JP2004079062A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】これまで以上に高い周波数の書き込み信号に十分に対応することができる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板２１の表面には多結晶構造膜２２が形成される。多結晶構造膜２２では、第２磁性層２９は第１磁性層３１に比べて大きな飽和磁束密度を有することから、第１磁性層３１単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化が積層体の磁気記録層には確保される。積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保される。十分な大きさの再生出力は確保される。膜厚の縮小に伴い第１および第２磁性層２９、３１では磁性結晶粒の微小化は実現される。記録再生分解能特性は高められる。十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。しかも、十分な保磁力は確保される。
【選択図】 図２
【解決手段】基板２１の表面には多結晶構造膜２２が形成される。多結晶構造膜２２では、第２磁性層２９は第１磁性層３１に比べて大きな飽和磁束密度を有することから、第１磁性層３１単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化が積層体の磁気記録層には確保される。積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保される。十分な大きさの再生出力は確保される。膜厚の縮小に伴い第１および第２磁性層２９、３１では磁性結晶粒の微小化は実現される。記録再生分解能特性は高められる。十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。しかも、十分な保磁力は確保される。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気ディスクといった磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、磁気ディスクでは基板の表面に記録用の磁性層が積層される。こういった磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒で構成される。周知の通りに、磁性層では結晶粒界に沿ってＣｒ原子の偏析が実施される。その結果、磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の相互作用を抑制する。こうして磁性結晶粒同士の相互作用が抑制されると、磁気情報の読み出しにあたってノイズは低減される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
記録密度の向上にあたって磁性層内では磁性結晶粒の微小化が要求される。一般に、磁性層の膜厚が十分に薄膜化されれば磁性結晶粒の微小化は実現されることが広く知られる。しかしながら、磁性層の膜厚が減少すると、ｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）の減少に伴い磁性層から漏れ出る磁界の強さは弱まる。したがって、十分な大きさの再生出力は確保されることができない。しかも、磁性層の膜厚の減少は保磁力Ｈｃの低下を引き起こす。保磁力Ｈｃが過度に低下すると、磁性層に記録された磁気情報は熱攪乱などに起因して容易に破壊されてしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、これまで以上に高い周波数の書き込み信号に十分に対応することができ、かつ、保磁力の低下を伴わずに十分に磁性層の薄膜化を実現することができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、第１飽和磁束密度を有する第１磁性層と、第１磁性層上に積層されて、第１飽和磁束密度よりも大きい第２飽和磁束密度を有する第２磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【０００６】
こういった磁気記録媒体では、第１磁性層および第２磁性層の積層体で磁気記録層は形成される。第２磁性層は第１磁性層に比べて大きな飽和磁束密度を有することから、第１磁性層単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化が積層体の磁気記録層には確保されることができる。したがって、積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保されることができる。十分な大きさの再生出力は確保されることができる。
【０００７】
しかも、こういった第１および第２磁性層の積層体では十分な保磁力が確保されることができる。膜厚の減少にも拘わらず保磁力の低下は回避されることができる。その結果、第１および第２磁性層に記録された磁気情報は確実に記録磁性層内に保持されることができる。
【０００８】
第１磁性層には、例えば、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。同様に、第２磁性層には、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。このとき、第２磁性層に含まれるＣｒ原子の含有量は第１磁性層に含まれるＣｒ原子のそれよりも小さく設定されればよい。ただし、第２磁性層の飽和磁束密度は０．５［Ｔ］以上に確保されることが要求される。
【０００９】
前述のように十分な大きさのｔＢｒが確保されつつ第１および第２磁性層の膜厚が縮小されると、第１および第２磁性層では磁性結晶粒の微小化は実現されることができる。記録再生分解能特性は高められる。第１および第２磁性層には十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。こうして書き込み信号の周波数が高められれば、磁気記録媒体の記録密度は高められることができる。
【００１０】
