JPS62150517A - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
- Publication number
- JPS62150517A JPS62150517A JP29079585A JP29079585A JPS62150517A JP S62150517 A JPS62150517 A JP S62150517A JP 29079585 A JP29079585 A JP 29079585A JP 29079585 A JP29079585 A JP 29079585A JP S62150517 A JPS62150517 A JP S62150517A
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- Japan
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- intermediate layer
- thin film
- magnetic
- magnetic medium
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置などに用いて好適な磁気記
録体に関する。
録体に関する。
現在、磁気ディスク装置に用いられる磁気記録体は、非
磁性基板上に、γ−Ｆｅ’ｔＯｉなどの磁性微粒子を塗
布して磁性媒体が形成されており、この磁性媒体は不連
続媒体である。これに対して、近年、記録容量などの増
大化を達成するための高記録密度化の要求が高まり、磁
気記録体としても、保磁力、角形比をさらに高めること
が必要となって、磁性媒体として薄膜連続媒体の研究、
開発が進められている。
磁性基板上に、γ−Ｆｅ’ｔＯｉなどの磁性微粒子を塗
布して磁性媒体が形成されており、この磁性媒体は不連
続媒体である。これに対して、近年、記録容量などの増
大化を達成するための高記録密度化の要求が高まり、磁
気記録体としても、保磁力、角形比をさらに高めること
が必要となって、磁性媒体として薄膜連続媒体の研究、
開発が進められている。
保磁力を高める方法としては、従来、
（ｉ）磁性媒体の材料の組成によるもの（電々公社研究
実用化報告第２１第２号（１９７７）Ｐ 、 ５８５−
５９４）。
実用化報告第２１第２号（１９７７）Ｐ 、 ５８５−
５９４）。
（ｉｉ ）非磁性基板と薄膜磁性媒体との間に中間層を
設ける（特開昭６０−３５３３２号公報）。
設ける（特開昭６０−３５３３２号公報）。
（ｉｉｉ ）非磁性基板上に斜めに蒸着することによっ
て薄膜磁性媒体を形成する（近角聴信著「強磁性体の物
理（下）」裳華房（昭５９）ｐ。
て薄膜磁性媒体を形成する（近角聴信著「強磁性体の物
理（下）」裳華房（昭５９）ｐ。
（ｉｖ ）薄膜磁性媒体を形成中、または形成後に磁場
中で処理する（上記（ｉｉｉ ）の文献のｐ、５６−６
９）などが知られている。
中で処理する（上記（ｉｉｉ ）の文献のｐ、５６−６
９）などが知られている。
しかし、上記のいずれの方法によっても、保磁力や角形
比に限界があり、磁気記録媒体の高記録密度化を促進す
るためには、これらをさらに高める必要がある。
比に限界があり、磁気記録媒体の高記録密度化を促進す
るためには、これらをさらに高める必要がある。
本発明の目的は、かかる要求を満すものであって、保磁
力や角形比がさらに向上した磁気記録媒体を提供するに
ある。
力や角形比がさらに向上した磁気記録媒体を提供するに
ある。
非磁性基板と薄膜磁性媒体との間に、斜めスパッタによ
る非磁性金属の中間層を設ける。
る非磁性金属の中間層を設ける。
斜めスパッタによる中間層の斜め成長に起因し、該中間
層の上に形成した薄膜磁性媒体に、その表面に平行な磁
気異方性（以下、面内磁気異方性という）が生じ、これ
が保磁力、角形比を高める。
層の上に形成した薄膜磁性媒体に、その表面に平行な磁
気異方性（以下、面内磁気異方性という）が生じ、これ
が保磁力、角形比を高める。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明による磁気配録媒体の一実施例を示す部
分断面図であって、１０１は非磁性基板、１０２は中間
層、１０３は薄膜磁性媒体である。
分断面図であって、１０１は非磁性基板、１０２は中間
層、１０３は薄膜磁性媒体である。
同図において、非磁性基板１０１上には稠密六方構造を
とる非磁性金属薄膜の中間層１０２が設けられ、さらに
、その上に薄膜磁性媒体１０３が設けられている。
とる非磁性金属薄膜の中間層１０２が設けられ、さらに
、その上に薄膜磁性媒体１０３が設けられている。
中間層１０２は斜めスパッタによって形成されたもので
あり、非磁性基板１０１上に成長した金属薄膜の結晶粒
