JP2002203312A - 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置Info
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- JP2002203312A JP2002203312A JP2001260383A JP2001260383A JP2002203312A JP 2002203312 A JP2002203312 A JP 2002203312A JP 2001260383 A JP2001260383 A JP 2001260383A JP 2001260383 A JP2001260383 A JP 2001260383A JP 2002203312 A JP2002203312 A JP 2002203312A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気特性に優れ、かつ容易に製造できる磁気
記録媒体を提供する。 【解決手段】 非金属基板１と、その上に形成された非
磁性下地膜３、磁性膜４および保護膜５を基本構成と
し、磁性膜４が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に
優先的に配向しており、非磁性下地膜３が、ｂｃｃ構造
を有し、非金属基板１と非磁性下地膜３との間に、非磁
性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる配向調整
膜２が形成され、この配向調整膜２が、柱状微結晶粒２
ａが半径方向に傾いた結晶構造を有し、周方向の保磁力
Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくされている。
記録媒体を提供する。 【解決手段】 非金属基板１と、その上に形成された非
磁性下地膜３、磁性膜４および保護膜５を基本構成と
し、磁性膜４が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に
優先的に配向しており、非磁性下地膜３が、ｂｃｃ構造
を有し、非金属基板１と非磁性下地膜３との間に、非磁
性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる配向調整
膜２が形成され、この配向調整膜２が、柱状微結晶粒２
ａが半径方向に傾いた結晶構造を有し、周方向の保磁力
Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、製造装
置、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置
に関するものである。
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、製造装
置、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体用の基板としては、
アルミニウム合金等からなる金属基板が多く用いられて
いる。金属基板は、通常、表面にテクスチャ加工が施さ
れて用いられている。テクスチャ加工は、基板表面に所
定方向（通常は円周方向）に沿う凹凸を形成する加工で
あり、テクスチャ加工を施すことによって、基板上に形
成される下地膜、磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁性
膜に磁気異方性をもたせ、熱揺らぎ耐性や分解能などの
磁気特性を向上させることができる。ところで、近年で
は、磁気記録媒体用の基板として、アルミニウム等から
なる金属基板に代えて、ガラス、セラミックスなどから
なる非金属基板が多く用いられてきている。非金属基板
は、硬度が高いためヘッドスラップが生じにくく、しか
も表面平滑性が高いためグライドハイト特性の点で有利
である。しかしながら、ガラス基板などの非金属基板に
は、表面に十分なテクスチャ加工を施すのが難しい問題
がある。
アルミニウム合金等からなる金属基板が多く用いられて
いる。金属基板は、通常、表面にテクスチャ加工が施さ
れて用いられている。テクスチャ加工は、基板表面に所
定方向（通常は円周方向）に沿う凹凸を形成する加工で
あり、テクスチャ加工を施すことによって、基板上に形
成される下地膜、磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁性
膜に磁気異方性をもたせ、熱揺らぎ耐性や分解能などの
磁気特性を向上させることができる。ところで、近年で
は、磁気記録媒体用の基板として、アルミニウム等から
なる金属基板に代えて、ガラス、セラミックスなどから
なる非金属基板が多く用いられてきている。非金属基板
は、硬度が高いためヘッドスラップが生じにくく、しか
も表面平滑性が高いためグライドハイト特性の点で有利
である。しかしながら、ガラス基板などの非金属基板に
は、表面に十分なテクスチャ加工を施すのが難しい問題
がある。
【０００３】このため、ガラス、セラミックスなどから
なる非金属基板上に、テクスチャ加工が容易な硬質膜を
形成することが提案されている。例えば特開平５−１９
７９４１号公報には、非金属基板表面に、テクスチャ加
工が容易な硬質膜であるＮｉＰ膜をスパッタ法により形
成した磁気記録媒体が開示されている。非金属基板表面
に硬質膜を設けた磁気記録媒体を製造するには、スパッ
タ装置などの成膜装置内において基板上に硬質膜を形成
した後、基板を一旦成膜装置から搬出し、テクスチャ加
工装置を用いてテクスチャ加工を施し、次いで再び成膜
装置内に搬入し下地膜や磁性膜の形成を行う方法が採ら
れる。
なる非金属基板上に、テクスチャ加工が容易な硬質膜を
形成することが提案されている。例えば特開平５−１９
７９４１号公報には、非金属基板表面に、テクスチャ加
工が容易な硬質膜であるＮｉＰ膜をスパッタ法により形
成した磁気記録媒体が開示されている。非金属基板表面
に硬質膜を設けた磁気記録媒体を製造するには、スパッ
タ装置などの成膜装置内において基板上に硬質膜を形成
した後、基板を一旦成膜装置から搬出し、テクスチャ加
工装置を用いてテクスチャ加工を施し、次いで再び成膜
装置内に搬入し下地膜や磁性膜の形成を行う方法が採ら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の磁気記録媒体では、硬質膜に十分な表面平滑性をも
たせることが難しく、磁気異方性の点で劣り、磁気特性
が不十分となる不満があった。また製造工程が煩雑であ
るため製造コストが嵩む不満があり、容易に製造できる
磁気記録媒体が要望されていた。このほか、磁性膜に磁
気異方性を与える技術としては、特開平５−１４３９８
８号公報に記載された方法がある。この公報に記載され
た磁気記録媒体の製造方法は、下地層および磁気記録層
をスパッタ法で形成するにあたり、スパッタ粒子の入射
角を３０〜６５°とする方法である。しかしながら、こ
の方法によって得られた磁気記録媒体は、非磁性下地膜
の優先的な配向面が（１１０）となり、磁性膜の優先的
な配向面が（１０１）となるため磁気異方性が不十分と
なりやすく、磁気特性の点で満足できるものでなかっ
た。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気
特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁気記録
媒体、この磁気記録媒体を容易に製造することができる
方法および装置、さらには磁気特性に優れた磁気記録媒
体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とす
る。
来の磁気記録媒体では、硬質膜に十分な表面平滑性をも
たせることが難しく、磁気異方性の点で劣り、磁気特性
が不十分となる不満があった。また製造工程が煩雑であ
るため製造コストが嵩む不満があり、容易に製造できる
磁気記録媒体が要望されていた。このほか、磁性膜に磁
気異方性を与える技術としては、特開平５−１４３９８
８号公報に記載された方法がある。この公報に記載され
た磁気記録媒体の製造方法は、下地層および磁気記録層
をスパッタ法で形成するにあたり、スパッタ粒子の入射
角を３０〜６５°とする方法である。しかしながら、こ
の方法によって得られた磁気記録媒体は、非磁性下地膜
の優先的な配向面が（１１０）となり、磁性膜の優先的
な配向面が（１０１）となるため磁気異方性が不十分と
なりやすく、磁気特性の点で満足できるものでなかっ
た。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気
特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁気記録
媒体、この磁気記録媒体を容易に製造することができる
方法および装置、さらには磁気特性に優れた磁気記録媒
体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有
し、非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜
を（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成さ
れ、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾い
た結晶構造を有し、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保
磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいこと
を特徴とする。非磁性下地膜は、ｂｃｃ構造を有し、か
つ配向面が（２００）であることが望ましい。配向調整
膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的
に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｔａのうち１種または２種以上からなるものとすること
ができる。配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を
（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃｒを主
成分とする合金からなるものとすることができる。配向
調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優
先的に配向させる構成、すなわちＣｏＴａまたはＣｏＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはア
モルファス構造を有する構成とすることができる。配向
調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優
先的に配向させる構成、すなわちＣｒＴａまたはＣｒＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が１５〜７５ａｔ％である構成とすることができる。配
向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に
優先的に配向させる構成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造または
アモルファス構造を有する構成とすることができる。配
向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に
優先的に配向させる材料である、Ｆｄ３ｍ構造を有する
非磁性金属からなるものとすることができる。配向調整
膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的
に配向させる材料である、Ｃ１５構造を有する非磁性金
属からなるものとすることができる。非金属基板と配向
調整膜との間には、配向性向上膜を形成することができ
る。配向性向上膜は、Ｂ２構造またはアモルファス構造
を有する材料からなるものとすることができる。配向性
向上膜は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、
ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成
分とするものであることが好ましい。本発明の磁気記録
媒体は、非金属基板と非磁性下地膜との間に、直上の膜
の結晶配向性を調整する配向調整膜が形成され、磁性膜
が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向
しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、配向調
整膜が、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなるもので
あり、かつ非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向さ
せることができるようにされ、周方向の保磁力Ｈｃｃと
径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より
大きい構成とすることができる。本発明では、配向調整
膜が、窒素または酸素を１ａｔ％以上含む構成とするこ
とができる。
は、磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有
し、非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜
を（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成さ
れ、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾い
た結晶構造を有し、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保
磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいこと
を特徴とする。非磁性下地膜は、ｂｃｃ構造を有し、か
つ配向面が（２００）であることが望ましい。配向調整
膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的
に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｔａのうち１種または２種以上からなるものとすること
ができる。配向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を
（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｃｒを主
成分とする合金からなるものとすることができる。配向
調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優
先的に配向させる構成、すなわちＣｏＴａまたはＣｏＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはア
モルファス構造を有する構成とすることができる。配向
調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優
先的に配向させる構成、すなわちＣｒＴａまたはＣｒＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が１５〜７５ａｔ％である構成とすることができる。配
向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に
優先的に配向させる構成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造または
アモルファス構造を有する構成とすることができる。配
向調整膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に
優先的に配向させる材料である、Ｆｄ３ｍ構造を有する
非磁性金属からなるものとすることができる。配向調整
膜は、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を（２００）に優先的
に配向させる材料である、Ｃ１５構造を有する非磁性金
属からなるものとすることができる。非金属基板と配向
調整膜との間には、配向性向上膜を形成することができ
る。配向性向上膜は、Ｂ２構造またはアモルファス構造
を有する材料からなるものとすることができる。配向性
向上膜は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、
ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成
分とするものであることが好ましい。本発明の磁気記録
媒体は、非金属基板と非磁性下地膜との間に、直上の膜
の結晶配向性を調整する配向調整膜が形成され、磁性膜
が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向
しており、非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、配向調
整膜が、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなるもので
あり、かつ非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向さ
せることができるようにされ、周方向の保磁力Ｈｃｃと
径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より
大きい構成とすることができる。本発明では、配向調整
膜が、窒素または酸素を１ａｔ％以上含む構成とするこ
とができる。
【０００６】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記
