JP2007234164A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高密度記録が可能であると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、シード層１３、下地層１４、記録層１５、保護膜１６、および潤滑層１８を順次積層した構成とし、下地層１４は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる複数の結晶粒子１４ａからなり、結晶粒子１４ａ同士を互い離隔する空隙部１４ｂを介して基板面内方向に配置され、記録層１５は下地層１４の結晶粒子１４ａ上に堆積した複数の磁性粒子１５ａからなり、磁性粒子１５ａ同士を互い離隔する空隙部１５ｂを介して基板面内方向に配置される。記録層１５の磁性粒子１５ａは、下地層１４の結晶粒子１４ａ上に成長した構成を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置に係り、特に磁性粒子が互いに離隔された記録層を備えた垂直磁気記録媒体に関する。

磁気記憶装置、例えば、ハードディスクドライブ装置は、１ビット当りのメモリ単価が安く、大容量化が図れるデジタル信号記録装置であるので、近年、パーソナルコンピュータ等に大量に使用されている。さらに、デジタル音響画像関連機器での利用が牽引役となって、飛躍的な需要の増大と共に、ビデオ信号の記録のためにさらなるハードディスクドライブ装置の大容量化が望まれている。

大容量化および低価格化を両立するためには、磁気記録媒体の高記録密度化を図ることにより、磁気記録媒体の枚数を削減し、それに伴って磁気ヘッド数を削減し、部品数の削減により低価格化が図れる。

磁気記録媒体の高記録密度化の手法として、高分解能化と低ノイズ化による信号対雑音比（ＳＮ比）の向上が挙げられる。低ノイズ化は、従来、記録層を構成する磁性粒子の微細化と磁性粒子の磁気的な孤立化により促進されてきた。

垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性材料からなる軟磁性裏打ち層と、その上に記録層が積層されて構成されている。記録層は通常、ＣｏＣｒ基合金からなり、基板を加熱した状態でＣｏＣｒ基合金をスパッタ法により形成することで、ＣｏリッチなＣｏＣｒ基合金の磁性粒子と、磁性粒子の粒界に非磁性であるＣｒが偏析して磁性粒子間に存在することで磁性粒子を互いに離隔して磁気的な孤立化を図っている。

一方、軟磁性裏打ち層は再生の際に磁気ヘッドに流れ込む磁束の磁路を形成し、結晶質軟磁性材料では磁区の形成によりスパイクノイズを発生する。そのため、軟磁性裏打ち層は磁区を形成し難い非晶質あるいは微結晶体により構成されるので、結晶化を回避するため記録層を形成する際の加熱温度が制限される。

記録層の磁性粒子を非磁性材料により互いに離隔して磁性粒子同士の磁気的相互作用を低減することで、ＳＮ比を向上させる記録層が提案されている。この記録層は、ＣｏＣｒ基合金からなる磁性粒子が基板面に垂直に成長した柱状構造を有し、磁性粒子の周囲をＳｉＯ₂やＺｒＯ₂等の非磁性の酸化物で充填されている。このような記録層の構造は一般にグラニュラ構造あるいは柱状グラニュラ構造と呼ばれている。

さらに、下地層の結晶粒子を互いに空間的に離隔してその上に成長するグラニュラ構造の記録層の磁性粒子をさらに互いに均一に離隔させた垂直磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−３５３２５６号公報

ところで、グラニュラ構造の記録層の形成は、スパッタ法により成膜室内でＣｏＣｒ基合金およびＳｉＯ₂等の酸化物からなるスパッタターゲットを使用して、それぞれのスパッタターゲットをスパッタして行う。ＳｉＯ₂等の酸化物は粒子状あるいはクラスタ状になり易い。粒子状あるいはクラスタ状になると、成膜室内を浮遊し易くなり、基板表面に付着して汚染してしまう。この場合、各層を成膜した後の垂直磁気記録媒体の表面には突起状の欠陥が生じ、生産歩留まりの低下を招き、さらには、磁気記憶装置のヘッドクラッシュ等の障害を引き起こす原因となり、信頼性の低下を招くおそれがある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、高密度記録が可能であると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供することである。

本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上にＲｕまたはＲｕ合金からなる下地層と、前記下地層上に形成された記録層と、を備え、前記下地層は、基板面に対して垂直方向に延びる複数の結晶粒子を有し、該結晶粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなり、前記記録層は、前記下地層の結晶粒子上に堆積した磁性粒子を有し、該磁性粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなる垂直磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、下地層の結晶粒子が空隙部により互い離隔して配置されて成長し、さらにその上に記録層の磁性粒子が成長しているので、磁性粒子が互い離隔して配置される。各々の磁性粒子と磁性粒子との間に働く磁気的な相互作用を抑制して媒体ノイズを低減することができる。その結果、垂直磁気記録媒体のＳＮ比の向上が図れ、よりいっそうの高密度記録が可能となる。一方、記録層は磁性粒子が空隙部によって互いに離隔されているので、従来の酸化物、窒化物、および酸窒化物（以下、本願明細書では「酸化物等」と称する。）が記録層に含まれる垂直磁気記録媒体と比較して、酸化物等による記録層表面の汚染を回避できるため、信頼性の高い垂直磁気記録媒体が実現できる。さらに、垂直磁気記録媒体は記録層の材料に起因する生産歩留まりの低下を回避できる。