本発明者の検証によれば、第２磁性層の膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されることが望まれる。第２磁性層では、第１磁性層に比べて例えばＣｒといった非磁性原子の含有量が小さいことから、磁性結晶粒同士の間に十分な非磁性壁が形成されることはできない。第２磁性層では磁性結晶粒同士の間で磁気的相互作用が十分に断ち切られることができない。第２磁性層の膜厚が３．０ｎｍを越えると、第１および第２磁性層の積層体では第１磁性層の特性に比べて第２磁性層の特性が大きく影響してしまう。磁気情報の読み出しにあたってノイズは十分に低減されることができない。
【００１１】
その他、第１磁性層は下地磁性層上に積層されてもよい。この下地磁性層には、例えば、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。こういった下地磁性層の働きによれば、第１磁性層ではいわゆる面内方向に良好に磁化容易軸が確立されることができる。ただし、下地磁性層の膜厚は０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されることが望まれる。本発明者の検証によれば、下地磁性層の膜厚がこの範囲から逸脱すると、磁気情報の読み出しにあたってノイズは十分に低減されることができなくなってしまう。
【００１２】
さらに、下地磁性層は非磁性下地層上に積層されてもよい。この非磁性下地層には例えばＣｒといった非磁性原子が含まれればよい。この非磁性下地層にＣｒ層が用いられる場合には、非磁性下地層の膜厚は例えば０．５〜７．０ｎｍ程度に設定されればよい。
【００１３】
なお、以上のような磁気記録媒体には、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気ディスクのほか、様々な磁気記録媒体が含まれることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１５】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１６】
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１７】
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。こうして浮上ヘッドスライダ２１はアクチュエータブロック１７に連結される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
【００１８】
浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル接合磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）といった読み出し素子（図示されず）と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む薄膜磁気ヘッドといった書き込み素子（図示されず）とで構成されればよい。
【００１９】
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２０】
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１６の回転に基づきアクチュエータアーム１７およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に、支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
【００２１】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は、支持体としての基板２１と、この基板２１の表裏面に広がる多結晶構造膜２２とを備える。基板２１は、例えば、ディスク形のＡｌ本体２３と、Ａｌ本体２３の表裏面に広がるＮｉＰ膜２４とで構成されればよい。ただし、基板２１にはガラス基板が用いられてもよい。多結晶構造膜２２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜２２の表面は例えばダイヤモンドライクカーボンといった炭素保護膜２５や潤滑膜２６で被覆される。
【００２２】
多結晶構造膜２２は、基板２１の表面に広がる下地結晶層２７を備える。この下地結晶層２７は、ＮｉＰ膜２４の表面に積層形成される第１非磁性下地層２７ａと、この第１非磁性下地層２７ａの表面に積層形成される第２非磁性下地層２７ｂとを備える。第１および第２非磁性下地層２７ａ、２７ｂは例えばＣｒといった非磁性材料から構成されればよい。ただし、第２非磁性下地層２７ｂにはＣｒよりも大きい格子定数を有するＭｏやＷが添加される。
【００２３】
第２非磁性下地層２７ｂの表面には下地磁性層２８が広がる。下地磁性層２８は例えばＣｏＣｒＴａ合金といったｈｃｐ構造（六方細密構造）のＣｏ系合金から構成されればよい。下地磁性層２８には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、ＲｅおよびＲｕの少なくともいずれか１つが添加されればよい。下地磁性層２８ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。下地磁性層２８の膜厚は例えば０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００２４】
下地磁性層２８の表面には第１磁性層２９が広がる。この第１磁性層２９は例えばＣｏＣｒＰｔＢ合金の積層体２９ａ、２９ｂから構成されればよい。このとき、例えば下側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ａでは上側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ｂよりも大きな含有量でＰｔが含まれればよく、上側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ｂでは下側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ａよりも小さな含有量でＣｒが含まれればよい。第１磁性層２９ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。その他、第１磁性層２９は単層のＣｏ系合金から構成されてもよい。
【００２５】
