JP4234684B2 - 磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に異方性容易軸が傾斜した磁気記録層を有する磁気記録媒体、そのような磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置、及び垂直方向の粒柱状の成長を維持しながら磁気記録層の磁化容易軸を高精度に所定方向への配向させる磁気記録媒体の製造方法に関する。
異方性容易軸が傾斜した磁気記録層を有する磁気記録媒体は、傾斜垂直磁気記録媒体とも呼ばれる。
記録方向に対する磁気記録層の異方性容易軸の配向に応じて、記録には３つのモードが考えられる。最も一般的でハードディスクに適用されているのが水平モードであり、磁気記録層の容易軸は基板表面（面内）と平行であり、容易軸がランダム或いは主に円周方向に沿った状態にある。高記録密度における高い減磁界Ｈｄのため、垂直モードも提案されている。この垂直モードでは、磁気記録層の容易軸はディスク面に対して垂直（膜面に対する垂線）であり、減磁界Ｈｄは低記録密度又は長いビット長の場合のみ問題となる。
初期の垂直磁気記録媒体では、容易軸があまり良好に膜面に対する垂線方向に配向していないために、低記録密度では著しい熱による性能低下が生じていた。しかし、下地層の向上及び異方性を界面から発生させる多層構造の採用により、容易軸が高精度に配向された垂直磁気記録媒体が実現された。これは、狭いＸＲＤロッキングカーブ及び角形比Ｓ＝１により、熱安定性が著しく向上され、ＤＣノイズ、即ち、非常に低記録密度におけるノイズが低下したことからもわかる。
垂直記録は、水平記録に代わるものと考えられている。軟磁性下地層（ＳＵＬ）を備えた垂直磁気記録媒体を用いることにより、理論的には単極型（ＳＰＴ）ヘッドからより高い書き込み磁界が得られ、より高い異方性及び良好な熱安定性を有する媒体が実現できる。しかし、書き込み時にはヘッド磁界の方向が容易軸と略平行であるため、反転磁界Ｈｏが異方性磁界Ｈｋの大半を占める。
非特許文献１は、磁界に関し垂直成分に加え、記録方向に沿った横成分を発生させるＳＰＴヘッドのシールドを提案している。これは、全体としての磁界強度を低下させ、既に難しいヘッドの製造を更に複雑にしてしまう。
非特許文献２には、磁気記録層の異方性軸をトラック横断方向（半径方向）へ一様に４５度傾斜させるという、興味深い原理が報告されている。容易軸が記録磁界に対して４５度なので、反転磁界は粒子の有する異方性磁界の二分の一に近い。非特許文献２では、２Ｔｂｉｔ／ｉｎ２において、従来の垂直記録に比べて信号対雑音比（ＳＮＲ）が１２ｄＢ増加すると推定している。これは、主に傾斜記録構造による粒子の異方性の増加によるものである。このような記録は、傾斜或いは斜めモードである第３のモードと分類することができる。
磁気テープの分野では、長年にわたってヘッド磁界に対して容易軸が一定角度傾斜した磁気記録媒体が使われてきた。又、非特許文献２で提案されている磁気記録媒体は、その数年前に特許文献１において提案されている。特許文献１では、Ｔｉが下地層に用いられて斜めの角度でスパッタリングされている。ＣｏＣｒＴａは垂直な入射角で形成されるが、２つの層のｃ軸は、両方とも膜面に対する垂線方向から傾斜し半径方向に沿って配向される。
非特許文献３は、特許文献２で提案されているスロットの角度が４５度傾斜したコリメータと同様のものを用いて磁性層が形成された傾斜ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ磁気記録媒体を提案している。非特許文献３の場合、特許文献１と異なり、Ｔｉ下地層は概ね垂直な入射角で形成されている。断面ＴＥＭ画像は、磁性層の粒柱自体がテープ媒体の場合のように傾斜していることを示している。この傾斜した粒柱構造の問題は、磁性粒子の「フットプリント」が傾斜方向に沿って拡大してしまうという点である。読み取りヘッドは、粒柱が垂直な場合と比べてより大きな磁性粒子を検知してしまう。この結果、粒柱が記録方向に沿った傾斜の場合は遷移幅が広くなり、粒柱が記録方向に対して垂直方向に傾斜するとトラック横断相関長が長くなる。これらのいずれの場合も、媒体ノイズが高くなる。
非特許文献４は、傾斜が記録方向に沿った傾斜垂直磁気記録媒体と共にリングヘッドを用いたシミュレーションの研究に関する。非特許文献４では、このような磁気記録媒体の製造方法について非特許文献３を引用している。