前記基板と下地層との間に他の下地層をさらに備え、前記他の下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる他の結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜から構成されてもよい。基板と下地層との間に、ＲｕまたはＲｕ合金からなる結晶粒子と結晶粒界部からなる他の下地層が設けられている。他の下地層は、連続多結晶膜なので結晶性配向性が良好である。したがって、下地層の結晶粒子の結晶配向性が促進され、記録層の磁性粒子の結晶配向性がいっそう向上される。その結果、垂直保磁力や角形比等の磁気特性が向上して高記録密度での再生出力が増加して記録再生特性が向上する。よって、いっそうの高密度記録が可能である。

本発明のその他の観点によれば、磁気ヘッドを有する記録再生手段と、上記いずれかの垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置が提供される。本発明によれば、ＳＮ比が良好で、信頼性の高い磁気記憶装置が提供できる。

本発明のその他の観点によれば、基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に記録層を形成する工程とを含み、前記下地層を形成する工程は、ＲｕあるいはＲｕ合金からなるスパッタターゲットを使用して堆積速度を２ｎｍ／秒以下で、かつ、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ以上に設定してスパッタ法により行い、前記記録層を形成する工程は、強磁性材料からなる材料のみを堆積させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。

本発明によれば、記録層を酸化物等の非磁性材料を使用せずにグラニュラ構造を形成するので、酸化物等による成膜室内の汚染が回避される。したがって、酸化物等による記録層表面の汚染が防止され、垂直磁気記録媒体の表面欠陥検査における歩留まりの低下が回避される。よって、生産歩留まりの低下を回避できる。また、記録層表面が酸化物等により汚染されることを防止できるので、信頼性の高い垂直磁気記録媒体を提供できる。

本発明によれば、ＳＮ比の向上を図ると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供できる。

以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の断面図である。図２は、第１例の垂直磁気記録媒体の要部の模式的拡大図である。

図１および図２を参照するに、第１の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、シード層１３、下地層１４、記録層１５、保護膜１６、および潤滑層１８を順次積層してなる。垂直磁気記録媒体１０は、後ほど詳しく説明するように、下地層１４の結晶粒子１４ａが基板面内方向に空隙部１４ｂを介して配置され、その上に記録層１５の磁性粒子１５ａが基板面内方向に空隙部１５ｂを介して配置された構成を有する。

基板１１は、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板などから構成され、垂直磁気記録媒体１０がテープ状である場合はポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、耐熱性に優れたポリイミド（ＰＩ）などのフィルムを用いることができる。本発明では基板加熱を必要としないので、これらの樹脂製基板を用いることができる。

軟磁性裏打ち層１２は、例えば、膜厚が５０ｎｍ〜２μｍであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、およびＢから選択された少なくとも１種の元素を含む非晶質もしくは微結晶の軟磁性材料からなる。さらに、軟磁性裏打ち層１２は、１層に限定されず、複数層を積層してもよい。

また、軟磁性裏打ち層１２は、記録磁界を集中することができる点で飽和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上の軟磁性材料が好ましい。このような軟磁性材料として、例えば、ＦｅＳｉ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＣｒＮｂ、ＮｉＦｅＮｂ、Ｃｏ等が挙げられる。また、軟磁性裏打ち層１２は、高転送レートでの書込性の点では高周波透磁率が高い方が好ましい。軟磁性裏打ち層１２は、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法等により形成する。

シード層１３は、例えば膜厚が２．０ｎｍ〜１０ｎｍであり、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔ、およびこれらの合金のうち少なくとも１種の材料、あるいはＮｉＰから選択される非晶質金属からなる。シード層１３は、この上に形成される下地層１４の結晶粒子のｃ軸を膜厚方向に配向させる。さらに、シード層１３は、下地層１４の結晶粒子を基板面内方向に一様に分布させる。

また、シード層１３は、下地層１４の結晶配向性が良好な点でＴａからなることが好ましい。シード層１３は、軟磁性裏打ち層１２と記録層１５とを近接させる点で、上記の材料の単層膜であることが好ましく、膜厚が１．０ｎｍから５．０ｎｍであることが好ましい。シード層１３は上記の材料の膜を複数積層させた積層体としてもよい。なお、シード層は設けた方が上述したように好ましいが省略してもよい。

下地層１４は、Ｒｕ、あるいはｈｃｐ（六方細密充填）結晶構造を有するＲｕ−Ｘ合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種からなる。）からなる多数の結晶粒子１４ａからなる。結晶粒子１４ａは、シード層１３の表面から基板面に対して垂直方向に成長し、記録層１５との界面に達する柱状構造を有する。さらに、結晶粒子１４ａは、互いに基板面内方向に空隙部１４ｂにより離隔されている。一つの結晶粒子１４ａ内は、一つの単結晶からなる。なお、一つの結晶粒子１４ａ内が複数の単結晶が形成されていてもよいが、結晶配向性の点では、一つの単結晶からなる方が好ましい。

