JP4170083B2 - 多結晶構造膜および磁気記録媒体並びに磁気記憶装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク（ＨＤ）といった磁気記録媒体に使用されることができる多結晶構造膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクの分野では、例えばアルミニウム基板の表面に確立されるテクスチャ構造は広く知られる。テクスチャ構造が確立された基板の表面に下地層や記録磁性層すなわち結晶層は積層形成される。記録磁性層ではテクスチャ構造の働きでいわゆる周方向の磁気異方性は高められる。ハードディスクでは磁気特性は高められることができる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２０３３１２号公報
【特許文献２】
特開平０８−７２５０号公報
【特許文献３】
特開昭５８−１２８０２３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
最近では、ハードディスクにはガラス基板が広く用いられる。硬いガラス基板の表面にはテクスチャ構造は形成されにくい。こういったガラス基板では、テクスチャ構造を形成せずに磁気異方性を高めることが求められる。例えば特許文献１には、基板の表面に斜め成長結晶層を形成する技術が提案される。斜め成長結晶層では結晶粒は基板の表面に直交する法線から傾斜して成長する。斜め成長結晶層の表面には結晶層が積層形成される。斜め成長結晶層によれば結晶層では周方向の磁気異方性は高められることができる。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、これまでとは異なる構造で結晶層の特性を制御することができる多結晶構造膜を提供することを目的とする。同時に、本発明は、これまでとは異なる構造で記録磁性層の磁気異方性を高めることができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、対象物の表面に沿って広がり、前記対象物の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、前記シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、前記シード層の前記結晶粒の結晶格子面は所定の方向に優先配向し、前記結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜することを特徴とする多結晶構造膜が提供される。
【０００７】
こういった多結晶構造膜では、シード層の結晶粒は対象物の表面に直交する垂直方向に成長する。シード層の結晶粒では所定の結晶格子面に直交する法線が垂直方向から傾斜する。こうしたシード層の結晶粒の働きで結晶層の特性は制御されることができる。
【０００８】
シード層の結晶粒の結晶格子面が所定の方向に優先配向された場合、個々の結晶粒では、所定の結晶格子面の法線は垂直方向から所定の方向に傾斜する。こうしてシード層の表面には、所定の方向に隣接する結晶粒同士の間で溝が形成される。こういったシード層の表面に結晶層が形成されると、対象物の表面にテクスチャ構造が確立されなくても結晶層の異方性は高められることができる。こうした多結晶構造膜では結晶粒はＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されればよい。こうした多結晶構造膜ではシード層は斜め入射成膜法に基づき窒素を含む雰囲気で成膜されればよい。
【０００９】
以上のような多結晶構造膜は、例えば磁気記憶装置に組み込まれる磁気記録媒体で利用されることができる。磁気記録媒体は、例えば支持体と、前記支持体の表面に沿って広がり、前記支持体の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、前記シード層の表面に沿って広がる磁性層を含む結晶層とを備えればよい。このとき、前記シード層の前記結晶粒の結晶格子面は所定の方向に優先配向し、前記結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜する。
【００１０】
例えば磁気ディスクといった磁気記録媒体では、支持体はディスク形に形成され、結晶粒の結晶格子面に直交する法線は支持体の半径線を含む直立平面内で傾斜すればよい。結晶格子面の法線は支持体の外周に向かって傾斜すればよい。
【００１１】