磁気記録媒体を製造する方法であって、配向調整膜を構
成する材料からなる成膜粒子を放出源から放出させて被
付着面に付着させることにより配向調整膜を形成し、こ
の際、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板
の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１
０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定すること
を特徴とする。配向調整膜には、酸化処理または窒化処
理を施すのが好ましい。配向調整膜を形成するにあたっ
ては、成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲッ
トを用いるスパッタ法を採用することができる。本発明
では、配向調整膜を形成するに際して、スパッタ法を採
用し、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いること
によって酸化処理または窒化処理を行うことができる。
酸化処理または窒化処理は、配向調整膜の表面を酸素含
有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることにより行う
ことができる。本発明の磁気記録媒体の製造装置は、前
記磁気記録媒体を製造する装置であって、配向調整膜を
構成する材料からなる成膜粒子を放出し被付着面に付着
させることにより配向調整膜を形成する放出源と、この
放出源から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定
手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子軌道の被
付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非
金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように
成膜粒子の方向を設定することができるようにされてい
ることを特徴とする。本発明の磁気記録再生装置は、前
記磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生
する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする。な
お、本明細書中において「配向調整膜」は、ｂｃｃ構造
の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させるよう
に構成される。また、本明細書中において「主成分」と
は、その成分の含有率が５０ａｔ％を越えるものをい
う。
磁気記録媒体を製造する方法であって、配向調整膜を構
成する材料からなる成膜粒子を放出源から放出させて被
付着面に付着させることにより配向調整膜を形成し、こ
の際、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基板
の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が１
０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定すること
を特徴とする。配向調整膜には、酸化処理または窒化処
理を施すのが好ましい。配向調整膜を形成するにあたっ
ては、成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲッ
トを用いるスパッタ法を採用することができる。本発明
では、配向調整膜を形成するに際して、スパッタ法を採
用し、酸素または窒素を含むスパッタガスを用いること
によって酸化処理または窒化処理を行うことができる。
酸化処理または窒化処理は、配向調整膜の表面を酸素含
有ガスまたは窒素含有ガスに接触させることにより行う
ことができる。本発明の磁気記録媒体の製造装置は、前
記磁気記録媒体を製造する装置であって、配向調整膜を
構成する材料からなる成膜粒子を放出し被付着面に付着
させることにより配向調整膜を形成する放出源と、この
放出源から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定
手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子軌道の被
付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非
金属基板に対する入射角度が１０〜７５°となるように
成膜粒子の方向を設定することができるようにされてい
ることを特徴とする。本発明の磁気記録再生装置は、前
記磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生
する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする。な
お、本明細書中において「配向調整膜」は、ｂｃｃ構造
の非磁性下地膜を（２００）に優先的に配向させるよう
に構成される。また、本明細書中において「主成分」と
は、その成分の含有率が５０ａｔ％を越えるものをい
う。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の磁気記録
媒体の第１の実施形態を示す一部断面図で、ここに示す
磁気記録媒体は、非金属基板１上に配向調整膜２が形成
され、その上に非磁性下地膜３、磁性膜４、保護膜５、
潤滑膜６が順次形成されたものである。以下、非金属基
板１および配向調整膜２を媒体基板Ｍという。図１
（ｂ）は、図１（ａ）に示す磁気記録媒体の断面の透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡
大図である。
媒体の第１の実施形態を示す一部断面図で、ここに示す
磁気記録媒体は、非金属基板１上に配向調整膜２が形成
され、その上に非磁性下地膜３、磁性膜４、保護膜５、
潤滑膜６が順次形成されたものである。以下、非金属基
板１および配向調整膜２を媒体基板Ｍという。図１
（ｂ）は、図１（ａ）に示す磁気記録媒体の断面の透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡
大図である。
【０００８】非金属基板１としては、ガラス、セラミッ
クス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなるものが用いられる。特に、耐久性、
コストなどの観点からガラス基板を用いるのが好まし
い。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化
ガラスが使用可能であり、アモルファスガラスとして
は、汎用のソーダライムガラス、アルミノケートガラ
ス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また結晶
化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いるこ
とができる。セラミックス基板としては、汎用の酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分
とする焼結体や、それらの繊維強化物などが使用可能で
ある。
クス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなるものが用いられる。特に、耐久性、
コストなどの観点からガラス基板を用いるのが好まし
い。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化
ガラスが使用可能であり、アモルファスガラスとして
は、汎用のソーダライムガラス、アルミノケートガラ
ス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また結晶
化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いるこ
とができる。セラミックス基板としては、汎用の酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分
とする焼結体や、それらの繊維強化物などが使用可能で
ある。
【０００９】配向調整膜２は、直上に形成される非磁性
下地膜３の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成さ
れる磁性膜４の結晶配向性を調整し、磁性膜４の磁気異
方性を向上させるためのものである。配向調整膜２は、
ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配
向させることができるように構成されている。配向調整
膜２の材料としては、非磁性下地膜３を（２００）に優
先的に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上を挙げることができ
る。
下地膜３の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成さ
れる磁性膜４の結晶配向性を調整し、磁性膜４の磁気異
方性を向上させるためのものである。配向調整膜２は、
ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配
向させることができるように構成されている。配向調整
膜２の材料としては、非磁性下地膜３を（２００）に優
先的に配向させる材料である、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上を挙げることができ
る。
【００１０】配向調整膜２の材料としては、Ｃｒを主成
分とする（すなわちＣｒの含有率が５０ａｔ％を越え
る）合金を用いることもでき、特にＣｒＸ（ＸはＢ、
Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの
うち１種または２種以上）系合金を用いるのが好まし
い。ＣｒＸ系合金を用いる場合、Ｘの含有率は、１ａｔ
％以上、５０ａｔ％未満とするのが好ましい。これは、
Ｘの含有率を上記範囲とすることによって、非磁性下地
膜３および磁性膜４の結晶配向性を高め磁気異方性を向
上させることができるためである。配向調整膜２の材料
としては、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に
優先的に配向させる材料であるＣｒＲｕ（Ｒｕの含有率
が１〜３０ａｔ％）を用いることもできる。
分とする（すなわちＣｒの含有率が５０ａｔ％を越え
る）合金を用いることもでき、特にＣｒＸ（ＸはＢ、
Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの
うち１種または２種以上）系合金を用いるのが好まし
い。ＣｒＸ系合金を用いる場合、Ｘの含有率は、１ａｔ
％以上、５０ａｔ％未満とするのが好ましい。これは、
Ｘの含有率を上記範囲とすることによって、非磁性下地
膜３および磁性膜４の結晶配向性を高め磁気異方性を向
上させることができるためである。配向調整膜２の材料
としては、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜３を（２００）に
優先的に配向させる材料であるＣｒＲｕ（Ｒｕの含有率
が１〜３０ａｔ％）を用いることもできる。
【００１１】配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地
膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわち
ＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであり、Ｔ
ａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつ
Ｆｄ３ｍ構造（空間群（Ｓｐａｃｅ Ｇｒｏｕｐ）表
記）またはアモルファス構造を有する構成とするのが好
適である。また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下
地膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわ
ちＣｒＴａまたはＣｒＮｂを主成分とするものであり、
ＴａまたはＮｂの含有量が１５〜７５ａｔ％である構成
とすることもできる。また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造
の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる構
成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするも
のであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％
であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有
する構成とすることができる。配向調整膜２がこれらＣ
ｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＣｒＴａ、ＣｒＮｂ、ＮｉＴａ、Ｎ
ｉＮｂを主成分とするものである場合において、Ｔａま
たはＮｂの含有量を上記範囲とするのが好適であるとし
たのは、この含有量が低すぎると保磁力が低くなりやす
く、含有量が高すぎると磁性膜内の配向性が低下し保磁
力が低くなるおそれがあるためである。
膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわち
ＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであり、Ｔ
ａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつ
Ｆｄ３ｍ構造（空間群（Ｓｐａｃｅ Ｇｒｏｕｐ）表
記）またはアモルファス構造を有する構成とするのが好
適である。また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下
地膜３を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわ
ちＣｒＴａまたはＣｒＮｂを主成分とするものであり、
ＴａまたはＮｂの含有量が１５〜７５ａｔ％である構成
とすることもできる。また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造
の非磁性下地膜３を（２００）に優先的に配向させる構
成、すなわちＮｉＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするも
のであり、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％
であり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有
する構成とすることができる。配向調整膜２がこれらＣ
ｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＣｒＴａ、ＣｒＮｂ、ＮｉＴａ、Ｎ
ｉＮｂを主成分とするものである場合において、Ｔａま
たはＮｂの含有量を上記範囲とするのが好適であるとし
たのは、この含有量が低すぎると保磁力が低くなりやす
く、含有量が高すぎると磁性膜内の配向性が低下し保磁
力が低くなるおそれがあるためである。
【００１２】また配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性
下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料、すな
わちＴａまたはＮｂを３０ａｔ％以上含有する非磁性合
金材料からなるものとすることもできる。
下地膜３を（２００）に優先的に配向させる材料、すな
わちＴａまたはＮｂを３０ａｔ％以上含有する非磁性合
金材料からなるものとすることもできる。
【００１３】配向調整膜２は、ｂｃｃ構造の非磁性下地
膜３を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｆ
ｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとするのが
好ましい。Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属としては、
ＣｒＸ系合金のうち、ＣｒＮｂ系（７０Ｃｒ３０Ｎｂな
ど）、ＣｒＴａ系（６５Ｃｒ３５Ｔａなど）、ＣｒＴｉ
系（６４Ｃｒ３６Ｔｉなど）等のＣ１５構造（Ｓｋｒｕ
ｋｔｕｒｂｅｒｃｈｔ Ｓｙｍｂｏｌ表記）を有する合
金が好適である。配向調整膜２に用いることができるＦ
ｄ３ｍ構造金属としては、このほか、ＣｏＴａ系（６５
Ｃｏ３５Ｔａなど）、ＣｏＮｂ系（７０Ｃｏ３０Ｎｂな
ど）、ＷＨｆ系（６６Ｗ３４Ｈｆ）、ＡｌＹ系（６７Ａ
ｌ３３Ｙなど）等のＣ１５構造を有する合金がある。ま
た配向調整膜２に用いることができるＦｄ３ｍ構造金属
としては、ＣｏＴａ系（比較的Ｃｏ含有率が小さいも
の、例えば５０Ｃｏ５０Ｔａなど）、ＦｅＮｂ系（５０
Ｆｅ５０Ｎｂなど）等の合金を挙げることができる。こ
れらＦｄ３ｍ構造を有する材料を用いる場合には、配向
調整膜２の形成時に酸化処理または窒化処理（後述）を
行うことによってその結晶構造（Ｆｄ３ｍ構造）を整え
たものが好ましい。配向調整膜２は、非磁性下地膜３の
結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜３、磁
性膜４中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜としても
機能する。
膜３を（２００）に優先的に配向させる材料である、Ｆ
ｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとするのが
好ましい。Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属としては、
ＣｒＸ系合金のうち、ＣｒＮｂ系（７０Ｃｒ３０Ｎｂな
ど）、ＣｒＴａ系（６５Ｃｒ３５Ｔａなど）、ＣｒＴｉ
系（６４Ｃｒ３６Ｔｉなど）等のＣ１５構造（Ｓｋｒｕ
ｋｔｕｒｂｅｒｃｈｔ Ｓｙｍｂｏｌ表記）を有する合
金が好適である。配向調整膜２に用いることができるＦ
ｄ３ｍ構造金属としては、このほか、ＣｏＴａ系（６５
Ｃｏ３５Ｔａなど）、ＣｏＮｂ系（７０Ｃｏ３０Ｎｂな
ど）、ＷＨｆ系（６６Ｗ３４Ｈｆ）、ＡｌＹ系（６７Ａ
ｌ３３Ｙなど）等のＣ１５構造を有する合金がある。ま
た配向調整膜２に用いることができるＦｄ３ｍ構造金属
としては、ＣｏＴａ系（比較的Ｃｏ含有率が小さいも
の、例えば５０Ｃｏ５０Ｔａなど）、ＦｅＮｂ系（５０
Ｆｅ５０Ｎｂなど）等の合金を挙げることができる。こ
れらＦｄ３ｍ構造を有する材料を用いる場合には、配向
調整膜２の形成時に酸化処理または窒化処理（後述）を
行うことによってその結晶構造（Ｆｄ３ｍ構造）を整え
たものが好ましい。配向調整膜２は、非磁性下地膜３の
結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜３、磁
性膜４中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜としても
機能する。
【００１４】配向調整膜２には、窒素または酸素を１ａ
ｔ％以上含有させるのが好ましい。これは、窒素または
酸素を１ａｔ％以上含有させることによって、非磁性下
地膜３の結晶を、より正確に（２００）に配向させ、磁
性膜４の磁気異方性を高めることができるためである。
ｔ％以上含有させるのが好ましい。これは、窒素または
酸素を１ａｔ％以上含有させることによって、非磁性下
地膜３の結晶を、より正確に（２００）に配向させ、磁
性膜４の磁気異方性を高めることができるためである。
【００１５】図１（ｂ）に示すように、配向調整膜２
は、柱状微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂ
に対して半径方向に傾いた結晶構造を有する。すなわち
柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α１（垂直線２ｂに対する
柱状微結晶粒２ａ軸方向の傾き）が０°を越え、９０°
未満となるようになっている。柱状微結晶粒２ａの傾斜
角度α１は、１０〜７５°（好ましくは１５〜７５°、
さらに好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５
〜５５°）であることが好ましい。傾斜角度α１が上記
範囲未満である場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の
結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。また成膜装
置の構成の点から、角度α１を上記範囲を越える範囲に
設定するのは難しい。傾斜角度α１は、１０°以上、３
０°未満となる値とすることができる。また６５°を越
え、９０°未満となる値とすることもできる。また配向
調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが周方向にほとんど傾い
ていないようにするのが好ましい。
は、柱状微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂ
に対して半径方向に傾いた結晶構造を有する。すなわち
柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α１（垂直線２ｂに対する
柱状微結晶粒２ａ軸方向の傾き）が０°を越え、９０°
未満となるようになっている。柱状微結晶粒２ａの傾斜
角度α１は、１０〜７５°（好ましくは１５〜７５°、
さらに好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５
〜５５°）であることが好ましい。傾斜角度α１が上記
範囲未満である場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の
結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。また成膜装
置の構成の点から、角度α１を上記範囲を越える範囲に
設定するのは難しい。傾斜角度α１は、１０°以上、３
０°未満となる値とすることができる。また６５°を越
え、９０°未満となる値とすることもできる。また配向
調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが周方向にほとんど傾い
ていないようにするのが好ましい。
【００１６】配向調整膜２の膜厚は２〜１００ｎｍ（２
０〜１０００Å）とするのが望ましい。この膜厚は、上
記範囲未満であると磁性膜の磁気異方性が低下し、上記
範囲を越えると製造効率が低下する。
０〜１０００Å）とするのが望ましい。この膜厚は、上
記範囲未満であると磁性膜の磁気異方性が低下し、上記
範囲を越えると製造効率が低下する。
【００１７】非磁性下地膜３は、従来公知の下地膜材
料、例えばＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｎｂのうち１種以上、またはこれらに結晶性を損な
わない範囲で他の元素を添加した合金からなるものとす
ることができる。なかでも特に、ＣｒまたはＣｒ合金
（例えばＣｒＴｉ系、ＣｒＷ系、ＣｒＭｏ系、ＣｒＶ
系）を用いるのが好適である。またこの材料としては、
Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ）等のＢ２構造を
有する材料を用いることもできる。また非磁性下地膜３
は厚さ方向に均一な単層構造としてもよいし、２種類以
上の層を複数積層させた多層構造としてもよい。非磁性
下地膜３の厚さは、１〜１００ｎｍ（１０〜１０００
Å）、好ましくは２〜５０ｎｍ（２０〜５００Å）とす
るのが望ましい。
料、例えばＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｎｂのうち１種以上、またはこれらに結晶性を損な
わない範囲で他の元素を添加した合金からなるものとす
ることができる。なかでも特に、ＣｒまたはＣｒ合金
（例えばＣｒＴｉ系、ＣｒＷ系、ＣｒＭｏ系、ＣｒＶ
系）を用いるのが好適である。またこの材料としては、
Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ）等のＢ２構造を
有する材料を用いることもできる。また非磁性下地膜３
は厚さ方向に均一な単層構造としてもよいし、２種類以
上の層を複数積層させた多層構造としてもよい。非磁性
下地膜３の厚さは、１〜１００ｎｍ（１０〜１０００
Å）、好ましくは２〜５０ｎｍ（２０〜５００Å）とす
るのが望ましい。
【００１８】非磁性下地膜３は、ｂｃｃ構造を有する。
非磁性下地膜３は、配向面（非磁性下地膜３の表面にお
ける支配的な結晶面）を（２００）とすると、磁性膜４
の磁気異方性を高めることができるため好ましい。また
非磁性下地膜３の材料としてＣｒを用いた場合には、非
磁性下地膜３の格子定数と磁性膜４の格子定数との差が
大きくなるため、非磁性下地膜３と磁性膜４との間にＣ
ｒＸ'（Ｘ'はＭｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗのうち１種以
上）からなる中間膜を設け、格子の整合性の向上を図る
のが好ましい。
非磁性下地膜３は、配向面（非磁性下地膜３の表面にお
ける支配的な結晶面）を（２００）とすると、磁性膜４
の磁気異方性を高めることができるため好ましい。また
非磁性下地膜３の材料としてＣｒを用いた場合には、非
磁性下地膜３の格子定数と磁性膜４の格子定数との差が
大きくなるため、非磁性下地膜３と磁性膜４との間にＣ
ｒＸ'（Ｘ'はＭｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗのうち１種以
上）からなる中間膜を設け、格子の整合性の向上を図る
のが好ましい。
【００１９】磁性膜４は、ｈｃｐ構造を有し、かつ配向
面が（１１０）とされている。磁性膜４は、この構成に
よって、高い磁気異方性を得ることができる。
面が（１１０）とされている。磁性膜４は、この構成に
よって、高い磁気異方性を得ることができる。
【００２０】磁性膜４には、Ｃｏを含む材料を用いるの
が好ましい。この材料としては、例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｎｉ、ＦｅおよびＭｏのうち１種以上を、Ｃｏ
に加えたＣｏ合金を用いることができる。上記材料の好
適な具体例としては、ＣｏＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔ系、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、ＣｏＣｒＰｔＢ
Ｔａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺ
ｒ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＷ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系、Ｃ
ｏＣｒＰｔＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系、ＣｏＣｒＰ
ｔＢＺｒ系、ＣｏＮｉＴａ系、ＣｏＮｉＴａＣｒ系、Ｃ
ｏＣｒＴａ系等が利用できる。また、Ａｇ、Ｔｉ、Ｒ
ｕ、Ｃ等の非磁性金属、この非磁性金属の化合物、酸化
物（ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3等）、窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等）、フッ化物（ＣａＦ
等）、炭化物（ＴｉＣ等）などの非磁性母材中に磁性粒
が分散したグラニュラー膜を採用することもできる。
が好ましい。この材料としては、例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｎｉ、ＦｅおよびＭｏのうち１種以上を、Ｃｏ
に加えたＣｏ合金を用いることができる。上記材料の好
適な具体例としては、ＣｏＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔ系、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、ＣｏＣｒＰｔＢ
Ｔａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺ
ｒ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＷ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系、Ｃ
ｏＣｒＰｔＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系、ＣｏＣｒＰ
ｔＢＺｒ系、ＣｏＮｉＴａ系、ＣｏＮｉＴａＣｒ系、Ｃ
ｏＣｒＴａ系等が利用できる。また、Ａｇ、Ｔｉ、Ｒ
ｕ、Ｃ等の非磁性金属、この非磁性金属の化合物、酸化
物（ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3等）、窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等）、フッ化物（ＣａＦ
等）、炭化物（ＴｉＣ等）などの非磁性母材中に磁性粒
が分散したグラニュラー膜を採用することもできる。
【００２１】磁性膜４に、Ｂを含むＣｏ合金（例えばＣ
ｏＣｒＢ系合金、好ましくはＣｏＣｒＰｔＢ系合金）を
用いる場合には、Ｃｏ合金中のＢの含有率は、１〜１０
ａｔ％（好ましくは２〜７ａｔ％、さらに好ましくは
２．５〜６ａｔ％）とするのが好ましい。Ｂの含有率が
上記範囲未満であると、保磁力が低くなることに加え、
磁性結晶粒が大きくなりノイズが増大する。またこの含
有率が上記範囲を越えると、磁性膜内の配向性が低下し
保磁力が低くなるおそれがある。Ｃｏ合金中のＣｒ含有
率は、４０ａｔ％以下（好ましくは５〜３５ａｔ％、さ
らに好ましくは１０〜２５ａｔ％）とするのが好まし
い。Ｃｏ合金中のＰｔの含有率は、１〜３０ａｔ％（好
ましくは３〜２７ａｔ％、さらに好ましくは６〜２５ａ
ｔ％）とするのが好ましい。磁性膜４は単層構造として
もよいし、２種類以上の層を複数積層させた多層構造と
してもよい。磁性膜４の厚さは、５〜３０ｎｍ（５０〜
３００Å）とすることができる。
ｏＣｒＢ系合金、好ましくはＣｏＣｒＰｔＢ系合金）を
用いる場合には、Ｃｏ合金中のＢの含有率は、１〜１０
ａｔ％（好ましくは２〜７ａｔ％、さらに好ましくは
２．５〜６ａｔ％）とするのが好ましい。Ｂの含有率が
上記範囲未満であると、保磁力が低くなることに加え、
磁性結晶粒が大きくなりノイズが増大する。またこの含
有率が上記範囲を越えると、磁性膜内の配向性が低下し
保磁力が低くなるおそれがある。Ｃｏ合金中のＣｒ含有
率は、４０ａｔ％以下（好ましくは５〜３５ａｔ％、さ
らに好ましくは１０〜２５ａｔ％）とするのが好まし
い。Ｃｏ合金中のＰｔの含有率は、１〜３０ａｔ％（好
ましくは３〜２７ａｔ％、さらに好ましくは６〜２５ａ
ｔ％）とするのが好ましい。磁性膜４は単層構造として
もよいし、２種類以上の層を複数積層させた多層構造と
してもよい。磁性膜４の厚さは、５〜３０ｎｍ（５０〜
３００Å）とすることができる。
【００２２】保護膜５の材料としては、従来公知のもの
を使用してよく、例えばカーボン、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化ジルコニウム等の単一成分またはこれら
を主成分とする材料を使用することができる。保護膜５
の厚さは、２〜１０ｎｍ（２０〜１００Å）とするのが
好ましい。
を使用してよく、例えばカーボン、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化ジルコニウム等の単一成分またはこれら
を主成分とする材料を使用することができる。保護膜５
の厚さは、２〜１０ｎｍ（２０〜１００Å）とするのが
好ましい。
【００２３】潤滑膜６は、パーフルオロポリエーテル等
のフッ素系潤滑剤などからなるものとすることができ
る。
のフッ素系潤滑剤などからなるものとすることができ
る。
【００２４】上記構成の磁気記録媒体は、周方向の保磁
力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくなる（好ましくは１．１以上、さらに
好ましくは１．２以上となる）。この比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が上記範囲未満であると、磁気記録媒体の磁気異方性が
不足し、熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなどの磁
気特性が不十分となる。
力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくなる（好ましくは１．１以上、さらに
好ましくは１．２以上となる）。この比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が上記範囲未満であると、磁気記録媒体の磁気異方性が
不足し、熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなどの磁
気特性が不十分となる。
【００２５】次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を
例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態を説明する。図２は、本発明の磁気記録媒体の製造装
置の一実施形態を示すものである。ここに示すスパッタ
装置２１は、非金属基板１上に配向調整膜２を形成する
ためのもので、成膜粒子を放出する放出源であるスパッ
タリングターゲット２２と、このスパッタリングターゲ
ット２２から放出された成膜粒子の方向を定める方向設
定手段である遮蔽板２３とをチャンバ２８内に備えてい
る。符号２９はスパッタガス等をチャンバ２８内に導入
する導入経路であり、符号３０はチャンバ２８内のスパ
ッタガス等を系外に導出する導出経路である。
例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態を説明する。図２は、本発明の磁気記録媒体の製造装
置の一実施形態を示すものである。ここに示すスパッタ
装置２１は、非金属基板１上に配向調整膜２を形成する
ためのもので、成膜粒子を放出する放出源であるスパッ
タリングターゲット２２と、このスパッタリングターゲ
ット２２から放出された成膜粒子の方向を定める方向設
定手段である遮蔽板２３とをチャンバ２８内に備えてい
る。符号２９はスパッタガス等をチャンバ２８内に導入
する導入経路であり、符号３０はチャンバ２８内のスパ
ッタガス等を系外に導出する導出経路である。
【００２６】スパッタリングターゲット２２は、上記配
向調整膜２の構成材料からなるものであり、円板状に形
成されている。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲッ
ト２２から放出された成膜粒子のうち、目的とする方向
以外の方向に放出された成膜粒子を遮ることにより成膜
粒子の方向を定めるためのもので、円板状に形成され、
ほぼ中央部に、円形の成膜粒子通過口２４が形成されて
いる。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット２２に