は、スパッタ方向（すなわち、蒸気の入射方向）に傾く
柱状構造をなしている。この実施例では、この金属薄膜
の材料としては、結晶粒の柱状構造が稠密六方構造をと
るＴｉ、Ｚｒ。
あり、非磁性基板１０１上に成長した金属薄膜の結晶粒
は、スパッタ方向（すなわち、蒸気の入射方向）に傾く
柱状構造をなしている。この実施例では、この金属薄膜
の材料としては、結晶粒の柱状構造が稠密六方構造をと
るＴｉ、Ｚｒ。
Ｚｎなどを用いる。
第２図は中間層１０１の形成方法を示すものであって、
ターゲット１０４は非磁性基板１０１の法線１０５（す
なわち、非磁性基板１０１の表面に垂直な方向）に対し
て角度θだけ傾いた方向に設ける。ターゲット１０４か
らのスパッタ粒子は、入射角θで非磁性基板１０１に照
射され、これによって結晶粒が入射角θ方向に成長した
中間層１０２が非磁性基板１０１上に得られる。この入
射角θとしては、θ２４５°になるように設定する。
ターゲット１０４は非磁性基板１０１の法線１０５（す
なわち、非磁性基板１０１の表面に垂直な方向）に対し
て角度θだけ傾いた方向に設ける。ターゲット１０４か
らのスパッタ粒子は、入射角θで非磁性基板１０１に照
射され、これによって結晶粒が入射角θ方向に成長した
中間層１０２が非磁性基板１０１上に得られる。この入
射角θとしては、θ２４５°になるように設定する。
薄膜磁性媒体１０３ （第１図）を形成する場合には、
第２図において、入射角θがθ≦４５°となるようにす
る。
第２図において、入射角θがθ≦４５°となるようにす
る。
このように中間１！１１０２と薄膜磁性媒体１０３とを
形成すると、薄膜磁性媒体１０３にその表面に平行な磁
化容易軸１０６を有する面内磁気異方性が生ずる。この
面内磁気異方性の方向４コ゛、ターゲットｌＯ４と非磁
性基板１０１上のスパッタ粒子の照射点とを含む面（す
なわち、中間［１０２の結晶粒の成長方向を含む面）に
垂直な方向である。したがって、たとえば、ターゲット
１０４の位置を非磁性基板１０１の法線１０５を中心と
して変化させることにより、１！膜磁性媒体１０３に生
ずる面内磁気異方性の方向を変えることができる。
形成すると、薄膜磁性媒体１０３にその表面に平行な磁
化容易軸１０６を有する面内磁気異方性が生ずる。この
面内磁気異方性の方向４コ゛、ターゲットｌＯ４と非磁
性基板１０１上のスパッタ粒子の照射点とを含む面（す
なわち、中間［１０２の結晶粒の成長方向を含む面）に
垂直な方向である。したがって、たとえば、ターゲット
１０４の位置を非磁性基板１０１の法線１０５を中心と
して変化させることにより、１！膜磁性媒体１０３に生
ずる面内磁気異方性の方向を変えることができる。
そこで、この実施例では、中間層１０２や薄膜磁性媒体
１０３の形成手段を制御することにより、第３図に示す
ように、磁化容易軸１０６の方向を磁気記録体１０７の
円周方向に一致させている。
１０３の形成手段を制御することにより、第３図に示す
ように、磁化容易軸１０６の方向を磁気記録体１０７の
円周方向に一致させている。
先に（ｉｉｉ ）で説明した従来技術では、潰Ｍ４磁性
媒体に磁化容易軸の方向がスパッタ粒子の入射方向に一
敗する磁気異方性が生ずる。磁性媒体の保磁力、角形比
は磁化容易軸とは方向が異なる程小さくなるものである
から、園内磁気異方性を生ずる上記実施例では、上記従
来技術に比べて保磁力、角形比が優れ、Ｓ／Ｎが向上し
て記録密度をより高めることができる。
媒体に磁化容易軸の方向がスパッタ粒子の入射方向に一
敗する磁気異方性が生ずる。磁性媒体の保磁力、角形比
は磁化容易軸とは方向が異なる程小さくなるものである
から、園内磁気異方性を生ずる上記実施例では、上記従
来技術に比べて保磁力、角形比が優れ、Ｓ／Ｎが向上し
て記録密度をより高めることができる。
次に、この実施例をさらに具体的に説明する。
具体例１：
非磁性基板１０１としては、Ａ１合金ディスクを用い、
このディスク上にＮｉ −Ｐ合金を無電解メッキした後
、その表面を鏡面研摩し、最大表面粗さが０．０４μｍ
以下となるように表面仕上げをした。
このディスク上にＮｉ −Ｐ合金を無電解メッキした後
、その表面を鏡面研摩し、最大表面粗さが０．０４μｍ
以下となるように表面仕上げをした。
次に、入射角θが４５°以上となるように制御して非磁
性基板ｌＯ１上に非磁性金属を斜めスパッタし、厚さ０
．０５〜０．５μｍの中間層１０２を形成した。この場
合、この非磁性金属としてはＴｉ。
性基板ｌＯ１上に非磁性金属を斜めスパッタし、厚さ０
．０５〜０．５μｍの中間層１０２を形成した。この場
合、この非磁性金属としてはＴｉ。
ＺｒあるいはＺｎを用いた。これにより、中間層１０２
を構成する結晶粒は稠密六方構造をなしている。
を構成する結晶粒は稠密六方構造をなしている。
