JPS6130017A - 酸化物垂直磁化薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物垂直磁化薄膜の製造方法Info
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- JPS6130017A JPS6130017A JP15097684A JP15097684A JPS6130017A JP S6130017 A JPS6130017 A JP S6130017A JP 15097684 A JP15097684 A JP 15097684A JP 15097684 A JP15097684 A JP 15097684A JP S6130017 A JPS6130017 A JP S6130017A
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- Japan
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- atoms
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は磁気記録用酸化物垂直磁化薄膜の製造に関する
ものであり、特に、金属状態のターゲットを用いてＦｅ
原子、Ｂａ原子および酸素原子を基板に垂直方向に積層
させ、マグネトブランバイト屋バリウムフェライト薄膜
を製造する方法に関する。
ものであり、特に、金属状態のターゲットを用いてＦｅ
原子、Ｂａ原子および酸素原子を基板に垂直方向に積層
させ、マグネトブランバイト屋バリウムフェライト薄膜
を製造する方法に関する。
〈従来の技術〉
磁気記録の高記録密度化を図るために、水平記録方式に
代わるものとして垂直記録方式が提案されている。この
新しい方式では膜の厚さ方向に磁気異方性を持つ垂直磁
化薄膜を媒体として用いることが望ましい。媒体として
は、これまで主としてＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜の研究が行
なわれている。しかし、大容量・高密度磁気ディスク装
置、即ち媒体とヘッドのスペーシングが約０．２μｍ前
後で相対速度的２０ ｍ／８の条件で動作する磁気ディ
スク装置に垂直記録方式を適用する場合、媒体に要求さ
れる機械強度や信頼性条件が厳しくなシ、そのため上記
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜に代るものとして耐酸化性に優れ
、かつ膜硬度の大きいマグネトブランバイト屋の一軸異
方性バリウムフエ２イト薄膜を磁気記録媒体として用い
る研究がなされている。
代わるものとして垂直記録方式が提案されている。この
新しい方式では膜の厚さ方向に磁気異方性を持つ垂直磁
化薄膜を媒体として用いることが望ましい。媒体として
は、これまで主としてＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜の研究が行
なわれている。しかし、大容量・高密度磁気ディスク装
置、即ち媒体とヘッドのスペーシングが約０．２μｍ前
後で相対速度的２０ ｍ／８の条件で動作する磁気ディ
スク装置に垂直記録方式を適用する場合、媒体に要求さ
れる機械強度や信頼性条件が厳しくなシ、そのため上記
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜に代るものとして耐酸化性に優れ
、かつ膜硬度の大きいマグネトブランバイト屋の一軸異
方性バリウムフエ２イト薄膜を磁気記録媒体として用い
る研究がなされている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
マグネトブランバイト星フェライトはＭＦｅｌｌＯｌ。
（Ｍ ： Ｂａ 、 Ｐｂ 、 Ｓｒ ）の化学式を持
ち、複雑な構造を有すること、およびバリウム酸化鉄膜
は異なった構造を有する化合物が数多く存在することの
ため作製が難かしい。従前はスフ４ツタ法によυこのマ
グネトブランバイトｍの一軸異方性バリウム薄膜を作製
している。
ち、複雑な構造を有すること、およびバリウム酸化鉄膜
は異なった構造を有する化合物が数多く存在することの
