JP2006286161A - 磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 テクスチャ条痕が施され、且つＮｉＰがメッキされたアルミニウム基板（Ａｌ−Ｍｇ合金）を用いて、円周方向の磁気異方性を有する、高保持力、高角型比で電磁変換特性の良好な磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 表面に条痕を有するＮｉＰまたはＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 表面に条痕を有するＮｉＰまたはＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
本発明は、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置に関するものである。
磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在、その記録密度が年率３０％で増えており、今後もその傾向は続くと見込まれている。このため、高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板にスパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。また、磁気記録媒体に用いられる基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。
アルミニウム基板としては、鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたもの等があげられる。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、又は晶化ガラスが用いられたものの２種類があり、どちらのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板にスパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。また、磁気記録媒体に用いられる基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。
アルミニウム基板としては、鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたもの等があげられる。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、又は晶化ガラスが用いられたものの２種類があり、どちらのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
従来、一般的に用いられているハードディスク装置用磁気記録媒体においては、非磁性基板上に、非磁性下地層（Ｎｉ−Ａｌ系合金、Ｃｒ、Ｃｒ系合金等）、非磁性中間層（Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金等）、磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等）、保護膜（カーボン等）が順次成膜されており、その上に、液体潤滑剤からなる潤滑膜が形成されている。
また、磁気ディスク装置等の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体を、円周方向に磁気異方性を持たせた構成として、電磁変換特性を良好にすることが求められている。このため、アルミニウム合金にＮｉＰをメッキした基板（以下、アルミ基板と略称することがある）を用いた磁気記録媒体は、ＮｉＰ表面の円周方向に機械的に溝を形成することにより（「メカニカルテクスチャ加工」と称される）、円周方向に異方性を持たせた構成としたものがある。
また、ガラス基板に上述のメカニカルテクスチャ加工を施した場合、ガラス基板自体に円周方向の磁気異方性を持たせることは困難であった。このため、テクスチャ条痕が施されたガラス基板上に配向調整層を形成することにより、円周方向の磁気異方性を発現させる構成の磁気記録媒体が、本出願人によって提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００４−８６９３６号公報
特許文献１に記載の磁気記録媒体では、ガラス基板をそのまま用いた場合には円周方向の磁気異方性を発現しないため、配向調整層を設けることにより、磁気異方性を発現させる構成としている。
しかしながら、磁気記録媒体において更なる高記録密度を達成するためには、磁気異方性の一層の向上が要求されるのに対して、特許文献１に記載の磁気記録媒体のガラス基板上に配向調整層を設けた構成では、高い磁気異方性を発現させるのが困難となり、良好な電磁変換特性が得られなくなる虞がある。
しかしながら、磁気記録媒体において更なる高記録密度を達成するためには、磁気異方性の一層の向上が要求されるのに対して、特許文献１に記載の磁気記録媒体のガラス基板上に配向調整層を設けた構成では、高い磁気異方性を発現させるのが困難となり、良好な電磁変換特性が得られなくなる虞がある。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、テクスチャ条痕が施され、且つＮｉＰがメッキされて円周方向の磁気異方性を有したアルミニウム基板（Ａｌ−Ｍｇ合金）を用い、さらに配向調整膜を設けることによって高い磁気異方性を有し、薄い膜厚の配向調整膜を用いた場合であっても、高保持力、高角型比で電磁変換特性の良好な磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
本出願人は、上記問題を解決するために鋭意努力検討した結果、テクスチャ条痕が施され、且つＮｉＰがメッキされたアルミニウム基板（Ａｌ−Ｍｇ合金）に、配向調整層として、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を用いることにより、磁気記録再生装置の特性を向上できることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。
（１）表面に条痕を有し、且つＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記配向調整層が、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記アルミニウム基板が、Ａｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで形成したものであることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記配向調整膜の膜厚が、１オングストローム〜５０オングストロームの範囲内であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記条痕の線密度が、７５００（本／ｍｍ）以上であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力／半径方向の保持力）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）残留磁化量の磁気的異方性指数（円周方向の残留磁化量／半径方向の残留磁化量）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）前記非磁性下地層が、Ｃｒ層、または、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ及びＭｎから選ばれる１種以上を含有するＣｒ合金層を含むことを特徴とする（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（９）前記磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである）から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（１０）（１）〜（９）の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
即ち、本発明は以下に関する。
（１）表面に条痕を有し、且つＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記配向調整層が、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記アルミニウム基板が、Ａｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで形成したものであることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記配向調整膜の膜厚が、１オングストローム〜５０オングストロームの範囲内であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記条痕の線密度が、７５００（本／ｍｍ）以上であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力／半径方向の保持力）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）残留磁化量の磁気的異方性指数（円周方向の残留磁化量／半径方向の残留磁化量）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）前記非磁性下地層が、Ｃｒ層、または、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ及びＭｎから選ばれる１種以上を含有するＣｒ合金層を含むことを特徴とする（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（９）前記磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである）から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（１０）（１）〜（９）の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