第１磁性層２９の表面には第２磁性層３１が広がる。この第２磁性層３１は例えばＣｏＣｒＴａ合金といったｈｃｐ構造のＣｏ系合金から構成されればよい。第２磁性層３１ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。第２磁性層３１の膜厚は例えば０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。ここで、第２磁性層３１には、前述の第１磁性層２９に比べて大きな飽和磁束密度Ｂｓが与えられる。こういった飽和磁束密度Ｂｓの実現にあたって第２磁性層３１には第１磁性層２９に比べて小さい含有量（原子％）でＣｒ原子が含まれればよい。第２磁性層３１には０．５［Ｔ］以上の飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００２６】
以上のような多結晶構造膜２２では、第１および第２磁性層２９、３１の積層体で磁気記録層は形成される。第２磁性層３１は第１磁性層２９に比べて大きな飽和磁束密度Ｂｓを有することから、第１磁性層２９単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化Ｂｒが積層体の磁気記録層には確保されることができる。したがって、積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保されることができる。十分な大きさの再生出力は確保されることができる。
【００２７】
こうして十分な大きさのｔＢｒが確保されつつ第１および第２磁性層２９、３１の膜厚が縮小されると、第１および第２磁性層２９、３１では磁性結晶粒の微小化は実現されることができる。記録再生分解能特性は高められる。第１および第２磁性層２９、３１には十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。こうして書き込み信号の周波数が高められれば、磁気ディスク１３の記録密度は高められることができる。記録再生分解能Ｒｅｓは次式で表現される。
【００２８】
【数１】
ここで、ＶＦ２、ＶＦ８は記録磁性層から読み出される再生出力の大きさを示す。ＶＦ２の検出にあたって記録磁性層には最高周波数の２分の１の周波数で磁気情報は書き込まれる。ＶＦ８の検出にあたって記録磁性層には最高周波数の８分の１の周波数で磁気情報は書き込まれる。最高周波数は任意の周波数に設定されればよい。広く知られるように、記録磁性層の記録再生分解能Ｒｅｓの値が大きいほど、高い周波数で書き込まれる磁気情報の再生出力は増大する。それだけ磁気ディスク１３には高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。
【００２９】
しかも、こういった第１および第２磁性層２９、３１の積層体では十分な保磁力Ｈｃが確保されることができる。膜厚の減少にも拘わらず保磁力Ｈｃの低下は回避されることができる。その結果、第１および第２磁性層２９、３１に記録された磁気情報は確実に記録磁性層内に保持されることができる。
【００３０】
次に磁気ディスク１３の製造方法を簡単に説明する。まず、ディスク形の基板２１は用意される。基板２１の表面には予めＮｉＰ膜２４が積層形成される。ＮｉＰ膜２４の形成にあたって例えば無電解めっき法は用いられる。基板２１は例えばスパッタリング装置に装着される。このスパッタリング装置内で基板２１の表面には多結晶構造膜２２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多結晶構造膜２２の表面には炭素保護膜２５や潤滑膜２６が形成される。炭素保護膜２５は例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）に基づき積層形成されればよい。
【００３１】
スパッタリング装置ではいわゆるＤＣマグネトロンスパッタリング法に基づき多結晶構造膜２２は成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置のチャンバ内にはＡｒガスが導入される。チャンバ内は例えば０．６７［Ｐａ］の圧力下に保持される。Ａｒガスの導入に先立ってチャンバ内には４．０×１０−５［Ｐａ］程度の真空環境が確立される。
【００３２】
成膜に先立って基板２１は摂氏２２０度程度に加熱される。加熱に基づき基板２１の表面に付着する不純物は除去される。ここでは、基板２１は少なくとも摂氏２００度以上に加熱されることが望まれる。ただし、摂氏２７０度を超えると、ＮｉＰ膜２４の結晶化に基づきＮｉＰ膜２４で磁化が確立されてしまう。したがって、基板２１の温度は摂氏２７０度以下に留められる。
【００３３】
図３に示されるように、基板２１の表面には第１非磁性下地層２７ａが成膜される。成膜にあたってＣｒターゲットは用いられる。Ｃｒ原子３３は基板２１の表面に堆積する。Ｃｒ原子３３は基板２１上で結晶粒を形成する。基板２１は高温に維持されることから、基板２１上に形成されるＣｒ層３４では所定の向きに結晶の配向は揃えられる。Ｃｒ層３４は例えば膜厚５．０ｎｍ程度に成膜される。
【００３４】
続いて図４に示されるように、Ｃｒ層３４の表面には第２非磁性下地層２７ｂが成膜される。成膜にあたってＣｒＭｏターゲットが用いられる。ＣｒＭｏターゲットには所定の含有量でＭｏが添加される。こうしてＣｒ層３４の表面にはＣｒＭｏ合金層３５が形成される。ＣｒＭｏ合金層３５内では前述のＣｒ層３４に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｒＭｏ合金層３５は膜厚２．０ｎｍ程度に成膜される。
【００３５】
続いて図５に示されるように、ＣｒＭｏ合金層３５の表面には下地磁性層２８が成膜される。成膜にあたってＣｏＣｒＴａターゲットは用いられる。ＣｒＭｏ合金層３５の表面にはＣｏＣｒＴａ合金層３６が形成される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６内では前述のＣｒＭｏ層３５に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６の膜厚は０．１〜３．５ｎｍ程度の範囲で設定されればよい。
【００３６】