ため作製が難かしい。従前はスフ４ツタ法によυこのマ
グネトブランバイトｍの一軸異方性バリウム薄膜を作製
している。
即ち、従来の製造方法は目的とする膜組成と同一の組成
を有する焼結酸化物ターゲットを用いて基板上ＫＢａＦ
ｅＩＩＯ１，を形成している。ところが従来の製造方法
においては、スパッタ中に焼結ターゲットが割れやすい
ことや、膜組成が経時変化しやすいなどの欠点を有して
いる。更に基板温度として５００ ’Ｃ程度の高温を保
つ必要があるなど、製造上の問題点を有している。
を有する焼結酸化物ターゲットを用いて基板上ＫＢａＦ
ｅＩＩＯ１，を形成している。ところが従来の製造方法
においては、スパッタ中に焼結ターゲットが割れやすい
ことや、膜組成が経時変化しやすいなどの欠点を有して
いる。更に基板温度として５００ ’Ｃ程度の高温を保
つ必要があるなど、製造上の問題点を有している。
〈問題点を解決するための手段および作用〉本発明は膜
組成が安定に形成でき、かつ膜の強度も大きく、更に基
板温度も低いマグネトブランバイト型バリウムフェライ
ト薄膜の酸化物垂直磁化薄膜を製造する方法を麺供する
ものであって、その構成は、酸化雰囲気中でスパッタリ
ングを行い、基板上に間歇的にＦｅ原子とＢａ原子とを
付着させてＦｅ原子とＢ＆原子の層厚を制御し、酸素原
子層と平均０．５１ないし１０人の厚さのＢａ原子層お
よびＦｅ原子層を交互に積層させることによりマグネト
プランバイト型バリウムフェライト薄膜を形成すること
を特徴とする。
組成が安定に形成でき、かつ膜の強度も大きく、更に基
板温度も低いマグネトブランバイト型バリウムフェライ
ト薄膜の酸化物垂直磁化薄膜を製造する方法を麺供する
ものであって、その構成は、酸化雰囲気中でスパッタリ
ングを行い、基板上に間歇的にＦｅ原子とＢａ原子とを
付着させてＦｅ原子とＢ＆原子の層厚を制御し、酸素原
子層と平均０．５１ないし１０人の厚さのＢａ原子層お
よびＦｅ原子層を交互に積層させることによりマグネト
プランバイト型バリウムフェライト薄膜を形成すること
を特徴とする。
本発明は膜厚の制御について、本件出願人の先願に係る
特開昭５８−１１４号（特願昭５６−９８８３６号）の
製造方法を利用する。該先願の製造方法は（１１１＞方
向に４つの等価な結晶磁気異方性を有するスピネル構造
のＦｅＢＯ４水平磁化膜を化学量論に合った組成で製造
するものであシ、本発明とはその目的が異なるが、本発
明は膜厚制御について該先願の製造方法を利用しつつ、
前記先願とは全く異なるターゲット、即ち、Ｆｅないし
Ｆｅ合金ターゲットにＢａペレットを付着したターゲッ
トあるいはＦｅないしＦｅ合金ターゲットとＢａターゲ
ットとを併設したマルチターゲットを用い、Ｆｅ原子層
とＢａ原子層および酸素原子層とを交互に積層させる。
特開昭５８−１１４号（特願昭５６−９８８３６号）の
製造方法を利用する。該先願の製造方法は（１１１＞方
向に４つの等価な結晶磁気異方性を有するスピネル構造
のＦｅＢＯ４水平磁化膜を化学量論に合った組成で製造
するものであシ、本発明とはその目的が異なるが、本発
明は膜厚制御について該先願の製造方法を利用しつつ、
前記先願とは全く異なるターゲット、即ち、Ｆｅないし
Ｆｅ合金ターゲットにＢａペレットを付着したターゲッ
トあるいはＦｅないしＦｅ合金ターゲットとＢａターゲ
ットとを併設したマルチターゲットを用い、Ｆｅ原子層
とＢａ原子層および酸素原子層とを交互に積層させる。
第１図（ａ） （ｂ）および第２図に本発明に係る装置
構成の概略を示す。
構成の概略を示す。
第１図（ａ）伽）はＢａペレットを付け＊Ｆｅターゲッ
トを用い、基板を回転する場合の装置構成例であシ、同
図（ａ）は装置の側面図、同図（ｂ）は同装置の基板正
面図を示す。同図において、１はＦｅ又はＦｅ合金より
成るターゲット、２はＢａペレット、３は静止シールド
マスク、４は回転基板、５は基板ホルダー、６はシール
ドマスク上の所定の開ロバターンである。
トを用い、基板を回転する場合の装置構成例であシ、同
図（ａ）は装置の側面図、同図（ｂ）は同装置の基板正
面図を示す。同図において、１はＦｅ又はＦｅ合金より
成るターゲット、２はＢａペレット、３は静止シールド
マスク、４は回転基板、５は基板ホルダー、６はシール
ドマスク上の所定の開ロバターンである。