以上のような磁気記録媒体では、シード層の結晶粒は支持体の表面に直交する垂直方向に成長する。個々の結晶粒では、所定の結晶格子面の法線は、支持体の径線を含む直立平面内で垂直方向から外周に向かって傾斜する。すなわち、個々の結晶粒では所定の結晶格子面は傾斜する。こうしてシード層の表面には、支持体の半径方向に隣接する結晶粒同士の間で溝が形成される。こういったシード層の表面に結晶層が形成されると、結晶層に含まれる磁性層の磁化容易軸は確実に支持体の周方向に揃えられることができる。支持体の表面にテクスチャ構造が確立されなくても周方向の磁気特性は高められることができる。磁気記録媒体では周方向の磁気異方性および電磁変換特性は高められることができる。
【００１２】
その一方で、こういった磁気記録媒体では支持体の表面にテクスチャ構造が確立されてもよい。テクスチャ構造は周方向に延びる複数筋の溝で構成されればよい。溝の働きで磁気記録媒体の周方向の磁気特性および電磁変換特性はより高められることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１５】
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１６】
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。こうして浮上ヘッドスライダ２１はアクチュエータブロック１７に連結される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
【００１７】
浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル接合磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）といった読み出し素子（図示されず）と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む薄膜磁気ヘッドといった書き込み素子（図示されず）とで構成されればよい。
【００１８】
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００１９】
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１７の回転に基づきアクチュエータアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に、支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
【００２０】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は支持体としての基板３１と多結晶構造膜３２とを備える。基板３１は例えばガラスから構成されればよい。ただし、基板３１はシリコンやサファイアから構成されてもよくアルミニウムから構成されてもよい。基板３１の表面には平滑面が確立される。多結晶構造膜３２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜３２の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）といった保護膜３３や、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）といった潤滑膜３４で被覆される。
【００２１】
図３に示されるように、多結晶構造膜３２は、基板３１の表面に沿って広がる第１シード層３５と、第１シード層３５の表面に沿って広がる第２シード層３６と、第２シード層３６の表面に沿って広がる多層結晶層３７とを備える。第１シード層３５は例えば非晶質層で構成される。非晶質層は例えばＣｒおよびＴｉを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜が用いられる。
【００２２】
第２シード層３６は、例えばＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＮｂ膜が用いられる。第２シード層３６は、図３に示されるように、基板３１の表面に直交する垂直方向Ｖに成長する結晶粒から構成される。しかも、結晶粒の所定の方向に優先配向する結晶格子面に直交する法線Ｎは垂直方向Ｖから所定の傾斜角で外周に向かって傾斜する。
【００２３】
多層結晶層３７は、第２シード層３６の表面に沿って広がる下地層３８を備える。下地層３８ではｂｃｃ（体心立方晶）構造の結晶粒が確立される。下地層３８は例えばＣｒやＣｒを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚４ｎｍ程度のＣｒＭｏ膜が用いられる。
【００２４】
下地層３８の表面には中間層３９が広がる。中間層３９ではｈｃｐ（六方細密晶）構造の結晶粒が確立される。中間層３９は、例えばＣｏを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚１ｎｍ程度のＣｏＣｒＴａ膜が用いられる。
【００２５】