対しほぼ平行に、スパッタリングターゲット２２に対し
て所定の間隔をおいて設置されている。遮蔽板２３は、
その軸線２３ａがスパッタリングターゲット２２の軸線
２２ａに対しほぼ一致するように設置されている。また
成膜粒子の入射角度の精度を高めるためには、遮蔽板２
３を可能な限り薄く形成するのが好ましい。例えば、外
径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非金属基板１を用い
る場合には、遮蔽板２３の厚さは１．５〜５ｍｍ（好ま
しくは２〜４ｍｍ）とするのが好ましい。遮蔽板２３に
は、耐熱性に優れ、不純物発生が少ない材料である金属
材料（例えばステンレス、アルミニウム合金）を用いる
のが好ましく、特に、付着した成膜粒子を除去する作業
が容易であり、しかも安価であることからアルミニウム
合金を用いるのが好ましい。
向調整膜２の構成材料からなるものであり、円板状に形
成されている。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲッ
ト２２から放出された成膜粒子のうち、目的とする方向
以外の方向に放出された成膜粒子を遮ることにより成膜
粒子の方向を定めるためのもので、円板状に形成され、
ほぼ中央部に、円形の成膜粒子通過口２４が形成されて
いる。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット２２に
対しほぼ平行に、スパッタリングターゲット２２に対し
て所定の間隔をおいて設置されている。遮蔽板２３は、
その軸線２３ａがスパッタリングターゲット２２の軸線
２２ａに対しほぼ一致するように設置されている。また
成膜粒子の入射角度の精度を高めるためには、遮蔽板２
３を可能な限り薄く形成するのが好ましい。例えば、外
径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非金属基板１を用い
る場合には、遮蔽板２３の厚さは１．５〜５ｍｍ（好ま
しくは２〜４ｍｍ）とするのが好ましい。遮蔽板２３に
は、耐熱性に優れ、不純物発生が少ない材料である金属
材料（例えばステンレス、アルミニウム合金）を用いる
のが好ましく、特に、付着した成膜粒子を除去する作業
が容易であり、しかも安価であることからアルミニウム
合金を用いるのが好ましい。
【００２７】成膜粒子通過口２４の内径は、放出された
成膜粒子が非金属基板１の表面１ａの配向調整膜形成領
域１ｂに付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対する
入射角度αが１０〜７５°となるように設定されてい
る。この入射角度αとは、非金属基板１に対し垂直な線
１ｃに対する角度をいう。成膜粒子通過口２４の内径
は、成膜効率を低下させない範囲で小さくするのが好ま
しい。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非
金属基板１を用いる場合には、成膜粒子通過口２４の内
径は２０ｍｍ以下（好ましくは１５ｍｍ以下、さらに好
ましくは７ｍｍ以下）とするのが好ましい。
成膜粒子が非金属基板１の表面１ａの配向調整膜形成領
域１ｂに付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対する
入射角度αが１０〜７５°となるように設定されてい
る。この入射角度αとは、非金属基板１に対し垂直な線
１ｃに対する角度をいう。成膜粒子通過口２４の内径
は、成膜効率を低下させない範囲で小さくするのが好ま
しい。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非
金属基板１を用いる場合には、成膜粒子通過口２４の内
径は２０ｍｍ以下（好ましくは１５ｍｍ以下、さらに好
ましくは７ｍｍ以下）とするのが好ましい。
【００２８】このスパッタ装置２１を用いて配向調整膜
２を形成するには、非金属基板１をチャンバ２８内に搬
入し、遮蔽板２３のスパッタリングターゲット２２側に
対し反対側（図中左側）に非金属基板１を配置する。こ
の際、非金属基板１はスパッタリングターゲット２２、
遮蔽板２３に対しほぼ平行に配置する。
２を形成するには、非金属基板１をチャンバ２８内に搬
入し、遮蔽板２３のスパッタリングターゲット２２側に
対し反対側（図中左側）に非金属基板１を配置する。こ
の際、非金属基板１はスパッタリングターゲット２２、
遮蔽板２３に対しほぼ平行に配置する。
【００２９】次いで、アルゴンなどのスパッタガスを導
入経路２９を通してチャンバ２８内に導入するととも
に、スパッタリングターゲット２２に給電し、成膜粒子
をスパッタ法により放出させる。この際、スパッタリン
グターゲット２２の中央部からやや離れた位置の成膜粒
子放出箇所２５、２５から放出された成膜粒子のうち、
遮蔽板２３中央部に向かったものは、成膜粒子通過口２
４を通過し、それ以外のものは遮蔽板２３に遮られる。
入経路２９を通してチャンバ２８内に導入するととも
に、スパッタリングターゲット２２に給電し、成膜粒子
をスパッタ法により放出させる。この際、スパッタリン
グターゲット２２の中央部からやや離れた位置の成膜粒
子放出箇所２５、２５から放出された成膜粒子のうち、
遮蔽板２３中央部に向かったものは、成膜粒子通過口２
４を通過し、それ以外のものは遮蔽板２３に遮られる。
【００３０】図２および図３に示すように、成膜粒子通
過口２４を通過した成膜粒子は、ターゲット２２の中央
部からやや離れた位置の放出箇所２５から放出され、遮
蔽板２３中央部の通過口２４を通過したものである（図
２を参照）。このため、成膜粒子の軌道２６の基板１の
表面１ａへの投影線２７は、非金属基板１の径方向に沿
うものとなる（図３を参照）。また、成膜粒子は基板１
の周方向に均一に表面１ａに付着する。成膜粒子は、入
射角度αが１０〜７５°となるように、被付着面である
表面１ａの環状の配向調整膜形成領域１ｂに付着する。
この入射角度αは、１５〜７５°（好ましくは２０〜７
５°、さらに好ましくは２５〜５５°）とするのがさら
に好適である。この入射角度αが上記範囲未満である場
合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の結晶配向性が悪化
し磁気異方性が低下する。また装置構成の点から入射角
度αを上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。ま
た傾斜角度αは、１０°以上、３０°未満となる値とす
ることができる。また６５°を越え、７５°以下となる
値とすることもできる。
過口２４を通過した成膜粒子は、ターゲット２２の中央
部からやや離れた位置の放出箇所２５から放出され、遮
蔽板２３中央部の通過口２４を通過したものである（図
２を参照）。このため、成膜粒子の軌道２６の基板１の
表面１ａへの投影線２７は、非金属基板１の径方向に沿
うものとなる（図３を参照）。また、成膜粒子は基板１
の周方向に均一に表面１ａに付着する。成膜粒子は、入
射角度αが１０〜７５°となるように、被付着面である
表面１ａの環状の配向調整膜形成領域１ｂに付着する。
この入射角度αは、１５〜７５°（好ましくは２０〜７
５°、さらに好ましくは２５〜５５°）とするのがさら
に好適である。この入射角度αが上記範囲未満である場
合には、非磁性下地膜３、磁性膜４の結晶配向性が悪化
し磁気異方性が低下する。また装置構成の点から入射角
度αを上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。ま
た傾斜角度αは、１０°以上、３０°未満となる値とす
ることができる。また６５°を越え、７５°以下となる
値とすることもできる。
【００３１】入射角度αを上記範囲に設定することによ
って、図１（ｂ）に示すように、配向調整膜２は、柱状
微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂに対して
半径方向に傾いた結晶構造を有するものとなる。
って、図１（ｂ）に示すように、配向調整膜２は、柱状
微結晶粒２ａが、非金属基板１に垂直な線２ｂに対して
半径方向に傾いた結晶構造を有するものとなる。
【００３２】配向調整膜２には、酸化処理または窒化処
理を施すのが好ましい。酸化処理または窒化処理を行う
には、スパッタ装置２１を用いて配向調整膜２を形成す
るに際し、導入経路２９を通してチャンバ２８に導入す
るスパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用
いる方法を採ることができる。酸素を含むスパッタガス
としては、酸素とアルゴンの混合ガスを用いることがで
きる。窒素を含むスパッタガスとしては、窒素とアルゴ
ンの混合ガスを用いることができる。スパッタガス中の
酸素または窒素の含有率は、１〜５０ｖｏｌ％とするこ
とができる。
理を施すのが好ましい。酸化処理または窒化処理を行う
には、スパッタ装置２１を用いて配向調整膜２を形成す
るに際し、導入経路２９を通してチャンバ２８に導入す
るスパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用
いる方法を採ることができる。酸素を含むスパッタガス
としては、酸素とアルゴンの混合ガスを用いることがで
きる。窒素を含むスパッタガスとしては、窒素とアルゴ
ンの混合ガスを用いることができる。スパッタガス中の
酸素または窒素の含有率は、１〜５０ｖｏｌ％とするこ
とができる。
【００３３】また本発明では、配向調整膜２を形成した
後に、その表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接
触させる方法によって酸化または窒化処理を行うことも
できる。酸素含有ガスとしては、空気、純酸素、水蒸気
を用いることができる。また空気中の酸素含有率を増加
させた酸素富化ガスを用いることもできる。窒素含有ガ
スとしては、空気、純窒素、窒素富化ガスを用いること
ができる。
後に、その表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接
触させる方法によって酸化または窒化処理を行うことも
できる。酸素含有ガスとしては、空気、純酸素、水蒸気
を用いることができる。また空気中の酸素含有率を増加
させた酸素富化ガスを用いることもできる。窒素含有ガ
スとしては、空気、純窒素、窒素富化ガスを用いること
ができる。
【００３４】配向調整膜２表面を酸素含有ガスまたは窒
素含有ガスに接触させる方法の具体例としては、上述の
ように、スパッタ装置２１内において基板１上に配向調
整膜２を形成した後、このスパッタ装置２１のチャンバ
２８内に、導入経路２９を通して酸素含有ガスまたは窒
素含有ガスを導入する方法を挙げることができる。酸素
含有ガスまたは窒素含有ガス中の酸素または窒素含有率
は、１〜１００ｖｏｌ％とするのが好ましい。酸素含有
ガスまたは窒素含有ガスの使用によって、酸化処理また
は窒素処理を容易な操作で行うことができるようにな
る。
素含有ガスに接触させる方法の具体例としては、上述の
ように、スパッタ装置２１内において基板１上に配向調
整膜２を形成した後、このスパッタ装置２１のチャンバ
２８内に、導入経路２９を通して酸素含有ガスまたは窒
素含有ガスを導入する方法を挙げることができる。酸素
含有ガスまたは窒素含有ガス中の酸素または窒素含有率
は、１〜１００ｖｏｌ％とするのが好ましい。酸素含有
ガスまたは窒素含有ガスの使用によって、酸化処理また
は窒素処理を容易な操作で行うことができるようにな
る。
【００３５】この酸化処理または窒化処理によって、配
向調整膜２は少なくとも表面付近が酸化または窒化され
る。なお酸化処理または窒化処理を行うには、スパッタ
ガスとして、酸素または窒素を含むものを用いて配向調
整膜２を形成した後に、その表面を酸素含有ガスまたは
窒素含有ガスに接触させる方法を採ることもできる。
向調整膜２は少なくとも表面付近が酸化または窒化され
る。なお酸化処理または窒化処理を行うには、スパッタ
ガスとして、酸素または窒素を含むものを用いて配向調
整膜２を形成した後に、その表面を酸素含有ガスまたは
窒素含有ガスに接触させる方法を採ることもできる。
【００３６】非磁性下地膜３、磁性膜４の形成は、スパ
ッタ法により行うことができる。非磁性下地膜３を形成
する際、配向調整膜２の影響下で成長する非磁性下地膜
３は、優れた結晶配向性を有するものとなる。非磁性下
地膜３は、ｂｃｃ構造を有し、好ましくは配向面（非磁
性下地膜３の表面における支配的な結晶面）が（２０
０）となる。非磁性下地膜３が優れた結晶配向性を有す
るものとなる結果、その上に形成される磁性膜４の結晶
配向性が向上する。磁性膜４は、ｈｃｐ構造を有し、か
つ配向面が（１１０）となる。
ッタ法により行うことができる。非磁性下地膜３を形成
する際、配向調整膜２の影響下で成長する非磁性下地膜
３は、優れた結晶配向性を有するものとなる。非磁性下
地膜３は、ｂｃｃ構造を有し、好ましくは配向面（非磁
性下地膜３の表面における支配的な結晶面）が（２０
０）となる。非磁性下地膜３が優れた結晶配向性を有す
るものとなる結果、その上に形成される磁性膜４の結晶
配向性が向上する。磁性膜４は、ｈｃｐ構造を有し、か
つ配向面が（１１０）となる。
【００３７】また保護膜５は、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法などにより形成することができる。潤滑膜６の形
成には、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系液体潤
滑剤などの潤滑剤を保護膜５上にディッピング法により
塗布する方法を採用することができる。
ッタ法などにより形成することができる。潤滑膜６の形
成には、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系液体潤
滑剤などの潤滑剤を保護膜５上にディッピング法により
塗布する方法を採用することができる。
【００３８】本実施形態の磁気記録媒体は、非金属基板
１と非磁性下地膜３との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地
膜３を（２００）に配向させる配向調整膜２が形成さ
れ、この配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向
に傾いた結晶構造を有するので、非磁性下地膜３および
磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における周
方向の磁気異方性を高めることができる。
１と非磁性下地膜３との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地
膜３を（２００）に配向させる配向調整膜２が形成さ
れ、この配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向
に傾いた結晶構造を有するので、非磁性下地膜３および
磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における周
方向の磁気異方性を高めることができる。
【００３９】一般に、熱揺らぎ耐性は、結晶磁気異方性
定数（Ｋｕ）が大きい媒体において良好となる。本実施
形態の磁気記録媒体では、円周方向の磁気異方性が高め
られることにより結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が向上す
ることから、熱揺らぎ耐性が高められると考えられる。
なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録し
たデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気記録装置に
おいては、記録したデータの再生出力の経時的な減衰と
して現れる。また再生出力ピークの半値幅を小さくし、
再生出力の分解能を向上させることができる。従って、
エラーレートの点で優れた磁気記録媒体を得ることがで
きる。また、磁気異方性を高めることによって、保磁力
を向上させ、再生出力（Ｓ）を向上させることができ
る。このため、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。さら
には、非磁性下地膜３内の結晶粒を微細化し、下地膜３
の影響下で成長する磁性膜４内の磁性粒を微細化、均一
化することができるため、ノイズ（Ｎ）の低減を図るこ
とができる。このため、磁性膜４を薄膜化することによ
って、磁性粒の過度の成長を抑制し磁性粒を微細化する
ことができ、さらなるノイズ低減が可能となる。よっ
て、いっそうのＳ／Ｎの向上が可能となる。従って、磁
気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、
Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を
図ることが可能となる。
定数（Ｋｕ）が大きい媒体において良好となる。本実施
形態の磁気記録媒体では、円周方向の磁気異方性が高め
られることにより結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が向上す
ることから、熱揺らぎ耐性が高められると考えられる。
なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録し
たデータの熱消失が起こる現象をいい、磁気記録装置に
おいては、記録したデータの再生出力の経時的な減衰と
して現れる。また再生出力ピークの半値幅を小さくし、
再生出力の分解能を向上させることができる。従って、
エラーレートの点で優れた磁気記録媒体を得ることがで
きる。また、磁気異方性を高めることによって、保磁力
を向上させ、再生出力（Ｓ）を向上させることができ
る。このため、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。さら
には、非磁性下地膜３内の結晶粒を微細化し、下地膜３
の影響下で成長する磁性膜４内の磁性粒を微細化、均一
