されている。しかしながら開示されている磁気記
録媒体は硬質膜の形成に無電解メッキ方法を用いるため
工程が煩雑で高価なものとなってしまう。また、特開平
５-１９７９４１号公報では硬質膜をスパッタで形成し
たものが提案されている。しかしながらこの場合もいっ
たんＮｉＰの硬質膜をスパッタした後メカニカルテクス
チャ加工をほどこさなれけばならず、やはり工程として
は煩雑となり高価な媒体となってしまう。非金属基板に
おいてもアルミ基板と同様に製造工程的に安価に製造で
きる磁気異方性媒体の製造が望まれていた。

【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、非金属基板において電磁変換特性に優れた安価な磁
気記録媒体を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、表面形状と
高記録密度に適した電磁変換特性の関係について鋭意研
究をおこないその知見に基づいて本発明を完成するに至
った。 １）上記課題を解決するための第１の発明は、表面に線
密度が７５００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕
を有した非金属基板とその上に形成された配向調整膜、
非磁性下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁気記録媒
体である。 ２）上記課題を解決するための第２の発明は、テクスチ
ャー痕の線密度が１５０００［本／ｍｍ］以上であるこ
とを特徴とした１）に記載の磁気記録媒体である。 ３）上記課題を解決するための第３の発明は、テクスチ
ャー痕の線密度が２００００［本／ｍｍ］以上であるこ
とを特徴とした１）に記載の磁気記録媒体である。 ４）上記課題を解決するための第４の発明は、非金属基
板のヤング率が７０〜９０ ［ＧＰａ］であることを特
徴とする１）乃至３）のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体である。 ５）上記課題を解決するための第５の発明は、非金属基
板の表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３［ｎｍ］以下で
あることを特徴とする１）乃至４）のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体である。 ６）上記課題を解決するための第６の発明は、非金属基
板の端面のチャンファー部を構成する面取り部、側面部
の各部の少なくとも一方の平均粗さＲａが１０［ｎｍ］
以下であることを特徴とする１）乃至５）のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体である。 ７）上記課題を解決するための第７の発明は、非金属基
板がガラス基板であることを特徴とする１）乃至６）の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体である。 ８）上記課題を解決するための第８の発明は、ガラス基
板が結晶化ガラスからなるものであることを特徴とする
７）に記載の磁気記録媒体である。 ９）上記課題を解決するための第９の発明は、結晶化ガ
ラスに含まれる結晶粒の平均粒径が１０〜１００［ｎ
ｍ］であることを特徴とする８）に記載の磁気記録媒体
である。 １０）上記課題を解決するための第１０の発明は、結晶
化ガラスに含まれる結晶粒の密度が基板面において３０
〜５０００［個／μｍ²］であることを特徴とする８）
または９）に記載の磁気記録媒体である。 １１）上記課題を解決するための第１１の発明は、配向
調整膜がＣｒ合金、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＮｉＰＺ（ＺはＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒから選ば
れたいずれか１種以上である。）から選ばれるいずれか
であることを特徴とする１）乃至１０）のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体である。 １２）上記課題を解決するための第１２の発明は、配向
調整膜の表面が酸素雰囲気に曝露させたものであること
を特徴とする１）乃至１１）のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体である。 １３）上記課題を解決するための第１３の発明は、非磁
性下地層がＣｒまたはＣｒＸ合金（ＸはＭｏ、Ｖ、Ｗか
ら選ばれたいずれか１種以上である。）であることを特
徴とする１）乃至１２）のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体である。 １４）上記課題を解決するための第１４の発明は、非磁
性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶面の優先配向面が
（２００）面であることを特徴とする１）乃至１３）の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体である。 １５）上記課題を解決するための第１５の発明は、磁性
層がＣｏＣｒＰｔＢ系合金またはＣｏＣｒＰｔＢＹ系合
金（ＹはＴａ、Ｃｕから選ばれるいずれか１種以上であ
る。）であることを特徴とする１）乃至１４）のいずれ
か１項に記載の磁気記録媒体である。 １６）上記課題を解決するための第１６の発明は、非磁
性下地層と磁性層との間に非磁性中間層を有しているこ
とを特徴とする１）乃至１５）のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体である。 １７）上記課題を解決するための第１７の発明は、磁性
層の磁気的異方性指数（ＯＲ＝円周方向のＨｃ/半径方
向のＨｃ）が１．０５以上であることを特徴とする１）
乃至１６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であ
る。 １８）上記課題を解決するための第１８の発明は、非金
属基板の表面に線密度が７５００［本／ｍｍ］以上であ
るテクスチャー痕を形成するテクスチャー工程と、その
上に配向調整膜、非磁性下地層、磁性層を形成する工程
と、を含む磁気記録媒体の製造方法である。 １９）上記課題を解決するための第１９の発明は、テク
スチャー痕の線密度が１５０００［本／ｍｍ］以上であ
ることを特徴とした１８）に記載の磁気記録媒体の製造
方法である。 ２０）上記課題を解決するための第２０の発明は、配向
調整膜を形成後にその表面を酸素雰囲気に曝露する工程
を含むことを特徴とする１８）または１９）のいずれか
１項に記載の磁気記録媒体の製造方法である。 ２１）上記課題を解決するための第２１の発明は、大気
に開放することなく酸素雰囲気に曝露することをことを
特徴とする２０）に記載の磁気記録媒体の製造方法であ
る。 ２２）上記課題を解決するための第２２の発明は、曝露
する酸素雰囲気が、５×１０^-4［Ｐａ］以上の酸素ガス
を含む雰囲気であることを特徴とする２０）または２
１）に記載の磁気記録媒体の製造方法である。 ２３）上記課題を解決するための第２３の発明は、磁気
記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気
ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録
媒体が１）乃至１７）のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置である。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非金属基板１上に、配向調整膜２、非磁性下地層３、磁
性層４、および保護膜５を順次形成してなるものであ
る。