本発明の磁気記録媒体は、表面に条痕を有し、ＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含む構成であるため、円周方向において高い磁気異方性を発現させることができる。
従って、電磁変換特性が向上し、高記録密度に適した磁気記録媒を得ることができる。
従って、電磁変換特性が向上し、高記録密度に適した磁気記録媒を得ることができる。
以下、本発明に係る磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図１及び図２は、本実施形態の磁気記録媒体を説明する図であり、この磁気記録媒体１は、表面に条痕を有し、且つＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、配向調整層がＣｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。
図１及び図２は、本実施形態の磁気記録媒体を説明する図であり、この磁気記録媒体１は、表面に条痕を有し、且つＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、配向調整層がＣｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。
図１は、本実施形態の磁気記録媒体１の構成を模式的に示したものであり、２はアルミニウム基板（アルミ基板）、３は配向調整膜、４は非磁性下地層、５は磁性層、６は保護膜を示す。
アルミニウム基板２としては、鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで５〜１５μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものである。
アルミニウム基板２としては、鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで５〜１５μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものである。
アルミ基板２には、例えば、固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャ加工などにより、表面に条痕を形成する。アルミ基板２表面に形成された条痕は、基板円周方向に沿うものであることが好ましい。
条痕が表面に形成されたアルミ基板２の表面平均粗さＲａは、０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストローム）、好ましくは０．２ｎｍ〜０．８ｎｍ（２オングストローム〜８オングストローム）の範囲内とするのが望ましい。
アルミ基板２の表面平均粗さＲａが０．１ｎｍ未満であると、アルミ基板２が過度に平滑になり、磁性層４の磁気異方性を高める効果が薄れる。また、表面平均粗さＲａが１ｎｍを越えると、媒体表面の平滑性が低くなってグライドハイト特性が低下し、記録再生時において磁気ヘッドのフライングハイトを低くするのが難しくなる。
条痕が表面に形成されたアルミ基板２の表面平均粗さＲａは、０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストローム）、好ましくは０．２ｎｍ〜０．８ｎｍ（２オングストローム〜８オングストローム）の範囲内とするのが望ましい。
アルミ基板２の表面平均粗さＲａが０．１ｎｍ未満であると、アルミ基板２が過度に平滑になり、磁性層４の磁気異方性を高める効果が薄れる。また、表面平均粗さＲａが１ｎｍを越えると、媒体表面の平滑性が低くなってグライドハイト特性が低下し、記録再生時において磁気ヘッドのフライングハイトを低くするのが難しくなる。
アルミ基板２の表面は、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上の条痕を有していることが好ましい。ここで説明する線密度は、アルミ基板２の半径方向に測定したものである。
線密度を７５００（本／ｍｍ）以上とした理由としては、条痕の効果が磁気的特性（例えば保磁力の向上効果）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）、ＰＷ５０の向上効果）により反映されるからである。さらに好ましくは、線密度が２００００（本／ｍｍ）以上の条痕を有していれば、上述の効果がより一層顕著になる。
線密度を７５００（本／ｍｍ）以上とした理由としては、条痕の効果が磁気的特性（例えば保磁力の向上効果）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）、ＰＷ５０の向上効果）により反映されるからである。さらに好ましくは、線密度が２００００（本／ｍｍ）以上の条痕を有していれば、上述の効果がより一層顕著になる。
なお、線密度の上限は、２０００００（本／ｍｍ）である。線密度が２０００００（本／ｍｍ）を超えると、条痕の線間隔が５０オングストローム未満となってしまい、非磁性下地層の粒径の方が大きくなり、磁気記録媒体の磁気異方性を低下させる。
条痕は、アルミ基板２に対して主に円周方向で形成されているのが好ましい。ここで、条痕とは、半径方向の断面において山と谷との間の高低の距離が０．０２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（より好ましくは、０．０５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内）の、アルミ基板２表面の凹凸形状のことである。
条痕の山と谷の間の高低距離を上述の範囲とすれば、磁気異方性の発現に伴う電磁変換特性の向上に対して有効となる。
条痕の山と谷の高低の距離が２０ｎｍを超える場合、アルミ基板２表面の凹凸が大きすぎ、近傍の条痕の均一性に影響を与えるおそれがある。
条痕の山と谷の間の高低距離を上述の範囲とすれば、磁気異方性の発現に伴う電磁変換特性の向上に対して有効となる。
条痕の山と谷の高低の距離が２０ｎｍを超える場合、アルミ基板２表面の凹凸が大きすぎ、近傍の条痕の均一性に影響を与えるおそれがある。
条痕は、例えば、固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャ加工などにより形成するのが好ましい。
条痕の線密度を測定する際は、例えば測定装置として、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ。Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社（米国）製）を用いることができる。
線密度の測定条件は以下のようにする。
スキャン幅は１μｍ、スキャンレートは１Ｈｚ、測定数は２５６、モードはタッピングモードとする。試料であるアルミ基板の半径方向にプローブを走査し、ＡＦＭのスキャン画像を得る。Ｆｌａｔｔｅｎ Ｏｒｄｅｒの次数を２として、平滑化処理のひとつであるＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ処理を、Ｓｃａｎ画像に対してＸ軸とＹ軸とに実施して画像の平滑化補正を行う。平滑化補正済みの画像に対して、約０．５μｍ×約０．５μｍのボックスを設定して、その範囲の線密度を算出する。線密度は、Ｘ軸中心線とＹ軸中心線の両方に沿ったゼロ交差点の総数を１ｍｍ当りに換算して算出する。すなわち、線密度は半径方向１ｍｍ当りのテクスチャ条痕の山と谷の数となる。
アルミ基板の面内の各箇所を測定して、その測定値の平均値、標準偏差を求める。その平均値をもってアルミ基板の条痕の線密度とする。測定箇所の個数は、平均値、標準偏差を求められる個数とすることができる。たとえば、測定数は１０点程度とすれば、上述の平均値、標準偏差を求めることが可能となる。また、その内の最大値、最小値を除いた８点で平均値、標準偏差を求めることにより、測定異常値を除くことができ、測定精度を向上させることができる。
スキャン幅は１μｍ、スキャンレートは１Ｈｚ、測定数は２５６、モードはタッピングモードとする。試料であるアルミ基板の半径方向にプローブを走査し、ＡＦＭのスキャン画像を得る。Ｆｌａｔｔｅｎ Ｏｒｄｅｒの次数を２として、平滑化処理のひとつであるＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ処理を、Ｓｃａｎ画像に対してＸ軸とＹ軸とに実施して画像の平滑化補正を行う。平滑化補正済みの画像に対して、約０．５μｍ×約０．５μｍのボックスを設定して、その範囲の線密度を算出する。線密度は、Ｘ軸中心線とＹ軸中心線の両方に沿ったゼロ交差点の総数を１ｍｍ当りに換算して算出する。すなわち、線密度は半径方向１ｍｍ当りのテクスチャ条痕の山と谷の数となる。
