JP2004206802A

JP2004206802A - 多結晶構造膜

Info

Publication number: JP2004206802A
Application number: JP2002375165A
Authority: JP
Inventors: Akita Inomata; 明大猪又; Abara Noel; アバラノエル
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-12-25
Filing date: 2002-12-25
Publication date: 2004-07-22

Abstract

【課題】これまで以上に斜め成長結晶粒上で所定の結晶面を面内方向に優先配向させることができる多結晶構造膜を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶構造膜３２は、シード層３５と多層結晶層３６とを備える。シード層３５は、基板３１の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒から構成される。斜め成長結晶粒ではＢ２構造は確立される。同時に、斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向される。斜め成長結晶粒は例えばＡｌＲｕ合金から構成される。こうした斜め成長結晶粒によれば、多層結晶層３６ではエピタキシャル成長に基づき結晶粒の結晶面は特定の方向に十分に揃えられることができる。
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク（ＨＤ）といった磁気記録媒体に使用されることができる多結晶構造膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクの分野では、例えば平滑なガラス基板上に、基板の表面に直交する法線から傾斜する斜め成長結晶粒を形成する方法は広く知られる（例えば、特許文献１参照）。こうした斜め成長結晶粒の表面には、下地層や記録磁性層は積層形成される。記録磁性層では斜め成長結晶粒の働きでいわゆる周方向の磁気異方性は高められる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２０３３１２号公報
【特許文献２】
特開昭６２−０８２５１６号公報
【特許文献３】
特開平０５−１４３９８８号公報
【特許文献４】
米国特許第５６９３４２６号明細書
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
斜め成長結晶粒は、一般に、例えばＴａやＮｂなどを含む合金から構成される。かかる斜め成長結晶粒が例えば平滑なガラス基板上に形成されても、記録磁性層の結晶粒では結晶面はいわゆる面内方向に優先配向されることができない。ハードディスクの磁気特性は高められることができない。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、これまで以上に斜め成長結晶粒上で所定の結晶面を面内方向に優先配向させることができる多結晶構造膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする多結晶構造膜が提供される。このとき、斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることが望まれる。
【０００７】
こういった多結晶構造膜によれば、シード層の斜め成長結晶粒の働きで、結晶層ではエピタキシャル成長は確実に制御されることができる。かかるエピタキシャル成長に基づき、結晶層の結晶粒では所定の結晶面はこれまで以上に特定の方向に十分に揃えられることができる。
【０００８】
こうした多結晶構造膜では、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されればよい。例えば、４４〜５２ａｔ％の組成比でＲｕを含むＡｌＲｕ合金から構成されることが望ましい。かかる組成比によれば、ＡｌＲｕ膜ではＢ２構造が確立される。
【０００９】
結晶層は、ｈｃｐ構造を有する記録磁性層と、シード層および記録磁性層の間に配置され、ｈｃｐ構造を有する中間層とを備え、中間層の格子定数は、シード層の格子定数および記録磁性層の格子定数の間の値に設定されればよい。
【００１０】
こういった多結晶構造膜によれば、中間層の働きで、シード層の格子定数と記録磁性層の格子定数との差は緩和される。シード層と記録磁性層の結晶粒同士では格子の整合性は高められることができる。記録磁性層の結晶粒では中間層の働きでエピタキシャル成長に基づき所定の結晶面は特定の方向に十分に揃えられることができる。
【００１１】
こうした多結晶構造膜では、表面でシード層を受け止める非晶質層をさらに備えてもよい。非晶質層は例えばＮｉＰ膜から構成されればよい。かかる非晶質層によれば、シード層の成膜にあたって、シード層の斜め成長結晶粒は良好な状態で成長することができる。
【００１２】
第２発明によれば、対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜が提供される。このとき、斜め成長結晶粒はＢ２構造が確立されることが望まれる。このとき、斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることが望まれる。