中間層３９の表面には記録磁性層４１が広がる。記録磁性層４１に磁気情報は記録される。記録磁性層４１ではｈｃｐ構造の結晶粒は確立される。記録磁性層４１は、例えばＣｏを含む合金から構成されればよい。ここでは、例えば膜厚１５ｎｍ程度のＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜が用いられる。ただし、記録磁性層４１は例えば複数の磁性層の積層体から構成されてもよい。この場合には、磁性層同士の間に例えば膜厚０．７ｎｍ程度のＲｕ層が挟み込まれればよい。
【００２６】
こういった多結晶構造膜３２によれば、基板３１の表面にテクスチャ構造が確立されなくても、第２シード層３６の働きで記録磁性層４１では周方向に磁化容易軸は揃えられることができる。磁気ディスク１３ではＨｃｃ／Ｈｃｒ（径方向の保磁力Ｈｃｒに対する周方向の保磁力Ｈｃｃの比）および電磁変換特性は高められることができる。
【００２７】
次に磁気ディスク１３の製造方法の一例を簡単に説明する。まず、ディスク形の基板３１は用意される。基板３１の表面は平滑化される。基板３１は例えばマグネトロンスパッタリング装置に装着される。装着にあたって基板３１はカーボンヒータに基づき摂氏２２０度に加熱される。マグネトロンスパッタリング装置内で基板３１の表面には多結晶構造膜３２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多結晶構造膜３２の表面には保護膜３３が形成される。積層形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜３３の表面には潤滑膜３４が塗布される。塗布にあたって基板３１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に浸されればよい。
【００２８】
図４に示されるように、多結晶構造膜３２の形成にあたって、垂直入射スパッタリング法に基づき基板３１の表面には第１シード層３５すなわちＣｒＴｉ膜４２が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｒＴｉターゲットが装着される。ＣｒＴｉターゲットからＣｒ原子およびＴｉ原子が放出されると、Ｃｒ原子およびＴｉ原子は基板３１の表面に直交する垂直方向Ｖに降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定される。こうして基板３１の表面には非晶質のＣｒＴｉ膜４２が形成される。ＣｒＴｉ膜４２には５０［ａｔ％］のＣｒおよび５０［ａｔ％］のＴｉが含まれる。
【００２９】
続いて、図５に示されるように、ＣｒＴｉ膜４２の表面には斜め入射スパッタリング法に基づき第２シード層３６すなわちＣｒＮｂ膜４３が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｒＮｂターゲットが装着される。スパッタリング装置のチャンバ内にはＡｒガスが導入される。ＡｒガスにはＮ_２ガスが混合される。すなわちＣｒＴｉ膜４２は窒素を含む雰囲気で成膜される。Ｎ_２ガスは１０〜６０［％］程度の分圧比で混合されればよい。ここでは例えば分圧比は２０［％］に設定される。チャンバ内のガス圧は１．６［Ｐａ］程度に設定されればよい。
【００３０】
ＣｒＮｂターゲットからＣｒ原子およびＮｂ原子が放出されると、Ｃｒ原子およびＮｂ原子は垂直方向Ｖに対して所定の入射角αで降り注ぐ。Ｃｒ原子およびＮｂ原子は基板３１の外周から中心に向かって降り注げばよい。こうしてＣｒＴｉ膜４２の表面にはＣｒＮｂ膜４３が形成される。ＣｒＮｂ膜４３には６７［ａｔ％］のＣｒおよび３３［ａｔ％］のＮｂが含まれる。
【００３１】
ＣｒＮｂターゲット４４は例えば円盤形に形成される。ＣｒＮｂターゲット４４の直径は、例えば図６に示されるように、基板３１の直径よりも大きく設定される。ＣｒＮｂターゲット４４ではエロージョン位置４４ａは基板３１の外周縁よりも外側に設定される。電流の供給に応じて、エロージョン位置４４ａからＣｒ原子およびＮｂ原子が基板３１に降り注ぐ。基板３１では原子は外周から中心に向かって入射する。
【００３２】
ＣｒＮｂターゲット４４と基板３１との間にはシールド４５が挟み込まれる。図７に示されるように、シールド４５の中心には円盤部材４５ａが形成される。シールド４５では、円盤部材４５ａを中心として遮蔽板４５ｂが放射状に形成される。円盤部材４５ａは基板３１の中心に位置決めされる。基板３１に対してシールド４５が設置されると、遮蔽板４５ｂは基板３１の表面から垂直に起立する。遮蔽板４５ｂによれば原子の入射方向は所定の方向に制限される。すなわち、周方向から基板３１に入射する原子は排除されることができる。こうしてＣｒＮｂターゲット４４と基板３１との間に十分な広さの原子の飛行経路が確保されると、十分な量のＣｒ原子やＮｂ原子が基板３１に到達することができる。Ｃｒ原子やＮｂ原子の堆積速度すなわちＣｒＮｂ膜４３の成膜速度は低下しない。基板３１上では、Ｃｒ原子やＮｂ原子が所定の入射角αで降り注ぐにも拘わらず、垂直方向Ｖに結晶粒は成長していく。ただし、個々の結晶粒では、所定の方向に優先配向する結晶格子面の法線Ｎは垂直方向Ｖから所定の傾斜角αで傾斜する。基板３１の回転に基づき基板３１上には一様にＣｒ原子やＮｂ原子は堆積していく。