【００１１】非金属基板としては、ガラス、セラミック
ス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂な
どの非金属材料からなるものが用いられる。非金属基板
として、コスト、耐久性の点からガラス基板を用いるの
が好ましい。

【００１２】ガラス基板は結晶化ガラスまたはアモルフ
ァスガラスを用いることができる。アモルファスガラス
としては汎用のソーダライムガラス、アルミノケートガ
ラス、アルミノシリケートを使用できる。また結晶化ガ
ラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることが
できる。より多様な使用環境に適応できる点からは化学
的な耐久性に優れた結晶化ガラスが好ましい。ここで結
晶化ガラスの構成成分としてはＳｉＯ₂、Ｌｉ₂Ｏが含ま
れているものが実際にドライブ装置に組み込んだ場合に
他の部品との熱膨張係数の整合性あるいは組み立て時、
使用時の剛性の点から好ましい。

【００１３】セラミックス基板としては、汎用の酸化ア
ルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれ
らの繊維強化物などが使用可能である。

【００１４】非金属基板の表面は、線密度が７５００
［本／ｍｍ］以上のテクスチャー痕を有しているもので
ある。線密度は非金属基板の半径方向に測定したもので
ある。非金属基板の表面は、１５０００［本／ｍｍ］以
上（より好ましくは２００００［本／ｍｍ］以上。）の
テクスチャー痕を有しているのが好ましい。線密度が７
５００［本／ｍｍ］以上としたのは、テクスチャー痕の
効果が磁気的特性（例えば保磁力の向上効果。）、電磁
変換特性（例えばＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏＮｏｉｓ
ｅ Ｒａｔｉｏ）、ＰＷ５０の向上効果。）により反映
されるからである。

【００１５】テクスチャー痕は基板に対して主に円周方
向を有しているのが好ましい。ここで、テクスチャー痕
とは、半径方向の断面において山と谷との間の高低の距
離が０．０２［ｎｍ］以上１０[ｎｍ]以下（より好まし
くは０．０５［ｎｍ］以上１０[ｎｍ]以下。）の表面の
凹凸形状のことである。この範囲の表面の凹凸形状によ
る磁気異方性が電磁変換特性の向上に有効だからであ
る。また１０［ｎｍ］を越えたテクスチャー痕は、凹凸
が大きすぎるので近傍のテクスチャー痕の均一性に影響
を与えるおそれがある。

【００１６】また、線密度は均一であるのが電磁変換特
性の均一性、ヘッド飛行安定性の点から好ましく、ＣＶ
値（平均値／標準偏差の値）で２０％以下（より好まし
くは１５％以下。さらに好ましくは１０％以下。）であ
るのが好ましい。

【００１７】テクスチャー痕の線密度は、例えば測定装
置は、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ。Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社
製）を用いることができる。

【００１８】線密度の測定条件は次のようにする。Ｓｃ
ａｎ Ｓｉｚｅは３μｍ、ＳｃａｎＲａｔｅは１Ｈｚ、
Ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ Ｓａｍｐｌｅは２５６、モードは
タッピングモードとする。試料である磁気記録媒体の半
径方向にプローブを走査し、ＡＦＭのＳｃａｎ画像を得
る。Ｆｌａｔｔｅｎ Ｏｒｄｅｒの次数を２として平滑
化処理のひとつであるＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ処
理を、Ｓｃａｎ画像に対してＸ軸とＹ軸とに実施して画
像の平滑化補正を行う。平滑化補正済みの画像に対し
て、約０．５μｍ×約０．５μｍのボックスを設定して
その範囲の線密度を算出する。線密度はＸ軸中心線とＹ
軸中心線の両方に沿ったゼロ交差点の総数を１ｍｍ当り
に換算して算出される。すなわち、線密度は半径方向１
ｍｍ当りのテクスチャー痕の山と谷の数となる。試料面
内の各箇所を測定してその測定値の平均値、標準偏差を
求める。その平均値をもって非金属基板のテクスチャー
痕の線密度とする。測定箇所の個数は、平均値、標準偏
差を求められる個数とすることができる。たとえば、測
定数は１０点とすることができる。またそのうちの最大
値、最小値を除いた８点で平均値、標準偏差を求めると
測定異常値を除くことができるので測定精度を向上させ
ることができる。

【００１９】テクスチャー痕を有した基板の表面の平均
粗さは、０．１[ｎｍ]以上０．７［ｎｍ］以下（より好
ましくは０．１[ｎｍ]以上０．５［ｎｍ］以下。さらに
好ましくは０．１[ｎｍ]以上０．３５［ｎｍ］以下。）
であるのが好ましい。テクスチャー痕を有した基板の表
面の平均粗さが大きいと、ヘッド浮上高さを充分に下げ
た、すなわちより高記録密度に適した状態で使用するこ
とができなくなるおそれがあるからである。

【００２０】非金属基板のヤング率が７０〜９０ ［Ｇ
Ｐａ］（より好ましくは７５〜８５［ＧＰａ］。さらに
好ましくは７５〜８０ ［ＧＰａ］。）であるのが好ま
しい。この範囲であるとより充分な線密度またはより均
一な線密度が得られるからである。たとえば、テクスチ
ャー痕を形成するためには、基板表面にテクスチャー加
工を施す。たとえば、基板の表面に研磨テープを押し付
け接触させ、基板と研磨テープとの間に研磨砥粒を含む
研磨スラリーを供給して、基板を回転させると供に、研
磨テープを送ることによるテクスチャー加工方法を用い
ることができる。このとき、９０ ［ＧＰａ］を越える
と研磨スラリーに含まれる砥粒の基板表面への食いつき
が悪くなるのでテクスチャーの加工性が悪くなり充分な
テクスチャー痕が得られなくなるからであると推定され
る。ヤング率が７０ ［ＧＰａ］未満では磁気記録再生
装置に装着して使用した場合に要求される耐衝撃性が不
充分になるおそれがあるからである。