化することができるため、ノイズ（Ｎ）の低減を図るこ
とができる。このため、磁性膜４を薄膜化することによ
って、磁性粒の過度の成長を抑制し磁性粒を微細化する
ことができ、さらなるノイズ低減が可能となる。よっ
て、いっそうのＳ／Ｎの向上が可能となる。従って、磁
気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、
Ｓ／Ｎなど）を向上させることができ、高記録密度化を
図ることが可能となる。
【００４０】また上記構成の磁気記録媒体は、製造に際
しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を向上させ
ることができるため、テクスチャ加工が不要となり、製
造が容易となり製造コスト削減が可能となる。またテク
スチャ加工に起因して、配向調整膜２の表面形状が粗く
なり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなることによるグ
ライドハイト特性の低下を防ぐことができる。
しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を向上させ
ることができるため、テクスチャ加工が不要となり、製
造が容易となり製造コスト削減が可能となる。またテク
スチャ加工に起因して、配向調整膜２の表面形状が粗く
なり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなることによるグ
ライドハイト特性の低下を防ぐことができる。
【００４１】配向調整膜２を、ｂｃｃ構造の非磁性下地
膜３を（２００）に配向させることができる材料であ
る、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとす
る場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４における結晶配
向性を向上させ、磁性膜４における磁気異方性を高める
ことができる。
膜３を（２００）に配向させることができる材料であ
る、Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属からなるものとす
る場合には、非磁性下地膜３、磁性膜４における結晶配
向性を向上させ、磁性膜４における磁気異方性を高める
ことができる。
【００４２】また上記実施形態の製造方法は、スパッタ
リングターゲット２２から成膜粒子を放出させ、非金属
基板１の表面１ａに付着させることにより配向調整膜２
を形成するにあたり、成膜粒子の軌道２６の非金属基板
１への投影線２７が非金属基板１の径方向に沿い、かつ
非金属基板１に対する入射角度αが１０〜７５°となる
ように成膜粒子の方向を設定するので、ｈｃｐ構造を有
し、（１１０）に優先配向した磁性膜４における磁気異
方性を高めることができる。従って、磁気記録媒体の磁
気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を
向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能
となる。
リングターゲット２２から成膜粒子を放出させ、非金属
基板１の表面１ａに付着させることにより配向調整膜２
を形成するにあたり、成膜粒子の軌道２６の非金属基板
１への投影線２７が非金属基板１の径方向に沿い、かつ
非金属基板１に対する入射角度αが１０〜７５°となる
ように成膜粒子の方向を設定するので、ｈｃｐ構造を有
し、（１１０）に優先配向した磁性膜４における磁気異
方性を高めることができる。従って、磁気記録媒体の磁
気特性（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を
向上させることができ、高記録密度化を図ることが可能
となる。
【００４３】また、製造に際しテクスチャ加工が不要と
なるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能とな
る。またテクスチャ加工に起因して配向調整膜２の表面
形状が粗くなり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなるこ
とによるグライドハイト特性の低下を防ぐことができ
る。
なるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能とな
る。またテクスチャ加工に起因して配向調整膜２の表面
形状が粗くなり媒体の表面平均粗さＲａが大きくなるこ
とによるグライドハイト特性の低下を防ぐことができ
る。
【００４４】また配向調整膜２の表面を酸化処理または
窒化処理することによって、非磁性下地膜３の結晶を、
より正確に（２００）に配向させ、磁性膜４の磁気異方
性をさらに高め、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐
性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることがで
き、高記録密度化を図ることが可能となる。
窒化処理することによって、非磁性下地膜３の結晶を、
より正確に（２００）に配向させ、磁性膜４の磁気異方
性をさらに高め、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐
性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることがで
き、高記録密度化を図ることが可能となる。
【００４５】また上記製造方法では、配向調整膜２を形
成するにあたって、成膜粒子の放出源としてスパッタリ
ングターゲット２２を用いるスパッタ法を採用するの
で、配向調整膜２を容易に形成することができる。
成するにあたって、成膜粒子の放出源としてスパッタリ
ングターゲット２２を用いるスパッタ法を採用するの
で、配向調整膜２を容易に形成することができる。
【００４６】また酸化処理または窒化処理を、酸素また
は窒素を含むスパッタガスを用いて配向調整膜２を形成
する方法により行うことによって、配向調整膜２の形成
と、酸化または窒素処理とを１つの工程で行うことがで
き、製造工程の簡略化が可能となる。従って、作業を容
易にするとともに製造効率の向上を図ることができる。
は窒素を含むスパッタガスを用いて配向調整膜２を形成
する方法により行うことによって、配向調整膜２の形成
と、酸化または窒素処理とを１つの工程で行うことがで
き、製造工程の簡略化が可能となる。従って、作業を容
易にするとともに製造効率の向上を図ることができる。
【００４７】また酸化処理または窒化処理を、配向調整
膜２の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触さ
せることにより行う場合には、スパッタ装置２１を用い
て非金属基板１上に配向調整膜２を形成した後、得られ
た媒体基板Ｍをこのスパッタ装置２１から搬出すること
なく、引き続きこのスパッタ装置２１内において配向調
整膜２表面の酸化または窒化処理を行うことができる。
従って、製造工程を簡略化し、作業の容易化および製造
効率向上を図ることができる。
膜２の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触さ
せることにより行う場合には、スパッタ装置２１を用い
て非金属基板１上に配向調整膜２を形成した後、得られ
た媒体基板Ｍをこのスパッタ装置２１から搬出すること
なく、引き続きこのスパッタ装置２１内において配向調
整膜２表面の酸化または窒化処理を行うことができる。
従って、製造工程を簡略化し、作業の容易化および製造
効率向上を図ることができる。
【００４８】また上記スパッタ装置２１は、成膜粒子の
放出源となるスパッタリングターゲット２２と、放出さ
れた成膜粒子の方向を定める遮蔽板２３を備えているの
で、非金属基板１に対する成膜粒子の入射方向を、正確
に定めることができる。このため、非磁性下地膜３およ
び磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における
磁気異方性を確実に高めることができる。
放出源となるスパッタリングターゲット２２と、放出さ
れた成膜粒子の方向を定める遮蔽板２３を備えているの
で、非金属基板１に対する成膜粒子の入射方向を、正確
に定めることができる。このため、非磁性下地膜３およ
び磁性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４における
磁気異方性を確実に高めることができる。
【００４９】図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体７と、磁気
記録媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録
媒体７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆
動部１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。
記録再生信号処理系１１は、入力されたデータを処理し
て記録信号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９か
らの再生信号を処理してデータを出力することができる
ようになっている。
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体７と、磁気
記録媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録
媒体７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆
動部１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。
記録再生信号処理系１１は、入力されたデータを処理し
て記録信号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９か
らの再生信号を処理してデータを出力することができる
ようになっている。
【００５０】この磁気記録再生装置にあっては、磁気記
録媒体の磁気異方性を高めることができるため、Ｓ／
Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録
密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデー
タ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
録媒体の磁気異方性を高めることができるため、Ｓ／
Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録
密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデー
タ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
【００５１】また本発明では、配向調整膜を、アモルフ
ァス構造を有するＮｉＰ合金（以下、アモルファスＮｉ
Ｐ合金という）からなるものとすることもできる。配向
調整膜をアモルファスＮｉＰ合金からなるものとした磁
気記録媒体としては、図１（ａ）に示す構造のものを例
示できる。この図を利用して本発明の磁気記録媒体の第
２の実施形態を説明する。本実施形態の磁気記録媒体で
は、配向調整膜２がアモルファスＮｉＰ合金からなるも
のとされ、そのＮｉ含有率は、５０〜９０ａｔ％とする
のが好ましい。アモルファスＮｉＰ合金からなる配向調
整膜２は、上記製造方法と同様にして形成することがで
きる。すなわち、アモルファスＮｉＰ合金からなるスパ
ッタリングターゲット２２と遮蔽板２３を有するスパッ
タ装置２１を用い、スパッタリングターゲット２２から
の成膜粒子を、入射角度αが１０〜７５°となるように
非金属基板１の表面１ａに付着させる。
ァス構造を有するＮｉＰ合金（以下、アモルファスＮｉ
Ｐ合金という）からなるものとすることもできる。配向
調整膜をアモルファスＮｉＰ合金からなるものとした磁
気記録媒体としては、図１（ａ）に示す構造のものを例
示できる。この図を利用して本発明の磁気記録媒体の第
２の実施形態を説明する。本実施形態の磁気記録媒体で
は、配向調整膜２がアモルファスＮｉＰ合金からなるも
のとされ、そのＮｉ含有率は、５０〜９０ａｔ％とする
のが好ましい。アモルファスＮｉＰ合金からなる配向調
整膜２は、上記製造方法と同様にして形成することがで
きる。すなわち、アモルファスＮｉＰ合金からなるスパ
ッタリングターゲット２２と遮蔽板２３を有するスパッ
タ装置２１を用い、スパッタリングターゲット２２から
の成膜粒子を、入射角度αが１０〜７５°となるように
非金属基板１の表面１ａに付着させる。
【００５２】配向調整膜２を形成するに際しては、上述
の方法に従って、酸素または窒素を含むスパッタガスを
用いるか、または配向調整膜２表面を酸素含有ガスまた
は窒素含有ガスに接触させることによって、配向調整膜
２に酸化処理または窒化処理を施す。これによって、配
向調整膜２の少なくとも表面が結晶化する可能性があ
る。この磁気記録媒体は、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方
向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大き
くなる（好ましくは１．１以上、さらに好ましくは１．
２以上となる）。
の方法に従って、酸素または窒素を含むスパッタガスを
用いるか、または配向調整膜２表面を酸素含有ガスまた
は窒素含有ガスに接触させることによって、配向調整膜
２に酸化処理または窒化処理を施す。これによって、配
向調整膜２の少なくとも表面が結晶化する可能性があ
る。この磁気記録媒体は、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方
向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大き
くなる（好ましくは１．１以上、さらに好ましくは１．
２以上となる）。
【００５３】この磁気記録媒体は、配向調整膜２がアモ
ルファスＮｉＰ合金からなるものであり、周方向の保磁
力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくされているので、上記第１の実施形態
の磁気記録媒体と同様に、非磁性下地膜３および磁性膜
４の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高めることが
できる。従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐
性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることがで
き、高記録密度化を図ることが可能となる。また製造に
際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高める
ことができるため、製造が容易となり製造コスト削減が
可能となる。
ルファスＮｉＰ合金からなるものであり、周方向の保磁
力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒ
が、１より大きくされているので、上記第１の実施形態
の磁気記録媒体と同様に、非磁性下地膜３および磁性膜
４の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高めることが
できる。従って、磁気記録媒体の磁気特性（熱揺らぎ耐
性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上させることがで
き、高記録密度化を図ることが可能となる。また製造に
際しテクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高める
ことができるため、製造が容易となり製造コスト削減が
可能となる。
【００５４】また、図５に示すように、本発明の磁気記
録媒体では、非金属基板１と配向調整膜２との間に、ス
パッタ法などによって配向性向上膜１２を設けることも
できる。配向性向上膜１２は、配向調整膜２の配向性を
調整するとともに、配向調整膜２の基板側からの剥離を
防ぐためのもので、材料としては、例えばＣｒ、Ｍｏ、
Ｎｂ、Ｖ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉのうち１種以上を主成
分とする合金を使用することができ、なかでも特に、Ｃ
ｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＶ系、ＣｒＷ系などの合金
や、Ｃｒの使用が好適である。またＢ２構造またはアモ
ルファス構造を有する材料を用いることもできる。Ｂ２
構造を有する材料としては、Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０
ａｔ％Ａｌ）、Ｃｏ５０Ａｌ（Ｃｏ−５０ａｔ％Ａ
ｌ）、Ｆｅ５０Ａｌ（Ｆｅ−５０ａｔ％Ａｌ）等を挙げ
ることができる。アモルファス構造を有する材料として
は、ＣｕＺｒ系、ＴｉＣｕ系、ＮｂＮｉ系、ＮｉＰ系な
どの合金を用いることができる。
録媒体では、非金属基板１と配向調整膜２との間に、ス
パッタ法などによって配向性向上膜１２を設けることも
できる。配向性向上膜１２は、配向調整膜２の配向性を
調整するとともに、配向調整膜２の基板側からの剥離を
防ぐためのもので、材料としては、例えばＣｒ、Ｍｏ、
Ｎｂ、Ｖ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉのうち１種以上を主成
分とする合金を使用することができ、なかでも特に、Ｃ
ｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＶ系、ＣｒＷ系などの合金
や、Ｃｒの使用が好適である。またＢ２構造またはアモ