【００３３】
その一方で、従来ではＣｒＮｂ膜４３の形成にあたって所定のシールドが基板に覆い被さる。シールドには環状のスリットが形成される。スリットを通過した原子のみが基板に入射する。原子の飛行経路は著しく狭められてしまう。ＣｒＮｂターゲットから放出されるＣｒ原子やＮｂ原子はシールド上に堆積してしまう。ＣｒＮｂ膜４３の成膜速度は低下する。こういった従来の製造方法では、結晶粒は、垂直方向Ｖから傾斜する傾斜方向に成長する。
【００３４】
なお、ＣｒＮｂ膜の形成にあたってチャンバ内のＡｒガスにＮ_２ガスが混合されないと、ＣｒＮｂ膜は非晶質物質に形成される。すなわちＣｒＮｂ膜では結晶粒は形成されない。後に詳述されるように、ＣｒＮｂ膜の表面には溝が形成される。こうしたＣｒＮｂ膜では、記録磁性層の磁気異方性を高める効果は著しく低下する。
【００３５】
続いて、ＣｒＮｂ膜４３の表面を酸化させる。酸化にあたってＣｒＮｂ膜４３の表面は大気に暴露されてもよく、チャンバ内に酸素を含むガスが導入されてもよい。次に、図８に示されるように、垂直入射スパッタリング法に基づきＣｒＮｂ膜４３の表面には下地層３８すなわちＣｒＭｏ膜４６が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｒＭｏターゲットが装着される。ＣｒＭｏターゲットからＣｒ原子およびＭｏ原子は垂直方向Ｖに降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定される。こうしてＣｒＮｂ膜４３の表面にはＣｒＭｏ膜４６が形成される。ＣｒＭｏ膜４６には７５［ａｔ％］のＣｒおよび２５［ａｔ％］のＭｏが含まれる。ＣｒＭｏ膜４６すなわち下地層３８の結晶粒ではｂｃｃ構造が確立される。
【００３６】
続いて、図９に示されるように、垂直入射スパッタリング法に基づきＣｒＭｏ膜４６の表面には中間層３９すなわちＣｏＣｒＴａ膜４７が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｏＣｒＴａターゲットが装着される。ＣｏＣｒＴａターゲットからＣｏ原子、Ｃｒ原子およびＴａ原子は垂直方向Ｖに降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定される。こうしてＣｒＭｏ膜４６の表面にはＣｏＣｒＴａ膜４７が形成される。ＣｏＣｒＴａ膜４７には、８２［ａｔ％］のＣｏ、１３［ａｔ％］のＣｒおよび５［ａｔ％］のＴａが含まれる。ＣｏＣｒＴａ膜４７すなわち中間層３９の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００３７】
続いて、図１０に示されるように、垂直入射スパッタリング法に基づきＣｏＣｒＴａ膜４７の表面には記録磁性層４１すなわちＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＣｏＣｒＰｔＢＣｕターゲットが装着される。ＣｏＣｒＰｔＢＣｕターゲットからＣｏ原子やＣｒ原子、Ｐｔ原子、Ｂ原子、Ｃｕ原子は垂直方向Ｖに降り注ぐ。すなわち、入射角αは０度に設定される。こうしてＣｏＣｒＴａ膜４７の表面にはＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８が形成される。ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８には、５８［ａｔ％］のＣｏ、１９［ａｔ％］のＣｒ、１２［ａｔ％］のＰｔ、７［ａｔ％］のＢおよび４［ａｔ％］のＣｕが含まれる。ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８すなわち記録磁性層４１の結晶粒ではｈｃｐ構造が確立される。
【００３８】
以上のような製造方法では、ＣｒＮｂ膜４３の結晶粒は基板３１の表面に直交する垂直方向Ｖに成長する。個々の結晶粒では、所定の方向に優先配向する結晶格子面の法線Ｎは、基板３１の半径線を含む直立平面内で垂直方向Ｖから外周に向かって傾斜する。こうしてＣｒＮｂ膜４３の表面には、基板３１の半径方向に隣接する結晶粒同士の間で溝が形成される。こういったＣｒＮｂ膜４３の表面でエピタキシャル成長に基づきＣｒＭｏ膜４６やＣｏＣｒＴａ膜４７、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８が形成されていくと、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜４８すなわち記録磁性層４１の磁化容易軸は確実に基板３１の周方向に揃えられることができる。基板３１の表面にテクスチャ構造が確立されなくても記録磁性層４１の磁気異方性は高められることができる。磁気ディスク１３ではＨｃｃ／Ｈｃｒおよび電磁変換特性は高められることができる。