続いて図６に示されるように、ＣｏＣｒＴａ合金層３６の表面には第１磁性層２９および第２磁性層３１が相次いで成膜される。第１磁性層２９の成膜にあたってＣｏＣｒＰｔＢターゲットが用いられる。同様に、第２磁性層３１の成膜にあたってＣｏＣｒＴａターゲットは用いられる。このとき、ＣｏＣｒＴａターゲットでは、ＣｏＣｒＰｔＢターゲットに比べてＣｒの含有量（原子％）は抑制される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６の表面にはＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８が相次いで形成される。各ＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８ではエピタキシャル成長に基づき磁性結晶粒が確立される。前述のＣｒ層３４の働きでＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８では面内方向に良好に磁化容易軸が確立される。基板２１が高温に維持されることから、磁性結晶粒同士の間にはＣｒ原子３９が偏析する。Ｃｒ原子３９は非磁性壁を作り出す。ＣｏＣｒＰｔＢ合金層３８の表面にはＣｏＣｒＴａ合金層４１が形成される。ＣｏＣｒＴａ合金層４１では０．５［Ｔ］程度の飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。第１および第２磁性層２９、３１の積層体の膜厚ｔはｔＢｒ＝５．５［ｎＴｍ］程度を目安に設定されればよい。
【００３７】
本発明者は、以上のように製造された多結晶構造膜２２の磁気特性を検証した。第１非磁性下地層２７ａすなわちＣｒ層３４の膜厚は５．０ｎｍに設定された。第２非磁性下地層２７ｂすなわちＣｒＭｏ合金層３５の膜厚２．０ｎｍに設定された。第２磁性層３１すなわちＣｏＣｒＴａ合金層４１の飽和磁束密度Ｂｓは０．５［Ｔ］に設定された。この設定にあたって第２磁性層３１に含まれるＣｒ原子の含有量（原子％）は調整された。第１および第２磁性層２９、３１の積層体ではｔＢｒは５．５［ｎＴｍ］に設定された。
【００３８】
本発明者は多結晶構造膜２２の記録再生分解能Ｒｅｓを測定した。測定にあたってＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）ヘッドは用いられた。このとき、下地磁性層２８すなわちＣｏＣｒＴａ合金層３６の膜厚は１．０ｎｍ、２．０ｎｍおよび３．０ｎｍといった具合に変更された。同様に、用意された１比較例では下地磁性層２８の形成は省略された。図７から明らかなように、下地磁性層２８の膜厚が２．０ｎｍ付近で記録再生分解能Ｒｅｓは最大値を記録した。下地磁性層２８の膜厚が０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されると、記録再生分解能Ｒｅｓは十分に高められることが確認された。
【００３９】
同様に、本発明者は多結晶構造膜２２の記録再生分解能Ｒｅｓを測定した。ここでは、下地磁性層２８の膜厚は２．０ｎｍに固定された。その一方で、第２磁性層３１すなわちＣｏＣｒＴａ合金層４１の膜厚は０．５ｎｍ、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍおよび４．０ｎｍといった具合に変更された。第２磁性層３１の膜厚の変更に伴い第１磁性層２９の膜厚は調整された。調整にあたって第１および第２磁性層２９、３１の積層体ではｔＢｒは５．５［ｎＴｍ］に設定された。用意された１比較例では第２磁性層３１の形成は省略された。図８から明らかなように、第２磁性層３１の膜厚が２．０〜２．５ｎｍ付近で記録再生分解能Ｒｅｓは最大値を記録した。第２磁性層３１の膜厚が０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されると、記録再生分解能Ｒｅｓは十分に高められることが確認された。
【００４０】
さらに、本発明者は、前述と同様に第２磁性層３１の膜厚を変化させながら多結晶構造膜２２の保磁力Ｈｃを測定した。測定にあたってＶＳＭ（振動サンプル磁力計）は用いられた。図９から明らかなように、第２磁性層３１の膜厚の大きさに拘わらず、一定の保磁力Ｈｃが確保されることが確認された。すなわち、第２磁性層３１の膜厚の増加に伴い第１および第２磁性層２９、３１の積層体で膜厚が減少しても十分な保磁力Ｈｃが確保されることが確認された。
【００４１】
（付記１） 第１飽和磁束密度を有する第１磁性層と、第１磁性層上に積層されて、第１飽和磁束密度よりも大きい第２飽和磁束密度を有する第２磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４２】
（付記２） 付記１に記載の磁気記録媒体において、前記第２飽和磁束密度は０．５［Ｔ］以上に設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４３】
（付記３） 付記１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００４４】
（付記４） 付記３に記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含み、第２磁性層に含まれるＣｒ原子の含有量は第１磁性層に含まれるＣｒ原子のそれよりも小さく設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４５】
（付記５） 付記１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層の膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４６】
（付記６） 付記１に記載の磁気記録媒体において、前記第１磁性層は下地磁性層上に積層され、この下地磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００４７】
（付記７） 付記６に記載の磁気記録媒体において、前記下地磁性層の膜厚は０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４８】
（付記８） 付記６または７に記載の磁気記録媒体において、前記下地磁性層は非磁性下地層上に積層されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、磁気記録媒体はこれまで以上に高い周波数の書き込み信号に十分に対応することができる。その結果、磁気記録媒体の記録密度は高められることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。
