JPH08138244A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH08138244A JPH08138244A JP27231294A JP27231294A JPH08138244A JP H08138244 A JPH08138244 A JP H08138244A JP 27231294 A JP27231294 A JP 27231294A JP 27231294 A JP27231294 A JP 27231294A JP H08138244 A JPH08138244 A JP H08138244A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力／低ノイズな磁気記録媒体を実現す
る。 【構成】 カーボン基板に下地層１としてＣｒ（又はＴ
ｉ）をＡｒガス圧（又はＡｒ＋Ｎ2 ガス圧）10〜 100ｍ
Torrの高圧雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成膜し
た後、下地層２としてＣｒをＡｒガス圧５ｍTorr以下の
低圧雰囲気でスパッタ成膜する。そして、磁気記録層と
して、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
合金、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金を成膜する。
る。 【構成】 カーボン基板に下地層１としてＣｒ（又はＴ
ｉ）をＡｒガス圧（又はＡｒ＋Ｎ2 ガス圧）10〜 100ｍ
Torrの高圧雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成膜し
た後、下地層２としてＣｒをＡｒガス圧５ｍTorr以下の
低圧雰囲気でスパッタ成膜する。そして、磁気記録層と
して、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
合金、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の外部
記憶装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力／低
ノイズな磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
記憶装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力／低
ノイズな磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
情報量の増大によりコンピュータの外部記憶装置に用い
られている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が益
々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録媒
体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜圧ｔとの
間には、次式の関係がある。
情報量の増大によりコンピュータの外部記憶装置に用い
られている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が益
々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録媒
体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜圧ｔとの
間には、次式の関係がある。
【０００３】線記録密度∝Ｈｃ／（Ｂｒ＊ｔ） 従って、記録密度を高めるためには、保磁力を高めるこ
とが必要となる。また、磁気記録媒体には、良好なＳＮ
比を得るため、低ノイズが要求される。低ノイズの媒体
を得るためには、磁気記録層（磁性層）における磁性結
晶粒間の磁気的な相互作用を低減させる必要がある。
とが必要となる。また、磁気記録媒体には、良好なＳＮ
比を得るため、低ノイズが要求される。低ノイズの媒体
を得るためには、磁気記録層（磁性層）における磁性結
晶粒間の磁気的な相互作用を低減させる必要がある。
【０００４】手法としては、結晶粒界にＣｒを偏析さ
せることにより磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を低減
させる方法、磁性結晶粒間に物理的な空隙を設けるこ
とにより磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を低減させる
方法が考えられる。従来、の手法としては、成膜条件
の中で基板温度を上げる、負の基板バイアス電圧を印加
する、あるいは、成膜後の加熱処理等が挙げられる。こ
の手法は、一般的にノイズの低減と共に、保磁力の向上
も望める。但し、材料によりその効果は異なる。基板温
度を上げることによる効果については、磁性材料とし
て、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、あるいは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ合金を用いた場合、基板温度の上昇と共にノイズは低
下、保磁力は増加する。しかしながら、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金系の材料では、ある基板温度以上となると、ノイ
ズの増加、保磁力の低下を招くこともある。従って、特
に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系の材料においては、さらな
るノイズ低減の手法を検討する必要が生じる。
せることにより磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を低減