【００１３】
こういった多結晶構造膜では、前述のように、シード層の斜め成長結晶粒の働きで、結晶層ではエピタキシャル成長は確実に制御されることができる。結晶層の結晶粒では所定の結晶面はこれまで以上に特定の方向に十分に揃えられることができる。合金は、４４〜５２ａｔ％の組成比でＲｕを含むＡｌＲｕ合金から構成されればよい。
【００１４】
結晶層は、ｈｃｐ構造を有する記録磁性層と、シード層および記録磁性層の間に配置され、ｈｃｐ構造を有する中間層とをさらに備え、中間層の格子定数は、シード層の格子定数および記録磁性層の格子定数の間の値に設定されればよい。こうした多結晶構造膜では、前述のように、シード層と記録磁性層の結晶粒同士では格子の整合性は高められることができる。記録磁性層の結晶粒では中間層の働きでエピタキシャル成長に基づき所定の結晶面は特定の方向に十分に揃えられることができる。こうした多結晶構造膜では、前述と同様に、表面で前記シード層を受け止める非晶質層をさらに備えてもよい。
【００１５】
以上のような多結晶構造膜は例えば磁気記憶装置に組み込まれる磁気記録媒体で利用されることができる。磁気記録媒体では、例えば支持体の表面に、前述のシード層および結晶層は積層形成されればよい。例えば磁気ディスクといった磁気記録媒体では、支持体はディスク形に形成され、斜め成長結晶粒は、支持体の径線を含む直立平面内で傾斜すればよい。前述のように、斜め成長結晶粒でＢ２構造が確立され、（１００）面が所定の方向に優先配向されると、結晶層の結晶粒では所定の結晶面はこれまで以上に面内方向に優先配向されることができる。その結果、磁気記録媒体では磁気特性はこれまで以上に高められることができる。
【００１６】
こういった磁気記録媒体では支持体の表面にテクスチャ構造が確立されてもよい。テクスチャ構造によれば磁気記録媒体の磁気特性はより高められることができる。テクスチャ構造は、基板といった支持体の表面汚染や表面平滑性に問題のない程度に確立されればよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１８】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１９】
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００２０】
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。こうして浮上ヘッドスライダ２１はアクチュエータブロック１７に連結される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
【００２１】
浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル接合磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）といった読み出し素子（図示されず）と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む薄膜磁気ヘッドといった書き込み素子（図示されず）とで構成されればよい。
【００２２】
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２３】
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１７の回転に基づきアクチュエータアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に、支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
【００２４】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は支持体としての基板３１と多結晶構造膜３２とを備える。基板３１は例えばガラスから構成されればよい。ただし、基板３１はシリコンやサファイアから構成されてもよくアルミニウムから構成されてもよい。基板３１の表面には平滑面が確立される。多結晶構造膜３２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜３２の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）といった保護膜３３や、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）といった潤滑膜３４で被覆される。
【００２５】
図３に示されるように、多結晶構造膜３２は、基板３１の表面に沿って広がるシード層３５と、シード層３５の表面に沿って広がる多層結晶層３６とを備える。シード層３５は、基板３１の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒から構成される。斜め成長結晶粒は、例えばＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚３〜１０ｎｍ程度のＡｌＲｕ膜が用いられる。その他、斜め成長結晶粒には、例えばＮｉＡｌやＣｏＡｌ、ＦｅＡｌ、ＦｅＲｅ、ＡｌＭｎといった合金が用いられることができる。シード層３５の膜厚は最大でも５０ｎｍ程度に設定される。ＡｌＲｕ膜は４４〜５２ａｔ％程度の組成比でＲｕを含む。かかる組成比によれば、ＡｌＲｕ膜の斜め成長結晶粒ではＢ２構造が確立される。このとき、斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向される。