下地層１４の空隙部１４ｂは、結晶粒子１４ａの底面から上方に、基板面に平行な断面形状が略一定のままで記録層１５との界面まで形成されている。なお、下地層１４の空隙部１４ｂは、結晶粒子１４ａの上部に向かって広がるように形成されてもよい。本願発明者の検討によれば、垂直磁気記録媒体１０の断面ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）像から、結晶粒子１４ａの上半分の周囲に下半分よりも広い空隙部１４ｂが観察される場合が多い。このような下地層１４を形成することにより、結晶粒子１４ａの表面に形成される記録層１５の磁性粒子１５ａ同士を適度に離隔することができる。下地層１４は、後ほど詳述するが、Ａｒガス等の不活性ガスの雰囲気ガス圧力、および、下地層１４の堆積速度を所定の範囲に設定することで形成することができる。

結晶粒子１４ａの面内方向の平均粒径Ｄ₁は、２ｎｍ〜１０ｎｍ（さらに好ましくは５ｎｍ〜１０ｎｍ）の範囲に設定することが好ましい。このように設定することにより結晶粒子１４ａ上に成長する記録層１５の磁性粒子１５ａの粒径の制御性が良好となる。また、空隙部１４ｂの平均幅Ｘ₁は１ｎｍ〜２ｎｍの範囲に設定することが好ましい。記録層１５の磁性粒子同士の間隙の制御性が良好となる。

また、下地層１４の結晶粒子１４ａは、ＲｕやＲｕ−Ｘ合金の（０００１）面が成長方向となり、記録層１５がｈｃｐ結晶構造を有する磁性粒子１５ａからなる場合は、磁性粒子のｃ軸（磁化容易軸）を基板面に対して垂直方向に配向性させることができる。なお、下地層１４は、結晶成長が良好な点で純Ｒｕが好ましい。

また、下地層１４の膜厚は５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。下地層１４の膜厚を２ｎｍよりも薄くすると結晶性が劣る。下地層１４の膜厚を３０ｎｍよりも厚くすると、軟磁性裏打ち層１２の表面から潤滑層１８の表面までの厚さが増大し、記録再生におけるスペーシングロスが増加する。また、記録の際の書き滲み等の障害が生じ易く傾向にある。また、下地層１４は、結晶粒子１４ａの孤立化が良好な点で膜厚が３ｎｍ〜１６ｎｍの範囲であることが好ましく、スペーシングロスの増大をいっそう回避する点で３ｎｍ〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。

記録層１５は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、およびＣｏＣｒ合金からなる群のうち、いずれかの強磁性材料からなる多数の磁性粒子１５ａからなる。ＣｏＣｒ合金としては、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍが挙げられる。ここで、Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、およびＣｕからなる群のうち少なくとも１種から選択される。磁性粒子１５ａは、下地層１４の結晶粒子１４ａの表面から基板面に対して略垂直方向に成長する柱状構造を有する。さらに、磁性粒子１５ａは、互いに基板面内方向に空隙部１５ｂにより離隔されている。記録層１５の磁性粒子１５ａは、下地層１４の結晶粒子１４ａの上にエピタキシャル成長しており、１個の結晶粒子１４ａ上に１個の磁性粒子１５ａが形成されている。したがって、記録層１５の空隙部１５ｂは、下地層１４の空隙部１４ｂに連通して形成されている。

記録層１５の磁性粒子１５ａは、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる群のうち、いずれかの強磁性材料からなることが好ましい。これらの強磁性材料は、ｈｃｐ結晶構造を有し、下地層１４の結晶粒子１４ａの（０００１）面上に、（０００１）面方向に成長する。すなわち、磁性粒子１５ａのｃ軸（磁化容易軸）が基板面に対して垂直に配向する。

さらに、記録層１５の磁性粒子１５ａは、特にＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔおよびＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる群のうち、いずれかの強磁性材料からなることが好ましい。

磁性粒子１５ａ、１７ａがＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる場合は、Ｃｏ含有量が５０原子％〜８０原子％、Ｐｔ含有量が１５原子％〜３０原子％、Ｍ濃度が０原子％よりも多くかつ２０原子％以下、残りがＣｒ含有量となるように設定する。このようにＰｔ含有量を従来の垂直磁気記録媒体と比較して多く含有させることにより、異方性磁界を増加して基板面に対して垂直方向の保磁力を高めることができる。

記録層１５の膜厚は高記録密度化に適する点で３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定されることがさらに好ましい。

図１に戻り、保護膜１６は、特に限定されないが、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜１５ｎｍのアモルファスカーボン、水素化カーボン、窒化カーボン、および酸化アルミニウム等から選択される。

潤滑層１８は、特に限定されないが、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜５ｎｍのパーフルオロポリエーテルが主鎖の潤滑剤を用いることができる。潤滑層１８は、保護膜１６の材料に応じて設けてもよく、設けなくともよい。