アルミ基板の面内の各箇所を測定して、その測定値の平均値、標準偏差を求める。その平均値をもってアルミ基板の条痕の線密度とする。測定箇所の個数は、平均値、標準偏差を求められる個数とすることができる。たとえば、測定数は１０点程度とすれば、上述の平均値、標準偏差を求めることが可能となる。また、その内の最大値、最小値を除いた８点で平均値、標準偏差を求めることにより、測定異常値を除くことができ、測定精度を向上させることができる。
配向調整膜３は、直上に形成される非磁性下地膜４の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成される磁性層５の結晶配向性を調整し、磁性層５の円周方向の磁気異方性を向上させるためのものである。また、配向調整膜３は、結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜４及び磁性層５中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜としても機能する。
配向調整膜３には、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を用いることが出来る。
配向調整膜３には、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を用いることが出来る。
配向調整膜３に用いられる合金層の組成は、特に限定されないが、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が２５ａｔ％〜７０ａｔ％の範囲内であり、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が３０ａｔ％〜７５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が２５ａｔ％未満の場合は、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が７０ａｔ％超えると、配向調整膜３が磁化を持ってしまうため、好ましくない。
Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が３０ａｔ％未満の場合、磁性層５の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が７５ａｔ％を超えると、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。
Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が２５ａｔ％未満の場合は、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が７０ａｔ％超えると、配向調整膜３が磁化を持ってしまうため、好ましくない。
Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が３０ａｔ％未満の場合、磁性層５の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が７５ａｔ％を超えると、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。
上述の配向調整膜３には、より好ましくは、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金層を用いることが望ましい。本出願人の鋭意努力により、Ｆｅ７Ｗ６構造を含む合金を用いることが、磁性層の円周方向の磁気異方性をより向上させることを見いだした。これらの合金層の組成範囲としては、Ｆｅ７Ｗ６構造を２５％以上含有することが、磁性層５の円周方向の磁気異方性をより向上させる点で効果がある。即ち、ＣｏＷ系合金のＷの組成範囲は、３０ａｔ％〜８５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。ＣｏＭｏ系合金のＭｏの組成範囲は、３０ａｔ％〜８５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。ＣｏＴａ系合金のＴａの組成範囲は、３８ａｔ％〜６５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。ＣｏＮｂ系合金のＮｂの組成範囲は、３７ａｔ％〜８６ａｔ％の範囲内であることが好ましい。ＮｉＴａ系合金のＴａの組成範囲は、３８ａｔ％〜６３ａｔ％の範囲内であることが好ましい。ＮｉＮｂ系合金のＮｂの組成範囲は、３１ａｔ％〜８６ａｔ％の範囲内であることが好ましい。Ｆｅ−Ｗ系合金のＷの組成範囲は、３７ａｔ％〜８６ａｔ％の範囲内であることが好ましい。Ｆｅ−Ｍｏ系合金のＭｏの組成範囲は、３５ａｔ％〜８５ａｔ％の範囲内であることが好ましい。Ｆｅ−Ｎｂ系合金のＮｂの組成範囲は、４０ａｔ％〜８６ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金は、それぞれ単独で用いた場合でも特性を発揮でき、また、これらの内、複数が組み合わされた合金であっても同様の特性を発現する。例えば、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｔａ系合金等でも同様の特性を発現する。
本実施形態の磁気記録媒体１に用いられる配向調整膜３の膜厚は、１オングストローム〜５０オングストロームの範囲内であるとことが好ましい。
配向調整膜３の膜厚が１オングストローム未満の場合、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。配向調整膜３の膜厚が５０オングストロームを超えると、磁性層５の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。
また、配向調整膜３の膜厚は５オングストローム〜２０オングストロームの範囲内であることが、磁性層５の円周方向の磁気異方性を向上させる点で、さらに好ましい。
配向調整膜３の膜厚が１オングストローム未満の場合、非磁性下地層４の結晶配向が十分とならず、保持力を低下させる。配向調整膜３の膜厚が５０オングストロームを超えると、磁性層５の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。
また、配向調整膜３の膜厚は５オングストローム〜２０オングストロームの範囲内であることが、磁性層５の円周方向の磁気異方性を向上させる点で、さらに好ましい。
ガラス基板に対して配向調整膜を適用させる場合は、配向調整膜の膜厚は２０オングストローム〜１００オングストロームが最適であるが、アルミ基板に対して配向調整膜を適用させる場合、５オングストローム〜２０オングストロームが最適である。これが、配向調整膜を基板に対して適用させる際の、ガラス基板とアルミニウム基板との大きな相違点である。
本実施形態で説明する配向調整膜３には、補助的効果を有する元素を添加しても良い。
添加元素としては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｒｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ等が挙げられる。
添加元素の合計含有率は２０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有率が２０ａｔ％を超えると、上述した配向調整膜の効果が低下してしまう。合計含有率の下限は、０．１ａｔ％であり、含有率が０．１ａｔ％未満では添加元素の効果が無くなる。
添加元素としては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｒｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ等が挙げられる。
添加元素の合計含有率は２０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有率が２０ａｔ％を超えると、上述した配向調整膜の効果が低下してしまう。合計含有率の下限は、０．１ａｔ％であり、含有率が０．１ａｔ％未満では添加元素の効果が無くなる。
非磁性下地層４には、Ｃｒ層、又は、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ及びＭｎから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を用いることが好ましい。
非磁性下地膜４は、１層で構成することも可能だが、２層以上の構成とすることが好ましい。
配向調整膜３の直上に用いられる１層目のＣｒ層４１には、Ｃｒ、ＣｒＭｎ系合金、ＣｒＦｅ系合金を用いることが、円周方向の磁気異方性を向上させる点で好ましい。
２層目に用いるＣｒ層４２としては、Ｃｒのみでは格子定数が小さいので、Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｔｉ系合金等のように、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ、Ｔｉ等を添加してＣｒの格子定数を広げ、磁性層５のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
また、上述のＣｒ層、または、Ｃｒ合金層にＢを添加すれば、結晶微細化に効果があり、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