【００２６】
多層結晶層３６は、シード層３５の表面に沿って広がる下地層３７を備える。下地層３７は、前述のシード層３５に基づくエピタキシャル成長で形成される。下地層３７はｂｃｃ（体心立方晶）構造を有する。下地層３７は、例えばＣｒやＣｒを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚１〜２０ｎｍ程度のＣｒ膜が用いられる。その他、下地層２７には、例えばＣｒＭｏやＣｒＷ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶといった合金材料が用いられることができる。Ｃｒ膜では結晶粒の（２００）面は所定の方向に優先配向される。
【００２７】
下地層３７の表面には中間層３８が広がる。中間層３８は、前述の下地層３７に基づくエピタキシャル成長で形成される。中間層３８はｈｃｐ構造（六方細密構造）を有する。中間層３８は、例えばＣｏおよびＣｒを含む合金から構成されればよい。例えば膜厚１〜１０ｎｍ程度のＣｏＣｒ膜といった金属材料が用いられる。ＣｏＣｒ膜には非磁性化されてもよい。非磁性化にあたってＣｏＣｒ膜は３７ａｔ％以上の組成比でＣｒを含む。その他、ＣｏＣｒ膜には例えばＭｏやＴａ、Ｎｂ、Ｂ、Ｃｕが単独または組み合わせで添加されてもよい。
【００２８】
中間層３８の表面には記録磁性層３９が広がる。記録磁性層３９に磁気情報は記録される。記録磁性層３９は、前述の中間層３８に基づくエピタキシャル成長で形成される。記録磁性層３９はｈｃｐ構造を有する。記録磁性層３９は、例えばＣｏを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚５〜２０ｎｍ程度のＣｏＣｒＰｔＢ膜が用いられる。その他、記録磁性層３９には例えばＣｏＣｒやＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔといった磁性金属材料が用いられることができる。記録磁性層３９は例えば薄膜の積層体から構成されてもよい。この積層体では磁性膜が積層される。磁性膜同士の間には非磁性膜が挟みこまれてもよい。非磁性膜には例えばＲｕ膜が用いられればよい。こういった積層体によれば磁気ディスク１３の熱安定性は高められることができる。
【００２９】
こういった多結晶構造膜３２によれば、シード層３５の斜め成長結晶粒の働きで、記録磁性層３９では周方向の磁気異方性は高められることができる。すなわち、基板３１の表面にテクスチャ構造が確立されなくても、テクスチャ構造と同様の効果は得られることができる。しかも、記録磁性層３９では面内方向に十分に磁化容易軸は揃えられることができる。磁気ディスク１３の磁気特性は高められることができる。
【００３０】
次に磁気ディスク１３の製造方法を簡単に説明する。まず、ディスク形の基板３１は用意される。基板３１の表面は平滑化される。基板３１は例えばスパッタリング装置に装着される。スパッタリング装置内で基板３１の表面には多結晶構造膜３２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多結晶構造膜３２の表面には保護膜３３が積層形成される。積層形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜３３の表面には潤滑膜３４が塗布される。塗布にあたって基板３１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に浸されればよい。
【００３１】
図４に示されるように、多結晶構造膜３２の形成にあたって、基板３１の表面にはシード層３５すなわちＡｌＲｕ合金層４１が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＡｌＲｕターゲットが装着される。ＡｌＲｕターゲットではＡｌおよびＲｕの組成比［ａｔ％］は例えば５０：５０に設定される。ＡｌＲｕターゲットからＡｌ原子およびＲｕ原子が放出されると、Ａｌ原子およびＲｕ原子は、基板３１の法線Ｎに対して所定の入射角αで入射する。ここでは入射角αは例えば６０度に設定されればよい。ＡｌＲｕ合金の結晶粒は基板３１表面の法線Ｎに対して所定の傾斜角αで成長する。結晶粒は、基板３１の径線を含む直立平面内で傾斜する。ここでは、ＡｌＲｕ合金の結晶粒は基板３１の外周に向かって傾斜する。ＡｌＲｕ合金層４１すなわちシード層３５の結晶粒ではＢ２構造が確立される。同時に、シード層３５では結晶粒の（１００）面は所定の方向に揃えられる。
【００３２】
続いて、図５に示されるように、ＡｌＲｕ合金層４１の表面には下地層３７すなわちＣｒ層４２が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｒターゲットが装着される。ＣｒターゲットからＣｒ原子は基板３１の法線Ｎに沿って降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定されればよい。ただし、ＡｌＲｕ合金層４１と同様に、Ｃｒ原子の入射角αは６０度に設定されてもよい。こうしてＡｌＲｕ合金層４１の表面にはＣｒ層４２が形成される。Ｃｒ層４２内では前述のＡｌＲｕ合金層４１に基づきエピタキシャル成長が確立される。Ｃｒ層４２すなわち下地層３７の結晶粒ではｂｃｃ構造が確立される。同時に、下地層３７では結晶粒の（２００）面は所定の方向に優先配向される。