典型的な垂直媒体は、下地層と磁性層とからなる。大きなヘッド磁界を実現するには、ＳＰＴヘッドを用い、ＳＵＬを媒体構造に加えると良い。ＳＵＬはヘッド構造の「一部」となり、磁気記録媒体は「ギャップ」に配置される。このギャップは、できるだけ狭いことが好ましく、薄い下地層が必要となる。
下地層は、Ｔｉ等のような単層から構成されていても、Ｔｉ上にＣｏＣｒ等が設けられた多層から構成されていても良い。ｈｃｐ構造の磁性層の場合、下地層はｈｃｐ又はｆｃｃ構造であっても、或いは、これらの組み合わせてあっても良い。ｆｃｃ構造を有する材料の場合、（１１１）結晶配向を容易に形成することができ、ｈｃｐ構造を有する材料はこの上に（０００２）結晶配向で成長する。ＳＵＬ上に非晶質層を形成して、通常は厚い（２００ｎｍ）ＳＵＬからの構造的情報が磁性層へ伝達されるのを防止しても良い。
磁性層は、バルク磁気結晶異方性を有するＣｏＣｒＰｔ合金で構成しても良い。磁性層は、異方性が界面から発生されるＦｅ／Ｐｔ，Ｃｏ／Ｐｔ，Ｃｏ／Ｐｄ又はＣｏＢ／Ｐｄの多層構造を有しても良い。これらの多層構造の場合、異方性の大きな値にし、膜面に対して垂線方向に沿って異方性容易軸を配向することは、容易に達成できる。大きな核形成磁界Ｈｎ（＞２０００Ｏｅ）を実現することも可能であり、ヘッド磁界による消去に対して強い磁気記録媒体とすることができる。しかし、層の粒子間の大きな交換相互作用のために、ノイズを制御することは難しい。このため、多層構造の場合のような異方性の値を得ることはできないものの、ＣｏＣｒＰｔ合金は磁性層に好ましい材料である。現在得られるヘッド磁界について見れば、ＣｏＣｒＰｔ合金は磁性層として十分である。
ｈｃｐ構造のＣｏ合金のｃ軸を面直方向に沿って配向させることは、ｃ面が最も低い面エネルギーを有するので容易であるように見えるが、Ｓ＝１を実現することは難しい。ｃ軸の膜面に対する垂線方向からのずれは、小さくなければならない。このずれは、通常はＸＲＤスペクトルデータの（０００２）ピークのΔθで特定される。特許文献４では、薄い非晶質Ｔｉ上にＣｏＣｒを（０００１）結晶配向で成長している。プロセス上の向上により、ｃ軸の配向を正確に制御することが可能になってきており、Ｓ＝１を実現できるようにもなってきたが、大きな核形成磁界Ｈｎを達成することは更に難しい。
ＣｏＣｒＰｔＯ及びＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２に関する最近の報告によると、Ｓ＝１及び大きな核形成磁界Ｈｎの両方を実現できることが示されている。例えば、非特許文献５は、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ／Ｒｕ／ＳＵＬ媒体が大きな角形比Ｓ、大きな核形成磁界Ｈｎ（＞１０００Ｏｅ）及び良好な記録解像度を得ることができることを示している。非特許文献６では、非常に高い線記録密度を得ており、９００ｋｆｃｉパターンが磁力顕微鏡検査で観測されている。非特許文献５の場合、Ｒｕ層の膜厚は２５ｎｍから３０ｎｍである。しかし、このＲｕ層の膜厚は、＜１０ｎｍ程度と大幅に減少させないと解像度の向上、ヘッド磁界の増加、及びヘッド磁界が近傍トラックまで広がることによるサイド消去を減少させることができない。
非特許文献２によれば、異方性容易軸を所定方向、例えば半径方向に傾けることで従来の垂直磁気記録媒体を向上させることができるが、非特許文献２には、どのようにすればこれが実現できるかについての示唆がない。非特許文献３で提案されている媒体を含む現在のテープ媒体では、ノイズを増加させてしまう傾斜粒柱を有する。又、非特許文献３で提案されている媒体の場合、コリメータをディスク状の基板に用いることができない。特許文献１は、特許文献３で報告されているのと同様のマスクを用いてＴｉ下地層を形成することで、このような媒体を製造する方法を提案している。しかし、面内方向（又は面上の投影）に沿った傾斜方向は、記録ヘッドに対して固定されたものではない。更に、Ｔｉ下地層の膜厚は、特に軟磁性下地層を有する磁気記録媒体用としては厚すぎた。
特許文献４は、非晶質でも良い第１の下地層と、ｈｃｐ構造の第２の下地層と、Ｒｕ又はＲｅ等の非磁性スペーサ層で分離されていても良い２つの磁性層とからなる高性能垂直媒体構造を提案している。このような垂直媒体構造は、ＳＰＴヘッドと用いるための軟磁性下地層（ＳＵＬ）で構成されていても良い。このようなヘッド／媒体システムのオーバーライト特性は、ｃ軸を膜面に対する垂線方向から傾けることで向上できる。