【００２１】ヤング率は例えば次のように測定する。超
音波測定機（２５ＤＬ(Ｐａｎａｍｅｔｒｉｃｓ社製）)
を用いて試料である非金属基板内の音波（縦波、横波）
を測定し、次式に基づきヤング率を計算する。 ヤング率（Ｅ） ［ＧＰａ］＝ρ(３Ｃｓ²Ｃｐ²−４Ｃｓ
⁴）／（Ｃｐ²−Ｃｓ²) Ｃｐ［ｍｍ／μｓ］：縦波音速 Ｃｓ［ｍｍ／μ
ｓ］:横波音速 ρ[ｇ／ｃｍ³]：基板の密度

【００２２】結晶化ガラスを用いた場合、結晶化ガラス
中にはＳｉＯ₂からなる結晶粒が含まれる。この結晶粒
の平均粒径が１０〜１００［ｎｍ］（より好ましくは１
０〜７０［ｎｍ］。さらに好ましくは１０〜５０［ｎ
ｍ］。）であるのが好ましい。１０ｎｍ未満では耐衝撃
性が不充分となり、１００ｎｍを越えるとメカニカルテ
クスチャーの加工性が悪くなり充分な線密度または均一
な線密度が得られないおそれがあるからである。また結
晶粒の分布の密度は基板面において３０〜５０００［個
／μｍ²］（より好ましくは７０〜３０００［個／μ
ｍ²］である。さらに好ましくは１００〜２０００［個
／μｍ²］である。）であるのが剛性や加工性の点から
好ましい。

【００２３】結晶粒の平均粒径、密度の測定方法はたと
えば次のようにすることができる。基板を２ｍｍ（タ
テ）×２ｍｍ（ヨコ）×５ｍｍ（厚さ）の試料をイオン
シリングで薄膜に加工して、平面ＴＥＭ（透過電子顕微
鏡）にて１０万倍の写真をとりそこから平均粒径、密度
を求める。たとえば視野内の結晶の径を実測し平均化す
る。

【００２４】円周方向のテクスチャー痕はオッシレーシ
ョンを加えたものを含むことができる。オッシレーショ
ンを加えたテクスチャー痕は、基板の円周方向に対して
角度を有した方向のテクスチャー痕を含んだものとな
る。角度は例えば円周方向接線に対して±８度以内とす
ることができる。オッシレーションを加えたテクスチャ
ー痕はドライブ装置の実使用状態で磁気ヘッドの飛行状
態が安定となり好ましい。

【００２５】非金属基板の端面のチャンファー部１０は
図２に示すように、面取り部１２、側面部１３からな
る。これらの各部の少なくとも一方の表面平均粗さＲａ
が１０［ｎｍ］以下（より好ましくは９．５［ｎｍ］以
下。）であるのが好ましい。これらの各部の少なくとも
一方の表面粗さＲｍａｘが１００［ｎｍ］以下（より好
ましくは９５［ｎｍ］以下。）であるのが好ましい。ま
た非金属基板の表面部１１と面取り部１２との間、面取
り部１２と側面部１３との間には角部１４があるが、こ
れらの角部が曲面となっているのがより好ましい。曲面
の様子を図２に破線で示す。その曲面の半径が０．１〜
１０［ｍｍ］であるのがさらに好ましい。テクスチャー
加工に供される基板の端面のチャンファー部の端面の粗
さが大きいと、荒れた部分から磨耗粉が発生してテープ
と基板との間に入り、その状態でテクスチャー加工され
るとその磨耗粉によって表面にスクラッチが発生し、そ
の結果、作製されたテクスチャー痕の均一性が不充分に
なるおそれがあるからである。たとえば、チャンファー
面はポリッシュ加工等で鏡面化されていることが好まし
い。

【００２６】また、テクスチャ痕を形成する前の、基板
の表面の平均粗さは１．５［ｎｍ］（より好ましくは１
［ｎｍ］以下。）以下が好ましい。たとえば、ポリッシ
ングして表面を鏡面仕上げしてあるものが好ましい。平
均粗さが１．５［ｎｍ］を超えると基板の平面性が悪く
なるため、テクスチャー加工した場合にテープと基板の
接触面が不安定になるおそれがあるために、充分な線密
度または均一な線密度が得られないおそれがあるからで
ある。

【００２７】基板の表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３
［ｎｍ］以下（より好ましくは０．２５［ｎｍ］以
下。）であることが好ましい。基板の平面性が悪くなる
ため、テクスチャー加工した場合にテープと基板の接触
面が不安定になるおそれがあるために、充分な線密度ま
たは均一な線密度が得られないおそれがあるからであ
る。また、微小うねりが大きいと、ヘッド浮上高さを充
分に下げた、すなわちより高記録密度に適した状態で使
用することができなくなるおそれがあるからである。微
小うねりによりヘッドの浮上が不安定になりエラーが発
生するおそれがあるからである。ここで微小うねりは、
たとえば次のように測定する。

【００２８】微小うねり（Ｗａ）は例えば次のように測
定することができる。光学式表面形状測定装置（Ｍｉｃ
ｒｏＸＡＭ、フェーズシフト社製）を用いて、装置の条
件を対物レンズ×１０、中間レンズ×１．０、空間フィ
ルター Ｚｏｎａｌ ｆｉｌｔｅｒ、バンドパスフィル
ター ３〜１６０μｍ、視野５００×６００μとして試
料の表面を観察したときの平均粗さを微小うねりとす
る。通常の平均粗さを求める場合より、フィルター波長
を長くしてうねり成分を測定するものである。