【００３９】
本発明者は第２シード層３６すなわちＣｒＮｂ膜４３の断面を観察した。観察にあたって透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）が用いられた。ここでは前述の製造方法に基づき、ディスク形の基板３１の表面に膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜４２は積層形成された。ＣｒＴｉ膜４２の表面には膜厚１００ｎｍ程度のＣｒＮｂ膜４３は積層形成された。ＣｒＮｂ膜４３では、基板３１の半径方向に沿った一断面および周方向に沿った一断面は観察された。ＣｒＮｂ膜４３の結晶粒は基板３１の表面に直交する垂直方向に成長することが確認された。しかも、結晶粒の所定の結晶格子面に直交する法線は、基板３１の径線を含む直立平面内で垂直方向から傾斜することが確認された。かかる結晶格子面の傾斜に基づきＣｒＮｂ膜４３の表面には周方向に沿って延びる溝が確認された。
【００４０】
次に、本発明者はＸ線回折に基づき第２シード層３６すなわちＣｒＮｂ膜４３を観察した。結晶粒の優先配向面（面間隔：２．０７７オングストローム）に基づきロッキングカーブは測定された。前述と同様に、ディスク形の基板３１の表面に膜厚２５ｎｍ程度のＣｒＴｉ膜４２と、膜厚１００ｎｍ程度のＣｒＮｂ膜４３とが形成された。同様に、比較例は用意された。ただし、比較例ではＣｒＮｂ膜４３の成膜にあたってＣｒ原子およびＮｂ原子の基板３１への入射角αは０度に設定された。基板３１の外周から中心に向かってＸ線は入射した。ＣｒＮｂ膜４３の結晶粒では、基板３１の垂直方向に対して結晶格子面の法線の傾斜角は測定された。その結果、図１１に示されるように、本実施形態に係るＣｒＮｂ膜４３では外周側に偏った点で優先配向面のＸ線回折ピークは確認された。すなわち、ほとんどの結晶粒で結晶格子面の法線が外周側に傾斜することが確認された。ただし、図１０中のφは基板３１へのＸ線入射角を示す。その一方で、比較例に係るＣｒＮｂ膜４３では傾斜角が０度の点で優先配向面のＸ線回折ピークは確認された。すなわち、ほとんどの結晶粒で結晶格子面の法線が基板３１の垂直方向とほぼ平行なことが確認された。
【００４１】
続いて、本発明者は記録磁性層４１の周方向の保磁力を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき複数の具体例は製造された。個々の具体例ではＣｒＮｂ膜４３で異なる膜厚は設定された。検証にあたって比較例は用意された。比較例は具体例と同様に製造された。ただし、比較例ではＣｒＮｂ膜４３の成膜にあたってＣｒ原子およびＮｂ原子の基板３１への入射角αは０度に設定された。磁気ディスク１３の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃは測定された。その結果、図１２に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３では、周方向の保磁力は比較例に係る磁気ディスク１３の保磁力とほぼ同等の値を有することが確認された。
【００４２】
続いて、本発明者は記録磁性層４１の磁気異方性を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき具体例は製造された。個々の具体例ではＣｒＮｂ膜４３で異なる膜厚は設定された。検証にあたって比較例は用意された。比較例は具体例と同様に製造された。ただし、比較例ではＣｒＮｂ膜４３の成膜にあたってＣｒ原子およびＮｂ原子の基板３１への入射角αは０度に設定された。磁気ディスク１３の周方向に沿って保磁力Ｈｃｃは測定された。同時に、磁気ディスク１３の半径方向に沿って保磁力Ｈｃｒは測定された。その結果、図１３に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＨｃｃ／Ｈｃｒの値は、膜厚に関わらず比較例に係る磁気ディスク１３のＨｃｃ／Ｈｃｒの値を上回ることが確認された。磁気異方性の確立が確認された。
【００４３】
本発明者は記録磁性層４１のＳ／Ｎ比を検証した。検証にあたって前述と同様の具体例および比較例は用意された。８２．５［ｋＦＣＩ］の線記録密度で再生出力は測定された。同時に、３３０．２［ｋＦＣＩ］の線記録密度で媒体ノイズは測定された。その結果、図１４に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比は、膜厚に関わらず比較例に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比を上回ることが確認された。特に、膜厚が５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲に設定されると、高いＳ／Ｎ比が得られることが確認された。