第２図はＢａターゲットとＦｅターｒットを用いて、基
板を静止させシールドマスクを開閉もしくは回転させる
装置構成例であり、同図において、１はＦｅまたＩＩ′
ｉ、Ｆｅ合金ターゲット、９はＢａターｙット、７は開
閉もしくは回転シールドマスク、８は静止基板である。
板を静止させシールドマスクを開閉もしくは回転させる
装置構成例であり、同図において、１はＦｅまたＩＩ′
ｉ、Ｆｅ合金ターゲット、９はＢａターｙット、７は開
閉もしくは回転シールドマスク、８は静止基板である。
本発明は上記第１図（ａ） （ｂ）、第２図に示すよう
に、基板上へのＦｅ／ｉ子、Ｂａ原子および酸素原子の
付着が間歇的に行なわれ、ＦｅＩｊＫ子とＢａ原子が１
サイクル当シ平均０．５１から１ｏ＾のオーダーで基板
に付着するようにターゲットと基板の間にシールドマス
クを設置し、基板回転速度を制御しく第１図）、あるい
は静止した基板とターゲットの間にあるシールドマスク
を制御して周期的に開閉しく第２図）、１サイクル当シ
に間歇的に付着するＦｅ原子とＢａ原子の量を制御する
。
に、基板上へのＦｅ／ｉ子、Ｂａ原子および酸素原子の
付着が間歇的に行なわれ、ＦｅＩｊＫ子とＢａ原子が１
サイクル当シ平均０．５１から１ｏ＾のオーダーで基板
に付着するようにターゲットと基板の間にシールドマス
クを設置し、基板回転速度を制御しく第１図）、あるい
は静止した基板とターゲットの間にあるシールドマスク
を制御して周期的に開閉しく第２図）、１サイクル当シ
に間歇的に付着するＦｅ原子とＢａ原子の量を制御する
。
尚、一部開口を有するシールドマスクを回転させても同
様の効果が得られる。酸素雰囲気中で上記間歇的スフ９
ツタリングを行うことによシ、膜厚の制御されたＦｅ原
子層とＢａ原子層および酸素原子層が交互に積層された
薄膜が得られる。
様の効果が得られる。酸素雰囲気中で上記間歇的スフ９
ツタリングを行うことによシ、膜厚の制御されたＦｅ原
子層とＢａ原子層および酸素原子層が交互に積層された
薄膜が得られる。
ところでマグネドグ２ンバイト型フエライトの構造は、
１軸の磁気異方性を示す。Ｃ軸方向に、酸累稠密面が積
層した配置を有する。Ｆｅ原子は、稠密構造をした酸素
イオンが作る間隙に入シ、Ｂａ原子は酸素イオンと一部
置き換わる形で入る。ここでＣ軸方向のこれらの原子の
入る周期を、単位胞の長さ２３．２犬を基準とし、更に
第３図のマグネドグ２ンノ９イト型７エ２イト結晶のＣ
軸方向の断面図を参考にして算出すると、Ｂａ原子の間
隔はｘｌ、ｓＡ、酸素原子層の間隔は約２．３１である
。Ｆｅ原子は酸素イオンが形成する四面体と八面体間隙
に入るため、層の間隔としては１１以下となるが、原子
の拡散現象を考慮し、第３図に示すように、Ｆｅ原子層
の集まりを１つの層と考えて単位胞中に４つの疑似的な
層があるとみなすことができる。そうすると約５〜６＾
の間隔でこの疑似層が存在すると考えられる。このよう
にマグネトブランバイト構造をＢａ原子、Ｆｅ原子およ
び酸素原子の層状構造としてとらえると、酸素原子の金
属原子表面への吸着を考慮しながらＦｅ原子とＢａ原子
を約１２対１の割合で、かつ、基板上へ供給する周期を
制御することでマグネトブランバイト構造を形成するこ
とができる。
１軸の磁気異方性を示す。Ｃ軸方向に、酸累稠密面が積
層した配置を有する。Ｆｅ原子は、稠密構造をした酸素
イオンが作る間隙に入シ、Ｂａ原子は酸素イオンと一部
置き換わる形で入る。ここでＣ軸方向のこれらの原子の
入る周期を、単位胞の長さ２３．２犬を基準とし、更に
第３図のマグネドグ２ンノ９イト型７エ２イト結晶のＣ
軸方向の断面図を参考にして算出すると、Ｂａ原子の間
隔はｘｌ、ｓＡ、酸素原子層の間隔は約２．３１である
。Ｆｅ原子は酸素イオンが形成する四面体と八面体間隙
に入るため、層の間隔としては１１以下となるが、原子
の拡散現象を考慮し、第３図に示すように、Ｆｅ原子層
の集まりを１つの層と考えて単位胞中に４つの疑似的な
層があるとみなすことができる。そうすると約５〜６＾
の間隔でこの疑似層が存在すると考えられる。このよう
にマグネトブランバイト構造をＢａ原子、Ｆｅ原子およ
び酸素原子の層状構造としてとらえると、酸素原子の金
属原子表面への吸着を考慮しながらＦｅ原子とＢａ原子