【００２９】配向調整膜としてはＣｒを主成分（すなわ
ちＣｒの含有率が５０ａｔ％を越える。）とする合金か
らなるものを用いることが好ましい。合金の成分として
Ｂ、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｔｒからなる群より選ばれたいずれか１種以上を含むの
が好ましい。配向調整膜としてはＮｉＢ、ＮｉＰもしく
はＮｉＰＺ（ＺはＣｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、
Ｔｉ、Ｚｒからなる群より選ばれたいずれか１種以上を
含む。Ｚの含有量は２５ａｔ％以下。)が用いることが
好ましい。Ｐの含有量は２０?４０ａｔ％であるのがよ
り良い磁気的特性（例えば保磁力のさらなる向上効
果）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ、ＰＷ５０のさらな
る向上効果）を得ることができるので好ましい。第三元
素のＸが添加されると、より磁気異方性の強い磁気記録
媒体の形成の容易性や、耐腐食性の改善の点で好まし
い。膜厚は２〜１００［ｎｍ］であるのが好ましい。２
［ｎｍ］未満では充分な効果が得られないからである。
また、１００［ｎｍ］を越えると生産効率が悪くなるか
らである。

【００３０】さらに、基板と配向調整膜との密着性を上
げるために、非金属基板と配向調整膜との間に密着層７
を設けても良い。密着層はＣｒ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた
いずれかを用いることができる。密着層の膜厚は１〜１
００［ｎｍ］（より好ましくは５〜８０［ｎｍ］であ
る。さらに好ましくは７〜７０［ｎｍ］である。）であ
るのが密着性、生産性の点から好ましい。図３に密着層
７を設けた場合の膜構成の図をしめす。

【００３１】配向調整膜は形成された後に表面が酸素雰
囲気に曝露されたものがテクスチャー痕による磁気異方
性の効果をより効果的に得られ電磁変換特性が向上する
ので好ましい。酸素雰囲気に曝露された配向調整膜は成
分分析で酸素が検出されても良い。

【００３２】非磁性下地層の材料としてはＣｒまたはＣ
ｒＴｉ、ＣｒＷ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＳｉから選ば
れたいずれか１種を含むものが好ましい。非磁性下地層
の膜厚は５［ｎｍ］以上であればよいが実用上の経済性
を考慮すると５０［ｎｍ］以下が望ましい。非磁性下地
層の膜厚が上記の範囲を有する磁気記録媒体は、テクス
チャー痕による磁気異方性の効果が充分に得られ、より
良い磁気的特性（例えば保磁力の向上効果）、電磁変換
特性（例えばＳＮＲの向上効果）が確認され、その結果
高記録密度に適した磁気記録媒体となる。非磁性下地層
は、多層構造としても良く、その材料は上記のなかから
選ばれたいずれかを用いた組み合わせとすることができ
る。配向調整膜の直上は、Ｃｒからなるものであるの
が、その上に形成する磁性層の充分な結晶配向が得られ
るので好ましい。

【００３３】磁性層はＣｏを主原料とした材料とするこ
とができる。例えば、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ系、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系か
ら選ばれたいずれか一種を含むものとすることができ
る。例えば、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系の場合、Ｃｒの含有
量は１６〜２４ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ
％、Ｂの含有量は２〜８ａｔ％、Ｔａの含有量は１〜４
ａｔ％とすることができる。例えば、ＣｏＣｒＰｔＢＣ
ｕ系の場合、Ｃｒの含有量は１６〜２４ａｔ％、Ｐｔの
含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は２〜８ａｔ％、
Ｃｕの含有量は１〜４ａｔ％とすることができる。磁性
層の膜厚は１５［ｎｍ］以上であれば熱揺らぎの観点か
ら問題ないが、高記録密度への要求から４０［ｎｍ］以
下であるのが好ましい。４０［ｎｍ］を越えると、好ま
しい電磁変換特性が得られないからである。磁性層は、
多層構造としても良く、その材料は上記のなかから選ば
れるいずれかを用いた組み合わせとすることができる。
多層構造とした場合、非磁性下地層の直上は、ＣｏＣｒ
ＰｔＢＴａ系またはＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系からなるもの
であるのが、電磁変換特性のＳＮＲ特性の改善の点から
は好ましい。最上層は、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系からなる
ものであるのが、電磁変換特性のＳＮＲ特性の改善の点
からは好ましい。

【００３４】非磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶
配向は（２００）面を優先配向面とするのが好ましい。
その結果、非磁性下地膜の上に形成した磁性層のＣｏ合
金の結晶配向がより強く（１１０）を示すので、磁気的
特性例えば保磁力の向上効果、電磁変換特性例えばＳＮ
Ｒの向上効果が得られる。

【００３５】非磁性下地層と磁性層との間に非磁性中間
層８を設けても良い。磁気的特性例えば保磁力の向上効
果、電磁変換特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。
非磁性中間層はＣｏ、Ｃｒを含むものとすることができ
る。ＣｏＣｒ合金としたときＣｒの含有量は３５〜４５
ａｔ％であるのが好ましい。非磁性中間層の膜厚は０．
５〜３［ｎｍ］であるのがＳＮＲの点から好ましい。図
４に非磁性中間層８を設けた場合の膜構成の図をしめ
す。磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地膜と磁性膜
との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域に
おけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となっているのが好ま
しい。ＣｒとＢとが高濃度で共存するのを防ぎ、Ｃｒと
Ｂとの共有結合性化合物の生成を極力抑え、その結果そ
れによる磁性膜中の配向の低下を防ぐことができるから
である。

【００３６】保護膜は、従来の公知の材料、例えば、カ
ーボン、ＳｉＣの単体またはそれらを主成分とした材料
を使用することができる。保護膜の膜厚は１〜１０［ｎ
ｍ］であるのが高記録密度状態で使用した場合のスペー
シングロスまたは耐久性の点から好ましい。