ルファス構造を有する材料を用いることもできる。Ｂ２
構造を有する材料としては、Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０
ａｔ％Ａｌ）、Ｃｏ５０Ａｌ（Ｃｏ−５０ａｔ％Ａ
ｌ）、Ｆｅ５０Ａｌ（Ｆｅ−５０ａｔ％Ａｌ）等を挙げ
ることができる。アモルファス構造を有する材料として
は、ＣｕＺｒ系、ＴｉＣｕ系、ＮｂＮｉ系、ＮｉＰ系な
どの合金を用いることができる。
【００５５】配向性向上膜１２の材料の好ましい具体例
としては、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、
ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成
分とするものを挙げることができる。配向性向上膜１２
の膜厚は、２００ｎｍ以下、例えば５〜２００ｎｍとす
るのが好ましい。２００ｎｍを越えると磁性膜４の磁気
異方性を高める効果が低下する。
としては、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、
ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成
分とするものを挙げることができる。配向性向上膜１２
の膜厚は、２００ｎｍ以下、例えば５〜２００ｎｍとす
るのが好ましい。２００ｎｍを越えると磁性膜４の磁気
異方性を高める効果が低下する。
【００５６】ここに示す例の磁気記録媒体では、配向性
向上膜１２を設けることによって、配向調整膜２の初期
成長時の配向性の乱れを防ぎ、非磁性下地膜３および磁
性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４の磁気異方性
をさらに高めることができる。また非金属基板１から配
向調整膜２が剥離するのを防ぐことができる。
向上膜１２を設けることによって、配向調整膜２の初期
成長時の配向性の乱れを防ぎ、非磁性下地膜３および磁
性膜４の結晶配向性を向上させ、磁性膜４の磁気異方性
をさらに高めることができる。また非金属基板１から配
向調整膜２が剥離するのを防ぐことができる。
【００５７】また本発明では、図６に示すように、配向
調整膜を複数設けることもできる。ここに示す磁気記録
媒体は、第１および第２の配向調整膜２ｃ、２ｄを備え
ている。これら配向調整膜２ｃ、２ｄに用いる材料やこ
れらの厚さは、図１に示す磁気記録媒体の配向調整膜２
と同様とすることができる。なお配向調整膜の数は３以
上とすることもできる。
調整膜を複数設けることもできる。ここに示す磁気記録
媒体は、第１および第２の配向調整膜２ｃ、２ｄを備え
ている。これら配向調整膜２ｃ、２ｄに用いる材料やこ
れらの厚さは、図１に示す磁気記録媒体の配向調整膜２
と同様とすることができる。なお配向調整膜の数は３以
上とすることもできる。
【００５８】また、本発明では、図７に示すように、非
磁性下地膜３と磁性膜４との間に、ＣｏＣｒなどからな
る非磁性中間膜１３を設けることもできる。非磁性中間
膜１３を設けることによって、磁性膜４の初期成長の乱
れを抑制し、磁性膜４の配向性を向上させ、優れた磁気
特性を得ることができる。
磁性下地膜３と磁性膜４との間に、ＣｏＣｒなどからな
る非磁性中間膜１３を設けることもできる。非磁性中間
膜１３を設けることによって、磁性膜４の初期成長の乱
れを抑制し、磁性膜４の配向性を向上させ、優れた磁気
特性を得ることができる。
【００５９】図８は、本発明の磁気記録媒体の製造装置
の他の実施形態を示すもので、ここに示すスパッタ装置
３１は、成膜粒子の放出源であるスパッタリングターゲ
ット３２が環状に形成され、遮蔽板３３が、環状の外側
遮蔽板３３ａと外側遮蔽板３３ａの開口部内に配設され
た円板状の内側遮蔽板３３ｂとから構成されている点で
図２に示すスパッタ装置２１と異なる。
の他の実施形態を示すもので、ここに示すスパッタ装置
３１は、成膜粒子の放出源であるスパッタリングターゲ
ット３２が環状に形成され、遮蔽板３３が、環状の外側
遮蔽板３３ａと外側遮蔽板３３ａの開口部内に配設され
た円板状の内側遮蔽板３３ｂとから構成されている点で
図２に示すスパッタ装置２１と異なる。
【００６０】遮蔽板３３は、内側遮蔽板３３ｂの外径が
外側遮蔽板３３ａの内径よりも小さくなるように形成さ
れ、外側遮蔽板３３ａの内周縁と内側遮蔽板３３ｂの外
周縁との間に、成膜粒子が通過する成膜粒子通過スリッ
ト３４が形成されている。外側遮蔽板３３ａの内径と内
側遮蔽板３３ｂの外径は、放出された成膜粒子が、非金
属基板１に付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対す
る入射角度α’が１０〜７５°となるように設定されて
いる。
外側遮蔽板３３ａの内径よりも小さくなるように形成さ
れ、外側遮蔽板３３ａの内周縁と内側遮蔽板３３ｂの外
周縁との間に、成膜粒子が通過する成膜粒子通過スリッ
ト３４が形成されている。外側遮蔽板３３ａの内径と内
側遮蔽板３３ｂの外径は、放出された成膜粒子が、非金
属基板１に付着する際の成膜粒子の非金属基板１に対す
る入射角度α’が１０〜７５°となるように設定されて
いる。
【００６１】このスパッタ装置３１を用いて配向調整膜
２を形成する際には、スパッタリングターゲット３２か
ら放出されて成膜粒子通過スリット３４を通過した成膜
粒子が、非金属基板１に対する入射角度α’が１０〜７
５°となるように非金属基板１の表面１ａに付着する。
２を形成する際には、スパッタリングターゲット３２か
ら放出されて成膜粒子通過スリット３４を通過した成膜
粒子が、非金属基板１に対する入射角度α’が１０〜７
５°となるように非金属基板１の表面１ａに付着する。
【００６２】また本発明では、非磁性下地膜３、磁性膜
４を形成する際においても、スパッタ装置２１、３１を
用いて、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基
板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が
１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定するこ
ともできる。この方法によれば、磁性膜４の磁気異方性
をさらに高めることができる。
４を形成する際においても、スパッタ装置２１、３１を
用いて、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が非金属基
板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度が
１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定するこ
ともできる。この方法によれば、磁性膜４の磁気異方性
をさらに高めることができる。
【００６３】また本発明では、配向調整膜を形成する方
法として、スパッタ法のほかに、真空蒸着法、ガス中ス
パッタ法、ガスフロースパッタ法、イオンビーム法など
の物理蒸着法を用いることができる。
法として、スパッタ法のほかに、真空蒸着法、ガス中ス
パッタ法、ガスフロースパッタ法、イオンビーム法など
の物理蒸着法を用いることができる。
【００６４】
【実施例】以下、具体例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。 （試験例１）配向調整膜２を備えていないこと以外は図
１（ａ）に示すものと同様の磁気記録媒体を以下のよう
にして作製した。ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネ
ルバ社製３０１０）を用いたスパッタ法によって、非金
属基板１（アモルファスガラス、直径６５ｍｍ、厚さ
０．６３５ｍｍ）上に、ＣｒＭｏ合金からなる非磁性下
地膜３（厚さ３０ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金からな
る磁性膜４（厚さ２５ｎｍ）、カーボンからなる保護膜
５（厚さ１０ｎｍ）を形成した。次いで、ディッピング
法によりパーフルオロエーテルからなる潤滑膜６を形成
した。成膜の際には、スパッタ装置のチャンバ内を真空
到達度２×１０-7Ｐａとなるまで減圧した。また非金属
基板１は２００℃に加熱した。スパッタガスとしてはア
ルゴンを用いた。
る。 （試験例１）配向調整膜２を備えていないこと以外は図
１（ａ）に示すものと同様の磁気記録媒体を以下のよう
にして作製した。ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネ
ルバ社製３０１０）を用いたスパッタ法によって、非金
属基板１（アモルファスガラス、直径６５ｍｍ、厚さ
０．６３５ｍｍ）上に、ＣｒＭｏ合金からなる非磁性下
地膜３（厚さ３０ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金からな
る磁性膜４（厚さ２５ｎｍ）、カーボンからなる保護膜
５（厚さ１０ｎｍ）を形成した。次いで、ディッピング
法によりパーフルオロエーテルからなる潤滑膜６を形成
した。成膜の際には、スパッタ装置のチャンバ内を真空
到達度２×１０-7Ｐａとなるまで減圧した。また非金属
基板１は２００℃に加熱した。スパッタガスとしてはア
ルゴンを用いた。
【００６５】得られた磁気記録媒体の静磁気特性を、振
動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。ま
た周方向の保磁力Ｈｃｃと半径方向の保磁力Ｈｃｒの比
（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を測定し磁気異方性の指標とし、表
１中に磁気異方性として示した。また電磁変換特性を、
ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３
２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定
した。電磁変換特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗
（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用
い、記録条件を線記録密度３５０ｋＦＣＩとして測定を
行った。熱揺らぎ耐性（熱減磁）については、スピンス
タンドＳ１７０１ＭＰを用い、７０℃において記録密度
４０ｋＦＣＩでの出力減少を測定した。また表中、ＰＷ
５０とは出力ピークの半値幅を示し、Ｓ／Ｎは記録再生
出力とノイズの比を示す。試験結果を表１に示す。
動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。ま
た周方向の保磁力Ｈｃｃと半径方向の保磁力Ｈｃｒの比
（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を測定し磁気異方性の指標とし、表
１中に磁気異方性として示した。また電磁変換特性を、
ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３
２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定
した。電磁変換特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗
（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用
い、記録条件を線記録密度３５０ｋＦＣＩとして測定を
行った。熱揺らぎ耐性（熱減磁）については、スピンス
タンドＳ１７０１ＭＰを用い、７０℃において記録密度
４０ｋＦＣＩでの出力減少を測定した。また表中、ＰＷ
５０とは出力ピークの半値幅を示し、Ｓ／Ｎは記録再生
出力とノイズの比を示す。試験結果を表１に示す。
【００６６】（試験例２〜１７）図１に示す磁気記録媒
体を以下のようにして作製した。スパッタ装置２１を用
いて、非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この
際、成膜粒子の軌道２６の非金属基板１への投影線２７
が非金属基板１の径方向に沿い、かつ非金属基板１に対
する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方
向を設定した。配向調整膜２を形成する際には、窒素と
アルゴンの混合ガス（窒素含有率２０ｖｏｌ％）をスパ
ッタガスとして用いた。そのほかの条件は試験例１に準
じた。得られた磁気記録媒体断面をＴＥＭにより観察し
た結果、配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向
に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなったこ
とが明らかになった。試験結果を表１に併せて示す。
体を以下のようにして作製した。スパッタ装置２１を用
いて、非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この
際、成膜粒子の軌道２６の非金属基板１への投影線２７
が非金属基板１の径方向に沿い、かつ非金属基板１に対
する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方
向を設定した。配向調整膜２を形成する際には、窒素と
アルゴンの混合ガス（窒素含有率２０ｖｏｌ％）をスパ
ッタガスとして用いた。そのほかの条件は試験例１に準
じた。得られた磁気記録媒体断面をＴＥＭにより観察し
た結果、配向調整膜２が、柱状微結晶粒２ａが半径方向
に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなったこ
とが明らかになった。試験結果を表１に併せて示す。
【００６７】（試験例１８〜１９）配向調整膜２を形成
する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角度を
限定しないこと以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録
媒体を作製した。試験結果を表２に示す。
する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角度を
限定しないこと以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録
媒体を作製した。試験結果を表２に示す。
【００６８】（試験例２０〜３０）配向調整膜２を形成
する際に、スパッタガスとして、窒素を表３に示す含有
率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いるこ
と以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製し
た。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１
０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。試験
例２６における配向調整膜２の窒素含有率をオージェ電
子分光法で測定したところ、１０ａｔ％であった。試験
結果を表３に示す。
する際に、スパッタガスとして、窒素を表３に示す含有
率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いるこ
と以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製し
た。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１
０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。試験
例２６における配向調整膜２の窒素含有率をオージェ電
子分光法で測定したところ、１０ａｔ％であった。試験
結果を表３に示す。
【００６９】（試験例３１〜３９）配向調整膜２の材料
として表４に示すものを用いること以外は試験例２〜１
７に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調整膜２は、
柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶
構造を有するものとなった。試験結果を表４に示す。
として表４に示すものを用いること以外は試験例２〜１
７に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調整膜２は、
柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶
構造を有するものとなった。試験結果を表４に示す。
【００７０】（試験例４０〜４８）配向調整膜２を形成
する際に、スパッタガスとして、酸素を表５に示す含有
率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いるこ
と以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製し
た。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１
０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。試験
例４１における配向調整膜２の酸素含有率をオージェ電
子分光法で測定したところ、４ａｔ％であった。試験結
果を表５に示す。
する際に、スパッタガスとして、酸素を表５に示す含有
率となるようにアルゴンに添加した混合ガスを用いるこ
と以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製し
た。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１
０〜７５°傾いた結晶構造を有するものとなった。試験