を約１２対１の割合で、かつ、基板上へ供給する周期を
制御することでマグネトブランバイト構造を形成するこ
とができる。
このように本発明においては、第１図（ａ） （ｂ）お
よび第２図に示す装置例を用いることにょシ上記結晶構
造の解析に基づいたマグネトブランバイト型フェライト
薄膜が形成される。
よび第２図に示す装置例を用いることにょシ上記結晶構
造の解析に基づいたマグネトブランバイト型フェライト
薄膜が形成される。
尚、第１図と第２図との装置構成例については、Ｂａｄ
レットを付着し九Ｆｅターゲットを用い、基板を回転す
る第１図の装置例より、第２図で示したようにＢａ原子
とＦｅ原子の供給源を独立させ、ジッターの開閉によ多
積層堆積周期を制御する装置構成の方がマグネトブラン
バイト型フェライトを形成するのによシ好適である。
レットを付着し九Ｆｅターゲットを用い、基板を回転す
る第１図の装置例より、第２図で示したようにＢａ原子
とＦｅ原子の供給源を独立させ、ジッターの開閉によ多
積層堆積周期を制御する装置構成の方がマグネトブラン
バイト型フェライトを形成するのによシ好適である。
〈実施例〉
以下に本発明の実施例を示す。
実施例−１
第１図（ａ） （ｂ）の装置構成によシ薄膜を形成した
。
。
この場合、Ｆｅターゲットの有効面積に対して、約１０
チの面積を有するＢａペレットをＦｅターゲット表面に
おいた。尚Ｂａペレットの面積チは、電極間距離、スフ
４ツタ効率、シールドマスクの形状や置かれる位置によ
って変わる。基本的には測定した堆積速度分布から約Ｆ
ｅ ａ Ｂａが１２対１に近くなるように決める。全圧
力は２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、 ＩＩｉ素分圧４．Ｘ
１０−” Ｔｏｒｒ 、基板温度３００℃、ＲＦ電力
密度１１．２輩−、ガス流量１５蜂−１基板回転速度を
６ ｒｐｍ （試料１ ） 、 １５ ｒｐｍ（試料２
） 、 ２４ ｒｐｍ （試料３）として、膜厚約３
４００Åの膜を２０分間で形成した。このスパッタリン
グの系において基板回転速度を２４ｒｐｍにした場合（
試料３）の積層堆積間隔は膜厚および時間から次のよう
に考えられる。即ち基板は第１図に示したように反時計
方向に回転しているため、Ｆｅ原子が約４〜５λ厚で堆
積した後Ｂ＆原子が平均約１人弱で堆積し、その上金属
表面上に酸素が１ないし２層（１〜２λ）程度吸着する
。その後も回転に伴なってＦｅ原子、Ｂａ原子と順に堆
積し、又、拡散しながら膜が形成されていく。従って１
回転当９に堆積するＦｅ原子とＢａ原子および酸ｌＬ原
子層のトータルの厚さは約゛７大である。一方、基板回
転速度が１５ｒｐｍの場合（試料２）には、１回転当Ｆ
）Ｆｅ約８〜９λ、Ｂａ約２人弱の堆積が生じ酸素は工
ないし２層（１〜２Ｘ）が吸着していると推測さ詐る。
チの面積を有するＢａペレットをＦｅターゲット表面に
おいた。尚Ｂａペレットの面積チは、電極間距離、スフ
４ツタ効率、シールドマスクの形状や置かれる位置によ
って変わる。基本的には測定した堆積速度分布から約Ｆ
ｅ ａ Ｂａが１２対１に近くなるように決める。全圧
力は２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、 ＩＩｉ素分圧４．Ｘ
１０−” Ｔｏｒｒ 、基板温度３００℃、ＲＦ電力
密度１１．２輩−、ガス流量１５蜂−１基板回転速度を
６ ｒｐｍ （試料１ ） 、 １５ ｒｐｍ（試料２
） 、 ２４ ｒｐｍ （試料３）として、膜厚約３
４００Åの膜を２０分間で形成した。このスパッタリン
グの系において基板回転速度を２４ｒｐｍにした場合（
試料３）の積層堆積間隔は膜厚および時間から次のよう
に考えられる。即ち基板は第１図に示したように反時計
方向に回転しているため、Ｆｅ原子が約４〜５λ厚で堆
積した後Ｂ＆原子が平均約１人弱で堆積し、その上金属
表面上に酸素が１ないし２層（１〜２λ）程度吸着する
。その後も回転に伴なってＦｅ原子、Ｂａ原子と順に堆
積し、又、拡散しながら膜が形成されていく。従って１
回転当９に堆積するＦｅ原子とＢａ原子および酸ｌＬ原
子層のトータルの厚さは約゛７大である。一方、基板回
転速度が１５ｒｐｍの場合（試料２）には、１回転当Ｆ
）Ｆｅ約８〜９λ、Ｂａ約２人弱の堆積が生じ酸素は工