【００３７】保護膜上には必要に応じ例えばパーフルオ
ロポリエーテルのフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設け
ることができる。

【００３８】本発明の磁気記録媒体の磁性層は、１．０
５以上（より好ましくは１．１以上）である磁気的異方
性指数（ＯＲ＝円周方向のＨｃ/半径方向のＨｃ）を有
しているのが好ましい。１．０５以上であるとより磁気
的特性例えば保磁力の向上効果、電磁変換特性例えばＳ
ＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。

【００３９】本発明の磁気記録媒体は、表面に線密度が
７５００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕を有し
た非金属基板とその上に形成された配向調整膜、非磁性
下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁気記録媒体であ
るので、磁気的特性例えば保磁力が向上し、電磁変換特
性例えばＳＮＲ、ＰＷ５０が向上するので高記録密度に
適した磁気記録媒体となる。

【００４０】また、テクスチャー加工用の層を非金属基
板上に形成することなく非磁性基板に直接テクスチャー
加工を施しているので加工用の膜を形成する工程を省略
して製造することができる。それらの結果、本発明の磁
気記録媒体は安価で高記録密度に適した磁気記録媒体で
ある。

【００４１】また、本発明の平均粗さが小さくまた微小
うねりも小さい磁気記録媒体は、充分な磁気異方性効果
により電磁変換特性が向上されているのに加えて、スペ
ーシングロスを低減させるためにヘッドを低浮上状態で
使用してもエラー特性が良好である磁気記録媒体であ
る。

【００４２】図５は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体２０と、磁
気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁
気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２
と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相
対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系
２４とを備えている。記録再生信号処理系２４は、外部
から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド
２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理
してデータを外部に送ることができるようになってい
る。本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド２２
には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を
利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）
素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用し
たＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッ
ドを用いることができる。

【００４３】上記磁気記録再生装置によれば、表面に線
密度が７５００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕
を有した非金属基板とその上に形成された配向調整膜、
非磁性下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁気記録媒
体を用いているので、高記録密度に適した磁気記録再生
装置となる。

【００４４】また、本発明の磁気記録再生装置は、テク
スチャー加工用の層を非金属基板上に形成することなく
非磁性基板に直接テクスチャー加工を施して製造した磁
気記録媒体を用いているので、安価で高記録密度な磁気
記録再生装置である。

【００４５】また、本発明の磁気記録再生装置は、平均
粗さが小さくまた微小うねりも小さい磁気記録媒体を用
いているので、電磁変換特性が向上しているのに加え
て、スペーシングロスを低減させるためにヘッドを低浮
上状態で使用してもエラー特性が良好である磁気記録再
生装置である。

【００４６】次に本発明の製造方法の一例を説明する。
非金属基板としては、ガラス基板、セラミックス基板、
シリコン基板、シリコンカーバイド基板、カーボン基
板、樹脂基板などを用いることができる。非磁性基板の
表面をポリッシュして平均粗さＲａを１．５［ｎｍ］以
下（より好ましくは１［ｎｍ］以下。）としたものを用
いるのが好ましい。非金属基板は、ヤング率が７０〜９
０ ［ＧＰａ］（より好ましくは７５〜８５ ［ＧＰ
ａ］。さらに好ましくは７５〜８０ ［ＧＰａ］。）で
あるものが好ましい。非金属基板に結晶化ガラスを用い
た場合は、基板内に含まれる結晶粒の平均粒径は１０〜
１００［ｎｍ］（より好ましくは１０〜７０［ｎｍ］。
さらに好ましくは１０〜５０［ｎｍ］。）であるのが剛
性や加工性の点から好ましい。また結晶粒の分布の密度
は基板面において３０〜５０００［個／μｍ²］（より
好ましくは７０〜３０００［個／μｍ²］である。さら
に好ましくは１００〜２０００［個／μｍ²］であ
る。）であるのが剛性や加工性の点から好ましい。

【００４７】また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３
［ｎｍ］以下（より好ましくは０．２５［ｎｍ］以
下。）であるのが好ましい。端面のチャンファー部の面
取り部、側面部の少なくとも一方のいずれの表面平均粗
さＲａが１０［ｎｍ］以下（より好ましくは９．５［ｎ
ｍ］以下。）のものを用いるのが好ましい。

【００４８】最初に、非金属基板の表面に線密度が７５
００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕を形成する
ように、基板の表面にテクスチャー加工を施す。例え
ば、非金属基板の表面に線密度が７５００［本／ｍｍ］
以上であるテクスチャー痕が形成されるように、基板の
表面に固定砥粒または／および遊離砥粒を用いた機械的
加工（「メカニカルテクスチャー加工」ともいう。）に
より円周方向にテクスチャを施す。例えば、基板の表面
に研磨テープを押し付け接触させ、基板と研磨テープと
の間に研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給して、基板を
回転させると供に、研磨テープを送ることによるテクス
チャー加工をおこなう。基板の回転は２００〜１０００
ｒｐｍとすることができる。研磨スラリーの供給量は１
０〜５０ｍｌ／分とすることができる。研磨テープの送
り速度は、１．５〜１５ｍｍ／分とすることができる。
研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径はＤ９０（累積質量
％が９０質量％に相当する時の粒径値）で０．０５〜
０．３μｍとすることができる。テープの押し付け力は
１〜１５［ｋｇｆ］とすることができる。線密度が７５
００［本／ｍｍ］以上（より好ましくは１５０００［本
／ｍｍ］以上。さらに好ましくは２００００［本／ｍ
ｍ］以上。）のテクスチャー痕を形成するように、これ
らの条件を設定するのが好ましい。