第１例の垂直磁気記録媒体１０は、下地層１４の結晶粒子１４ａが空隙部１４ｂにより互い離隔して配置されて成長し、さらにその上に記録層１５の磁性粒子１５ａが成長しているので、磁性粒子１５ａが互い離隔して配置される。各々の磁性粒子１５ａと磁性粒子１５ａとの間に働く磁気的な相互作用を抑制して媒体ノイズを低減することができる。その結果、垂直磁気記録媒体１０のＳＮ比の向上を図れる。一方、記録層１５は磁性粒子１５ａが空隙部１５ｂによって互いに離隔されているので、従来の酸化物等が記録層に含まれる垂直磁気記録媒体と比較して、酸化物等による記録層表面の汚染を回避できるため、信頼性の高い垂直磁気記録媒体１０が実現できる。さらに、垂直磁気記録媒体１０は記録層１５の材料に起因する生産歩留まりの低下を回避できる。

次に、図１を参照しつつ、第１の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。

最初に、基板１１の表面を洗浄・乾燥後、基板１１上に上述した軟磁性裏打ち層１２を、無電解めっき法、電気めっき法、スパッタ法、真空蒸着法等により形成する。

次いで、軟磁性裏打ち層１２上にスパッタ装置を用いて、上述した材料からなるスパッタターゲットを用いてシード層１３を形成する。スパッタ装置は予め１０^-7Ｐａまで排気可能な超高真空スパッタ装置を用いることが好ましい。具体的には、シード層１３は、例えばＤＣマグネトロン法によりＡｒガス雰囲気中で圧力０．４Ｐａに設定して形成する。この際、基板１１の加熱は行わない方が好ましい。軟磁性裏打ち層１２の結晶化あるいは微結晶の肥大化を抑制することができる。もちろん、軟磁性裏打ち層１２の結晶化あるいは微結晶の肥大化を伴わない程度の温度である１５０℃以下の温度に加熱してもよい。基板温度の下限は、加熱装置や冷却装置が必要ない点で２０℃に設定することが好ましい。さらに、基板１１を冷却して成膜してもよく、例えば−１００℃としてもよい。さらに、装置上の制約がなければ−１００℃よりも低い温度に冷却してもよい。なお、基板１１の温度条件は、下地層１４、および記録層１５を形成する工程においてもシード層１３の形成工程と同様である。

次いで、シード層１３上にスパッタ装置を用いて、上述したＲｕあるいはＲｕ−Ｘ合金からなるスパッタターゲットを用いて下地層１４を形成する。具体的には、下地層１４は、例えばＤＣマグネトロン法により不活性ガス、例えばＡｒガス雰囲気で成膜する。成膜の際の堆積速度を２ｎｍ／秒以下でかつ雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）以上に設定する。このように堆積速度および雰囲気ガス圧力を設定することで、上述した結晶粒子１４ａと空隙部１４ｂからなる下地層１４を形成することができる。ここで、堆積速度を２ｎｍ／秒よりも大きくすると、空隙部１４ｂが形成されず結晶粒子と結晶粒界部からなる連続体（第２の実施の形態で説明する。）が形成される。また、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）よりも低く設定した場合も空隙部が形成されず結晶粒子と結晶粒界部からなる連続体が形成される。

なお、堆積速度を生産効率が過度に低下しない点で０．１ｎｍ／秒以上に設定することが好ましい。また、雰囲気ガス圧力を２６．６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）以下に設定することが好ましい。雰囲気ガス圧力が２６．６Ｐａよりも高い場合、不活性ガスが結晶粒子１４ａ中に取り込まれ、その結晶性が低下する傾向にある。なお、上述した理由と同様に下地層１４を形成する際に基板１１の加熱は行わない方が好ましい。

次いで、下地層１４上にスパッタ装置を用いて、上述した材料からなるスパッタターゲットを用いて記録層１５を形成する。具体的には、例えばＤＣマグネトロン法により、磁性粒子１５ａの磁性材料のスパッタターゲットを用い、不活性ガス雰囲気、例えばＡｒガス雰囲気で成膜する。記録層１５の磁性粒子１５ａは下地層１４の結晶粒子１４ａの表面に成長し、磁性粒子１５ａの周囲には空隙部１５ｂが形成される。したがって、磁性粒子１５ａ同士は互いに空隙部１５ｂによって離隔される。成膜の際、雰囲気ガス圧力を２．００Ｐａ〜８．００Ｐａの範囲に設定することが好ましい。また、記録層１５の堆積速度は、記録層１５の磁性粒子１５ａが孤立化が促進して形成される点で０．５ｎｍ／秒以下に設定することが好ましい。さらに、記録層１５の堆積速度は、記録層１５の磁性粒子１５ａがいっそうの孤立化が促進して形成される点で０．２ｎｍ／秒以下に設定することが好ましい。

なお、上述したシード層１３を形成する工程から記録層１５を形成する工程までは、その表面に各層を形成した状態で真空中あるいは成膜雰囲気に保持することが、表面の清浄性の点で好ましい。

次いで、記録層１５上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ）法等を用いて保護膜１６を形成する。次いで、保護膜１６の表面に、引き上げ法、スピンコート法、液面低下法等により塗布される。以上により、第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体１０が形成される。

なお、上述したシード層１３、下地層１４、および記録層１５の形成工程ではＤＣマグネトロン法を例に説明したが、他のスパッタ法（例えばＲＦスパッタ法）や真空蒸着法を用いることができる。