Ｒｕスペーサ層は、２以上の磁性層間の反強磁性結合を誘起するために、水平磁気記録媒体でも採用されている。このような構造は、シンセティックフェリ磁性媒体（ＳＦＭ：Synthetic Ferrimagnetic Medium）と呼ばれている。しかし、この場合、Ｒｕの膜厚は非常に狭い範囲（０．６から０．９ｎｍ）で設定される必要がある。この結果、高い線記録密度で記録可能で熱的に安定した磁気記録媒体が実現できる。ところが、このＳＦＭの原理は、そのまま垂直磁気記録媒体に適用することはできない。これは、垂直磁気記録媒体の場合、反強磁性結合が大幅に減少するからである。
米国特許第５，８７５，０８２号公報 米国特許第５，８０４，０４６号公報 米国特許第４，７７６，９３８号公報 米国特許第６，１８３，８９３号公報 Mallary et al.、"One Terabit per Square Inch Perpendicular Recording ConceptualDesign", IEEE Trans. Magn. Vol.38, No.4,pp.1719-1724, July 2002 Gao et ao., "Magnetic Recording Configuration for Densities Beyond 1 Tb/in2and Data Rates Beyond 1 Gb/s", IEEE Trans. Magn.Vol.38, No.6, pp.3675-3683, November 2002 Zheng et al., "Control of the tilted orientation of CoCrPt/Ti thin film media bycollimated sputtering", J. Appl. Phys.,Vol.91, No.10, pp.8007-8009, May 2002 Hee et al., "Tilted media by micromagnetic simulation: A possibility for theextension of longitudinal magnetic recording?", J. Appl. Phys. Vol.91, No.10, May 2002 Velu et al., "Low Noise CoCrPtO Perpendicular Media With Improved Resolution", presentation at TMRC, August 2002 A. Otsuki, "Development of Large-Capacity Perpendicular Magnetic Recording Media", presentation at IDEMA, 2002 McMichael et al., "Strong anisotropy in thin magnetic films deposited on obliquelysputtered Ta underlayers", J. Appl. Phys.,Vol.88, No.9, pp.5296-5298, November 2000 Michijima et al., "Oblique-Incidence Anisotropy in Very Thin Ni-Fe Films", IEEE Trans. Magn. Vol.35, No.5, pp.3442-3444, September 1999 Fujimoto et al., "An ultrahigh vacuum sputtering system with offset incidencemagnetron sources onto a rotating substrate", Review of Scientific Instruments, Vol.70, No.11, pp.4362-4365,November 1999
本発明は、上記の如き問題を解決した新規、且つ、有用な磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを概括的目的とする。