【００４９】テクスチャー痕を有した基板の表面の平均
粗さが、０．１［ｎｍ］以上０．７［ｎｍ］以下（より
好ましくは０．１［ｎｍ］以上０．５［ｎｍ］以下。さ
らに好ましくは０．１［ｎｍ］以上０．３５［ｎｍ］以
下。）となるように加工するのが好ましい。

【００５０】オッシレーションを加えたテクスチャー加
工を施すことができる。オッシレーションとは、テープ
を基板の円周方向に走行させると同時に、テープを基板
の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレー
ションの条件は６０〜１２００回／分とするのが好まし
い。

【００５１】テクスチャー加工の方法としては、線密度
が７５００［本／ｍｍ］以上のテクスチャー痕を形成す
る方法を用いることができ、前述したメカニカルテクス
チャーによる方法以外に固定砥粒を用いた方法、固定砥
石を用いた方法、レーザー加工を用いた方法を用いるこ
とができる。

【００５２】テクスチャー加工後洗浄して、次にその基
板の上に、２〜１００［ｎｍ］の膜厚を有した配向調整
膜を例えば配向調整膜の材料からなるスパッタリングタ
ーゲットを用いてスパッタリング法により形成する。ス
パッタリングターゲットは、Ｃｒを主成分（すなわちＣ
ｒの含有率が５０ａｔ％を越える。）とする合金からな
るものを用いることが好ましい。合金の成分としてＢ、
Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｒか
ら選ばれたいずれか１種以上を含むのが好ましい。スパ
ッタリングターゲットはＮｉＢ、ＮｉＰもしくはＮｉＰ
Ｚ（ＺはＣｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚ
ｒから選ばれたいずれか１種以上を含む。Ｚの含有量は
２５ａｔ％以下。）を原料としたものを用いるのが好ま
しい。Ｐの含有量は２０〜４０ａｔ％であるのが好まし
い。膜を形成するためのスパッタリングの条件は例えば
次のようにする。形成に用いるチャンバ内は真空度が１
０^-4〜１０^-7［Ｐａ］となるまで排気する。チャンバ内
に基板を収容して、Ａｒガスを導入して放電させてスパ
ッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワーは０．
２〜２．０［ｋＷ］とし、放電時間と供給するパワーを
調節することによって、所望の膜厚を得ることができ
る。配向調整膜を形成する際に、配向調整膜を構成する
材料からなる成膜粒子を放出源から放出させて非磁性基
板に付着させるときに成膜粒子の軌道の非金属基板への
投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に
対して入射角度を有するように粒子の方向を設定するの
が好ましい。入射角度が非磁性基板面の法線に対して１
０〜７５度となるように粒子の方向を設定するのが好ま
しい。配向調整膜の効果がより効率よく得られるからで
ある。

【００５３】密着性を上げるため非金属基板と配向調整
膜との間に密着層を形成する場合は、配向調整膜を形成
する前に、同様に密着層の材料からなるスパッタリング
ターゲットを用いてスパッタリング法により１〜１００
［ｎｍ］の膜厚を有した密着層を形成する。スパッタリ
ングターゲットはＣｒ、Ｔｉ、Ｗの中から選ばれたいず
れかを原料としたものを用いることができる。

【００５４】配向調整膜を形成した後、その表面を酸素
雰囲気に曝露する工程を有するのが好ましい。表面を酸
素雰囲気に曝露することによりテクスチャー痕による磁
気異方性の効果をより効果的に得られるので好ましい。
曝露する酸素雰囲気は、例えば５×１０^-4［Ｐａ］以上
の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。また曝露
用の雰囲気ガスを水と接触させたものを用いることもで
きる。また曝露時間は、０．５〜１５秒間とするのが好
ましい。例えば、配向調整膜を形成後チャンバから取出
し大気または酸素雰囲気中に曝露させることができる。
またはチャンバから取り出さずチャンバ内に大気または
酸素を導入して曝露させる方法を用いることができる。
特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り
出すような煩雑な工程がいらないので、後述する非磁性
下地層、磁性層を成膜を含めて一連の成膜工程として続
けて処理することができるので好ましい。その場合は例
えば、到達真空度が１０^-6［Ｐａ］以下において５×１
０^-4［Ｐａ］以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好
ましい。

【００５５】配向調整膜の上に、５〜５０［ｎｍ］の膜
厚を有した非磁性下地層を同様に非磁性下地層の材料か
らなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グ法により形成する。スパッタリングターゲットはＣｒ
Ｔｉ、ＣｒＷ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ、ＣｒＳｉの中から選
ばれたいずれかを原料としたものを用いることができ
る。

【００５６】非磁性下地層を形成した後、１５〜４０
［ｎｍ］の膜厚を有した磁性層を同様に磁性層の材料か
らなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グ法により形成する。スパッタリングターゲットはＣｏ
ＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ
系、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系から選ばれたいずれか一種を
含むものを原料としたものを用いることができる。例え
ば、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系の場合、Ｃｒの含有量は１６
〜２４ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含
有量は２〜８ａｔ％、Ｔａの含有量は１〜４ａｔ％とす
ることができる。例えば、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系の場
合、Ｃｒの含有量は１６〜２４ａｔ％、Ｐｔの含有量は
８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は２〜８ａｔ％、Ｃｕの含
有量は１〜４ａｔ％とすることができる。

【００５７】ここで、非磁性下地膜のＣｒまたはＣｒ合
金の結晶配向は優先配向面が（２００）を示しているよ
うに形成するのが好ましい。

【００５８】また、磁気記録媒体の磁性層の磁気的異方
性指数（ＯＲ＝円周方向のＨｃ/半径方向のＨｃ）が
１．０５以上（より好ましくは１．１以上）であるよう
に各膜を形成するのが好ましい。

【００５９】磁性層を形成した後、公知の方法、例えば
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組
み合わせを用いてカーボンを主成分とする保護膜を形成
する。