例４１における配向調整膜２の酸素含有率をオージェ電
子分光法で測定したところ、４ａｔ％であった。試験結
果を表５に示す。
【００７１】（試験例４９）配向調整膜２を形成する際
に用いるスパッタガスとしてアルゴンを用いること以外
は試験例３４に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調
整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°
傾いた結晶構造を有するものとなった。試験結果を表６
に示す。
に用いるスパッタガスとしてアルゴンを用いること以外
は試験例３４に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調
整膜２は、柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°
傾いた結晶構造を有するものとなった。試験結果を表６
に示す。
【００７２】（試験例５０〜６９）配向調整膜２を形成
した後、配向調整膜２を表６に示す曝露ガスに曝すこと
以外は試験例４９に準じて磁気記録媒体を作製した（試
験例５２、５５、５７、５９、６２、６５、６８では曝
露を行わなかった）。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２
ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するも
のとなった。試験結果を表６に示す。
した後、配向調整膜２を表６に示す曝露ガスに曝すこと
以外は試験例４９に準じて磁気記録媒体を作製した（試
験例５２、５５、５７、５９、６２、６５、６８では曝
露を行わなかった）。配向調整膜２は、柱状微結晶粒２
ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するも
のとなった。試験結果を表６に示す。
【００７３】（試験例７０〜９０）配向調整膜２を形成
するに先だって、非金属基板１と配向調整膜２との間に
配向性向上膜１２を形成すること以外は試験例２〜１７
に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調整膜２は、柱
状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構
造を有するものとなった。試験結果を表７に示す。
するに先だって、非金属基板１と配向調整膜２との間に
配向性向上膜１２を形成すること以外は試験例２〜１７
に準じて磁気記録媒体を作製した。配向調整膜２は、柱
状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構
造を有するものとなった。試験結果を表７に示す。
【００７４】（試験例９１〜１１５）配向調整膜２およ
び非磁性下地膜３の材料として表８に示すものを用いる
こと以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製
した。試験例９４、９７、１０２、１０８、１１１、１
１５については、配向調整膜２を形成する際に、表８に
示す含有率となるように窒素をアルゴンに添加した混合
ガスをスパッタガスとして用いた。他の試験例では、ス
パッタガスとしてアルゴンを用いた。配向調整膜２は、
柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶
構造を有するものとなった。試験結果を表８に示す。
び非磁性下地膜３の材料として表８に示すものを用いる
こと以外は試験例２〜１７に準じて磁気記録媒体を作製
した。試験例９４、９７、１０２、１０８、１１１、１
１５については、配向調整膜２を形成する際に、表８に
示す含有率となるように窒素をアルゴンに添加した混合
ガスをスパッタガスとして用いた。他の試験例では、ス
パッタガスとしてアルゴンを用いた。配向調整膜２は、
柱状微結晶粒２ａが半径方向に１０〜７５°傾いた結晶
構造を有するものとなった。試験結果を表８に示す。
【００７５】（試験例１１６〜１２７）配向調整膜２お
よび非磁性下地膜３の材料として表９に示すものを用
い、かつ曝露ガスとして表９に示すものを用いること以
外は試験例４９〜６９に準じて磁気記録媒体を作製し
た。表中、角度限定無しとしたものは、配向調整膜２を
形成する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角
度を限定しない製造方法を採った。試験結果を表９に示
す。
よび非磁性下地膜３の材料として表９に示すものを用
い、かつ曝露ガスとして表９に示すものを用いること以
外は試験例４９〜６９に準じて磁気記録媒体を作製し
た。表中、角度限定無しとしたものは、配向調整膜２を
形成する際に、遮蔽板２３を用いず、成膜粒子の入射角
度を限定しない製造方法を採った。試験結果を表９に示
す。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
【００８０】
【表５】
【００８１】
【表６】
【００８２】
【表７】
【００８３】
【表８】
【００８４】
【表９】
【００８５】表１より、配向調整膜２を設けることによ
って、非磁性下地膜３および磁性膜４がそれぞれｂｃｃ
構造、ｈｃｐ構造を有するものとなり、非磁性下地膜３
および磁性膜４の配向面がそれぞれ（２００）、（１１
０）となったことがわかる。また磁気異方性が高く、磁
気特性を向上させることができたことがわかる。また試
験例７〜９の比較、試験例１１〜１３の比較により、配
向調整膜２を構成する材料としてＣｒＸを用い、このＸ
の含有率を５０ａｔ％未満とすることによって、磁気特
性向上効果を高めることができたことがわかる。表２よ
り、成膜粒子の入射角度を限定し、柱状微結晶粒２ａが
半径方向に傾いた結晶構造を有する配向調整膜２を形成
することによって、優れた磁気特性向上効果を得ること
ができたことがわかる。表３より、スパッタガスとして
窒素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を窒化処
理する方法によれば、窒化処理を行わない方法に比べ、
磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができた
ことがわかる。表４より、配向調整膜２の材料として、
表に示す単体金属を用いた場合でも優れた磁気異方性が
得られたことがわかる。表５より、スパッタガスとして
酸素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を酸化処
理する方法によれば、酸化処理を行わない方法に比べ、
磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができた
ことがわかる。表６より、配向調整膜２形成後に、配向
調整膜２表面を酸化または窒化処理する方法によれば、
この処理を行わない方法に比べ、磁気異方性を同等また
はそれ以上に高めることができたことがわかる。また配
向調整膜２に、ＣｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＮｉＮｂ、ＮｉＴ
ａを用いた場合には、優れた静磁気特性が得られたこと
がわかる。表７より、配向性向上膜１２を形成した場合
には、これを形成しない場合に比べ、磁気異方性を同等
またはそれ以上に高めることができたことがわかる。さ
らに、配向性向上膜１２をＢ２構造を有する材料、また
はアモルファス構造を有する材料で形成することによ
り、磁気異方性を高めることができたことがわかる。表
８より、配向調整膜２の材料として、Ｆｄ３ｍ構造を有
するＣｒＸ系合金を用いることにより、これ以外の結晶
構造を有する材料を用いた場合に比べ、磁気異方性を同
等以上に高めることができたことがわかる。また配向調
整膜２に、ＣｏＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂを用いた場合
には、優れた静磁気特性が得られたことがわかる。また
試験例９９〜１１５に示すように、配向調整膜２として
ＣｒＸ系合金以外の非磁性金属材料でＦｄ３ｍ構造を有
する材料を用いた場合にも優れた磁気異方性が得られた
ことがわかる。表９より、配向調整膜２にＮｉＰ合金を
用いた場合においても、優れた磁気異方性が得られたこ
とがわかる。また試験例１１８と試験例１１９の比較、
試験例１２６と試験例１２７の比較により、配向調整膜
２に酸化処理または窒化処理を行うことによって、優れ
た磁気特性を得ることができたことがわかる。
って、非磁性下地膜３および磁性膜４がそれぞれｂｃｃ
構造、ｈｃｐ構造を有するものとなり、非磁性下地膜３
および磁性膜４の配向面がそれぞれ（２００）、（１１
０）となったことがわかる。また磁気異方性が高く、磁
気特性を向上させることができたことがわかる。また試
験例７〜９の比較、試験例１１〜１３の比較により、配
向調整膜２を構成する材料としてＣｒＸを用い、このＸ
の含有率を５０ａｔ％未満とすることによって、磁気特
性向上効果を高めることができたことがわかる。表２よ
り、成膜粒子の入射角度を限定し、柱状微結晶粒２ａが
半径方向に傾いた結晶構造を有する配向調整膜２を形成
することによって、優れた磁気特性向上効果を得ること
ができたことがわかる。表３より、スパッタガスとして
窒素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を窒化処
理する方法によれば、窒化処理を行わない方法に比べ、
磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができた
ことがわかる。表４より、配向調整膜２の材料として、
表に示す単体金属を用いた場合でも優れた磁気異方性が
得られたことがわかる。表５より、スパッタガスとして
酸素を含有するものを用いて配向調整膜２表面を酸化処
理する方法によれば、酸化処理を行わない方法に比べ、
磁気異方性を同等またはそれ以上に高めることができた
ことがわかる。表６より、配向調整膜２形成後に、配向
調整膜２表面を酸化または窒化処理する方法によれば、
この処理を行わない方法に比べ、磁気異方性を同等また
はそれ以上に高めることができたことがわかる。また配
向調整膜２に、ＣｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＮｉＮｂ、ＮｉＴ
ａを用いた場合には、優れた静磁気特性が得られたこと
がわかる。表７より、配向性向上膜１２を形成した場合
には、これを形成しない場合に比べ、磁気異方性を同等
またはそれ以上に高めることができたことがわかる。さ
らに、配向性向上膜１２をＢ２構造を有する材料、また
はアモルファス構造を有する材料で形成することによ
り、磁気異方性を高めることができたことがわかる。表
８より、配向調整膜２の材料として、Ｆｄ３ｍ構造を有
するＣｒＸ系合金を用いることにより、これ以外の結晶
構造を有する材料を用いた場合に比べ、磁気異方性を同
等以上に高めることができたことがわかる。また配向調
整膜２に、ＣｏＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂを用いた場合
には、優れた静磁気特性が得られたことがわかる。また
試験例９９〜１１５に示すように、配向調整膜２として
ＣｒＸ系合金以外の非磁性金属材料でＦｄ３ｍ構造を有
する材料を用いた場合にも優れた磁気異方性が得られた
ことがわかる。表９より、配向調整膜２にＮｉＰ合金を
用いた場合においても、優れた磁気異方性が得られたこ
とがわかる。また試験例１１８と試験例１１９の比較、
試験例１２６と試験例１２７の比較により、配向調整膜
２に酸化処理または窒化処理を行うことによって、優れ
た磁気特性を得ることができたことがわかる。
【００８６】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、非金属基板と
非磁性下地膜との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を
（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成さ
れ、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾い
た結晶構造を有するので、非磁性下地膜および磁性膜の
結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高
めることができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性
（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上さ
せることができ、高記録密度化を図ることが可能とな
る。また製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気
異方性を高めることができるため、製造が容易となり製
造コスト削減が可能となる。
非磁性下地膜との間に、ｂｃｃ構造の非磁性下地膜を
（２００）に優先的に配向させる配向調整膜が形成さ
れ、この配向調整膜が、柱状微結晶粒が半径方向に傾い
た結晶構造を有するので、非磁性下地膜および磁性膜の
結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高
めることができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性
（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上さ
せることができ、高記録密度化を図ることが可能とな
る。また製造に際しテクスチャ加工を行うことなく磁気
異方性を高めることができるため、製造が容易となり製
造コスト削減が可能となる。
【００８７】また配向調整膜が、アモルファスＮｉＰ合
金からなるものであり、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向
の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きく
された構成を採用することによって、非磁性下地膜およ
び磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高める
ことができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性を向上
させ、高記録密度化を図ることできる。また製造に際し
テクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高めること
ができるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能
となる。
金からなるものであり、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向
の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きく
された構成を採用することによって、非磁性下地膜およ
び磁性膜の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高める
ことができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性を向上
させ、高記録密度化を図ることできる。また製造に際し
テクスチャ加工を行うことなく磁気異方性を高めること
ができるため、製造が容易となり製造コスト削減が可能
となる。
【００８８】また本発明の磁気記録媒体の製造方法にあ
っては、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を
放出源から放出させて被付着面に付着させることにより
配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道の被付着面
への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基
板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒
子の方向を設定するので、非磁性下地膜および磁性膜の
結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高
めることができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性
（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上さ
せることができ、高記録密度化を図ることが可能とな
る。また製造に際しテクスチャ加工が不要となるため、
製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
っては、配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を
放出源から放出させて被付着面に付着させることにより
配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道の被付着面
への投影線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基
板に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒
子の方向を設定するので、非磁性下地膜および磁性膜の
結晶配向性を向上させ、磁性膜における磁気異方性を高
めることができる。従って、磁気記録媒体の磁気特性
（熱揺らぎ耐性、エラーレート、Ｓ／Ｎなど）を向上さ
せることができ、高記録密度化を図ることが可能とな
る。また製造に際しテクスチャ加工が不要となるため、
製造が容易となり製造コスト削減が可能となる。
【００８９】本発明の製造装置にあっては、成膜粒子を
放出する放出源と、放出された成膜粒子の方向を定める