させる方法、磁性結晶粒間に物理的な空隙を設けるこ
とにより磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を低減させる
方法が考えられる。従来、の手法としては、成膜条件
の中で基板温度を上げる、負の基板バイアス電圧を印加
する、あるいは、成膜後の加熱処理等が挙げられる。こ
の手法は、一般的にノイズの低減と共に、保磁力の向上
も望める。但し、材料によりその効果は異なる。基板温
度を上げることによる効果については、磁性材料とし
て、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、あるいは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ合金を用いた場合、基板温度の上昇と共にノイズは低
下、保磁力は増加する。しかしながら、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金系の材料では、ある基板温度以上となると、ノイ
ズの増加、保磁力の低下を招くこともある。従って、特
に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系の材料においては、さらな
るノイズ低減の手法を検討する必要が生じる。
【０００５】の手法としては、下地層を高Ａｒガス圧
下で成膜する等が挙げられる。一般に、Ｃｏ合金系の磁
気記録層の下地には必ずＣｒあるいはＣｒ合金が用いら
れる。下地層のＣｒあるいはＣｒ合金がbcc(110)面配向
することにより、磁気記録層であるＣｏ合金のhcp(100)
面が優先配向し、磁気容易軸であるｃ軸を面内に向けさ
せることにより高保磁力を得ている。従って、下地層の
ＣｒあるいはＣｒ合金は、結晶性および結晶配向性が高
いものが要求される。従って、高Ａｒガス圧で下地層の
ＣｒあるいはＣｒ合金を成膜した場合、結晶性の低下は
免れず、保磁力の低下を招いてしまう。但し、特にＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金系でのノイズ低減の効果は大きい。
下で成膜する等が挙げられる。一般に、Ｃｏ合金系の磁
気記録層の下地には必ずＣｒあるいはＣｒ合金が用いら
れる。下地層のＣｒあるいはＣｒ合金がbcc(110)面配向
することにより、磁気記録層であるＣｏ合金のhcp(100)
面が優先配向し、磁気容易軸であるｃ軸を面内に向けさ
せることにより高保磁力を得ている。従って、下地層の
ＣｒあるいはＣｒ合金は、結晶性および結晶配向性が高
いものが要求される。従って、高Ａｒガス圧で下地層の
ＣｒあるいはＣｒ合金を成膜した場合、結晶性の低下は
免れず、保磁力の低下を招いてしまう。但し、特にＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金系でのノイズ低減の効果は大きい。
【０００６】本発明は、かかる問題に鑑みてなされたも
のであり、高記録密度対応の高保磁力／低ノイズな磁気
記録媒体を実現するための製造方法を提供することを目
的とする。より詳しくは、磁性結晶粒間の磁気的相互作
用を低減させるため、Ｃｒの結晶粒界偏折による効果、
および、物理的な分離効果を併せ持ち、かつ、高い結晶
性を有する下地層のＣｒあるいはＣｒ合金を有すること
を特徴とする磁気記録媒体、特に磁気記録層にＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ等のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系を用いた磁気記録媒体
の製造方法を提供することを目的とする。
のであり、高記録密度対応の高保磁力／低ノイズな磁気
記録媒体を実現するための製造方法を提供することを目
的とする。より詳しくは、磁性結晶粒間の磁気的相互作
用を低減させるため、Ｃｒの結晶粒界偏折による効果、
および、物理的な分離効果を併せ持ち、かつ、高い結晶
性を有する下地層のＣｒあるいはＣｒ合金を有すること
を特徴とする磁気記録媒体、特に磁気記録層にＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ等のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系を用いた磁気記録媒体
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、カーボン
基板を用いた磁気記録媒体において、高保磁力、かつ、
低ノイズを達成するための手段として、各種製造法を鋭
意研究し、本発明に至った。本発明は、カーボン基板上
に、２層状の下地層、磁気記録層、保護層を成膜してな
る磁気記録媒体において、最初にカーボン基板上に成膜
される下地層１をＡｒガス圧10〜 100ｍTorrの雰囲気で
膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成膜した後、下地層２とし
てＣｒあるいはＣｒ合金をＡｒガス圧５ｍTorr以下の雰
囲気でスパッタ成膜することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法を提供する。
基板を用いた磁気記録媒体において、高保磁力、かつ、
低ノイズを達成するための手段として、各種製造法を鋭
意研究し、本発明に至った。本発明は、カーボン基板上
に、２層状の下地層、磁気記録層、保護層を成膜してな
る磁気記録媒体において、最初にカーボン基板上に成膜
される下地層１をＡｒガス圧10〜 100ｍTorrの雰囲気で
膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成膜した後、下地層２とし
てＣｒあるいはＣｒ合金をＡｒガス圧５ｍTorr以下の雰
囲気でスパッタ成膜することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法を提供する。