非磁性下地膜４は、１層で構成することも可能だが、２層以上の構成とすることが好ましい。
配向調整膜３の直上に用いられる１層目のＣｒ層４１には、Ｃｒ、ＣｒＭｎ系合金、ＣｒＦｅ系合金を用いることが、円周方向の磁気異方性を向上させる点で好ましい。
２層目に用いるＣｒ層４２としては、Ｃｒのみでは格子定数が小さいので、Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｔｉ系合金等のように、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ、Ｔｉ等を添加してＣｒの格子定数を広げ、磁性層５のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
また、上述のＣｒ層、または、Ｃｒ合金層にＢを添加すれば、結晶微細化に効果があり、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
非磁性下地層４のＣｒ層、又は、Ｃｒ合金層の結晶配向は、（１００）面を優先配向面とするのが好ましい。これにより、非磁性下地層４の上に形成した磁性層５のＣｏ合金の結晶配向がより強く（１１・０）を示すので、磁気的特性、例えば保持力（Ｈｃ）が向上する効果が得られ、また、記録再生特性、例えば、ＳＮＲが向上する効果が得られる。
なお、上述の結晶面表記の中の「・」は、結晶面を表すミラーブラベー指数の省略形を示す。すなわち、結晶面を表わすのにＣｏのような六方晶系では、通常（ｈｋｉｌ）と４つの指数で表わすが、この中で「ｉ」に関してはｉ＝−（ｈ＋ｋ）と定義されており、この「ｉ」の部分を省略した形式では、（ｈｋ・ｌ）と表記する。
磁性層５は、直下の非磁性下地層４の、例えば、（１００）面と充分に良く格子がマッチングするＣｏを主原料としたＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造である材料とするのが好ましい。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ａｇ系合金から選ばれた何れか１種を含むものとするのが好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ａｇ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
磁性層５の膜厚は、１０ｎｍ以上であれば熱揺らぎの観点から問題ないが、高記録密度への要求から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。４０ｎｍを越えると、磁性層５の結晶粒径が増大してしまい、好ましい記録再生特性が得られない。
磁性層５は、多層構造としても良く、その材料は、上述した材料の中から選択した何れかを用いた組み合わせとすることができる。
磁性層５を多層構造とした場合、非磁性中間層の直上は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点から好ましい。最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点から好ましい。
磁性層５は、多層構造としても良く、その材料は、上述した材料の中から選択した何れかを用いた組み合わせとすることができる。
磁性層５を多層構造とした場合、非磁性中間層の直上は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点から好ましい。最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、又は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点から好ましい。
非磁性下地層４と磁性層５との間に、Ｃｏ合金のエピタキシャル成長を助長するため、非磁性中間層を設けるのが好ましい。これにより、磁気的特性、例えば、保磁力の向上効果が得られ、また、記録再生特性、例えば、ＳＮＲの向上効果が得られる。非磁性中間層はＣｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ−Ｒｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などから選ばれた何れか１種を含むものとするのが好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の場合、Ｃｒの含有量は２５ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｚｒ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内、Ｚｒの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｚｒ―Ｒｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内、Ｚｒの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内、Ｒｕの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
また、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
非磁性中間層の膜厚は０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であるのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
非磁性下地層４と磁性層５との間に、磁気記録媒体の熱減磁を改善するため、図示略の反強磁性結合層を設けることもできる。この技術を用いた磁気記録媒体では、上記２つの磁性層の磁化方向が互いに逆になることにより、磁気的に記録再生に関与している部分が、記録層全体の厚さよりも、実質的には薄くなるため、ＳＮＲの向上を図ることができる。一方、記録層全体の結晶粒子の体積は大きくなるため、熱的な不安定さの改善を図ることができる。
この技術を用いた媒体は、ＡＦＣ媒体（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｍｅｄｉａ）、又は、ＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉａ）と一般的に呼ばれている。ここではＡＦＣ媒体と称する。
反強磁性結合層は、安定化層と非磁性結合層から形成される。安定化層には磁性を有したＣｏ−Ｒｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ−Ｒｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などから選ばれた何れか１種を含むものとするのが好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｒｕ系合金の場合、Ｒｕの含有量は１５ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｚｒ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｚｒの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｚｒ―Ｒｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｚｒの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内、Ｒｕの含有量は２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのが、ＳＮＲ向上の点から好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ―Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１５ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
非磁性結合層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれる何れか１種からなることが好ましい。
これらの物質は、結合性エネルギー係数（Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｓｔａｎｔ）が大きいので、非磁性結合層に用いることによって、この層の上下に設けられた磁性層の磁化の反転の度合いを大きくすることができる。
特に、Ｒｕは上記物質の中で最も結合性エネルギー係数が大きいため、非磁性結合層には、Ｒｕを使用することが最も好ましい。
なお、結合性エネルギー係数とは、上下に設けられた磁性層の交換相互作用の強さを表す値であり、その値が大きいほど良い。
非磁性結合層の厚さは、０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）の範囲内であることが好ましい。非磁性結合層の厚さを上述の範囲内とすることにより、十分な反強磁性結合が得られる。
これらの物質は、結合性エネルギー係数（Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｓｔａｎｔ）が大きいので、非磁性結合層に用いることによって、この層の上下に設けられた磁性層の磁化の反転の度合いを大きくすることができる。
