JPS6282516A - 磁気デイスクの製造法 - Google Patents

磁気デイスクの製造法

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JPS6282516A
JPS6282516A JP60221860A JP22186085A JPS6282516A JP S6282516 A JPS6282516 A JP S6282516A JP 60221860 A JP60221860 A JP 60221860A JP 22186085 A JP22186085 A JP 22186085A JP S6282516 A JPS6282516 A JP S6282516A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスクの製造法に関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
従来より、例えば環状マグネトロンスパッタ法を用いて
金属薄膜型の磁気ディスクを製造することが試みられて
いる。
しかし、これまでの環状マグネトロンスパッタ法を用い
て製造された磁気ディスク（磁性下地膜である非磁性の
Ｃｒの膜厚は３０００〜４０００　久、磁性膜であるＣ
ｏ−Ｎｉの膜厚は７００〜８００Ａ）は、Ｈｃが７９５
エルステツド、Ｒｓが０．７１、Ｓ　が０．７４、分解
能が９１．９％、孤立再生波形の半値巾Ｗ６゜が１．９
６μｍ、密度特性Ｄｓｏが１６．８２ＫＢＰＩであると
いったように、その静磁気特性及び電磁変換特性が充分
満足できるものでもない。
〔発明の開示〕
本発明者は、環状マグネトロンスパッタ法によって磁気
ディスクを製造する実験において、ふとした手違いから
これまでの環状マグネトロンスパッタ法と多少異なる条
件が施されたことに気付かずにそのまま実験が行なわれ
、そしてこのようにして得られた磁気ディスク（磁性下
地膜であるＣｒの膜厚は３０００〜４０００λ、磁性膜
であるＣｏ−Ｎｉの膜厚は７００〜８００　Ａ　）は、
Ｈｃが１４００エルステツド、Ｒｓが０．７４、Ｓ＊が
０．８４、分解能が９５．７９６１Ｗｓｏが１．６２μ
ｍ、　Ｄｓｏが２３．０ＫＢＰＩ　と％ｓつだように、
その静磁気特性及び電磁変換特性共に大巾に向上したも
のであることに遭遇した。
そこで、本発明者は、静磁気特性及び電磁変換特性が大
巾に向上した上記の磁気ディスクの研究を行なった結果
、この磁気ディスクは、その磁性下地膜及び磁性膜が円
周方向に配向しており、このような配向性によって静磁
気特性及び電磁変換特性が、これまでの配向していない
磁気ディスクのものより大巾に向上するものであること
を究明した。
そして、さらに研究を続け、磁性下地膜及び磁性膜が今
回に限って何故円周方向に配向していたのかを追究した
結果、環状マグネトロンスパッタ法の実施に際してのマ
スクがこれまでのものと異なっていたことを見い出した
のである。
そこで、このような知見を基にして同様な実験を繰り返
した結果、環状マグネトロンスパッタに際してのマスク
によって磁性下地膜及び磁性膜の円周方向における配向
性が大きく左右されることを究明したのである。
すなわち、図面に示すように、磁気ディスクの基板１と
ターゲット２との間にマスク３を配して環状マグネトロ
ンスパッタを行なった場合に、ターゲット２のエロージ
ョンエリア４から飛来して基板１に被着する粒子が実線
矢印で示す領域内のものであれば、換言すれば一点鎖線
の矢印Ａで示すように飛来した粒子は基板１に被着しな
いのであれば、エロージョンエリア４から飛来して被着
した粒子によって形成された磁性下地膜及び磁性膜は円
周方向に配向したものであることを究明したのである。
つまり、中心部に円孔３ａを設けたマスク３の円孔３ａ
端が、図面中斜線Ｂで示す領域中に存在するようマスク
３を基板１とターゲット２との間に配置して環状マグネ
トロンスパッタを行ない、磁性下地膜及び磁性膜を形成
すれば、この磁性下地膜及び磁性膜は円周方向に配向し
たものとなることを確認したのである。