【０００８】又は、カーボン基板上に、２層状の下地
層、磁気記録層、保護層を成膜してなる磁気記録媒体に
おいて、最初にカーボン基板上に成膜される下地層１を
Ａｒ＋Ｎ2 ガス圧10〜 100ｍTorr（但し、Ｎ2 ガス圧は
全ガス圧の30％以下）の雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にス
パッタ成膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合
金をＡｒガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
層、磁気記録層、保護層を成膜してなる磁気記録媒体に
おいて、最初にカーボン基板上に成膜される下地層１を
Ａｒ＋Ｎ2 ガス圧10〜 100ｍTorr（但し、Ｎ2 ガス圧は
全ガス圧の30％以下）の雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にス
パッタ成膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合
金をＡｒガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
【０００９】特に、好ましくは、カーボン基板の表面粗
さＲａ（中心線平均粗さ）は２ｎｍ以下であり、下地層
１はＣｒあるいはＣｒ合金、又はＴｉあるいはＴｉ合金
であり、磁気記録層はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合
金である。また、下地層１の成膜条件として、基板温度
が 100℃以下、下地層２の成膜条件として、基板温度が
100〜 400℃、そして、磁気記録層の成膜条件として、
基板温度が 100〜 400℃で、基板バイアス電圧として負
の電圧が印加されるとよい。
さＲａ（中心線平均粗さ）は２ｎｍ以下であり、下地層
１はＣｒあるいはＣｒ合金、又はＴｉあるいはＴｉ合金
であり、磁気記録層はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金、あるいはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合
金である。また、下地層１の成膜条件として、基板温度
が 100℃以下、下地層２の成膜条件として、基板温度が
100〜 400℃、そして、磁気記録層の成膜条件として、
基板温度が 100〜 400℃で、基板バイアス電圧として負
の電圧が印加されるとよい。
【００１０】さらに、カーボン基板上に２層状の下地層
を成膜するに先立って、カーボン基板上に、蒸着法ある
いはスパッタ法により、ＡｌあるいはＡｌ合金の薄膜を
成膜することにより、基板上に微細な凹凸を形成すると
よい。尚、下地層１としては、上述のＣｒ、Ｔｉの他、
Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、あるいはこれらの
合金を用いることも可能である。
を成膜するに先立って、カーボン基板上に、蒸着法ある
いはスパッタ法により、ＡｌあるいはＡｌ合金の薄膜を
成膜することにより、基板上に微細な凹凸を形成すると
よい。尚、下地層１としては、上述のＣｒ、Ｔｉの他、
Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、あるいはこれらの
合金を用いることも可能である。
【００１１】また、保護層としては、Ｃ、水素化Ｃ、Ｓ
ｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 などを用いる。
ｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 などを用いる。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、高記録密度対応の高保磁力／
低ノイズな磁気記録媒体を実現するためのものであり、
高保磁力／低ノイズを実現するためには、磁性結晶粒間
の磁気的相互作用を低減させることが重要である。本発
明では、下地層１にＣｒ又はＴｉ等を用い、10〜 100ｍ
Torrの高Ａｒガス圧中で膜厚 150ｎｍ以下に形成するこ
とにより、コラム状の結晶粒が物理的な空隙を有する構
造となり、かつ、結晶粒径も微細で均一性も高くなり、
その上に積層される磁気記録層中の磁性結晶粒間での磁
気的相互作用を低減させる効果を生じる。また、下地層
２のＣｒあるいはＣｒ合金を５ｍTorr以下の低Ａｒガス
圧中で形成することにより、結晶性を向上させ、磁気記
録層の結晶配向性を高める効果を生じる。これら２つの
効果により、高保磁力／低ノイズの両特性を有する磁気
記録媒体が実現される。
低ノイズな磁気記録媒体を実現するためのものであり、
高保磁力／低ノイズを実現するためには、磁性結晶粒間
の磁気的相互作用を低減させることが重要である。本発
明では、下地層１にＣｒ又はＴｉ等を用い、10〜 100ｍ
Torrの高Ａｒガス圧中で膜厚 150ｎｍ以下に形成するこ
とにより、コラム状の結晶粒が物理的な空隙を有する構
造となり、かつ、結晶粒径も微細で均一性も高くなり、
その上に積層される磁気記録層中の磁性結晶粒間での磁
気的相互作用を低減させる効果を生じる。また、下地層
２のＣｒあるいはＣｒ合金を５ｍTorr以下の低Ａｒガス
圧中で形成することにより、結晶性を向上させ、磁気記
録層の結晶配向性を高める効果を生じる。これら２つの
効果により、高保磁力／低ノイズの両特性を有する磁気
記録媒体が実現される。
【００１３】下地層１の成膜雰囲気をＡｒガス圧10〜 1
00ｍTorrからＡｒ＋Ｎ2 ガス圧10〜100ｍTorr（但し、
Ｎ2 ガス圧は全ガス圧の30％以下）に変更すると、下地
の結晶粒が微細化されるので好ましいことも判明した。
特に、下地層１の成膜条件として、基板温度が 100℃以