【００３３】
続いて、図６に示されるように、Ｃｒ層４２の表面には中間層３８すなわちＣｏＣｒ層４３が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｏＣｒターゲットが装着される。ＣｏＣｒターゲットからＣｏ原子やＣｒ原子は基板３１の法線Ｎに沿って降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定されればよい。こうしてＣｒ層４２の表面にはＣｏＣｒ層４３が形成される。ＣｏＣｒ層４３内では前述のＣｒ層４２に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｏＣｒ層４３すなわち中間層３８の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００３４】
続いて、図７に示されるように、ＣｏＣｒ層４３の表面には記録磁性層３９すなわちＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｏＣｒＰｔＢターゲットが装着される。ＣｏＣｒＰｔＢターゲットからＣｏ原子、Ｃｒ原子、Ｐｔ原子およびＢ原子は基板３１の法線Ｎに沿って降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定されればよい。こうしてＣｏＣｒ層４３の表面にはＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４が形成される。ＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４内では前述のＣｏＣｒ層４３に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４すなわち記録磁性層３９の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００３５】
このとき、ＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４は複数積層されてもよい。すなわち、ＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４の成膜は繰り返されればよい。その他、ＣｏＣｒＰｔＢ合金層４４同士の間に非磁性のＲｕ層が挟み込まれてもよい。こういった積層体によれば、磁気ディスク１３の熱安定性は高められることができる。
【００３６】
以上のように製造された多結晶構造膜３２では、シード層３５の結晶粒の働きで多層結晶層３６ではエピタキシャル成長は確実に制御されることができる。かかるエピタキシャル成長に基づき、記録磁性層３９では所定の結晶面は面内方向に優先配向されることができる。すなわち、記録磁性層３９では結晶粒の磁化容易軸は面内方向に揃えられることができる。
【００３７】
本発明者は、Ｘ線回折に基づき、以上のように製造された多結晶構造膜３２のシード層３５を観察した。その結果、図８に示されるように、結晶粒ではＢ２構造の（１００）面および（２００）面に対応するピークが明瞭に出現した。シード層３５では、Ｂ２構造の確立が確認された。しかも、シード層３５では（１００）面の優先配向が確認された。
【００３８】
次に、本発明者は記録磁性層３９の磁気異方性を検証した。検証にあたって本発明者は複数の磁気ディスク１３を用意した。個々の磁気ディスク１３ごとに異なる膜厚でシード層３５は形成された。磁気ディスク１３の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃは測定された。同時に、磁気ディスク１３の半径方向に沿って保磁力Ｈｃｒは測定された。周方向の保磁力Ｈｃｃが半径方向の保磁力Ｈｃｒよりも大きい場合、磁気ディスク１３では周方向の磁気異方性が高いことを示す。図９から明らかなように、シード層３５の膜厚が５０ｎｍ以下に設定されると、周方向の保磁力Ｈｃｃは確実に半径方向の保磁力Ｈｃｒを上回ることが確認された。特に、シード層３５の膜厚が３〜１０ｎｍの範囲に設定されると、十分な磁気異方性が確立されることが確認された。
【００３９】
続いて、本発明者は入射角αの影響を検証した。図１０に示されるように、入射角αが３０度以上に設定されると、磁気異方性Ｈｃｃ／Ｈｃｒは高められることが確認された。特に、入射角αが６０度に設定されると、周方向の磁気異方性は最も高められることが確認された。
【００４０】
さらに、本発明者は、記録磁性層３９の面内方向の磁気異方性を検証した。検証にあたって比較例は用意された。比較例ではシード層３５にＡｌＲｕ合金に代えてＣｒＮｂ合金が用いられた。シード層３５以外の構成については同様に形成された。磁気ディスク１３の表面に垂直方向に沿って保磁力Ｈｃｐは測定された。同時に、磁気ディスク１３の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃは測定された。本実施形態に係る磁気ディスク１３ではＨｃｐ／Ｈｃｃは０．１３を記録した。その一方で、比較例に係る磁気ディスク１３では０．２５を記録した。実用化された面内記録用磁気ディスクではＨｃｐ／Ｈｃｃは０．１５程度を示すことが知られる。本実施形態の磁気記録層３９では、磁化容易軸が十分に面内方向に揃えられることが確認された。