本発明のより具体的な目的は、記録方向に対して異方性容易軸が膜面に対する垂線方向から一定角度傾斜した磁気記録層を備え、磁性粒子面積フットプリントを減少させ、記録方向に対する異方性容易軸の配向を向上させ、一又は複数の下地層の膜厚を減少させ、磁気記録層が多層構造を有する場合には２つの磁性層間の反強磁性結合を増強させる磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置と、そのような磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
上記の課題は、基板と、ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層と、該基板の上に設けられ、ｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満であるｈｃｐ構造の下地層とを備え、該磁性層は、該下地層の上に粒柱が垂直となるようにエピタキシャル成長されている磁気記録媒体によって達成できる。
上記の課題は、基板と、該基板の上に設けられたｈｃｐ構造の下地層と、ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、該下地層のｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満となるように、該基板に入射する原子の大部分が基板面に対する垂線から３５を超える角度で入射するように下地層材料を斜めに蒸着し、該下地層の上に粒柱が垂直となるように該磁性層をエピタキシャル成長する磁気記録媒体の製造方法によっても達成できる。
上記の課題は、少なくとも１つの磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を書き込み及び／又は該磁気記録媒体から情報を読み出すトランスデューサとを備え、該磁気記録媒体は、基板と、ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層と、該基板の上に設けられ、ｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満であるｈｃｐ構造の下地層とを備え、該磁性層は、該下地層の上に粒柱が垂直となるようにエピタキシャル成長されている磁気記憶装置によっても達成できる。
本発明の他の目的及び特長は、以下に図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
本発明になる磁気記録媒体によれば、記録方向に対して異方性容易軸が膜面に対する垂線方向から一定角度傾斜した磁気記録層を備え、磁性粒子面積フットプリントを減少させ、記録方向に対する異方性容易軸の配向を向上させ、一又は複数の下地層の膜厚を減少させ、磁気記録層が多層構造を有する場合には２つの磁性層間の反強磁性結合を増強させることができる。
本発明になる磁気記録媒体の製造方法によれば、記録方向に対して異方性容易軸が膜面に対する垂線方向から一定角度傾斜した磁気記録層を備え、磁性粒子面積フットプリントを減少させ、記録方向に対する異方性容易軸の配向を向上させ、一又は複数の下地層の膜厚を減少させ、磁気記録層が多層構造を有する場合には２つの磁性層間の反強磁性結合を増強させることのできる磁気記録媒体を製造することができる。
本発明になる磁気記憶装置によれば、記録方向に対して異方性容易軸が膜面に対する垂線方向から一定角度傾斜した磁気記録層を備えた磁気記録媒体を用いて、磁性粒子面積フットプリントを減少させ、記録方向に対する異方性容易軸の配向を向上させ、一又は複数の下地層の膜厚を減少させ、磁気記録層が多層構造を有する場合には２つの磁性層間の反強磁性結合を増強させることができる。
典型的な傾斜垂直磁気記録媒体を示す断面図である。 本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。 膜面に対する成長方向を示す図である。 本発明になる磁気記録媒体の製造方法の第１実施例で用いるマスクを示す平面図である。 図４に示すマスクを基板とターゲットと共に示す断面図である。 図４に示すマスクを基板とテーパを有する環状ターゲットと共に示す断面図である。 磁気記録媒体の第１実施例における粒子の異方性方向を示す図である。 本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。 軟磁性下地層を有する垂直磁気記録媒体の要部を示す断面図である。 図１０Ａに示す垂直磁気記録媒体をｃ軸方向と共に示す断面図である。 