下であることが、結晶粒径をより微細にするために好ま
しい。下地層２のＣｒあるいはＣｒ合金の成膜条件とし
て、基板温度が 100〜 400℃であることが、結晶性をよ
り高める上で好ましい。そして、磁気記録層の成膜条件
として、基板温度が 100〜 400℃で、基板バイアス電圧
として負の電圧が印加されることが、Ｃｒの結晶粒界へ
の偏折を促進させ、磁性結晶粒間の磁気的相互作用を低
減させ、さらなる高保磁力化、低ノイズ化を図ることが
できる。
00ｍTorrからＡｒ＋Ｎ2 ガス圧10〜100ｍTorr（但し、
Ｎ2 ガス圧は全ガス圧の30％以下）に変更すると、下地
の結晶粒が微細化されるので好ましいことも判明した。
特に、下地層１の成膜条件として、基板温度が 100℃以
下であることが、結晶粒径をより微細にするために好ま
しい。下地層２のＣｒあるいはＣｒ合金の成膜条件とし
て、基板温度が 100〜 400℃であることが、結晶性をよ
り高める上で好ましい。そして、磁気記録層の成膜条件
として、基板温度が 100〜 400℃で、基板バイアス電圧
として負の電圧が印加されることが、Ｃｒの結晶粒界へ
の偏折を促進させ、磁性結晶粒間の磁気的相互作用を低
減させ、さらなる高保磁力化、低ノイズ化を図ることが
できる。
【００１４】さらに、カーボン基板に２層状の下地層を
成膜するに先立って、カーボン基板に、蒸着法あるいは
スパッタ法により、ＡｌあるいはＡｌ合金の薄膜を成膜
することにより、基板上に微細な凹凸を形成しておけ
ば、下地層１におけるコラム状の結晶粒が物理的な空隙
を有する構造がより促進される。従って、下地層１のみ
による場合よりも高範囲に物理的な空隙をコントロール
することが可能となる。
成膜するに先立って、カーボン基板に、蒸着法あるいは
スパッタ法により、ＡｌあるいはＡｌ合金の薄膜を成膜
することにより、基板上に微細な凹凸を形成しておけ
ば、下地層１におけるコラム状の結晶粒が物理的な空隙
を有する構造がより促進される。従って、下地層１のみ
による場合よりも高範囲に物理的な空隙をコントロール
することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 〔実施例１〕密度 1.5ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650、
および、密度 1.8ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650の特性
を有し、表面粗さＲａが１ｎｍになるよう表面を鏡面研
磨した1.89”（外径48mm）のアモルファスカーボン基板
を用いた。そして、精密洗浄（アルカリ洗浄→リンス→
リンス→温純水乾燥）後、インライン式通過型成膜装置
により、以下の手順で成膜を行った。
および、密度 1.8ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650の特性
を有し、表面粗さＲａが１ｎｍになるよう表面を鏡面研
磨した1.89”（外径48mm）のアモルファスカーボン基板
を用いた。そして、精密洗浄（アルカリ洗浄→リンス→
リンス→温純水乾燥）後、インライン式通過型成膜装置
により、以下の手順で成膜を行った。
【００１６】１）下地層１：Ｃｒ Ａｒガス圧50ｍTorr、基板温度＝雰囲気温度、膜厚 100
ｎｍ ２）下地層２：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚50ｎｍ ３）磁気記録層：Ｃｏ−Ｃｒ（13％）−Ｐｔ（12％）合
金 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚40ｎｍ ４）保護層：Ｃ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 100℃以下、膜厚15ｎｍ 以上のようにして成膜したディスク上に、フッ素系潤滑
剤を２ｎｍ塗布し、磁気記録媒体を得た。
ｎｍ ２）下地層２：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚50ｎｍ ３）磁気記録層：Ｃｏ−Ｃｒ（13％）−Ｐｔ（12％）合
金 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚40ｎｍ ４）保護層：Ｃ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 100℃以下、膜厚15ｎｍ 以上のようにして成膜したディスク上に、フッ素系潤滑
剤を２ｎｍ塗布し、磁気記録媒体を得た。
【００１７】得られた媒体の評価には、以下の手法を用
いた。保磁力は、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）により最
大磁界10ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈループより
求めた。媒体のノイズに関しては、Ｓ／Ｎ比により評価
した。 〔実施例２〕下地層１をＴｉとした以外は、実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例３〕磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ（12％）−Ｐｔ
（８％）−Ｔａ（２％）合金とした以外は、実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例４〕磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ（12％）−Ｐｔ
（６％）−Ｂ（６％）合金とした以外は、実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例５〕密度 1.5ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650、