第１例の垂直磁気記録媒体１０の製造方法では、下地層１４を形成する際の堆積速度および雰囲気ガス圧力を所定の範囲に設定することにより、下地層１４の結晶粒子１４ａを空隙部１４ｂにより互いに離隔して形成することで、記録層１５の磁性粒子１５ａを空隙部１５ｂにより離隔した構造を形成できる。したがって、ＳｉＯ₂等の酸化物等を用いることなく、磁性粒子１５ａを空隙部１５ｂにより離隔した構造の記録層１５を形成できるので、記録層１５を形成するスパッタ装置の成膜室内の酸化物等による汚染を防止できる。その結果、記録層１５表面の汚染を防止できるので、生産歩留まりの低下を回避し、さらには信頼性の高い垂直磁気記録媒体を製造できる。

次に第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体を説明する。第２例の垂直磁気記録媒体は、シード層と下地層との間にさらに他の下地層を設けた以外は第１例の垂直磁気記録媒体と同様である。

図３は、第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の断面図、図４は、第２例の垂直磁気記録媒体の要部の模式的拡大図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。なお、第２例の垂直磁気記録媒体において第２下地層は、第１例の垂直磁気記録媒体における下地層１４（図１および図２に示される。）と同一であるので同じ符号を用い、第２下地層の説明を省略する。

図３および図４を参照するに、第２例の垂直磁気記録媒体２０は、基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、シード層１３、第１下地層２１、第２下地層１４、記録層１５、保護膜１６、および潤滑層１８を順次積層した構成からなる。垂直磁気記録媒体２０は、シード層１３と第２下地層１４との間に、第２下地層１４と同様の材料からなり結晶粒子同士が密接した連続した多結晶体膜の第１下地層２１が設けられている。第１下地層２１は連続した多結晶体膜のため結晶性が良好であるので、第２下地層１４の結晶粒子１４ａの結晶配向性を向上し、記録層１５の磁性粒子１５ａの結晶配向性がいっそう向上される。

第１下地層２１は、第２下地層１４と同様の材料からなり、結晶粒子２１ａと結晶粒界部２１ｂから構成される。結晶粒子２１ａは第２下地層１４の結晶粒子１４ａと略同様であり、結晶粒界部２１ｂは結晶粒子２１ａの結晶粒界であり、すなわち結晶粒界部２１ｂはＲｕまたはＲｕ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎのうち少なくとも１種）の原子（非晶質あるいは微結晶体）から構成される。このように第１下地層２１は、結晶粒子１４ａ同士を結晶粒界部１４ｂを介して結合した連続膜を形成しているので、結晶性が良好であり、その（０００１）面の結晶配向は基板面に対して垂直方向となっている。したがって、第１下地層２１との界面付近の第２下地膜１４の結晶性が良好となり、第２下地層１４の結晶粒子１４ａの結晶性および結晶配向性が向上し、さらに、記録層１５の磁性粒子１５ａの結晶性および結晶配向性が向上する。

第１下地層２１の膜厚は、２ｎｍ〜１４ｎｍの範囲に設定され、第１下地層２１と第２下地層１４の総膜厚は、４ｎｍ〜１６ｎｍの範囲に設定され、スペーシングロスの点で、４ｎｍ〜１１ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。

次に、図３および図４を参照しつつ第１下地層２１の形成方法を次に説明する。第１下地層２１は、シード層１３上にスパッタ装置を用いて、上述したＲｕあるいはＲｕ−Ｘ合金からなるスパッタターゲットを用いて形成する。具体的には、第１下地層２１は、例えばＤＣマグネトロン法により不活性ガス、例えばＡｒガス雰囲気で、堆積速度を２ｎｍ／秒よりも大きく、あるいは、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ未満に設定する。このように堆積速度あるいは雰囲気ガス圧力を設定することで、上述した結晶粒子２１ａと結晶粒界部２１ｂからなる多結晶体の第１下地層２１を形成することができる。なお、堆積速度は、第２下地層１４を形成する際の膜厚の制御性が良好な点で８ｎｍ／秒以下に設定することが好ましい。また、雰囲気ガス圧力は、スパッタ装置のプラズマ放電が安定な点で０．２６Ｐａ以上に設定することが好ましい。なお、第１下地層２１を形成する際は、上述した第１例の垂直磁気記録媒体の場合と同様の理由によりに基板１１の加熱は行わない方が好ましい。

なお、第１下地層２１を形成する際に、スパッタ装置内に希薄な活性ガスを供給し、シード層１３の表面に活性ガスの分子を吸着させてもよい。活性ガスとしては、酸素ガス、Ｎ₂Ｏが挙げられる。活性ガスの吸着分子の量は、吸着分子がシード層１３表面に互いに離隔して吸着する程度とする。これにより、吸着分子が第１下地層２１の結晶粒子１４ａの成長核となる。このような成長核が形成されていると、各々の結晶粒子１４ａが略同時に粒成長を開始するため、結晶粒子１４ａの粒径が均一化する。その結果、均一な粒径が第２下地層１４、さらに記録層１５に引き継がれ、粒径の揃った記録層１５が形成される。