【図３】第１非磁性下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図４】第２非磁性下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図５】下地磁性層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図６】第１および第２磁性層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図７】下地磁性層の膜厚と記録再生分解能との関係を示すグラフである。
【図８】第２磁性層の膜厚と記録再生分解能との関係を示すグラフである。
【図９】第２磁性層の膜厚と保磁力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１３ 磁気記録媒体としての磁気ディスク、２９ 第１磁性層、３１ 第２磁性層。
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気ディスクといった磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、磁気ディスクでは基板の表面に記録用の磁性層が積層される。こういった磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒で構成される。周知の通りに、磁性層では結晶粒界に沿ってＣｒ原子の偏析が実施される。その結果、磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の相互作用を抑制する。こうして磁性結晶粒同士の相互作用が抑制されると、磁気情報の読み出しにあたってノイズは低減される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
記録密度の向上にあたって磁性層内では磁性結晶粒の微小化が要求される。一般に、磁性層の膜厚が十分に薄膜化されれば磁性結晶粒の微小化は実現されることが広く知られる。しかしながら、磁性層の膜厚が減少すると、ｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）の減少に伴い磁性層から漏れ出る磁界の強さは弱まる。したがって、十分な大きさの再生出力は確保されることができない。しかも、磁性層の膜厚の減少は保磁力Ｈｃの低下を引き起こす。保磁力Ｈｃが過度に低下すると、磁性層に記録された磁気情報は熱攪乱などに起因して容易に破壊されてしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、これまで以上に高い周波数の書き込み信号に十分に対応することができ、かつ、保磁力の低下を伴わずに十分に磁性層の薄膜化を実現することができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、第１飽和磁束密度を有する第１磁性層と、第１磁性層上に積層されて、第１飽和磁束密度よりも大きい第２飽和磁束密度を有する第２磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【０００６】
こういった磁気記録媒体では、第１磁性層および第２磁性層の積層体で磁気記録層は形成される。第２磁性層は第１磁性層に比べて大きな飽和磁束密度を有することから、第１磁性層単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化が積層体の磁気記録層には確保されることができる。したがって、積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保されることができる。十分な大きさの再生出力は確保されることができる。
【０００７】
しかも、こういった第１および第２磁性層の積層体では十分な保磁力が確保されることができる。膜厚の減少にも拘わらず保磁力の低下は回避されることができる。その結果、第１および第２磁性層に記録された磁気情報は確実に記録磁性層内に保持されることができる。
【０００８】
第１磁性層には、例えば、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。同様に、第２磁性層には、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。このとき、第２磁性層に含まれるＣｒ原子の含有量は第１磁性層に含まれるＣｒ原子のそれよりも小さく設定されればよい。ただし、第２磁性層の飽和磁束密度は０．５［Ｔ］以上に確保されることが要求される。
【０００９】
前述のように十分な大きさのｔＢｒが確保されつつ第１および第２磁性層の膜厚が縮小されると、第１および第２磁性層では磁性結晶粒の微小化は実現されることができる。記録再生分解能特性は高められる。第１および第２磁性層には十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。こうして書き込み信号の周波数が高められれば、磁気記録媒体の記録密度は高められることができる。
【００１０】
本発明者の検証によれば、第２磁性層の膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されることが望まれる。第２磁性層では、第１磁性層に比べて例えばＣｒといった非磁性原子の含有量が小さいことから、磁性結晶粒同士の間に十分な非磁性壁が形成されることはできない。第２磁性層では磁性結晶粒同士の間で磁気的相互作用が十分に断ち切られることができない。第２磁性層の膜厚が３．０ｎｍを越えると、第１および第２磁性層の積層体では第１磁性層の特性に比べて第２磁性層の特性が大きく影響してしまう。磁気情報の読み出しにあたってノイズは十分に低減されることができない。
【００１１】
その他、第１磁性層は下地磁性層上に積層されてもよい。この下地磁性層には、例えば、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とが含まれればよい。こういった下地磁性層の働きによれば、第１磁性層ではいわゆる面内方向に良好に磁化容易軸が確立されることができる。ただし、下地磁性層の膜厚は０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されることが望まれる。本発明者の検証によれば、下地磁性層の膜厚がこの範囲から逸脱すると、磁気情報の読み出しにあたってノイズは十分に低減されることができなくなってしまう。