【００４１】
以上のような多結晶構造膜３２では、中間層３８の格子定数は下地層３７の格子定数と記録磁性層３９の格子定数との間の値に設定されればよい。かかる中間層３８の働きで、下地層３７の格子定数と記録磁性層３９の格子定数との差は緩和される。すなわち、下地層３６と記録磁性層３９の結晶粒同士では格子の整合性は高められることができる。なお、多結晶構造膜３２では、下地層３７の形成は省略されてもよい。すなわち、中間層３８はシード層３５と記録磁性層３９との間に挟み込まれてもよい。この場合には、中間層３８の格子定数は、シード層３５の格子定数と記録磁性層３９の格子定数との間に設定されればよい。かかる構成によれば、シード層３５と記録磁性層３９の結晶粒同士で格子の整合性は高められる。
【００４２】
さらに、基板３１の表面には、表面でシード層３５を受け止める非晶質層が配置されてもよい。非晶質層は例えばＮｉＰ膜から構成されればよい。かかる非晶質層によれば、シード層３５の成膜にあたって、シード層３５の斜め成長結晶粒は良好な状態で成長することができる。
【００４３】
なお、以上のような磁気ディスク１３では、基板３１の表面にテクスチャ構造が確立されてもよい。テクスチャ構造は、基板３１の表面汚染や表面平滑性に問題のない程度に確立されることが望まれる。かかるテクスチャ構造によれば、磁気ディスク１３の磁気特性はより高められることができる。
【００４４】
本発明の多結晶構造膜は、前述のようなハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に加えて、例えば磁気テープ駆動装置や磁気メモリといった磁気記憶装置に組み込まれてもよい。
【００４５】
（付記１）対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする多結晶構造膜。
【００４６】
（付記２）付記１に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４７】
（付記３）付記２に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４８】
（付記４）付記３に記載の多結晶構造膜において、前記合金は、４４〜５２ａｔ％の組成比でＲｕを含むＡｌＲｕ合金であることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４９】
（付記５）付記４に記載の多結晶構造膜において、前記結晶層は、ｈｃｐ構造を有する記録磁性層と、前記シード層および記録磁性層の間に配置され、ｈｃｐ構造を有する中間層とを備え、中間層の格子定数は、前記シード層の格子定数および記録磁性層の格子定数の間の値に設定されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５０】
（付記６）付記５に記載の多結晶構造膜において、表面で前記シード層を受け止める非晶質層をさらに備えることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５１】
（付記７）対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５２】
（付記８）付記７に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする多結晶構造膜。
【００５３】
（付記９）付記８に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５４】
（付記１０）付記９に記載の多結晶構造膜において、前記合金は、４４〜５２ａｔ％の組成比でＲｕを含むＡｌＲｕ合金であることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５５】
（付記１１）付記１０に記載の多結晶構造膜において、前記結晶層は、ｈｃｐ構造を有する記録磁性層と、前記シード層および記録磁性層の間に配置され、ｈｃｐ構造を有する中間層とをさらに備え、中間層の格子定数は、前記シード層の格子定数および記録磁性層の格子定数の間の値に設定されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５６】
（付記１２）付記１１に記載の多結晶構造膜において、表面で前記シード層を受け止める非晶質層をさらに備えることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５７】
（付記１３）支持体と、支持体の表面に沿って広がり、支持体の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００５８】
（付記１４）付記１３に記載の磁気記録媒体において、前記支持体はディスク形に形成され、前記斜め成長結晶粒は、支持体の径線を含む直立平面内で傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
【００５９】
（付記１５）付記１４に記載の磁気記録媒体において、前記斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６０】