異方性容易軸に対する印加磁界の方向を示す図である。 印加磁界と異方性容易軸とがなす角度に対する反転磁界を示す図である。 本発明になる磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。 本発明になる磁気記録媒体の第４実施例の要部を示す断面図である。 本発明になる磁気記録媒体の第５実施例の要部を示す断面図である。 本発明になる磁気記録媒体の第６実施例の要部を示す断面図である。 本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。 磁気記憶装置の一実施例の要部を上部カバーを取り外して示す平面図である。
符号の説明
１ 基板
３−１ シード層
３ 下地層
４ 磁性層
５ オーバーコート層
６ 潤滑剤層
以下に、本発明になる磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を図面と共に説明する。
テープ状基板に設けられた傾斜軸を有する磁気記録媒体は従来から良く知られている。このような傾斜軸構造を、図１に示す如き構造を有するハードディスク媒体に適用する報告もなされている。図１に示す基板９１上には、シード層又は下地層９３が成長され、その上には磁性（記録）層９４が成長されている。カーボンのオーバーコート層９５が磁性層９４上に形成され、その上には有機物潤滑剤層９６がスライダに設けたスピンバルブヘッドのような磁気変換素子との使用のために形成されている。磁性層９４は、磁気テープ媒体で行われているのと同様にして斜めに成長されている。磁性層９４の粒子は粒柱状に成長するが、粒柱は傾斜している。上記非特許文献３は、Ｔｉ下地層９３及びＣｏＣｒＰｔ磁性層９４について報告している。ＣｏＣｒＰｔ磁性層９４は、ターゲットと基板の間に配置されたコリメータによりスパッタリングにより形成されている。コリメータは、上記特許文献２で提案されているスロットを有し、コリメータを振ることでターゲットからの原子の入射角度を変えることができる。しかし、ディスク状基板への対応についての提案はされていない。
上記特許文献１には、シールド又はマスクを用いたディスク上への膜成長が提案されており、適用例が異なるものの同様のものが上記特許文献３でも提案されている。特許文献１では、ディスク状のガラス基板上にＴｉを斜めに５０ｎｍ成長し、このＴｉ層上に膜厚が１００ｎｍのＣｏＣｒＴａ磁性層を形成している。磁性層はマスクを用いることなく形成しているが、ｃ軸は膜面に対する垂線（基板表面に対する垂線）に対して傾いている。しかし、磁性粒柱は垂直ではない。特許文献１の図１では、下地層及び磁性層の両方について粒柱が傾いていることが示されている。
図２は、本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。磁気記録媒体の第１実施例は、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の第１実施例により製造される。
図２に示す基板１上には、非晶質、或いは、「アモルファスライク」のシード層３−１が成長されている。「アモルファスライク」とは、粒子がシャープなＸＲＤシグニチャがないように十分小さいことを意味する。シード層３−１上には、（０００１）結晶配向が基板表面に対する垂線（垂直）から所定角度傾いた状態でｈｃｐ構造の下地層３が成長されている。下地層３上には、Ｃｏ系の磁性（記録）層４が形成されている。ヘテロエピタクシーにより、（０００１）方向は保たれているが、粒柱は垂直方向に成長しており図１の場合のように傾いてはいない。Ｃオーバーコート層５の如き保護コーティングが磁性層４上に形成され、潤滑剤層６がＣオーバーコート層５上に形成されている。
下地層３は、好ましくは膜厚が２ｎｍから２０ｎｍであり、（０００１）面エネルギーが低いｈｃｐ構造を有する。これにより、下地層３とｈｃｐ構造の磁性層４の格子整合がより容易となり、ｈｃｐ構造の下地層３上にｈｃｐ構造の磁性層４がエピタキシャル成長する。下地層３は、Ｒｕ，Ｒｅ、又は、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＲｕ，ＣｏＣｒＲｅ等のＣｏＣｒの非磁性合金からなる。つまり、下地層３は、Ｏｓ，Ｒｅ，Ｒｕ，非磁性ＣｏＣｒ，非磁性ＣｏＣｒ−Ｍからなるグループから選択された材料で構成することができ、ここで、ＭはＯｓ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｔａからなるグループから選択される。