【００１２】
さらに、下地磁性層は非磁性下地層上に積層されてもよい。この非磁性下地層には例えばＣｒといった非磁性原子が含まれればよい。この非磁性下地層にＣｒ層が用いられる場合には、非磁性下地層の膜厚は例えば０．５〜７．０ｎｍ程度に設定されればよい。
【００１３】
なお、以上のような磁気記録媒体には、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気ディスクのほか、様々な磁気記録媒体が含まれることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１５】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００１６】
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１７】
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。こうして浮上ヘッドスライダ２１はアクチュエータブロック１７に連結される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
【００１８】
浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル接合磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）といった読み出し素子（図示されず）と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む薄膜磁気ヘッドといった書き込み素子（図示されず）とで構成されればよい。
【００１９】
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２０】
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１６の回転に基づきアクチュエータアーム１７およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に、支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
【００２１】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は、支持体としての基板２１と、この基板２１の表裏面に広がる多結晶構造膜２２とを備える。基板２１は、例えば、ディスク形のＡｌ本体２３と、Ａｌ本体２３の表裏面に広がるＮｉＰ膜２４とで構成されればよい。ただし、基板２１にはガラス基板が用いられてもよい。多結晶構造膜２２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜２２の表面は例えばダイヤモンドライクカーボンといった炭素保護膜２５や潤滑膜２６で被覆される。
【００２２】
多結晶構造膜２２は、基板２１の表面に広がる下地結晶層２７を備える。この下地結晶層２７は、ＮｉＰ膜２４の表面に積層形成される第１非磁性下地層２７ａと、この第１非磁性下地層２７ａの表面に積層形成される第２非磁性下地層２７ｂとを備える。第１および第２非磁性下地層２７ａ、２７ｂは例えばＣｒといった非磁性材料から構成されればよい。ただし、第２非磁性下地層２７ｂにはＣｒよりも大きい格子定数を有するＭｏやＷが添加される。
【００２３】
第２非磁性下地層２７ｂの表面には下地磁性層２８が広がる。下地磁性層２８は例えばＣｏＣｒＴａ合金といったｈｃｐ構造（六方細密構造）のＣｏ系合金から構成されればよい。下地磁性層２８には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、ＲｅおよびＲｕの少なくともいずれか１つが添加されればよい。下地磁性層２８ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。下地磁性層２８の膜厚は例えば０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００２４】
下地磁性層２８の表面には第１磁性層２９が広がる。この第１磁性層２９は例えばＣｏＣｒＰｔＢ合金の積層体２９ａ、２９ｂから構成されればよい。このとき、例えば下側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ａでは上側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ｂよりも大きな含有量でＰｔが含まれればよく、上側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ｂでは下側のＣｏＣｒＰｔＢ層２９ａよりも小さな含有量でＣｒが含まれればよい。第１磁性層２９ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。その他、第１磁性層２９は単層のＣｏ系合金から構成されてもよい。
【００２５】
第１磁性層２９の表面には第２磁性層３１が広がる。この第２磁性層３１は例えばＣｏＣｒＴａ合金といったｈｃｐ構造のＣｏ系合金から構成されればよい。第２磁性層３１ではＣｏ原子に基づき磁性結晶粒は形成される。磁性結晶粒同士の間にはＣｒ非磁性壁が形成される。Ｃｒ非磁性壁は磁性結晶粒同士の磁気的相互作用を断ち切ることができる。第２磁性層３１の膜厚は例えば０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。ここで、第２磁性層３１には、前述の第１磁性層２９に比べて大きな飽和磁束密度Ｂｓが与えられる。こういった飽和磁束密度Ｂｓの実現にあたって第２磁性層３１には第１磁性層２９に比べて小さい含有量（原子％）でＣｒ原子が含まれればよい。第２磁性層３１には０．５［Ｔ］以上の飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００２６】
以上のような多結晶構造膜２２では、第１および第２磁性層２９、３１の積層体で磁気記録層は形成される。第２磁性層３１は第１磁性層２９に比べて大きな飽和磁束密度Ｂｓを有することから、第１磁性層２９単独で磁気記録層が提供される場合に比べて大きな残留磁化Ｂｒが積層体の磁気記録層には確保されることができる。したがって、積層体全体の膜厚が縮小されても、十分な大きさのｔＢｒ（膜厚と残留磁化との積）は確保されることができる。十分な大きさの再生出力は確保されることができる。