【００４４】
本発明者は記録磁性層４１の再生出力分解能を検証した。検証にあたって前述と同様の具体例および比較例は用意された。８２．５［ｋＦＣＩ］の線記録密度で再生出力は測定された。同時に、３３０．２［ｋＦＣＩ］の線記録密度で再生出力は測定された。再生出力分解能はこれらの再生出力の比から算出された。その結果、図１５に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３の再生出力分解能は、膜厚に関わらず比較例に係る磁気ディスク１３の再生出力分解能を上回ることが確認された。特に、膜厚が５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲に設定されると、高い再生出力分解能が得られることが確認された。
【００４５】
なお、以上のような磁気ディスク１３では、基板３１の表面にテクスチャ構造が確立されてもよい。テクスチャ構造は周方向に延びる複数筋の引っかき傷で構成されればよい。本発明者は、テクスチャ構造が確立された具体例および比較例のＨｃｃ／Ｈｃｒを検証した。前述の具体例および比較例で基板３１の表面にテクスチャ構造が確立された。その結果、本実施形態に係る磁気ディスク１３は１．１１のＨｃｃ／Ｈｃｒを記録した。その一方で、比較例に係る磁気ディスク１３は１．０６のＨｃｃ／Ｈｃｒを記録した。本実施形態に係る磁気ディスク１３では比較例に比べてＨｃｃ／Ｈｃｒの値は十分に高められることが確認された。
【００４６】
本発明者は同時に、テクスチャ構造が確立された具体例および比較例のＳ／Ｎ比を検証した。８２．５［ｋＦＣＩ］の線記録密度で再生出力は測定された。同時に、３３０．２［ｋＦＣＩ］の線記録密度で媒体ノイズは測定された。その結果、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比の値は２４．９［ｄＢ］を記録した。その一方で、比較例に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比の値は２４．７［ｄＢ］を記録した。本実施形態に係る磁気ディスク１３では、Ｓ／Ｎ比は高められることが確認された。
【００４７】
（付記１） 対象物の表面に沿って広がり、対象物の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、結晶粒の所定の方向に優先配向する結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜することを特徴とする多結晶構造膜。
【００４８】
（付記２） 付記１に記載の多結晶構造膜において、前記シード層は斜め入射成膜法に基づき成膜されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４９】
（付記３） 付記２に記載の多結晶構造膜において、前記結晶粒はＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５０】
（付記４） 付記３に記載の多結晶構造膜において、前記シード層は窒素を含む雰囲気で成膜されることを特徴とする多結晶構造膜。
【００５１】
（付記５） 支持体と、支持体の表面に沿って広がり、支持体の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、シード層の表面に沿って広がり、磁性層を含む結晶層とを備え、結晶粒の所定の方向に優先配向する結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
【００５２】
（付記６） 付記５に記載の磁気記録媒体において、前記支持体はディスク形に形成され、前記結晶粒の結晶格子面に直交する法線は支持体の径線を含む直立平面内で傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
【００５３】
（付記７） 付記６に記載の磁気記録媒体において、前記結晶粒の結晶格子面は支持体の外周に向かって傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
【００５４】
（付記８） 付記７に記載の磁気記録媒体において、前記結晶粒はＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５５】
（付記９） 付記８に記載の磁気記録媒体において、前記シード層は斜め入射成膜法に基づき成膜されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５６】