および、密度 1.8ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650の特性
を有し、表面粗さＲａが１ｎｍになるよう表面を鏡面研
磨した1.89”（外径48mm）のアモルファスカーボン基板
を用いた。そして、精密洗浄（アルカリ洗浄→リンス→
リンス→温純水乾燥）後、インライン式通過型成膜装置
により、以下の手順で成膜を行った。
いた。保磁力は、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）により最
大磁界10ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈループより
求めた。媒体のノイズに関しては、Ｓ／Ｎ比により評価
した。 〔実施例２〕下地層１をＴｉとした以外は、実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例３〕磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ（12％）−Ｐｔ
（８％）−Ｔａ（２％）合金とした以外は、実施例１と
同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例４〕磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ（12％）−Ｐｔ
（６％）−Ｂ（６％）合金とした以外は、実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔実施例５〕密度 1.5ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650、
および、密度 1.8ｇ／cm3 、ビッカース硬度 650の特性
を有し、表面粗さＲａが１ｎｍになるよう表面を鏡面研
磨した1.89”（外径48mm）のアモルファスカーボン基板
を用いた。そして、精密洗浄（アルカリ洗浄→リンス→
リンス→温純水乾燥）後、インライン式通過型成膜装置
により、以下の手順で成膜を行った。
【００１８】１）バッファー層：Ｔｉ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 300℃、膜厚 100ｎｍ ２）凹凸形成層：Ａｌ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 300℃、膜厚50ｎｍ ３）下地層１：Ｃｒ Ａｒガス圧50ｍTorr、基板温度＝雰囲気温度、膜厚 100
ｎｍ ４）下地層２：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚50ｎｍ ５）磁気記録層：Ｃｏ−Ｃｒ（13％）−Ｐｔ（12％）合
金 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚40ｎｍ ６）保護層：Ｃ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 100℃以下、膜厚15ｎｍ 以上のようにして成膜したディスク上に、フッ素系潤滑
剤を２ｎｍ塗布し、磁気記録媒体を得た。
ｎｍ ４）下地層２：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚50ｎｍ ５）磁気記録層：Ｃｏ−Ｃｒ（13％）−Ｐｔ（12％）合
金 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バイアス電
圧− 300Ｖ、膜厚40ｎｍ ６）保護層：Ｃ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 100℃以下、膜厚15ｎｍ 以上のようにして成膜したディスク上に、フッ素系潤滑
剤を２ｎｍ塗布し、磁気記録媒体を得た。
【００１９】得られた媒体の評価は、実施例１と同様の
手法である。 〔実施例６〕凹凸形成層をＡｌＳｉとした以外は、実施
例５と同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行っ
た。 〔実施例７〕下地層１：Ｃｒの成膜条件を、Ａｒガス圧
40ｍTorr＋Ｎ2 ガス圧10ｍTorr、基板温度＝雰囲気温
度、膜厚 100ｎｍの条件とした以外は、実施例１と同様
にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔比較例１〕実施例１において、下地層１：Ｃｒの成膜
条件を、Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バ
イアス電圧− 300Ｖ、膜厚 100ｎｍとした以外は、同様
にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔比較例２〕実施例１において、下地層２：Ｃｒの成膜
条件を、Ａｒガス圧50ｍTorr、基板温度＝雰囲気温度、
膜厚50ｎｍとした以外は、同様にして磁気記録媒体を作
製し、評価を行った。
手法である。 〔実施例６〕凹凸形成層をＡｌＳｉとした以外は、実施
例５と同様にして磁気記録媒体を作製し、評価を行っ
た。 〔実施例７〕下地層１：Ｃｒの成膜条件を、Ａｒガス圧
40ｍTorr＋Ｎ2 ガス圧10ｍTorr、基板温度＝雰囲気温
度、膜厚 100ｎｍの条件とした以外は、実施例１と同様
にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔比較例１〕実施例１において、下地層１：Ｃｒの成膜
条件を、Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度 200℃、基板バ
イアス電圧− 300Ｖ、膜厚 100ｎｍとした以外は、同様
にして磁気記録媒体を作製し、評価を行った。 〔比較例２〕実施例１において、下地層２：Ｃｒの成膜
条件を、Ａｒガス圧50ｍTorr、基板温度＝雰囲気温度、