次いで、入射角θが４５°よりも小さくなるように制御
して中間層１０２上に磁性材料をスパッタし、厚さ０．
１７μｍ程度の薄膜磁性媒体１０３を形成した。この磁
性材料としては、ＣＯをドープしたγ−Ｆｅ、Ｏ，を用
い、形成された薄膜磁性媒体１０３としては、連続媒体
となっている。
して中間層１０２上に磁性材料をスパッタし、厚さ０．
１７μｍ程度の薄膜磁性媒体１０３を形成した。この磁
性材料としては、ＣＯをドープしたγ−Ｆｅ、Ｏ，を用
い、形成された薄膜磁性媒体１０３としては、連続媒体
となっている。
なお、上記の中間層１０２の形成工程においては、非磁
性基板１０１を一部開口したマスクで覆い、かつ非磁性
基板１０１を回転させた。これにより、非磁性基板１０
１の全体にわたってスパッタの方向がほとんど一様とな
り、第３図に示したように、薄膜磁性媒体１０３での磁
化容易軸１０６の方向が磁気記録体の円周方向に一致し
た。
性基板１０１を一部開口したマスクで覆い、かつ非磁性
基板１０１を回転させた。これにより、非磁性基板１０
１の全体にわたってスパッタの方向がほとんど一様とな
り、第３図に示したように、薄膜磁性媒体１０３での磁
化容易軸１０６の方向が磁気記録体の円周方向に一致し
た。
次表は、薄膜磁性媒体１０３として、ＣＯをドープした
ｒ Ｆｅｗ Ｏｓ ＜Ｃｏ−ｒ Ｆｅｗ Ｏｓ）
を用いて、中間層１０２の厚さを０．３μｍとし、中間
層１０２の材料をＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎとしたときの薄膜磁
性媒体１０３の保磁力と角形比とを従来技術と対比して
示したものである。
ｒ Ｆｅｗ Ｏｓ ＜Ｃｏ−ｒ Ｆｅｗ Ｏｓ）
を用いて、中間層１０２の厚さを０．３μｍとし、中間
層１０２の材料をＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎとしたときの薄膜磁
性媒体１０３の保磁力と角形比とを従来技術と対比して
示したものである。
〈表〉
上表において、例（イ）は中間層１０２を設けずに、非
磁性基板１０１に直接１１ｗｊ４Ｎ性媒体１０３を形成
した場合である。また、例（ロ）〜（ニ）は、夫々上段
が上記具体例に関するものであり、下段は中間層１０２
を入射角θが４５°よりも小さいスパッタ（すなわち、
通常スパッタ）で形成した場合である。
磁性基板１０１に直接１１ｗｊ４Ｎ性媒体１０３を形成
した場合である。また、例（ロ）〜（ニ）は、夫々上段
が上記具体例に関するものであり、下段は中間層１０２
を入射角θが４５°よりも小さいスパッタ（すなわち、
通常スパッタ）で形成した場合である。
上表から明らかなように、斜めスパッタによって稠密六
方構造を有する中間層１０２を形成する上記具体例では
、薄膜磁性媒体１０３の材料を同一とした場合、その保
磁力および角形比は、中間層１０２を設けない場合（例
（イ））よりも夫々約１５００ｅ以上、０．１５増加し
、また、通常スパッタで中間層１０２を形成した場合よ
りも夫々約５００ｅ、０．１増加し、磁気記録体の磁気
特性が格段に向上している。
方構造を有する中間層１０２を形成する上記具体例では
、薄膜磁性媒体１０３の材料を同一とした場合、その保
磁力および角形比は、中間層１０２を設けない場合（例
（イ））よりも夫々約１５００ｅ以上、０．１５増加し
、また、通常スパッタで中間層１０２を形成した場合よ
りも夫々約５００ｅ、０．１増加し、磁気記録体の磁気
特性が格段に向上している。
なお、上表では、中間層１０２の膜厚を０．３μｍの場
合を示したが、これが０．１〜０．５μｍの範囲にあれ
ば、同様の効果が得られる。
合を示したが、これが０．１〜０．５μｍの範囲にあれ
ば、同様の効果が得られる。
具体例２：
薄膜磁性媒体１０３の材料をＣＯとし、具体例１と同様
の処理を行なった。この結果、中間層１０２を通常スパ
ッタによって形成した場合に比べ、保磁力が約５００ｅ
増加し、角形比も０．９から０．９５へ増加した。中間
７１１０２の膜厚が０．１〜０．５μｍの範囲で同様の
効果が得られた。
の処理を行なった。この結果、中間層１０２を通常スパ
ッタによって形成した場合に比べ、保磁力が約５００ｅ
増加し、角形比も０．９から０．９５へ増加した。中間
７１１０２の膜厚が０．１〜０．５μｍの範囲で同様の
効果が得られた。
具体例３：
薄膜磁性媒体１０３の材料をＣｏ−３０％Ｎｉとし、具
体例１と同様の処理を行なった。この結果、中間［１０
２を通常スパッタによって形成した場合に比べ、保磁力
が約５００ｅ増加し、角形比も０．９から０．９５へ増
加した。中間Ｊ！！１０２の膜厚が０．１〜０．５μｍ
の範囲で同様の効果が得られた。
体例１と同様の処理を行なった。この結果、中間［１０
２を通常スパッタによって形成した場合に比べ、保磁力