【００２７】
こうして十分な大きさのｔＢｒが確保されつつ第１および第２磁性層２９、３１の膜厚が縮小されると、第１および第２磁性層２９、３１では磁性結晶粒の微小化は実現されることができる。記録再生分解能特性は高められる。第１および第２磁性層２９、３１には十分に高い周波数で磁気情報は書き込まれることができる。こうして書き込み信号の周波数が高められれば、磁気ディスク１３の記録密度は高められることができる。記録再生分解能Ｒｅｓは次式で表現される。
【００２８】
【数１】
【００２９】
しかも、こういった第１および第２磁性層２９、３１の積層体では十分な保磁力Ｈｃが確保されることができる。膜厚の減少にも拘わらず保磁力Ｈｃの低下は回避されることができる。その結果、第１および第２磁性層２９、３１に記録された磁気情報は確実に記録磁性層内に保持されることができる。
【００３０】
次に磁気ディスク１３の製造方法を簡単に説明する。まず、ディスク形の基板２１は用意される。基板２１の表面には予めＮｉＰ膜２４が積層形成される。ＮｉＰ膜２４の形成にあたって例えば無電解めっき法は用いられる。基板２１は例えばスパッタリング装置に装着される。このスパッタリング装置内で基板２１の表面には多結晶構造膜２２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多結晶構造膜２２の表面には炭素保護膜２５や潤滑膜２６が形成される。炭素保護膜２５は例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）に基づき積層形成されればよい。
【００３１】
スパッタリング装置ではいわゆるＤＣマグネトロンスパッタリング法に基づき多結晶構造膜２２は成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置のチャンバ内にはＡｒガスが導入される。チャンバ内は例えば０．６７［Ｐａ］の圧力下に保持される。Ａｒガスの導入に先立ってチャンバ内には４．０×１０−５［Ｐａ］程度の真空環境が確立される。
【００３２】
成膜に先立って基板２１は摂氏２２０度程度に加熱される。加熱に基づき基板２１の表面に付着する不純物は除去される。ここでは、基板２１は少なくとも摂氏２００度以上に加熱されることが望まれる。ただし、摂氏２７０度を超えると、ＮｉＰ膜２４の結晶化に基づきＮｉＰ膜２４で磁化が確立されてしまう。したがって、基板２１の温度は摂氏２７０度以下に留められる。
【００３３】
図３に示されるように、基板２１の表面には第１非磁性下地層２７ａが成膜される。成膜にあたってＣｒターゲットは用いられる。Ｃｒ原子３３は基板２１の表面に堆積する。Ｃｒ原子３３は基板２１上で結晶粒を形成する。基板２１は高温に維持されることから、基板２１上に形成されるＣｒ層３４では所定の向きに結晶の配向は揃えられる。Ｃｒ層３４は例えば膜厚５．０ｎｍ程度に成膜される。
【００３４】
続いて図４に示されるように、Ｃｒ層３４の表面には第２非磁性下地層２７ｂが成膜される。成膜にあたってＣｒＭｏターゲットが用いられる。ＣｒＭｏターゲットには所定の含有量でＭｏが添加される。こうしてＣｒ層３４の表面にはＣｒＭｏ合金層３５が形成される。ＣｒＭｏ合金層３５内では前述のＣｒ層３４に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｒＭｏ合金層３５は膜厚２．０ｎｍ程度に成膜される。
【００３５】
続いて図５に示されるように、ＣｒＭｏ合金層３５の表面には下地磁性層２８が成膜される。成膜にあたってＣｏＣｒＴａターゲットは用いられる。ＣｒＭｏ合金層３５の表面にはＣｏＣｒＴａ合金層３６が形成される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６内では前述のＣｒＭｏ層３５に基づきエピタキシャル成長が確立される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６の膜厚は０．１〜３．５ｎｍ程度の範囲で設定されればよい。
【００３６】
続いて図６に示されるように、ＣｏＣｒＴａ合金層３６の表面には第１磁性層２９および第２磁性層３１が相次いで成膜される。第１磁性層２９の成膜にあたってＣｏＣｒＰｔＢターゲットが用いられる。同様に、第２磁性層３１の成膜にあたってＣｏＣｒＴａターゲットは用いられる。このとき、ＣｏＣｒＴａターゲットでは、ＣｏＣｒＰｔＢターゲットに比べてＣｒの含有量（原子％）は抑制される。ＣｏＣｒＴａ合金層３６の表面にはＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８が相次いで形成される。各ＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８ではエピタキシャル成長に基づき磁性結晶粒が確立される。前述のＣｒ層３４の働きでＣｏＣｒＰｔＢ合金層３７、３８では面内方向に良好に磁化容易軸が確立される。基板２１が高温に維持されることから、磁性結晶粒同士の間にはＣｒ原子３９が偏析する。Ｃｒ原子３９は非磁性壁を作り出す。ＣｏＣｒＰｔＢ合金層３８の表面にはＣｏＣｒＴａ合金層４１が形成される。ＣｏＣｒＴａ合金層４１では０．５［Ｔ］程度の飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。第１および第２磁性層２９、３１の積層体の膜厚ｔはｔＢｒ＝５．５［ｎＴｍ］程度を目安に設定されればよい。
【００３７】
本発明者は、以上のように製造された多結晶構造膜２２の磁気特性を検証した。第１非磁性下地層２７ａすなわちＣｒ層３４の膜厚は５．０ｎｍに設定された。第２非磁性下地層２７ｂすなわちＣｒＭｏ合金層３５の膜厚２．０ｎｍに設定された。第２磁性層３１すなわちＣｏＣｒＴａ合金層４１の飽和磁束密度Ｂｓは０．５［Ｔ］に設定された。この設定にあたって第２磁性層３１に含まれるＣｒ原子の含有量（原子％）は調整された。第１および第２磁性層２９、３１の積層体ではｔＢｒは５．５［ｎＴｍ］に設定された。
【００３８】