活性ガスのシード層１３表面への吸着処理は、具体的には、シード層１３の表面を１ラングミュア（Ｌ）単位未満の範囲で活性ガスに暴露することが好ましい。ここで、１Ｌ単位は、圧力１×１０^-6Ｔｏｒｒの活性ガスに１秒間暴露することを意味する。

なお、吸着分子は、シード層１３の表面を酸化あるいは窒化させてシード層１３の材料を変換させてもよく、単にシード層１３の表面に吸着していてもよい。吸着分子により酸化あるいは窒化された表面、または、吸着分子自体が粒成長核として機能する。

第２例の垂直磁気記録媒体２０では、シード層１３と第２下地層１４との間に、結晶粒子２１ａと結晶粒界部２１ｂからなる連続多結晶膜の第１下地層２１が設けられている。第１下地層２１は連続多結晶膜なので結晶性配向性が良好である。したがって、第１下地層２１により第２下地層１４の結晶粒子１４ａの結晶配向性が促進され、さらに記録層１５の磁性粒子１５ａの結晶配向性がいっそう向上される。その結果、垂直保磁力や角形比等の磁気特性が向上して高記録密度での再生出力が増加して記録再生特性が向上する。よって、いっそうの高密度記録が可能である。なお、垂直保磁力は基板面に対して垂直方向に磁界を印加して振動試料型磁力計やカー効果測定装置によって磁化あるいはカー回転角のヒステリシスループを測定して得られる保磁力である。また、角形比は、かかるヒステリシスループの残留磁化と飽和磁化との比（＝残留磁化÷飽和磁化）である。

また、第１下地層２１の膜厚に第２下地層１４の膜厚の膜厚を加えた総膜厚が、第１例の垂直磁気記録媒体の場合の第２下地層１４の膜厚よりも薄膜化でき、軟磁性裏打ち層１２の表面と潤滑層１８の表面とを近接することができる。したがって、記録の際に必要なヘッド磁界強度を低減すると共にサイドイレーズ等の書き滲みを抑制することができる。

また、第２例の垂直磁気記録媒体２０では、第２下地層１４の膜厚を図１に示す第１例の垂直磁気記録媒体１０の下地層１４の膜厚よりも薄膜化を図れるので、第２下地層１４の表面の表面性を向上できる。記録層１５および保護膜１６は、第２下地層１４の表面性を引き継ぐので、表面性の良好な垂直磁気記録媒体２０が実現できる。したがって、磁気ヘッドと垂直磁気記録媒体２０とのスペーシングを低減してよりいっそうの高密度記録が可能となる。

次に、第１の実施の形態に係る実施例を説明する。

［実施例１〜実施例３］
実施例１の垂直磁気記録媒体は、先の図３に示す第２例の垂直磁気記録媒体と同様の構成とした。

まず、非晶質Ｓｉ酸化膜が表面に形成されたＳｉ基板の表面に、スパッタ法によりＡｒガス雰囲気、雰囲気ガス圧力０．３９９Ｐａに設定して、膜厚２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ膜、および膜厚３ｎｍのＴａ膜を順次形成した。

次いで、スパッタ法によりＡｒガス雰囲気、雰囲気ガス圧力０．１３３Ｐａ、堆積速度０．６ｎｍ／秒に設定して、膜厚９ｎｍの第１下地層のＲｕ膜を形成した。

次いで、スパッタ法によりＡｒガス雰囲気、雰囲気ガス圧力５．３２Ｐａ、堆積速度０．３ｎｍ／秒に設定して、膜厚１５ｎｍの第２下地層のＲｕ膜を形成した。

次いで、スパッタ法によりＡｒガス雰囲気、圧力５．３２Ｐａ、堆積速度０．２ｎｍ／秒に設定して、膜厚１０ｎｍのＣｏ₈₀Ｐｔ₂₀膜を形成した。

次いで、スパッタ法により膜厚３ｎｍのカーボン膜を形成した。なお、ＣｏＺｒＮｂ膜からカーボン膜までの成膜の際にＳｉ基板の加熱を行わなかった。

実施例２および実施例３の垂直磁気記録媒体は、各々、実施例１の第２下地層のＲｕ膜の膜厚を２０ｎｍ、２５ｎｍに代えた以外は実施例１と同様にして形成した。

また比較のため、比較例は、実施例１の第２下地層のＲｕ膜を設けない以外は実施例１と同様にして形成した。

図５は、実施例１〜３および比較例の垂直磁気記録媒体の磁気特性を示す図である。

図５を参照するに、比較例に対して実施例１〜３は、垂直保磁力Ｈｃが大幅に増加し、さらに核形成磁界Ｈｎが負側でかつその絶対値が大きく、ヒステリシスループがより矩形に近くなっており、好ましい磁気特性になっていることが分かる。実施例１〜３では、第２下地層のＲｕ膜がより厚い方が垂直保磁力が増加し、ヒステリシスループがより矩形に近くなっていることが分かる。

さらに記録層の磁性粒子同士の相互作用の程度を表すα値は、磁化の値が０になる位置での減磁曲線の傾きであるが、比較例の場合は減磁曲線が磁化の値が０になる位置で直線とならずα値が得られなかった。これは比較例では記録層が磁性粒子同士が密接した連続膜になっているためである。一方、実施例１〜３ではα値は２．０〜２．８程度であるので、磁性粒子が互いに離隔した構造を有し、結晶粒子の孤立化が促進されていることが分かる。