特に、Ｒｕは上記物質の中で最も結合性エネルギー係数が大きいため、非磁性結合層には、Ｒｕを使用することが最も好ましい。
なお、結合性エネルギー係数とは、上下に設けられた磁性層の交換相互作用の強さを表す値であり、その値が大きいほど良い。
非磁性結合層の厚さは、０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）の範囲内であることが好ましい。非磁性結合層の厚さを上述の範囲内とすることにより、十分な反強磁性結合が得られる。
保護膜６は、従来の公知の材料、例えば、カーボン、ＳｉＣの単体またはそれらを主成分とした材料を使用することができる。保護膜６の膜厚は、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であるのが、高記録密度状態で使用した場合の、磁気的スペーシングの低減、及び耐久性の点から好ましい。
磁気的スペーシングとは、ヘッドのリードライト素子と磁性層との距離を表す。磁気的スペーシングが狭くなるほど、電磁変換特性は向上する。なお、保護膜６はヘッドのリードライト素子と磁性層の間に存在するので、磁気的スペーシングを広げる要因となる。
磁気的スペーシングとは、ヘッドのリードライト素子と磁性層との距離を表す。磁気的スペーシングが狭くなるほど、電磁変換特性は向上する。なお、保護膜６はヘッドのリードライト素子と磁性層の間に存在するので、磁気的スペーシングを広げる要因となる。
保護膜６上には、必要に応じて、例えば、パーフルオロポリエーテルのフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設けることができる。
本実施形態の磁気記録媒体１の磁性層は、１．０５以上（より好ましくは１．１以上）の磁気的異方性指数（ＯＲ）を有していることが好ましい。磁気異方性指数は、（円周方向の保持力／半径方向の保持力）で表される。
磁気異方性指数が１．０５以上だと、より優れた磁気的特性、例えば、保磁力の向上効果が得られ、また、より優れた電磁変換特性、例えば、ＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。磁気的異方性指数は、円周方向の保持力（Ｈｃ）と、半径方向のＨｃの比として定義されるが、磁気記録媒体の保持力が高保持力化したために、磁気的異方性指数が低めに測定されることがある。
磁気記録媒体１では、この点を補足するために、残留磁化量の磁気的異方性指数も合わせて使用する。残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）は、円周方向の残留磁化量（Ｍｒｔ）と、半径方向の残留磁化量（Ｍｒｔ）の比（ＭｒｔＯＲ＝円周方向のＭｒｔ/半径方向のＭｒｔ）で定義される。残留磁化量の磁気異方性指数が１．０５以上、より好ましくは１．１以上であれば、より優れた磁気的特性、例えば、保磁力の向上効果が得られ、より優れた電磁変換特性、例えば、ＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。
磁気異方性指数が１．０５以上だと、より優れた磁気的特性、例えば、保磁力の向上効果が得られ、また、より優れた電磁変換特性、例えば、ＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。磁気的異方性指数は、円周方向の保持力（Ｈｃ）と、半径方向のＨｃの比として定義されるが、磁気記録媒体の保持力が高保持力化したために、磁気的異方性指数が低めに測定されることがある。
磁気記録媒体１では、この点を補足するために、残留磁化量の磁気的異方性指数も合わせて使用する。残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）は、円周方向の残留磁化量（Ｍｒｔ）と、半径方向の残留磁化量（Ｍｒｔ）の比（ＭｒｔＯＲ＝円周方向のＭｒｔ/半径方向のＭｒｔ）で定義される。残留磁化量の磁気異方性指数が１．０５以上、より好ましくは１．１以上であれば、より優れた磁気的特性、例えば、保磁力の向上効果が得られ、より優れた電磁変換特性、例えば、ＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。
なお、ＯＲ、及びＭｒｔＯＲの値の上限は、理想的には磁性層の全ての磁区が円周方向を向いた場合であり、この場合には、磁気異方性指数の分母が０となり、無限大となる。
磁気的異方性指数、及び残留磁化量の磁気的異方性指数の測定には、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）を使用する。
図２は、本実施形態の磁気記録媒体１を用いた磁気記録再生装置１１の例を示すものである。
この磁気記録再生装置１１は、図１に示す構成の磁気記録媒体１と、該磁気記録媒体１を回転駆動させる媒体駆動部１２と、磁気記録媒体１に情報を記録再生する磁気ヘッド１３と、この磁気ヘッド１３を磁気記録媒体１に対して相対運動させるヘッド駆動部１４と、記録再生信号処理系１５とを備えている。
記録再生信号処理系１５は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド１３に送ることや、磁気ヘッド１３からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。磁気記録再生装置１１に用いる磁気ヘッド１３には、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッドを用いることができる。
この磁気記録再生装置１１は、図１に示す構成の磁気記録媒体１と、該磁気記録媒体１を回転駆動させる媒体駆動部１２と、磁気記録媒体１に情報を記録再生する磁気ヘッド１３と、この磁気ヘッド１３を磁気記録媒体１に対して相対運動させるヘッド駆動部１４と、記録再生信号処理系１５とを備えている。
記録再生信号処理系１５は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド１３に送ることや、磁気ヘッド１３からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。磁気記録再生装置１１に用いる磁気ヘッド１３には、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッドを用いることができる。
また、磁気記録再生装置１１は、アルミ基板２に直接テクスチャ加工を施して製造した磁気記録媒体１を用いているので、安価であり、且つ高記録密度を実現している。
また、磁気記録再生装置１１では、平均粗さが小さくまた微小うねりも小さい磁気記録媒体１を用いているので、電磁変換特性が向上しているのに加え、スペーシングロスを低減させるためにヘッドを低浮上状態で使用してもエラー特性が良好であるという特徴を有している。
本実施形態の磁気記録媒体１を用いることにより、高記録密度に適した磁気記録再生装置を製造することが可能となる。
また、磁気記録再生装置１１では、平均粗さが小さくまた微小うねりも小さい磁気記録媒体１を用いているので、電磁変換特性が向上しているのに加え、スペーシングロスを低減させるためにヘッドを低浮上状態で使用してもエラー特性が良好であるという特徴を有している。
本実施形態の磁気記録媒体１を用いることにより、高記録密度に適した磁気記録再生装置を製造することが可能となる。
以下に、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
アルミ基板２としては、Ａｌ−Ｍｇ合金に、ＮｉＰ、又はＮｉＰ系合金を無電解メッキで１０μｍ厚に形成したものを用いることが好ましい。
アルミ基板２は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストローム）以下であることが好ましく、１ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であることが好ましい。端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方に、表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性の点で好ましい。
微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
アルミ基板２としては、Ａｌ−Ｍｇ合金に、ＮｉＰ、又はＮｉＰ系合金を無電解メッキで１０μｍ厚に形成したものを用いることが好ましい。
アルミ基板２は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストローム）以下であることが好ましく、１ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であることが好ましい。端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方に、表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性の点で好ましい。
微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
最初に、アルミ基板２の表面に線密度が７５００（本／ｍｍ）以上の条痕が形成されるように、基板の表面にテクスチャ加工を施す。例えば、アルミ基板２の表面に線密度が７５００（本／ｍｍ）以上であるテクスチャ条痕が形成されるように、アルミ基板の表面に固定砥粒、又は／及び、遊離砥粒を用いた機械的加工（「メカニカルテクスチャ加工」ともいう）により、円周方向にテクスチャを施す。