本発明者は多結晶構造膜２２の記録再生分解能Ｒｅｓを測定した。測定にあたってＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）ヘッドは用いられた。このとき、下地磁性層２８すなわちＣｏＣｒＴａ合金層３６の膜厚は１．０ｎｍ、２．０ｎｍおよび３．０ｎｍといった具合に変更された。同様に、用意された１比較例では下地磁性層２８の形成は省略された。図７から明らかなように、下地磁性層２８の膜厚が２．０ｎｍ付近で記録再生分解能Ｒｅｓは最大値を記録した。下地磁性層２８の膜厚が０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されると、記録再生分解能Ｒｅｓは十分に高められることが確認された。
【００３９】
同様に、本発明者は多結晶構造膜２２の記録再生分解能Ｒｅｓを測定した。ここでは、下地磁性層２８の膜厚は２．０ｎｍに固定された。その一方で、第２磁性層３１すなわちＣｏＣｒＴａ合金層４１の膜厚は０．５ｎｍ、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍおよび４．０ｎｍといった具合に変更された。第２磁性層３１の膜厚の変更に伴い第１磁性層２９の膜厚は調整された。調整にあたって第１および第２磁性層２９、３１の積層体ではｔＢｒは５．５［ｎＴｍ］に設定された。用意された１比較例では第２磁性層３１の形成は省略された。図８から明らかなように、第２磁性層３１の膜厚が２．０〜２．５ｎｍ付近で記録再生分解能Ｒｅｓは最大値を記録した。第２磁性層３１の膜厚が０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されると、記録再生分解能Ｒｅｓは十分に高められることが確認された。
【００４０】
さらに、本発明者は、前述と同様に第２磁性層３１の膜厚を変化させながら多結晶構造膜２２の保磁力Ｈｃを測定した。測定にあたってＶＳＭ（振動サンプル磁力計）は用いられた。図９から明らかなように、第２磁性層３１の膜厚の大きさに拘わらず、一定の保磁力Ｈｃが確保されることが確認された。すなわち、第２磁性層３１の膜厚の増加に伴い第１および第２磁性層２９、３１の積層体で膜厚が減少しても十分な保磁力Ｈｃが確保されることが確認された。
【００４１】
（付記１） 第１飽和磁束密度を有する第１磁性層と、第１磁性層上に積層されて、第１飽和磁束密度よりも大きい第２飽和磁束密度を有する第２磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４２】
（付記２） 付記１に記載の磁気記録媒体において、前記第２飽和磁束密度は０．５［Ｔ］以上に設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４３】
（付記３） 付記１または２に記載の磁気記録媒体において、前記第１磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００４４】
（付記４） 付記３に記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含み、第２磁性層に含まれるＣｒ原子の含有量は第１磁性層に含まれるＣｒ原子のそれよりも小さく設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４５】
（付記５） 付記１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層の膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４６】
（付記６） 付記１に記載の磁気記録媒体において、前記第１磁性層は下地磁性層上に積層され、この下地磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００４７】
（付記７） 付記６に記載の磁気記録媒体において、前記下地磁性層の膜厚は０．１〜３．５ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４８】
（付記８） 付記６または７に記載の磁気記録媒体において、前記下地磁性層は非磁性下地層上に積層されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、磁気記録媒体はこれまで以上に高い周波数の書き込み信号に十分に対応することができる。その結果、磁気記録媒体の記録密度は高められることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。
【図３】第１非磁性下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図４】第２非磁性下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図５】下地磁性層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図６】第１および第２磁性層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図７】下地磁性層の膜厚と記録再生分解能との関係を示すグラフである。
【図８】第２磁性層の膜厚と記録再生分解能との関係を示すグラフである。
【図９】第２磁性層の膜厚と保磁力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１３ 磁気記録媒体としての磁気ディスク、２９ 第１磁性層、３１ 第２磁性層。
Claims (4)
- 第１飽和磁束密度を有する第１磁性層と、第１磁性層上に積層されて、第１飽和磁束密度よりも大きい第２飽和磁束密度を有する第２磁性層とを備えることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記第１磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項２に記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層は、Ｃｏ原子に基づき形成される磁性結晶粒と、磁性結晶粒同士の間に形成されるＣｒ非磁性壁とを含み、第２磁性層に含まれるＣｒ原子の含有量は第１磁性層に含まれるＣｒ原子のそれよりも小さく設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記第２磁性層の膜厚は０．５〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
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