また、実施例１〜３では一軸異方性定数Ｋｕが１．１５ｅｒｇ／ｃｍ³となり、基板加熱行わない製造条件にもかかわらず、従来の垂直磁気記録媒体、例えば基板加熱温度を７００℃として形成したＣｏ₅₀Ｐｔ₅₀の記録層のＫｕ値が得られていることが分かる。

したがって、実施例１〜３および比較例によれば、上述した条件で第２下地層を形成し、さらに記録層を酸化物等を使用しないで強磁性材料のみにより形成することで、記録層の磁性粒子が互いに離隔して形成されていることが分かる。すなわち、実施例１〜３は、記録層の孤立化が図られていることが分かる。

なお、上述したヒステリシスループはカー効果測定装置を用いてカー回転角と印加磁界との関係を測定して得られたものである。印加磁界は基板面に垂直方向に印加した。

図６（Ａ）は実施例の垂直磁気記録媒体の断面ＴＥＭ写真、（Ｂ）は（Ａ）の説明図である。

図６（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、１個の柱状の結晶粒子（下地層の結晶粒子１４ａと記録層の磁性粒子１５ａからなる。）が他の結晶粒子（焦点がずれているためぼやけて見える。）と空隙部１５ｂを介して離隔して成長していることが分かる。なお、結晶粒子と他の結晶粒子との間に充填されて見える部分は試料固定用の樹脂であり、垂直磁気記録媒体由来のものではない。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る第１例あるいは第２例の垂直磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に係るものである。

図７は、本発明の実施の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。図７を参照するに、磁気記憶装置５０は大略ハウジング５１からなる。ハウジング５１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ５２、ハブ５２に固定され回転される垂直磁気記録媒体５３、アクチュエータユニット５４、アクチュエータユニット５４に取り付けられ垂直磁気記録媒体５３の半径方向に移動するアーム５５およびサスペンション５６、サスペンション５６に支持された磁気ヘッド５８が設けられている。

磁気ヘッド５８は、例えば、単磁極型記録ヘッドとＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を備えた再生ヘッドから構成される。

単磁極型記録ヘッドは、垂直磁気記録媒体５３に記録磁界を印加するための、軟磁性材料からなる主磁極と、主磁極に磁気的に接続されたリターンヨークと、主磁極とリターンヨークに記録磁界を誘導するための記録用コイルなどから構成されている。単磁極型記録ヘッドは、主磁極から記録磁界を垂直磁気記録媒体に対して垂直方向に印加して、垂直磁気記録媒体に垂直方向の磁化を形成する。

また、再生ヘッドはＧＭＲ素子を備え、ＧＭＲ素子は、垂直磁気記録媒体５３の磁化が漏洩する磁界の方向を抵抗変化として感知して垂直磁気記録媒体５３の記録層に記録された情報を得ることができる。なお、ＧＭＲ素子の代わりにＴＭＲ（Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等を用いることができる。

垂直磁気記録媒体５３は、第１の実施の形態に係る第１例あるいは第２例の垂直磁気記録媒体である。垂直磁気記録媒体５３はＳＮ比が良好であるので高密度記録が可能な磁気記憶装置５０が実現される。

なお、第２の実施の形態に係る磁気記憶装置５０の基本構成は、図７に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド５８は上述した構成に限定されず、公知の磁気ヘッドを用いることができる。また、本発明で用いる垂直磁気記録媒体５３は、磁気ディスクに限定されず磁気テープであってもよい。

第２の実施の形態によれば、磁気記憶装置５０は、垂直磁気記録媒体５３が、媒体ノイズが低減されているのでＳＮ比が良好なので、高記録密度化が可能となる。さらに、磁気記憶装置５０は、垂直磁気記録媒体５３が酸化物等による記録層表面の汚染を回避されるため信頼性が高い。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