Ｃｏ系の磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ又はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のように酸素又は酸化物と組み合わせても良い。つまり、磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ，ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなるグループから選択された材料で構成することができる。
シード層３−１の材料は、その上の下地層３が（０００１）結晶配向を形成し、その粒子サイズが小さく非晶質構造であるように選択される。シード層３−１を設けることにより、一様でない基板１の影響を除去し、基板１から下地層３或いは最悪の場合は磁性層４への材料の拡散を防止することができる。シード層３−１は、Ｔｉ，Ｔａ又はその合金から選択された材料からなり、膜厚は少なくとも１ｎｍから２５ｎｍである。
特許文献１では、Ｔｉ下地層の膜厚が５０ｎｍと非常に厚く、上記の如きシード層も下地層も用いられていない。しかし、薄膜の良く知られた特徴であるが、膜厚が増加すると、面積で見ると粒子がより大きく成長し、良好な媒体信号対雑音比（ＳＮＲ）を得る助けとはならない。又、特許文献１で用いられているターゲット、マスク及び基板の構造から、厚い下地層の場合はスパッタリング速度が大幅に減少し、スパッタリング時間が長くなることは自明である。１つのチャンバ内でのディスクに対する処理時間は限られているので、これは製造上好ましいことではない。言うまでもなく、チャンバの数を増やすことはできるが、これにより製造コストも増加してしまう。
従って、磁気記録媒体の第１実施例では、ｈｃｐ構造の下地層３がシード層３−１を介して基板１上に形成されている。シード層３−１のｃ軸は、基板表面に対する垂線から１０度から４５度の角度だけ傾いており、ｃ軸の傾斜角度のばらつきは５度未満である。ｈｃｐ構造の磁性層４は、ｈｃｐ構造の下地層３上に粒柱が垂直方向となるようにエピタキシャル成長されており、ｈｃｐ構造の磁性層４のｃ軸の方向は下地層３により支配されている。図９Ｂと共に説明するように、印加磁界と異方性容易軸のなす角度θ＝１０度は、一軸異方性のストーナー・ウォルファース磁性粒子の反転磁界Ｈ０を３３％減少させ、θ＝４５度では反転磁界Ｈ０を５０％減少させる。ｈｃｐ構造の磁性層４は粒柱状に成長するので、トラック横断相関長又は遷移パラメータは増加しない。
図３は、傾斜軸磁気記録媒体を製造する際の膜の斜め成長の重要な特徴を説明する図である。点Ｔは、スパッタ又は蒸着される粒子のターゲット上の位置を示す。Ｔ１，Ｔ２，Ｔ２’は、膜（又はディスク）面上に投影された粒子の軌跡を示し、Ｒ，Ｒ’は半径方向の線を示す。ここで、Ｔ１が所望の軌跡であるものとすると、点Ｔが基板中心Ｏから十分離れていないと、Ｒ，Ｔ１間、Ｒ，Ｔ２間の角度Δφが大きい場合があり、そのような場合にはターゲット上の他の位置、即ち、点Ｔ’において、軌跡Ｔ２’を有する粒子が基板１上の点Ｓに入射する。この結果、〔０００１〕方位に分布の多い傾斜軸磁気記録媒体を得ることになる。
特許文献３、特許文献１及び非特許文献３において説明されているマスクでは、Δφを限定する思想がない点に着目するべきである。
図４は、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の本実施例で用いるマスク（コリメータ又はコリメータシールド）を示す平面図である。垂直スロット５１は、半径方向に沿って配置されており、インナマスク５３及びアウタリング５０により保持され位置決めされている。傾斜スロット５２は図４に示すように配置されており、ターゲットの材料を所定角度で基板１へ導く。図４では、各セクタ毎に２つの傾斜スロット５２が設けられている場合が示されているが、傾斜スロット５２の数は１つであっても３以上であっても良い。垂直スロット５１の数は、角度Δφの公差に応じて決まり、好ましくは、少なくとも８つの垂直スロット５１が設けられる。しかし、垂直スロット５１の数が多すぎると、成長速度が減少してしまう。十分な数の垂直スロット５１が設けられていれば、構成を簡単にするために、傾斜スロット５２を図４に示すような曲線的な形状ではなく直線的な形状としても良い。傾斜スロット５２の角度は、Ｃｏ軸の特定の傾斜角度を得るために１０度から４５度範囲で変更することができる。図４に示す全体の構造を一方向に回転しても、時計方向及び反時計方向に回転させて膜厚の均一化を促進するようにしても良い。従って、傾斜スロット５２の半径方向上の位置は、千鳥状又は螺旋状の配置となっていることが好ましい。