（付記１０） 付記９に記載の磁気記録媒体において、前記シード層は窒素を含む雰囲気で成膜されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５７】
（付記１１） 付記１０に記載の磁気記録媒体において、前記支持体の表面にはテクスチャ構造が確立されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５８】
（付記１２） 付記５〜１１のいずれかに記載の磁気記録媒体が組み込まれることを特徴とする磁気記憶装置。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、これまでとは異なる構造で結晶層の異方性を高めることができる多結晶構造膜は提供されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】 磁気ディスクの構造を示す拡大垂直断面図である。
【図３】 磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。
【図４】 第１シード層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図５】 第２シード層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図６】 第２シード層の成膜工程を概略的に示す基板およびターゲットの端面図である。
【図７】 第２シード層の成膜工程を概略的に示すシールドおよびターゲットの斜視図である。
【図８】 下地層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図９】 中間層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図１０】 記録磁性層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図１１】 Ｘ線回折に基づく検証結果を示すグラフである。
【図１２】 第２シード層の膜厚と記録磁性層の保磁力との関係を示すグラフである。
【図１３】 第２シード層の膜厚と記録磁性層の磁気異方性との関係を示すグラフである。
【図１４】 第２シード層の膜厚と記録磁性層のＳ／Ｎ比との関係を示すグラフである。
【図１５】 第２シード層の膜厚と記録磁性層の再生出力分解能との関係を示すグラフである。

Claims (10)

1. 対象物の表面に沿って広がり、前記対象物の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、前記シード層の表面に沿って広がる結晶層とを備え、前記シード層の前記結晶粒の結晶格子面は所定の方向に優先配向し、前記結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜することを特徴とする多結晶構造膜。
2. 請求項１に記載の多結晶構造膜において、前記シード層は斜め入射成膜法に基づき成膜されることを特徴とする多結晶構造膜。
3. 請求項２に記載の多結晶構造膜において、前記結晶粒はＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されることを特徴とする多結晶構造膜。
4. 請求項３に記載の多結晶構造膜において、前記シード層は窒素を含む雰囲気で成膜されることを特徴とする多結晶構造膜。
5. 支持体と、前記支持体の表面に沿って広がり、前記支持体の表面に直交する垂直方向に成長する結晶粒を含むシード層と、前記シード層の表面に沿って広がる磁性層を含む結晶層とを備え、前記シード層の前記結晶粒の結晶格子面は所定の方向に優先配向し、前記結晶格子面に直交する法線は前記垂直方向から傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
6. 請求項５に記載の磁気記録媒体において、前記支持体はディスク形に形成され、前記結晶粒の結晶格子面に直交する法線は支持体の半径線を含む直立平面内で傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
7. 請求項６に記載の磁気記録媒体において、前記結晶粒の結晶格子面は支持体の外周に向かって傾斜することを特徴とする磁気記録媒体。
8. 請求項７に記載の磁気記録媒体において、前記結晶粒はＣｒおよびＮｂを含む合金から構成されることを特徴とする磁気記録媒体。
9. 請求項８に記載の磁気記録媒体において、前記シード層は窒素を含む雰囲気で成膜されることを特徴とする磁気記録媒体。
10. 請求項５〜９のいずれかに記載の磁気記録媒体が組み込まれることを特徴とする磁気記憶装置。

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