なお、以上の説明に関してさらに以下の付記を開示する。
（付記１） 基板と、
前記基板上にＲｕまたはＲｕ合金からなる下地層と、
前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
前記下地層は、基板面に対して垂直方向に延びる複数の結晶粒子を有し、該結晶粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなり、
前記記録層は、前記下地層の結晶粒子上に堆積した磁性粒子を有し、該磁性粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなる垂直磁気記録媒体。
（付記２） 前記下地層の空隙部と記録層の空隙部が連通して形成されてなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３） 前記結晶粒子の平均粒径は、２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４） 前記下地層は、その膜厚が２ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５） 前記基板と下地層との間にシード層をさらに備え、
前記シード層がＴａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種、あるいはＮｉＰからなることを特徴とする付記４記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６） 前記基板と下地層との間に他の下地層をさらに備え、
前記他の下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる他の結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７） 前記基板と他の下地層との間にシード層をさらに備え、
前記シード層がＴａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種、あるいはＮｉＰからなることを特徴とする付記６記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８） 前記Ｒｕ合金はｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする付記１または６記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９） 前記記録層の磁性粒子は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、およびＣｏＣｒ合金からなる群からなる群のうちいずれか１種の強磁性材料からなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１０） 前記記録層の磁性粒子は、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる群のうち、いずれかの強磁性材料からなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体（ここで、前記Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなる。）。
（付記１１） 磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
付記１記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。
（付記１２） 基板上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に記録層を形成する工程とを含み、
前記下地層を形成する工程は、ＲｕあるいはＲｕ合金からなるスパッタターゲットを使用して堆積速度を２ｎｍ／秒以下で、かつ、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ以上に設定してスパッタ法により行い、
前記記録層を形成する工程は、強磁性材料からなる材料のみを堆積させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１３） 前記下地層を形成する工程は、堆積速度を０．１ｎｍ／秒以上に設定することを特徴とする付記１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１４） 前記下地層を形成する工程は、雰囲気ガス圧力を２６．６Ｐａ以下に設定することを特徴とする付記１２または１３記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５） 前記下地層を形成する工程前に、前記基板上に軟磁性裏打ち層を形成する工程をさらに含み、
前記軟磁性裏打ち層形成工程後から前記記録層を形成する工程までにおいて、基板温度を１５０℃以下に設定することを特徴とする付記１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１６） 前記下地層を形成する工程前に、前記基板上に軟磁性裏打ち層を形成する工程をさらに含み、
前記軟磁性裏打ち層形成工程後から前記記録層を形成する工程までにおいて、基板加熱を行わないことを特徴とする付記１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１７） 前記下地層を形成する工程の前に、前記基板上に他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記他の下地層を形成する工程は、ＲｕあるいはＲｕ合金からなるスパッタターゲットを使用して、堆積速度を２ｎｍ／秒よりも大きく、あるいは、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ未満に設定して、スパッタ法により行うことを特徴とする付記１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１８） 前記他の下地層を形成する工程は、堆積速度を８ｎｍ／秒以上に設定することを特徴とする付記１７記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１９） 前記他の下地層を形成する工程は、雰囲気ガス圧力を０．２６Ｐａ以上に設定することを特徴とる付記１７または１８記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記２０） 前記記録層を形成する工程は、強磁性材料からなるスパッタターゲットを使用して不活性ガス雰囲気でスパッタ法により成膜することを特徴とする付記１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の断面図である。 第１例の垂直磁気記録媒体の要部の模式的拡大図である。 第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の断面図である。 第２例の垂直磁気記録媒体の要部の模式的拡大図である。 実施例１〜３および比較例の垂直磁気記録媒体の磁気特性を示す図である。 （Ａ）は実施例の垂直磁気記録媒体の断面ＴＥＭ写真、（Ｂ）は（Ａ）の説明図である。 本発明の第２の実施の形態の磁気記憶装置の要部平面図である。

符号の説明

１０，２０、５３ 垂直磁気記録媒体
１１ 基板
１２ 軟磁性裏打ち層
１３ シード層
１４ 下地層（第２下地層）
１４ａ，１５ａ，２１ａ 結晶粒子
１４ｂ，１５ｂ，２１ｂ 空隙部
１５ 記録層
１５ａ 磁性粒子
１６ 保護膜
１８ 潤滑層
２１ 第１下地層
５０ 磁気記憶装置
５８ 磁気ヘッド

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上にＲｕまたはＲｕ合金からなる下地層と、
   前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
   前記下地層は、基板面に対して垂直方向に延びる複数の結晶粒子を有し、該結晶粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなり、
   前記記録層は、前記下地層の結晶粒子上に堆積した磁性粒子を有し、該磁性粒子が互いに空隙部を介して離隔して配置されてなる垂直磁気記録媒体。
2. 前記下地層の空隙部と記録層の空隙部が連通して形成されてなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
3. 前記基板と下地層との間に他の下地層をさらに備え、
   前記他の下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる他の結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
4. 前記基板と他の下地層との間にシード層をさらに備え、
   前記シード層がＴａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種、あるいはＮｉＰからなることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録媒体。
5. 前記Ｒｕ合金はｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
6. 磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
   請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。
7. 基板上に下地層を形成する工程と、
   前記下地層上に記録層を形成する工程とを含み、
   前記下地層を形成する工程は、ＲｕあるいはＲｕ合金からなるスパッタターゲットを使用して堆積速度を２ｎｍ／秒以下で、かつ、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ以上に設定してスパッタ法により行い、
   前記記録層を形成する工程は、強磁性材料からなる材料のみを堆積させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記下地層を形成する工程前に、前記基板上に軟磁性裏打ち層を形成する工程をさらに含み、
   前記軟磁性裏打ち層形成工程後から前記記録層を形成する工程までにおいて、基板温度を１５０℃以下に設定することを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記下地層を形成する工程の前に、前記基板上に他の下地層を形成する工程をさらに含み、
   前記他の下地層を形成する工程は、ＲｕあるいはＲｕ合金からなるスパッタターゲットを使用して、堆積速度を２ｎｍ／秒よりも大きく、あるいは、雰囲気ガス圧力を２．６６Ｐａ未満に設定して、スパッタ法により行うことを特徴とする請求項７または８記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
10. 前記記録層を形成する工程は、強磁性材料からなるスパッタターゲットを使用して不活性ガス雰囲気でスパッタ法により成膜することを特徴とする請求項７〜９のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。