【００６０】さらに、保護膜上には必要に応じパーフル
オロポリエーテルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピ
ンコート法などを用いて塗布し潤滑膜を形成する。

【００６１】本発明に従って製造した磁気記録媒体は、
表面に線密度が７５００［本／ｍｍ］以上であるテクス
チャー痕を有した非金属基板とその上に形成された配向
調整膜、非磁性下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁
気記録媒体であるので、磁気的特性例えば保磁力が向上
し、電磁変換特性例えばＳＮＲ、ＰＷ５０が向上するの
で高記録密度に適した磁気記録媒体となる。

【００６２】また、テクスチャー加工用の層を形成する
ことなく直接非金属基板をテクスチャー加工しているの
で工程が省略されている。それらの結果、本発明に従っ
て製造した磁気記録媒体は安価で高記録密度に適した磁
気記録媒体となる。

【００６３】

【実施例】以下、具体例を示して本発明の作用効果を明
確にする。

【００６４】実施例１ 図１と同様の磁気記録媒体を次のように作製した。非金
属基板として結晶化ガラス基板（直径６５ｍｍ、厚さ
０．６３５ｍｍ）を用いた。表面の平均粗さは０．３
［ｎｍ］のものを用いた。また、結晶化ガラス基板のヤ
ング率、結晶化ガラスに含まれる結晶粒の平均粒径、端
面のチャンファー部の面取り部、側面平均粗さ、微小う
ねりは表１に示したものを用いた。

【００６５】非金属基板として結晶化ガラスを用いて、
表面に平均粗さＲａが５［Å］（Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎ
ｓｔｒｕｍｅｎｔ社製ＡＦＭで測定。）となるように、
また線密度は表１に示した値になるメカニカルテクスチ
ャー加工を施した。スラリーに含まれる砥粒はＤ９０が
０．３μｍのダイアモンド砥粒を用いた。ディスクは７
００ｒｐｍで回転させた。研磨テープの送りスピードは
３．０ｍｍ／秒とし６００回／分で揺動した。

【００６６】この基板を十分洗浄および乾燥した後にＤ
Ｃマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）
のチャンバ内にセットした。チャンバ内を真空度２×１
０^-7［Ｐａ］となるまで排気し、基板１に配向調整膜２
としてＮｉＰ（Ｐの含有率２０ａｔ％）からなるスパッ
タリングターゲットを用いて厚さ３０［ｎｍ］までスパ
ッタリング法により成膜した。その後、チャンバ内に酸
素を５×１０^-4［Ｐａ］まで導入して、配向調整膜の表
面を酸素雰囲気に１１秒間曝露した。

【００６７】再度チャンバ内を排気した後、さらに配向
調整膜を形成したものを２００℃まで加熱した後、非磁
性下地層３としてＣｒを膜厚１０［ｎｍ］、磁性層４と
してＣｏＣｒＰｔＢ（Ｃｒの含有率２１ａｔ％、Ｐｔの
含有率１０ａｔ％、Ｂの含有率２ａｔ％）を膜厚２５
［ｎｍ］となるように、それぞれの材料からなるスパッ
タリングターゲットを用いて成膜した。保護膜としてカ
ーボンをスパッタリング法により膜厚５［ｎｍ］となる
ように形成した。カーボン保護膜５上には厚さ２［ｎ
ｍ］のパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜をディ
ッピング法により形成した。

【００６８】比較例１、２ 線密度、ヤング率などを表１に示す値に変更した以外は
実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。

【００６９】実施例２乃至６ 線密度、ヤング率などを表１に示す値に変更した以外は
実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。

【００７０】実施例７乃至１１ 非金属基板として結晶粒を有しない化学強化ガラス基板
を用い、線密度、ヤング率などを表１に示す値に変更し
た以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。

【００７１】実施例１２、１３ 微小うねり、チャンファー粗さを表１に示す値に変更し
た以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。

【００７２】実施例１４ 配向調整膜をＣｒ３０Ｎｂ（Ｎｂ含有量が３０ａｔ
％。）として酸素雰囲気に曝露しなかったこと以外は実
施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。

【００７３】上記実施例、比較例の磁気記録媒体の静磁
気特性を振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測
定した。磁気的異方性指数（ＯＲ）はＯＲ＝（円周方向
のＨｃ）/（半径方向のＨｃ）とした。また、ガラス基
板の平均粗さＲａ、テクスチャー痕の線密度はＡＦＭ
（Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）を用い
１μｍ視野にて測定した。また、スクラッチの発生個数
を２４０倍の光学顕微鏡で観察し片面当りの個数を計測
した。

【００７４】また、これら磁気記録媒体の電磁変換特性
を、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６
３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測
定した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとして、
再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄
膜磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度３５０
ｋＦＣＩとして測定した。上記実施例および比較例の磁
気記録媒体の磁気的異方性指数（ＯＲ）、静磁気特性、
電磁変換特性として孤立再生波形の半値幅（ＰＷ５０）
およびＳＮＲ、エラー特性、スクラッチ発生個数の測定
結果を表２に示す。また、各実施例、比較例において非
磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶配向は（２０
０）面を優先配向面となっているのをＸ線回折測定にて
確認した。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【表２】

【００７７】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、表面に線密度
が７５００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕を有
した非金属基板とその上に形成された配向調整膜、非磁
性下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁気記録媒体で
あるので、磁気的特性例えば保磁力が向上し、電磁変換
特性例えばＳＮＲ、ＰＷ５０が向上するので高記録密度
に適した磁気記録媒体となる。

【００７８】また、テクスチャー加工用の層を形成する
ことなく直接非金属基板をテクスチャー加工しているの
で工程を省略して製造できるので、安価で高記録密度に
適した磁気記録媒体となる。