例えば、アルミ基板２の表面に研磨テープを押し付けて接触させ、アルミ基板２と研磨テープとの間に研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給して基板を回転させるとともに、研磨テープを送ることによるテクスチャ加工を行う。基板の回転は２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの範囲内とすれば良い。研磨スラリーの供給量は１０ｍｌ／分〜１００ｍｌ／分の範囲内とすれば良い。研磨テープの送り速度は、１．５ｍｍ／分〜１５０ｍｍ／分の範囲内とすれば良い。研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径はＤ９０（累積質量％が９０質量％に相当する時の粒径値）で０．０５μｍ〜０．３μｍとすれば良い。テープの押し付け力は１ｋｇｆ〜１５ｋｇｆ（９．８Ｎ〜１４７Ｎ）の範囲内とすれば良い。線密度が７５００（本／ｍｍ）以上、より好ましくは２００００（本／ｍｍ）以上のテクスチャ条痕を形成するように、これらの条件を、適宜設定すればよい。
例えば、アルミ基板２の表面に研磨テープを押し付けて接触させ、アルミ基板２と研磨テープとの間に研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給して基板を回転させるとともに、研磨テープを送ることによるテクスチャ加工を行う。基板の回転は２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの範囲内とすれば良い。研磨スラリーの供給量は１０ｍｌ／分〜１００ｍｌ／分の範囲内とすれば良い。研磨テープの送り速度は、１．５ｍｍ／分〜１５０ｍｍ／分の範囲内とすれば良い。研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径はＤ９０（累積質量％が９０質量％に相当する時の粒径値）で０．０５μｍ〜０．３μｍとすれば良い。テープの押し付け力は１ｋｇｆ〜１５ｋｇｆ（９．８Ｎ〜１４７Ｎ）の範囲内とすれば良い。線密度が７５００（本／ｍｍ）以上、より好ましくは２００００（本／ｍｍ）以上のテクスチャ条痕を形成するように、これらの条件を、適宜設定すればよい。
テクスチャ条痕が表面に形成されたアルミ基板２の表面平均粗さＲａは、０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストローム）の範囲内とすることが好ましく、０．２ｎｍ〜０．８ｎｍ（２オングストローム〜８オングストローム）の範囲内とすることがより好ましい。
また、アルミ基板２には、オッシレーションを加えたテクスチャ加工を施すこともできる。
オッシレーションとは、テープをアルミ基板２の円周方向に走行させると同時に、テープをアルミ基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーションの条件は、６０回／分〜１２００回／分とするのが好ましい。
テクスチャ加工の方法としては、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上のテクスチャ条痕を形成する方法を用いれば良く、上述したようなメカニカルテクスチャによる方法以外に、固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、及びレーザー加工を用いた方法等を用いることができる。
オッシレーションとは、テープをアルミ基板２の円周方向に走行させると同時に、テープをアルミ基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーションの条件は、６０回／分〜１２００回／分とするのが好ましい。
テクスチャ加工の方法としては、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上のテクスチャ条痕を形成する方法を用いれば良く、上述したようなメカニカルテクスチャによる方法以外に、固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、及びレーザー加工を用いた方法等を用いることができる。
膜を形成するためのスパッタリングの条件は、例えば、以下のようにする。
膜を形成する際に用いるチャンバ内は、真空度が１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａの範囲内となるように真空排気する。チャンバ内に、テクスチャ条痕が表面に形成されたアルミ基板２を収容して、スパッタ−用ガスとしてＡｒガスを導入し、放電によってスパッタ成膜をおこなう。この時、供給するパワ−は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷの範囲内とし、放電時間と供給するパワ−を調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
膜を形成する際に用いるチャンバ内は、真空度が１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａの範囲内となるように真空排気する。チャンバ内に、テクスチャ条痕が表面に形成されたアルミ基板２を収容して、スパッタ−用ガスとしてＡｒガスを導入し、放電によってスパッタ成膜をおこなう。この時、供給するパワ−は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷの範囲内とし、放電時間と供給するパワ−を調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
配向調整膜３と非磁性下地層４との間には、その表面を酸素雰囲気に曝露する工程を有することが好ましい。曝露する酸素雰囲気は、例えば、５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。また、曝露用の雰囲気ガスを水と接触させたものを用いても良い。また、曝露時間は、０．５秒〜１５秒の範囲内とするのが好ましい。
また、例えば、配向調整膜３を形成後、チャンバ内から取出して外気雰囲気、又は酸素雰囲気中に曝露させることが好ましい。または、チャンバ内から取り出さず、チャンバ内に大気、又は酸素を導入して曝露させる方法を用いることも好ましい。特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り出すような煩雑な工程が不要となり、非磁性下地層、磁性層の成膜を含め、一連の成膜工程として、チャンバ内で、続けて処理することができるので好ましい。この場合、例えば、到達真空度が１０−６Ｐａ以下において、５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。なお、酸素による暴露時の酸素ガス圧の上限としては、大気圧での暴露も可能であるが、５×１０−２Ｐａ以下とするのが好ましい。
また、例えば、配向調整膜３を形成後、チャンバ内から取出して外気雰囲気、又は酸素雰囲気中に曝露させることが好ましい。または、チャンバ内から取り出さず、チャンバ内に大気、又は酸素を導入して曝露させる方法を用いることも好ましい。特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り出すような煩雑な工程が不要となり、非磁性下地層、磁性層の成膜を含め、一連の成膜工程として、チャンバ内で、続けて処理することができるので好ましい。この場合、例えば、到達真空度が１０−６Ｐａ以下において、５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。なお、酸素による暴露時の酸素ガス圧の上限としては、大気圧での暴露も可能であるが、５×１０−２Ｐａ以下とするのが好ましい。
アルミ基板２は、加熱することにより非磁性下地層４、及び、磁性層５の結晶配向性を向上させることが出来る。アルミ基板２の加熱温度は１００℃〜３００℃の範囲であることが好ましい。また、配向調整膜３を成膜後、加熱することがより好ましい。
非磁性下地層４を形成した後、１５ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有した磁性層５を、磁性材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、上述したようなスパッタリング法により形成する。この時、スパッタリング用ターゲットは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ａｇ系から選択した、何れか１種を含むものを材料として用いることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とすることができる。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ａｇ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２７ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ａｇの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とすることができる。
ここで、非磁性下地層４のＣｒまたはＣｒ合金の結晶配向は優先配向面が（１００）を示しているように形成するのが好ましい。