方向設定手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子
軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿
い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°と
なるように成膜粒子の方向を設定することができるよう
にされているので、非金属基板に対する成膜粒子の入射
方向を正確に定めることができる。このため、得られる
磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができ、Ｓ／
Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録
密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデー
タ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
放出する放出源と、放出された成膜粒子の方向を定める
方向設定手段とを備え、この方向設定手段が、成膜粒子
軌道の被付着面への投影線が非金属基板の径方向に沿
い、かつ非金属基板に対する入射角度が１０〜７５°と
なるように成膜粒子の方向を設定することができるよう
にされているので、非金属基板に対する成膜粒子の入射
方向を正確に定めることができる。このため、得られる
磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができ、Ｓ／
Ｎ、エラーレートの向上が可能となることから、高記録
密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起因するデー
タ消失などのトラブルを未然に防ぐことができる。
【００９０】また本発明の磁気記録再生装置にあって
は、磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができるた
め、Ｓ／Ｎ、エラーレートの向上が可能となることか
ら、高記録密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起
因するデータ消失などのトラブルを未然に防ぐことがで
きる。
は、磁気記録媒体の磁気異方性を高めることができるた
め、Ｓ／Ｎ、エラーレートの向上が可能となることか
ら、高記録密度化が可能となる。また熱揺らぎ現象に起
因するデータ消失などのトラブルを未然に防ぐことがで
きる。
【図１】 （ａ）本発明の磁気記録媒体の一実施形態
を示す一部断面図である。（ｂ）（ａ）に示す磁気記録
媒体の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づい
て作成した要部拡大図である。
を示す一部断面図である。（ｂ）（ａ）に示す磁気記録
媒体の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づい
て作成した要部拡大図である。
【図２】 本発明の磁気記録媒体の製造装置の一実施
形態を示す概略構成図である。
形態を示す概略構成図である。
【図３】 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施
形態を説明する説明図である。
形態を説明する説明図である。
【図４】 本発明の磁気記録再生装置の一実施形態を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図５】 本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示
す一部断面図である。
す一部断面図である。
【図６】 本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形
態を示す一部断面図である。
態を示す一部断面図である。
【図７】 本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形
態を示す一部断面図である。
態を示す一部断面図である。
【図８】 本発明の磁気記録媒体の製造装置の他の実
施形態を示す概略構成図である。
施形態を示す概略構成図である。
１・・・非金属基板、１ａ・・・非金属基板表面（被付着
面）、２・・・配向調整膜、２ａ・・・柱状微結晶粒、３・・・
非磁性下地膜、４・・・磁性膜、７・・・磁気記録媒体、９・・
・磁気ヘッド、２２・・・スパッタリングターゲット、２３
・・・遮蔽板（方向設定手段）、２６・・・成膜粒子の軌道、
２７・・・投影線、α、α'・・・入射角度、α１・・・柱状微結
晶粒の傾斜角度
面）、２・・・配向調整膜、２ａ・・・柱状微結晶粒、３・・・
非磁性下地膜、４・・・磁性膜、７・・・磁気記録媒体、９・・
・磁気ヘッド、２２・・・スパッタリングターゲット、２３
・・・遮蔽板（方向設定手段）、２６・・・成膜粒子の軌道、
２７・・・投影線、α、α'・・・入射角度、α１・・・柱状微結
晶粒の傾斜角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16 10/30 10/30 41/14 41/14 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB07 CA01 CA04 CA05 CA06 5D112 AA03 AA05 AA11 BB05 BB06 BD03 BD04 BD07 FA04 5E049 AA04 BA06 CB02 GC01
Claims (21)
- 【請求項１】 非金属基板（１）と、その上に形成さ
れた非磁性下地膜（３）、磁性膜（４）および保護膜
（５）を基本構成とする磁気記録媒体において、 磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的
に配向しており、 非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、 非金属基板と非磁性下地膜との間に、非磁性下地膜を
（２００）に優先的に配向させる配向調整膜（２）が形
成され、 この配向調整膜が、柱状微結晶粒（２ａ）が半径方向に
傾いた結晶構造を有し、 周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈ
ｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいことを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 非磁性下地膜は、ｂｃｃ構造を有し、
かつ配向面が（２００）であることを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 配向調整膜は、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上からなるもので
あることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 配向調整膜は、Ｃｒを主成分とする合
金からなるものであることを特徴とする請求項２記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 配向調整膜は、ＣｏＴａまたはＣｏＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはア
モルファス構造を有することを特徴とする請求項２項記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 配向調整膜は、ＣｒＴａまたはＣｒＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が１５〜７５ａｔ％であることを特徴とする請求項２記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 配向調整膜は、ＮｉＴａまたはＮｉＮ
ｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量
が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造またはア
モルファス構造を有することを特徴とする請求項２記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 配向調整膜は、Ｆｄ３ｍ構造を有する
非磁性金属からなるものであることを特徴とする請求項
２項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 配向調整膜は、Ｃ１５構造を有する非
磁性金属からなるものであることを特徴とする請求項２
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 非金属基板と配向調整膜との間に、
配向性向上膜（１２）が形成されていることを特徴とす
る請求項２項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 配向性向上膜は、Ｂ２構造またはア
モルファス構造を有する材料からなるものであることを
特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 配向性向上膜は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡ
ｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣ
ｒＣのうちいずれかを主成分とするものであることを特
徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 非金属基板と、その上に形成された
非磁性下地膜、磁性膜および保護膜を基本構成とする磁
気記録媒体において、 非金属基板と非磁性下地膜との間に、直上の膜の結晶配
向性を調整する配向調整膜が形成され、 磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的
に配向しており、 非磁性下地膜が、ｂｃｃ構造を有し、 配向調整膜が、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなる
ものであり、かつ非磁性下地膜を（２００）に優先的に
配向させることができるようにされ、 周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈ
ｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きいことを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項１４】 配向調整膜は、窒素または酸素を１
ａｔ％以上含むことを特徴とする請求項２記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項１５】 請求項２記載の磁気記録媒体を製造
する方法であって、 配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出源
（２２）から放出させて被付着面（１ａ）に付着させる
ことにより配向調整膜を形成し、この際、成膜粒子軌道
（２６）の被付着面への投影線（２７）が非金属基板の
径方向に沿い、かつ非金属基板に対する入射角度（α）
が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を設定する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 配向調整膜に、酸化処理または窒化
処理を施すことを特徴とする請求項１５記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 配向調整膜を形成するにあたって、
成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲット（２
２）を用いるスパッタ法を採用することを特徴とする請
求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 配向調整膜を形成するに際し、スパ
ッタ法を採用し、酸素または窒素を含むスパッタガスを
用いることによって酸化処理または窒化処理を行うこと
を特徴とする請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１９】 酸化処理または窒化処理を、配向調
整膜の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触さ
せることにより行うことを特徴とする請求項１６記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項２記載の磁気記録媒体を製造
する装置であって、 配向調整膜を構成する材料からなる成膜粒子を放出し被
付着面に付着させることにより配向調整膜を形成する放
出源と、この放出源から放出された成膜粒子の方向を定
める方向設定手段（２３）とを備え、 この方向設定手段は、成膜粒子軌道の被付着面への投影
線が非金属基板の径方向に沿い、かつ非金属基板に対す
る入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向
を設定することができるようにされていることを特徴と
する磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項２１】 請求項２記載の磁気記録媒体（７）
と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッド
（９）とを備えていることを特徴とする磁気記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001260383A JP3732769B2 (ja) | 2000-08-29 | 2001-08-29 | 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259871 | 2000-08-29 | ||
| JP2000-259871 | 2000-11-01 | ||
| JP2000335021 | 2000-11-01 | ||
| JP2000-335021 | 2000-11-01 | ||
| JP2001260383A JP3732769B2 (ja) | 2000-08-29 | 2001-08-29 | 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203312A true JP2002203312A (ja) | 2002-07-19 |
| JP3732769B2 JP3732769B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=27344459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001260383A Expired - Fee Related JP3732769B2 (ja) | 2000-08-29 | 2001-08-29 | 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3732769B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051630A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 多結晶構造膜および磁気記録媒体並びに磁気記憶装置 |
| JP2004206802A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 多結晶構造膜 |
| US7083872B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium having good in-plane orientation |
| US7482069B2 (en) | 2002-12-02 | 2009-01-27 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure film having inclined lattice surfaces |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001260383A patent/JP3732769B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051630A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 多結晶構造膜および磁気記録媒体並びに磁気記憶装置 |
| US7482069B2 (en) | 2002-12-02 | 2009-01-27 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure film having inclined lattice surfaces |
| JP2004206802A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 多結晶構造膜 |
| US7083872B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium having good in-plane orientation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3732769B2 (ja) | 2006-01-11 |
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