【００７９】本発明の製造方法によれば、表面に線密度
が７５００［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕を有
した非金属基板とその上に形成された配向調整膜、非磁
性下地層及び磁性層とを少なくとも含む磁気記録媒体を
製造するので、磁気的特性例えば保磁力が向上し、電磁
変換特性例えばＳＮＲ、ＰＷ５０が向上するので高記録
密度に適した磁気記録媒体を製造することができる。

【００８０】また、テクスチャー加工用の層を形成する
ことなく直接非金属基板をテクスチャー加工しているの
で工程を省略して製造できるので、安価で高記録密度に
適した磁気記録媒体を製造することができる。

【００８１】また、本発明の磁気記録再生装置において
は、上述の磁気記録媒体を用いているので安価で高記録
密度なものになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の磁気記録媒体の非金属基板の端面のチ
ャンファー部の一例を示す図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。

【図５】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録再生
装置の一例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１ 非金属基板 ２ 配向調整膜 ３ 非磁性下地層 ４ 磁性層 ５ 保護膜 ７ 密着層 ８ 非磁性中間層 １０ 端面のチャンファー部 １１ 表面部 １２ 面取り部 １３ 側面部 １４ 角部 ２０ 磁気記録媒体 ２１ 媒体駆動部 ２２ 磁気ヘッド ２３ ヘッド駆動部 ２４ 記録再生信号処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 有希久 千葉県市原市八幡海岸通り５番の１ 昭和 電工エイチ・ディー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA05 CA06 CB06 CB07 5D112 AA02 AA03 AA05 BA03 BA09 BB05 BD04 FA04 GA05 GA09

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面に線密度が７５００［本／ｍｍ］以上
   であるテクスチャー痕を有した非金属基板とその上に形
   成された配向調整膜、非磁性下地層及び磁性層とを少な
   くとも含む磁気記録媒体。
2. 【請求項２】テクスチャー痕の線密度が１５０００［本
   ／ｍｍ］以上であることを特徴とした請求項１に記載の
   磁気記録媒体。
3. 【請求項３】テクスチャー痕の線密度が２００００［本
   ／ｍｍ］以上であることを特徴とした請求項１に記載の
   磁気記録媒体。
4. 【請求項４】非金属基板のヤング率が７０〜９０ ［Ｇ
   Ｐａ］であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
   か１項に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】非金属基板の表面の微小うねり（Ｗａ）が
   ０．３［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１乃
   至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】非金属基板の端面のチャンファー部を構成
   する面取り部、側面部の各部の少なくとも一方の平均粗
   さＲａが１０［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求
   項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】非金属基板がガラス基板であることを特徴
   とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気記録
   媒体。
8. 【請求項８】ガラス基板が結晶化ガラスからなるもので
   あることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】結晶化ガラスに含まれる結晶粒の平均粒径
   が１０〜１００［ｎｍ］であることを特徴とする請求項
   ８に記載の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】結晶化ガラスに含まれる結晶粒の密度が
    基板面において３０〜５０００［個／μｍ²］であるこ
    とを特徴とする請求項８または９に記載の磁気記録媒
    体。
11. 【請求項１１】配向調整膜がＣｒ合金、ＮｉＢ、Ｎｉ
    Ｐ、ＮｉＰＺ（ＺはＣｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎ
    ｂ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれたいずれか１種以上であ
    る。）から選ばれるいずれかであることを特徴とする請
    求項１乃至１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】配向調整膜の表面が酸素雰囲気に曝露さ
    せたものであることを特徴とする請求項１乃至１１のい
    ずれか１項に記載の磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】非磁性下地層がＣｒまたはＣｒＸ合金
    （ＸはＭｏ、Ｖ、Ｗから選ばれたいずれか１種以上であ
    る。）であることを特徴とする請求項１乃至１２のいず
    れか１項に記載の磁気記録媒体。
14. 【請求項１４】非磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結
    晶面の優先配向面が（２００）面であることを特徴とす
    る請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒
    体。
15. 【請求項１５】磁性層がＣｏＣｒＰｔＢ系合金またはＣ
    ｏＣｒＰｔＢＹ系合金（ＹはＴａ、Ｃｕから選ばれるい
    ずれか１種以上である。）であることを特徴とする請求
    項１乃至１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
16. 【請求項１６】非磁性下地層と磁性層との間に非磁性中
    間層を有していることを特徴とする請求項１乃至１５の
    いずれか１項に記載の磁気記録媒体。
17. 【請求項１７】磁性層の磁気的異方性指数（ＯＲ＝円周
    方向のＨｃ/半径方向のＨｃ）が１．０５以上であるこ
    とを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載
    の磁気記録媒体。
18. 【請求項１８】非金属基板の表面に線密度が７５００
    ［本／ｍｍ］以上であるテクスチャー痕を形成するテク
    スチャー工程と、その上に配向調整膜、非磁性下地層、
    磁性層を形成する工程と、を含む磁気記録媒体の製造方
    法。
19. 【請求項１９】テクスチャー痕の線密度が１５０００
    ［本／ｍｍ］以上であることを特徴とした請求項１８に
    記載の磁気記録媒体の製造方法。
20. 【請求項２０】配向調整膜を形成後にその表面を酸素雰
    囲気に曝露する工程を含むことを特徴とする請求項１８
    または１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造
    方法。
21. 【請求項２１】大気に開放することなく酸素雰囲気に曝
    露することをことを特徴とする請求項２０に記載の磁気
    記録媒体の製造方法。
22. 【請求項２２】曝露する酸素雰囲気が、５×１０^-4［Ｐ
    ａ］以上の酸素ガスを含む雰囲気であることを特徴とす
    る請求項２０または２１に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
23. 【請求項２３】磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報
    を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置
    であって、磁気記録媒体が請求項１乃至１７のいずれか
    １項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気
    記録再生装置。