が約５００ｅ増加し、角形比も０．９から０．９５へ増
加した。中間Ｊ！！１０２の膜厚が０．１〜０．５μｍ
の範囲で同様の効果が得られた。
以上のように、非磁性基板と薄ＷＩ４ｍ性媒体との間に
斜めスパッタによる非磁性金属の中間層を設けることに
より、薄膜磁性媒体の磁気特性が大幅に向上する。
斜めスパッタによる非磁性金属の中間層を設けることに
より、薄膜磁性媒体の磁気特性が大幅に向上する。
なお、上記実施例では、薄膜磁性媒体の材料をＣｏ−ｒ
−Ｆｅ！Ｏ，、Ｃｏ、Ｃｏ−３０％Ｎｉとしたが、本発
明はこれらのみに限られるものではない、また、中間層
の材料としても、斜めスパッタによって稠密六方構造の
結晶粒が形成されれば、先にあげたＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎ以
外のものであってもよい。
−Ｆｅ！Ｏ，、Ｃｏ、Ｃｏ−３０％Ｎｉとしたが、本発
明はこれらのみに限られるものではない、また、中間層
の材料としても、斜めスパッタによって稠密六方構造の
結晶粒が形成されれば、先にあげたＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎ以
外のものであってもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ｆｉｌｌ Ｉｆ
ｆ Ｌｎ性媒体に面内磁気異方性を生じさせることがで
きるから、その保磁力、角形比が格段に増大し、良好な
Ｓ／Ｎで記録密度が大幅に向上する。
ｆ Ｌｎ性媒体に面内磁気異方性を生じさせることがで
きるから、その保磁力、角形比が格段に増大し、良好な
Ｓ／Ｎで記録密度が大幅に向上する。
第１図は本発明による磁気記録体の一実施例を示す部分
断面図、第２図は第１図におりる中間層のスパッタ方法
を示す説明図、第３図番ｊ第１図における薄膜磁性媒体
での磁化容易軸方向を示す模式図である。 １０１・・・・非磁性基板、１０２・・・・中間層、１
０３・・・・薄膜磁性媒体、１０６・・・・磁化容易軸
方向。 第１図 第２図 第３図
断面図、第２図は第１図におりる中間層のスパッタ方法
を示す説明図、第３図番ｊ第１図における薄膜磁性媒体
での磁化容易軸方向を示す模式図である。 １０１・・・・非磁性基板、１０２・・・・中間層、１
０３・・・・薄膜磁性媒体、１０６・・・・磁化容易軸
方向。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）非磁性基板と金属または酸化物薄膜磁性媒体との
間に非磁性金属の中間層を設けてなる磁気記録体におい
て、該中間層は斜めスパッタによつて形成されてなるこ
とを特徴とする磁気記録体。 - （２）特許請求の範囲第（１）項において、前記中間層
は、稠密六方構造の金属結晶粒からなることを特徴とす
る磁気記録体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29079585A JPS62150517A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気記録体 |
| EP86117767A EP0227069A3 (en) | 1985-12-25 | 1986-12-19 | Middle layer material for magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29079585A JPS62150517A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150517A true JPS62150517A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17760591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29079585A Pending JPS62150517A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441558U (ja) * | 1990-08-07 | 1992-04-08 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29079585A patent/JPS62150517A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441558U (ja) * | 1990-08-07 | 1992-04-08 |
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