ｃ軸と記録方向とがなす角度が一定となるように、基板１を回転させて特にディスク状基板１上の膜厚の均一化を向上するようにしても良い。更に、ターゲット又は蒸着ソースを、基板１の中心を中心に回転させても良い。基板１とターゲット又は蒸着ソースの両方を回転させるようにしても良い。
特許文献３及び特許文献１に記載されたマスクを、上記と同様の垂直スロットを設けることで改良することもできる。しかし、ターゲットから基板までの距離が増加するにつれて、成長速度の著しい低下が予測される。
図５Ａは、図４に示すマスクを基板１及びターゲット６０と共に示す断面図である。図５Ａに示すターゲット６０は環状であるため、マスクに接続された軸５４をターゲット６０の下部にある回転モータ（図示せず）と接続可能である。従来のディスク状ターゲットを用いても良く、例えば図４に示す端部５０をギアシステムで駆動してマスクを回転するようにしても良い。例えばアームを基板側から基板１の穴と係合させてキャリッジを回転させることで基板１を回転させても良いが、基板１の反対側への膜の成長が難しくなる。図５Ａでは、２つの傾斜スロット５２からなる組が４組設けられており、これらの傾斜スロット５２は所定角度で蒸着物を通すような角度に傾けられている。
図５Ｂは、図４に示すマスクを基板１及びテーパを有する環状ターゲット６０Ａと共に示す断面図である。この構成を用いることにより、成長速度を増加させることができる。
特許文献１の第６欄第２４行〜第２５行では、ディスク上のある部分では、ｃ軸の傾斜の基板上の投影が半径方向と円周方向の間にあると記載されている。このような問題は、図５Ｂに示すマスク、ターゲット及び基板の構造により解決できる。
上記の如きマスクは、水平磁気記録媒体において配向比（ＯＲ：Orientation
Ratio）を得るために提案されているマスクに類似している。しかし、水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とでは、所望の膜成長及びその目的が大きく異なる。水平媒体モードの目的は、ディスク状磁気記録媒体の場合、円周方向に沿った保持力を半径方向に沿った保持力より大きくすることにある。ＣｒＮｂ等からなるシード層がマスクを用いて形成される。次に、ｂｃｃ構造のＣｒ系合金が、シード層上に好ましくはマスクを用いて形成される。このＣｒ合金は、（００１）結晶配向を有し、下のＣｒＮｂシード層上にヘテロエピタキシャル成長するものではない。更に上に形成される層は、磁性層を含み、マスクを用いることなく形成される。Ｘ線データによると、ＣｒＮｂ下地層は特定の結晶配向を有するものではなかったが、ＴＥＭによると、結晶性であることがわかった。ＴＥＭによる断面及び平面の調査によると、ＣｒＮｂ下地層は、膜成長フラックス面上にある、基板半径方向に沿って観測すると波形構造を有する。
この波形構造は、例えば非特許文献７においてＴａ層について観測されている。観測結果によると、磁性層粒子のｃ軸が円周方向に沿っている確率が高い。
従って、本発明者らにより得られたデータは、配向比のメカニズムがテキスチャリングが施されたＮｉＰ基板上に形成される水平磁気記録媒体の場合と同様であり、ｂｃｃ構造のＣｒ系合金の斜め成長は単に適切な応力関係を得て配向比の値を更に増加させるためであることを示す。傾斜媒体モードでは、主な目的は磁性層の〔０００１〕軸を基板面に対する垂線から傾けることである。しかし、ヘテロエピタキシャル成長の効果が得られないと、（０００１）面以外の面エネルギーが高いために、これを実現することは難しい。ところが、スパッタ又は蒸着フラックスが斜めであると、膜成長は粒柱状となりフラックス方向に傾く。この場合、低い面エネルギーの（０００１）面は略膜成長方向と垂直であり、この結果、ｃ軸を基板面に対する垂線から傾けることができる。このような膜成長は、ｈｃｐ構造の下地層を用いることで実現できる。