磁性層５を形成した後、公知の方法、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜６、例えばカーボンを主成分とする保護膜を形成する。
さらに、保護膜６上には、必要に応じて、パーフルオロポリエーテルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコ−ト法などを用いて塗布し、潤滑層を形成する。
磁性層５を形成した後、公知の方法、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜６、例えばカーボンを主成分とする保護膜を形成する。
さらに、保護膜６上には、必要に応じて、パーフルオロポリエーテルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコ−ト法などを用いて塗布し、潤滑層を形成する。
以下に示す各実施例及び比較例の各条件にて、本発明に係る磁気記録媒体及び従来の磁気記録媒体を作製し、グライドテスタを用いて、テスト条件のグライド高さを０．４μインチとしてグライドテストを行ない、合格した磁気記録媒体について、各種特性試験を行った。
［特性試験項目］
上述のグライドテストで合格した磁気記録媒体サンプルについて、リードライトアナライザ（ＧＵＺＩＫ社（米国）製：ＲＷＡ１６３２）を用いて記録再生特性を調べた。
記録再生特性は、再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ）等の電磁変換特性を測定した。
記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。
ノイズの測定は５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力を２５０ｋＦＣＩで測定し、ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。
保磁力（Ｈｃ）及び角形比（Ｓ＊）の測定にはカー効果式磁気特性測定装置（日立電子エンジニアリング社（日本）製：ＲＯ１９００）を用いた。磁気的異方性指数（ＯＲ）、及び残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）の測定にはＶＳＭ（理研電子社（日本）製：ＢＨＶ−３５）を用いた。
上述のグライドテストで合格した磁気記録媒体サンプルについて、リードライトアナライザ（ＧＵＺＩＫ社（米国）製：ＲＷＡ１６３２）を用いて記録再生特性を調べた。
記録再生特性は、再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ）等の電磁変換特性を測定した。
記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。
ノイズの測定は５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力を２５０ｋＦＣＩで測定し、ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。
保磁力（Ｈｃ）及び角形比（Ｓ＊）の測定にはカー効果式磁気特性測定装置（日立電子エンジニアリング社（日本）製：ＲＯ１９００）を用いた。磁気的異方性指数（ＯＲ）、及び残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）の測定にはＶＳＭ（理研電子社（日本）製：ＢＨＶ−３５）を用いた。
［実施例１］
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャ加工を施して表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板（アルミ基板）を作製した。
この非磁性基板を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製:Ｃ３０１０）のチャンバ内に収容し、このチャンバ内を、真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した。
この非磁性基板上に、ＣｏＷ合金（Ｃｏ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）からなる配向調整層（厚さ１ｎｍ）を形成した後、２５０℃に加熱した。
次いで、配向調整層の表面を酸素ガスにさらした。酸素ガスの圧力は０．０５Ｐａとし、処理時間は５秒間とした。
この非磁性基板上に、非磁性下地層を形成した。非磁性下地層は、ＣｒＭｎ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｎ：２０ａｔ％）からなる第１構成層（厚さ２ｎｍ）上に、ＣｒＭｏＢ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％、Ｂ：５ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７０ａｔ％、Ｃｒ：２３ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）からなる非磁性中間層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、磁性層を設けた。磁性層としては、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２５ａｔ％、Ｐｔ：１４ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第一構成層（厚さ１０ｎｍ）を形成した。さらに、その直上に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１５ａｔ％、Ｂ：１５ａｔ％）からなる第二構成層（厚さ１０ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は６ｍＴｏｒｒ（０．８Ｐａ）とした。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ３ｎｍ）を、ＣＶＤにより形成した。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャ加工を施して表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板（アルミ基板）を作製した。
この非磁性基板を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製:Ｃ３０１０）のチャンバ内に収容し、このチャンバ内を、真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した。
この非磁性基板上に、ＣｏＷ合金（Ｃｏ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）からなる配向調整層（厚さ１ｎｍ）を形成した後、２５０℃に加熱した。
次いで、配向調整層の表面を酸素ガスにさらした。酸素ガスの圧力は０．０５Ｐａとし、処理時間は５秒間とした。
この非磁性基板上に、非磁性下地層を形成した。非磁性下地層は、ＣｒＭｎ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｎ：２０ａｔ％）からなる第１構成層（厚さ２ｎｍ）上に、ＣｒＭｏＢ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％、Ｂ：５ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７０ａｔ％、Ｃｒ：２３ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）からなる非磁性中間層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、磁性層を設けた。磁性層としては、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２５ａｔ％、Ｐｔ：１４ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第一構成層（厚さ１０ｎｍ）を形成した。さらに、その直上に、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１５ａｔ％、Ｂ：１５ａｔ％）からなる第二構成層（厚さ１０ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は６ｍＴｏｒｒ（０．８Ｐａ）とした。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ３ｎｍ）を、ＣＶＤにより形成した。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
［実施例２〜３２］
配向調整膜の合金組成と膜厚を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
配向調整膜の合金組成と膜厚を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
［実施例３４］
非磁性中間層の代わりに安定化層と反強磁性結合層を設けた。安定化層には、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）からなるターゲットも用いて２ｎｍ積層した。非磁性結合層には、Ｒｕからなるターゲットも用いて０．８ｎｍ積層した。これ以外については、実施例１と同様の処理を行って、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