（付記１６）付記１５に記載の磁気記録媒体において、前記斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６１】
（付記１７）付記１６に記載の磁気記録媒体において、前記支持体の表面にはテクスチャ構造が確立されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６２】
（付記１８）支持体と、支持体の表面に沿って広がり、支持体の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６３】
（付記１９）付記１８に記載の磁気記録媒体において、前記支持体はディスク形に形成され、前記斜め成長結晶粒は、支持体の径線を含む直立平面内で傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
【００６４】
（付記２０）付記１９に記載の磁気記録媒体において、前記斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００６５】
（付記２１）付記２０に記載の磁気記録媒体において、前記斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６６】
（付記２２）付記２１に記載の磁気記録媒体において、前記支持体の表面にはテクスチャ構造が確立されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、これまで以上に斜め成長結晶粒上で所定の結晶面を面内方向に優先配向させることができる多結晶構造膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】磁気ディスクの構造を示す拡大垂直断面図である。
【図３】磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。
【図４】シード層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図５】下地層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図６】中間層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図７】記録磁性層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図８】Ｘ線回折に基づく検証結果を示すグラフである。
【図９】シード層の膜厚と記録磁性層の磁気異方性との関係を示すグラフである。
【図１０】入射角αと記録磁性層の磁気異方性との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１１磁気記憶装置としてのハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）、１２筐体としての筐体本体、１３磁気記録媒体としての磁気ディスク、１９ヘッドスライダ、３１支持体としての基板、３２多結晶構造膜、３３保護膜、３４潤滑膜、３５シード層、３６結晶層、３７下地層、３８中間層、３９記録磁性層。

Claims

対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする多結晶構造膜。
請求項１に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒の（１００）面は所定の方向に優先配向されることを特徴とする多結晶構造膜。
請求項２に記載の多結晶構造膜において、前記斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
請求項３に記載の多結晶構造膜において、前記合金は、４４〜５２ａｔ％の組成比でＲｕを含むＡｌＲｕ合金であることを特徴とする多結晶構造膜。
請求項１〜４のいずれかに記載の多結晶構造膜において、前記結晶層は、ｈｃｐ構造を有する記録磁性層と、前記シード層および記録磁性層の間に配置され、ｈｃｐ構造を有する中間層とを備え、中間層の格子定数は、前記シード層の格子定数および記録磁性層の格子定数の間の値に設定されることを特徴とする多結晶構造膜。
対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
支持体と、支持体の表面に沿って広がり、支持体の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＢ２構造を有することを特徴とする磁気記録媒体。
支持体と、支持体の表面に沿って広がり、支持体の表面に直交する法線に対して傾斜する斜め成長結晶を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、斜め成長結晶粒はＡｌおよびＲｕを含む合金から構成されることを特徴とする磁気記録媒体。
請求項７または８に記載の磁気記録媒体において、前記支持体はディスク形に形成され、前記斜め成長結晶粒は、支持体の径線を含む直立平面内で傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
請求項９に記載の磁気記録媒体において、前記支持体の表面にはテクスチャ構造が確立されることを特徴とする磁気記録媒体。