膜厚50ｎｍとした以外は、同様にして磁気記録媒体を作
製し、評価を行った。
【００２０】以上の実施例１〜７及び比較例１，２の評
価結果を表１に示す。
価結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】この評価結果から、実施例１〜７のもので
は、下地層１をＡｒガス圧（又はＡｒ＋Ｎ2 ガス圧）10
〜 100ｍTorrの雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成
膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合金をＡｒ
ガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜すること
で、比較例１，２に較べ、高保磁力／低ノイズを達成で
きることがわかる。
は、下地層１をＡｒガス圧（又はＡｒ＋Ｎ2 ガス圧）10
〜 100ｍTorrの雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にスパッタ成
膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合金をＡｒ
ガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜すること
で、比較例１，２に較べ、高保磁力／低ノイズを達成で
きることがわかる。
Claims (8)
- 【請求項１】カーボン基板上に、２層状の下地層、磁気
記録層、保護層を成膜してなる磁気記録媒体において、
最初にカーボン基板上に成膜される下地層１をＡｒガス
圧10〜 100ｍTorrの雰囲気で膜厚 150ｎｍ以下にスパッ
タ成膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合金を
Ａｒガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】カーボン基板上に、２層状の下地層、磁気
記録層、保護層を成膜してなる磁気記録媒体において、
最初にカーボン基板上に成膜される下地層１をＡｒ＋Ｎ
2 ガス圧10〜 100ｍTorr（但し、Ｎ2 ガス圧は全ガス圧
の30％以下）の雰囲気で膜厚150ｎｍ以下にスパッタ成
膜した後、下地層２としてＣｒあるいはＣｒ合金をＡｒ
ガス圧５ｍTorr以下の雰囲気でスパッタ成膜することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】前記下地層１がＣｒあるいはＣｒ合金より
なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記下地層１がＴｉあるいはＴｉ合金より
なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】前記磁気記録層が少なくともＣｏ、Ｃｒ、
Ｐｔを含む合金よりなることを特徴とする請求項１〜請
求項４のいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項６】前記カーボン基板の表面粗さＲａが２ｎｍ
以下であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいず
れか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】前記下地層１の成膜条件として、基板温度
が 100℃以下、前記下地層２の成膜条件として、基板温
度が 100〜 400℃、そして、前記磁気記録層の成膜条件
として、基板温度が 100〜 400℃で、基板バイアス電圧
として負の電圧が印加されることを特徴とする請求項１
〜請求項６のいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項８】前記カーボン基板上に２層状の下地層を成
膜するに先立って、前記カーボン基板上に、蒸着法ある
いはスパッタ法により、ＡｌあるいはＡｌ合金の薄膜を
成膜することにより、基板上に微細な凹凸を形成したこ
とを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１つに記
載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27231294A JPH08138244A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27231294A JPH08138244A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138244A true JPH08138244A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17512135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27231294A Pending JPH08138244A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234164A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置 |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP27231294A patent/JPH08138244A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234164A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置 |
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