JPS60167122A - 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する
。

背景技術とその問題点 従来一般に普及されている磁気記録媒体は、針状の磁性
粉と面分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基板
上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体で
ある。

これに比し、Ｇｏ、　Ｐｅ、　Ｎｉの磁性金属或いはこ
れらの合金を真空蒸着、スパッタリング奪によって非磁
性基板上に形成する金属薄膜型の磁気記録媒体は、その
磁性層中に非磁性の結合剤が混入されていないために高
い残留磁束密度が得れ、また磁性層を極めて薄く形成す
ることができるために高出力且つ短波長応答性にすぐれ
ているという利点がある。

またこのような金属薄膜型磁気記録媒体として、例えば
ほぼ垂直蒸着で非磁性基板上に下地１−とし”ζＢｉ等
の凝固時に体積膨張する非磁性金属層を被着した後、引
き続い′ζこれの上にＧｏ、　Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁
性金属蒸着膜を形成することによって、商い抗磁力を有
するようになした磁気記録媒体が提案されている。

しかし、かかる金属薄膜型磁気記録媒体は、電磁変換特
性の面からは優れた磁気記録媒体であるが、従来方法で
製造されたものは実用上耐久性に劣り、不満足であった
。

発明の目的 本発明は、上述の点に鑑み、耐久性が向上し、また耐錆
性も向上する金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法を提供
するものである。

発明の概要 本発明は、非磁性基板上に形成した強磁性金属薄膜磁性
層の表面に基板温度を１２０℃以上に保持した状態で酸
素イオンボンバード処理を施すようにした金属薄膜型磁
気記録媒体の製造方法である。

この発明の製法によれば、金属薄膜型磁気記録媒体の耐
久性及び耐錆性が向上する。

実施例 以下本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明に適用されるボンバード処理兼用の蒸着
装置である。

この装置（１１は酸素ガス（０２）の導入管（２）を備
えた真空槽（３）内に非磁性基板（２１）を保持したリ
ング状ホルダー（４）が配され、このホルダー（４）に
対向する下方位置に磁性層等の蒸着源（図では便宜、Ｆ
ｌつだけ不す）（５）が配される。ホルダー（４）に近
い位置に直流電圧（例えばＩ　ＫＶ）が印加されるリン
グ状のボンバード電極（６）が配され、さらに非磁性基
４Ｎ（２１）の上方に基板温度を設定するための加熱制
御手段（７）が配される。この装置では、磁性Ｊ−等の
Ｍ着時には真空槽（３）内を所定の真空度にして対応す
る蒸着源（５）によって非磁性基＆（２１）上に磁性層
等を蒸着するようになず。又、管（２）を通じて真空槽
（３）内に酸素ガスを導入し、ボンバード電極（６）に
直流電圧を印加するごとによって酸素イオンボンバード
処理が行える。

実施例１ 第１図の装置（１１内に、厚さ３０μのポリイミドフィ
ルムよりなる非磁性基板（２１）を配し、真空槽（３）
内に９２．ガスを導入して、先づ、非磁性基板（２１）
上に０２イオンのボンバード処理（２２）を１Ｔった。

ボンバード条件は次の通りである。

０２ガス圧　：　６．５Ｐａ 印加電圧　：ＩＫシ イオン電流　：　’１００Ｉｌ＾ 基娠温度　：１５０’ｃ 次いで、真空槽（３）を１０−’　Ｐａの真空度にし、
蒸着源（５）をＢｉとして非磁性基板（２１）上に基板
温度を１５０℃に保持した状態で下地層（２３）として
のＢｉを電子ビーム加熱法により５０人の厚みで蒸着し
、引き続き蒸着源（５）としてＣｏ−３ＯＮｉ　（Ｃｏ
が７０％、Ｎｉが３０％）を用いζ同じく電子ビーム加
熱法によりＧｏ−Ｎｉ合金磁性層（２４）を３５０人の
厚みに蒸着した。次で、この様にして形成された磁性層
表面に前述と同じボンバード条件で、０２イオンのボン
バード処理（２２）を行って第２図に承ず金属薄膜型磁
気記録媒体を作製した。