尚、これまでにおいては、磁性下地膜及び磁性膜の形成
に際しては共に同じように行なうことしか述べなかった
が、磁性下地膜の形成に際して図面に示すような手法で
行なって磁性下地膜が円周方向に配向するようにしてお
けば、この磁性下地膜上に形成される磁性膜の形成に際
しては、図面に示すような手法を採用せず、これまでの
環状マグネトロンスパッタ法と同様な手法で行なっても
、磁性下地膜の影響を受けて磁性膜は円周方向に配向す
る。
又、言うまでもないことであるが、磁性膜が円周方向に
配向していれば、この磁気ディスクの静磁気特性及び電
磁変換特性は向上するものであるのである。
以上のような知見を基にして本発明は為し遂げ、″Ｆ″
机″″’ｃａｂ・１曇１１に１１１４７及び／又は磁性
膜をスパッタ法によって形成して磁気ディスクを製造す
る場合に、実質上前記基板の中心軸仮想線を越えるよう
に飛来する磁性下地膜及び／又は磁性膜を構成する蒸発
粒子のみが基板上に被着されて磁性下地膜及び／又は磁
性膜を形成するようにした磁気ディスクの製造法を提供
するものである。
〔実施例〕
磁気ディスク用のアルミニウム製の基板１、ターゲット
２及びマスク３を図面に示すような関係に配置し、そし
てアルゴンガス圧５ミリＴｏｒｒの条件下で環状マグネ
トロンスパッタを行１い、エロージョンエリア４から飛
来するＣｒ粒子のうち、基板１の中心軸仮想線５を越え
るように飛来するＣｒ粒子のみが基板１の面上に被着し
て磁性下地膜となるＣｒ膜６を約３０００〜４０ｏＯ＾
厚形成するようにし、次いでエロージョンエリア４から
飛来するＣｏ−Ｎｉ粒子のうち、基板１の中心軸仮想線
５を越えるように飛来するＣ　ｏ　−Ｎ　ｉ粒子のみが
Ｃｒ膜６の面上に被着して磁性膜となるＣｏ−Ｎｉ磁性
膜７を約７００〜８００＾厚形成するようにして磁気デ
ィスクを得る。
上記のようにして得られた磁気ディスクの特性を調べる
と、Ｈｃが１４００エルステツ゛ド、Ｒ５が０．７４、
Ｓ　が０．８４、分解能が９５．７％、Ｗ、。が１．６
２μｍ、Ｄｓ。が２３．０ＫＢＰＩであり、その静磁気
特性及び電磁変換特性は極めて良好なものである。
〔効果〕
本発明に係る磁気ディスクの製造法は、基板上に磁性下
地膜及び／又は磁性膜をスパッタ法によって形成して磁
気ディスクを製造する場合に、実質上前記基板の中心軸
仮想線を越えるように飛来する磁性下地膜及び／又は磁
性膜を構成する蒸発粒子のみが基板上に被着されて磁性
下地膜及び／又は磁性膜を形成するようにしたので、こ
のようにして得られた磁気ディスクの磁性膜は円周方向
の静磁気特性及び電磁変換特性が向上し、高性能な磁気
ディスクが得られるようになり、そしてこのような磁気
ディスクは製造に際して例えばマスクを考慮するのみで
良いから低コストで得られる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明に係る磁気ディスクの製造法の実施に際
して用いられる環状マグネトロンスパッタ装置の要部の
概略を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・ターゲット、３・・・マスク、
４・・・エロージョンエリア、５・・・中心軸仮想線、
６・・・Ｃｒ膜（磁性下地膜）、 ７・・・Ｃｏ−Ｎｉ磁性膜（磁性膜）。 ２．４　ム゛ ・、（

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に磁性下地膜及び／又は磁性膜をスパッタ法によ
    って形成して磁気ディスクを製造する場合に、実質上前
    記基板の中心軸仮想線を越えるように飛来する磁性下地
    膜及び／又は磁性膜を構成する蒸発粒子のみが基板上に
    被着されて磁性下地膜及び／又は磁性膜を形成するよう
    にしたことを特徴とする磁気ディスクの製造法。
JP60221860A 1985-10-07 1985-10-07 磁気デイスクの製造法 Granted JPS6282516A (ja)

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