ないし２層（１〜２Ｘ）が吸着していると推測さ詐る。
また基板回転速度が６ ｒｐｍの場合（試料１）には、
１回転尚＃）Ｆｅ約２０ス、Ｂａ約４＾の堆積が生じ酸
素は工ないし２層（１〜２λ）が吸着していると推測さ
れる。
１回転尚＃）Ｆｅ約２０ス、Ｂａ約４＾の堆積が生じ酸
素は工ないし２層（１〜２λ）が吸着していると推測さ
れる。
本実施例で得られた薄膜のＸ線回折結果を第４図に示す
。図かられかるように試料ｌはＢａＦｅ１０４ 、 Ｂ
１Ｆｅ０ａ−、およびＦｅ、Ｏ，’の回折パターンが観
察されたのに対して、試料２はマグネトプランイぐイト
構造のＢａＦ０１＊Ｏｔｅ の回折ノ９ターンとＦｅ
、Ｏ，やＢａＦｅ、Ｏ，の弱い回折パターｙｆ示し、試
料３はＢａＦｅ＋＊Ｏ＋ｏ の回折ピークのみでの単相
を示した。又、第５図に試料１について膜面に対し水平
方向と垂直方向に磁化特性を測定した結果を示した。図
示されるように、垂直方向の残留磁化は１００Ｇ、保磁
力は９８００ｅ であシ、いずれも水平方向の値よシ
も友きく、良好な垂直磁化膜が形成されていることが確
認できた。
。図かられかるように試料ｌはＢａＦｅ１０４ 、 Ｂ
１Ｆｅ０ａ−、およびＦｅ、Ｏ，’の回折パターンが観
察されたのに対して、試料２はマグネトプランイぐイト
構造のＢａＦ０１＊Ｏｔｅ の回折ノ９ターンとＦｅ
、Ｏ，やＢａＦｅ、Ｏ，の弱い回折パターｙｆ示し、試
料３はＢａＦｅ＋＊Ｏ＋ｏ の回折ピークのみでの単相
を示した。又、第５図に試料１について膜面に対し水平
方向と垂直方向に磁化特性を測定した結果を示した。図
示されるように、垂直方向の残留磁化は１００Ｇ、保磁
力は９８００ｅ であシ、いずれも水平方向の値よシ
も友きく、良好な垂直磁化膜が形成されていることが確
認できた。
実施例−２
第２図の装置構成により薄膜を形成した。
１００簡φのＦｅターゲットにはＲＦ電力を１０Ｗ／ｄ
かけ、Ｆｅ原子の堆積速度を１５０λ／分とした。また
６０ｍφのＢａターゲットにはＩＲＦ電力を８ Ｗ／ｌ
−ｄかけＢａ原子の堆積速度を６０久／分とした。全圧
力を１．５ Ｘ Ｉ Ｆ２Ｔｏｒｒ 、酸素分圧を５
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ 、基板温度を２８０ ’Ｃ、ガ
ス流量を１６ ＣＬ／ｍ とした。基板を静止させる
一方、Ｆｅターゲット１と基板８との間に設置したシー
ルドマスク７の開閉周期は４秒、即ち平均２秒開口後２
秒閉鎖、又、Ｂａターゲット９と基板８との間に設置し
たシールドマスク７の開閉周期は８秒、即ち平均７秒閉
鎖後１秒開口、となるように各シールドマスク７を回転
した。この結果約３０００大の薄膜が得られた。
かけ、Ｆｅ原子の堆積速度を１５０λ／分とした。また
６０ｍφのＢａターゲットにはＩＲＦ電力を８ Ｗ／ｌ
−ｄかけＢａ原子の堆積速度を６０久／分とした。全圧
力を１．５ Ｘ Ｉ Ｆ２Ｔｏｒｒ 、酸素分圧を５
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ 、基板温度を２８０ ’Ｃ、ガ
ス流量を１６ ＣＬ／ｍ とした。基板を静止させる
一方、Ｆｅターゲット１と基板８との間に設置したシー
ルドマスク７の開閉周期は４秒、即ち平均２秒開口後２
秒閉鎖、又、Ｂａターゲット９と基板８との間に設置し
たシールドマスク７の開閉周期は８秒、即ち平均７秒閉
鎖後１秒開口、となるように各シールドマスク７を回転
した。この結果約３０００大の薄膜が得られた。
本実施例においては、約５〜６＾の厚さのＦｅ原子層と
１ないし２層（１〜２Ａ）の酸素原子層が周期的に堆積
していくなかで、Ｂａ原子が平均約１＾弱の厚さで約１
０〜１１人の周期で膜中に入っていくことになる。得ら
れた薄膜はＸ線回折からＢａＦｅ１ｔＯ＋ｏ の単相
膜であることがわかり、また膜の垂直方向の磁化特性は
残留磁化１１５Ｇ、保磁力１１０００ｅ と優れた垂
直磁化特性を示した。
１ないし２層（１〜２Ａ）の酸素原子層が周期的に堆積
していくなかで、Ｂａ原子が平均約１＾弱の厚さで約１
０〜１１人の周期で膜中に入っていくことになる。得ら
れた薄膜はＸ線回折からＢａＦｅ１ｔＯ＋ｏ の単相
膜であることがわかり、また膜の垂直方向の磁化特性は
残留磁化１１５Ｇ、保磁力１１０００ｅ と優れた垂