実施例２ ボンバード処理時の基板温度を２θｏ℃とし、その他は
実施例１と同じにして、第２図と同様の金属薄１型磁気
記録媒体を作製した。

比較例１ ボンバード処理時の基板温度を１００℃とし、その他は
実施例１と同じにして、第２図と同様の金属薄膜型磁気
記録媒体を作製した。

比較例２ ボンバード処理時の基板温度を１００’Ｃとし、その他
は実施例１と同じにして、第２図と同様の金ｂｌｓ薄膜
型磁気記録媒体を作製した。

上記各側の磁気記録媒体から直径３．５インチのディス
ク状媒体を得、ソニー製ディスク駆動装置に装着し走行
させて記録、再生を行い、再生出方が初期出力より６ｄ
Ｂ減少するまでの時間を測定して耐久性の評価を行った
。その結果を下記表に示す。

表 Ｉｉｆ　１ｉｌｉのＯ印は良好、×印は不良をボす。耐
久性としては、６０分以上であれば実用に供し得る。

上記表から明らかなように実施例１及び２におい−Ｃ１
耐久性が向上している。この理由は磁性層（２４）表面
を１２０ｔ’以上の高温で０２イオンボンバード処理す
ることにより、より表向の酸化が進んで緻密な酸化膜が
形成されるためと考えられる。

この緻密な酸化膜によって耐＃＋１悟、も向上する。ま
た、非磁性基板表面への晶温の０２イオンボンバード処
理によって、下地層（２３）となるＢｉの被着強度が」
二がる。

第３図乃至第７図に本製造方法で作製される金属ｓ模型
磁気記録媒体の応用例を示す。

第３図はポリイミドフィルムによる非磁性基板（２１）
上にＢｉの下地１（２３）及びその上にＧｏ−Ｎｉ合金
の磁性層（２４）を被着形成し、磁性層（２４）の表面
に０２イオンボンバード処理（２２）を施した場合であ
る。

第・４図は非磁性基板（２１）の表向と磁性層（２４）
の表面に０２イオンボンバード処理を施した場合である
。

第５図は非磁性基板（２１）の表面のみを０２イオンボ
ンバード処理した場合である。

第６図はＣｏ−Ｎｊ合金の磁性層（２４）の表面に０２
イオンボンバード処理を施した後、その上に５ｉ（ｂあ
るいはＣｒ２０ａ等の如き保Ｈ１ｌ＊　（２６）を形成
し、この保鏝膜（２６）の表面にさらに０２イオンボン
バード処理（２２）を施した場合である。

第７図はＢｉの一ト地層（２３）及びＧｏ−Ｎｉ合金の
磁性Ｊｌ（２４）を多層に構成し、非磁性基板（２１）
表向、中間のＣｏ−Ｎｉ合金磁性層（２４）表面、及び
最上１−のＧｏ−Ｎｉ合金磁性層（２４）表面に夫々０
２イオンボンバード処理（２２）を施した場合である。

この様な多Ｊ−構造では中間層のボンバード処理でＢｉ
の１地層（２７）の被着強度も上がる。

面、下地層となる凝固時に体積膨張する非磁性金属とし
ては、Ｂｉの他、Ｓｂ＋　Ｇａ、　Ｇｅ、　ｓｔ、　Ｔ
ｌｌ及びこれつ、９合金、金属間化合物等を用いること
ができる。また磁性層としては、Ｃｏ−Ｎｉの他、Ｃｏ
。

Ｎｉ、　Ｆｅ等の磁性金属及びその合金等を用いること
ができる。

非磁性支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の
＾分子フィルム、ガラス、セラミック、サファイア或い
は表面を酸化した金属板等を用いることができる。

発明の効果 」二連の本発明によれば、非磁性支持体の強磁性金属＠
欣磁性）−の表向に基板温度を１２０℃以上に保持した
状態で酸化イオンボンバード処理を施すごとにより、磁
性１−表面の酸化が進み、緻密な酸化膜が形成される。

この結果、金属薄膜型磁気記録媒体において、その耐久
性が向上し、また耐錆性も向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に通用されるボンバード処理兼用の蒸着
装置の一例を示す構成図、第２図は本発明の詳細な説明
に供する金属Ｗ＃膜型磁気記録媒体のＶｌｉｉｋＩ図、
第３図乃至第７図は本発明の製造方法で作製される金属
ｖｓ、膜型離型磁気記録媒体用例を示す断面図１である
。 （２１）は非磁性基板、（２２）ば０２イオンボンバー
ド処理、（２３）は下地層、（２４）に磁性層である。 第１り函コ １２図 ５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基板上に強磁性金属Ｓ膜磁性層を形成し、該磁性
   層表面に上記基板を１２０℃以上に保持した状態で酸素
   イオンボンバード処理を施すことを特徴とする金属薄膜
   型磁気記録媒体の製造方法。