非磁性中間層の代わりに安定化層と反強磁性結合層を設けた。安定化層には、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）からなるターゲットも用いて２ｎｍ積層した。非磁性結合層には、Ｒｕからなるターゲットも用いて０．８ｎｍ積層した。これ以外については、実施例１と同様の処理を行って、本発明に係る磁気記録媒体を得た。
［比較例１］
配向調整膜を施さない点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
配向調整膜を施さない点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
［比較例２］
配向調整膜を施さない点を除き、実施例３４と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
配向調整膜を施さない点を除き、実施例３４と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
［比較例３〜６］
配向調整膜の膜厚を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
配向調整膜の膜厚を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
［比較例７〜８］
テクスチャ加工による条痕の線密度を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
テクスチャ加工による条痕の線密度を、表１に示す数値とした点を除き、実施例１と同様の処理を行って、従来の磁気記録媒体を得た。
各実施例及び比較例の磁気記録媒体の、特性試験結果を表１に示す
実施例１〜６では、配向調整膜Ｃｏ−Ｗ系合金（Ｃｏ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）の膜厚を変化させている。
膜厚に対してＳＮＲがピークを有しており、１０〜２０オングストロームの範囲において、特に優れていることが分かる。
但し、比較例４及び５に示すように、１〜１００オングストロームの範囲であっても、配向調整膜を成膜していない比較例１に比べれば、磁気異方性が優れており、その結果としてＳＮＲが優れていることが分かる。
なお、比較例３に示すように、配向調整膜の膜厚が１オングストローム未満（本例では０．５オングストローム）のときは、ＴＡＡが低下してしまい、電磁変換特性の点で劣っている。
また、比較例６に示すように、配向調整膜の膜厚が２００オングストロームのときは、磁気異方性は優れているが粒径粗大化が生じてしまい、ＳＮＲが低下している。
膜厚に対してＳＮＲがピークを有しており、１０〜２０オングストロームの範囲において、特に優れていることが分かる。
但し、比較例４及び５に示すように、１〜１００オングストロームの範囲であっても、配向調整膜を成膜していない比較例１に比べれば、磁気異方性が優れており、その結果としてＳＮＲが優れていることが分かる。
なお、比較例３に示すように、配向調整膜の膜厚が１オングストローム未満（本例では０．５オングストローム）のときは、ＴＡＡが低下してしまい、電磁変換特性の点で劣っている。
また、比較例６に示すように、配向調整膜の膜厚が２００オングストロームのときは、磁気異方性は優れているが粒径粗大化が生じてしまい、ＳＮＲが低下している。
また、実施例３、及び実施例７〜３４に示すように、本発明に係る磁気記録媒体では、配向調整膜の膜厚が１ｎｍと非常に薄い場合であっても、磁気異方性を向上させる大きな効果を発揮していることが明らかである。
これは、配向調整膜の膜厚が１ｎｍと非常に薄く形成されている場合、膜質に不均一性が残っており、これが配向調整膜の粒径の微細化に寄与しているためと考えられる。配向調整膜の粒径が微細化されると、磁気異方性も向上するため、磁気記録媒体の磁気記録特性を向上させることができる。
これは、配向調整膜の膜厚が１ｎｍと非常に薄く形成されている場合、膜質に不均一性が残っており、これが配向調整膜の粒径の微細化に寄与しているためと考えられる。配向調整膜の粒径が微細化されると、磁気異方性も向上するため、磁気記録媒体の磁気記録特性を向上させることができる。
実施例７〜３０では、配向調整膜の合金組成を変化させている。
配向調整膜に、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金を用いることによって、良好な円周方向の磁気異方性が得られることが分かり、記録再生特性に優れることが明らかである。
配向調整膜に、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金を用いることによって、良好な円周方向の磁気異方性が得られることが分かり、記録再生特性に優れることが明らかである。
実施例３１〜３３では、配向調整膜に３元系合金を用いている。
配向調整膜に、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｗ系合金を用いることによって、良好な円周方向の磁気異方性が得られることが分かり、電磁変換特性に優れることが明らかである。
配向調整膜に、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｗ系合金を用いることによって、良好な円周方向の磁気異方性が得られることが分かり、電磁変換特性に優れることが明らかである。
なお、実施例３４と比較例２との比較から分かるように、ＡＦＣ媒体において、配向調整膜による、円周方向の磁気異方性の発現効果が見られ、電磁変換特性に優れることが明らかである。
また、各実施例と比較例７、８との比較からわかるように、条痕の線密度を７５００（本／ｍｍ）以上、より好ましくは２００００（本／ｍｍ）以上２０００００（本／ｍｍ）未満とすることにより、良好な磁気異方性が得られることが明らかである。
１…磁気記録媒体、２…アルミニウム基板、３…配向調整膜、４…非磁性下地層、５…磁性層、６…保護膜、１１…磁気記録再生装置、１３…磁気ヘッド
Claims (10)
- 表面に条痕を有し、且つＮｉＰ又はＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、
前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記配向調整層が、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
- 前記アルミニウム基板が、Ａｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで形成したものであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 前記配向調整膜の膜厚が、１オングストローム〜５０オングストロームの範囲内であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記条痕の線密度が、７５００（本／ｍｍ）以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力／半径方向の保持力）が、１．０５以上であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 残留磁化量の磁気的異方性指数（円周方向の残留磁化量／半径方向の残留磁化量）が、１．０５以上であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記非磁性下地層が、Ｃｒ層、または、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｖ及びＭｎから選ばれる１種以上を含有するＣｒ合金層を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである）から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 請求項１〜９の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005123535A JP2006286161A (ja) | 2005-03-07 | 2005-04-21 | 磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置 |
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Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| JP2005062499 | 2005-03-07 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007272949A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 磁気ディスク |
-
2005
- 2005-04-21 JP JP2005123535A patent/JP2006286161A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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