直磁化特性を示した。
〈発明の効果〉
以上説明したようＫ、本発明はＦｅ原子とＢａ原子を平
均０．５ 大〜１０大のオーダーで間歇的に形成するこ
とＫよシ、マグネトブランバイト型構造を持つ１軸異方
性を持つバリウムフェライ） （ＢａＦｅｔｚＯ＋。）
が形成できる。このため従前のようにＢａＦｅ１ｔＯ＋
ｏ と同一組成を持つ焼結酸化物ターゲットを用いる
必要がなく、また低い基板温度で磁気特性と機械的強度
にすぐれた酸化物垂直磁化薄膜を容易に形成できる利点
がある。
均０．５ 大〜１０大のオーダーで間歇的に形成するこ
とＫよシ、マグネトブランバイト型構造を持つ１軸異方
性を持つバリウムフェライ） （ＢａＦｅｔｚＯ＋。）
が形成できる。このため従前のようにＢａＦｅ１ｔＯ＋
ｏ と同一組成を持つ焼結酸化物ターゲットを用いる
必要がなく、また低い基板温度で磁気特性と機械的強度
にすぐれた酸化物垂直磁化薄膜を容易に形成できる利点
がある。
第１図（ａ） （ｂ）は本発明に係る装置構成例を示し
、同図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその正面図、
第２図は本発明に係る他の装置構成例の概略図、第３図
はマグネドブ２ンバイト型結晶の模式説明図、第４図（
ａ）（ト））（Ｃ）は薄膜のＸ線回折図、第５図は薄膜
の磁化特性図である。 図中、 １はＦｅターゲット、 ２はＢａペレット、 ３は静止シールド、 ４は回転基板、 ５は基板ホルダ、 ６は開口部、 ７は開閉ないし回転シールドマスク、 ８は静止基板、 ９はＢａターゲットである。
、同図（ａ）はその側面図、同図（ｂ）はその正面図、
第２図は本発明に係る他の装置構成例の概略図、第３図
はマグネドブ２ンバイト型結晶の模式説明図、第４図（
ａ）（ト））（Ｃ）は薄膜のＸ線回折図、第５図は薄膜
の磁化特性図である。 図中、 １はＦｅターゲット、 ２はＢａペレット、 ３は静止シールド、 ４は回転基板、 ５は基板ホルダ、 ６は開口部、 ７は開閉ないし回転シールドマスク、 ８は静止基板、 ９はＢａターゲットである。
Claims (1)
- 酸化雰囲気中でスパッタリングを行い、基板上に間歇的
にＦｅ原子とＢａ原子とを付着させてＦｅ原子とＢａ原
子の層厚を制御し、酸素原子層と平均０．５Åないし１
０Åの厚さのＢａ原子層およびＦｅ原子層を交互に積層
させることによりマグネトプランバイト型バリウムフェ
ライト薄膜を形成することを特徴とする酸化物垂直磁化
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15097684A JPS6130017A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 酸化物垂直磁化薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15097684A JPS6130017A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 酸化物垂直磁化薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130017A true JPS6130017A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15508559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15097684A Pending JPS6130017A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 酸化物垂直磁化薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130017A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1984
- 1984-07-20 JP JP15097684A patent/JPS6130017A/ja active Pending
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