磁性層は下地層上に形成しても良く、ヘテロエピタキシャル成長により、傾斜磁性粒柱の不都合を生じることなく下地層と同じ結晶配向を発現させることができる。良好な配向比を得る目的では、例えばＣｒＮｂからなる初期層及びＣｒ層の両方を傾斜成長させる。初期層は結晶配向のない波形構造を形成し、Ｃｒ層は「垂直」な（００１）結晶配向及び適切な応力で成長し、ｃ軸の円周方向の配向を促進させる。傾斜媒体を目的にした場合、例えばＲｕからなるｈｃｐ構造の層を斜めに成長して（０００１）軸が傾斜している傾斜粒柱を形成する。
尚、この場合に用いられる斜め入射による膜成長は、非特許文献８においてＮｉＦｅ薄膜について報告されているように異方性に影響を与えるために行うわけではない。例えば、ＣｏＣｒＰｔのような磁性層候補の磁性結晶異方性は５×１０６erg/cm3を超えることもあり、形状又は応力により誘起された異方性はずっと小さく見える。
従って、上記の方法は、現在用いられているインラインスパッタリング装置による磁気記録媒体の製造方法の重要な改良である。例えば、２個又は４個のカソードを用いたマルチカソードを採用するオフセットスパッタリングを行うようにしても良い。この場合のカソードは、マスクと共に回転されるか、或いは、各カソードに専用のマスクを設けて特定の粒子フラックス入射角を選択可能とすることもできる。原理的には、カソード磁石は、吸着原子の大部分を強制的に特定の入射角で基板１に入射させるような意図的な配置又は形状を有する。
非特許文献９に記載されているような回転基板を採用するオフセットスパッタリングシステムを用いて良好で均一な膜を形成するようにしても良い。下地層は、粒子フラックス方向がより容易に制御できる真空中の熱又は電子ビーム蒸着により斜めに成長しても良い。電子ビーム蒸着又はスパッタリングを行う際に、イオンビームで補助された膜成長を行って、スパッタリングガスをターゲットの近くで基板から離れた位置に閉じ込めても良い。更に、従来のスパッタリング装置において、磁界を変更して特定の成長入射角を選択するようにしても良い。
図６は、磁気記録媒体の第１実施例における磁性層４の粒子の異方性方向を示す図である。図６中、ｃ軸は半径方向に沿って傾いており、粒子は垂直な粒柱を形成している。
図７は、本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。図７中、図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図７に示す基板１上には、シード層３−１が形成され、その上にｈｃｐ構造の傾斜下地層３が形成されている。磁性（記録）層構造は、薄いスペーサ層７で分離された第１の磁性層４−１と第２の磁性層４−２からなり、スペーサ層７は第１及び第２の磁性層４−１，４−２間の反平行結合を誘起する。スペーサ層７は、Ｒｕ、Ｒｅ又はその合金からなり、膜厚は０．６ｎｍ〜０．８ｎｍであっても良い。スペーサ層７には、Ｏｓ、Ｉｒやその合金等の他のスペーサ材料を用いることもできる。（０００１）結晶配向を有するＣｏ層の交換結合は弱いが、傾斜軸によれば、十分な反強磁性結合を誘起することができる。磁気記録媒体は、Ｃオーバーコート層５及び有機物潤滑剤層６で保護するようにしても良い。
図８Ａは、基板１０１、軟磁性下地層（ＳＵＬ）１０２、下地層１０３、磁性（記録）層１０４、オーバーコート層１０５及び潤滑剤層１０６からなる簡単な垂直磁気記録媒体の要部を示す断面図である。図８Ｂは、下地層１０３にｈｃｐ構造の材料を用いると仮定して、下地層１０３のｃ軸が垂直である図８Ａに示す簡単な垂直磁気記録媒体の要部を示す断面図である。ＳＰＴヘッドと用いると、ＳＵＬ１０２はリングヘッドで実現できる磁界と比べてより大きな磁界の発現を促進する。又、ＳＰＴヘッドは、リングヘッドを用いた場合と比べると、周縁磁界が低いのでより高いトラック密度を実現できる。
図９Ａ及び図９Ｂは、印加磁界と異方性容易軸とがなす角度θに対して１軸異方性を有するストーナー・ウォルファース磁性粒子の反転磁界Ｈ０の振る舞いを示す図である。ＳＰＴヘッドからの磁界は主に垂直であり、θ＝０については図９Ｂに示すようにＨ０＝ＨＫである。書き込み時には、非常に大きな反転磁界Ｈ０のためにヘッドの真下の粒子は切り替わらない可能性が高い。このため、非特許文献１では特殊なヘッドを設計することで、磁界方向にトラック方向に沿ったｘ成分を与えている。しかし、このようなヘッドは、既に難しいヘッド製造工程を更に難しくしている。そこで、傾斜軸を有する媒体を開発した方が良いと考えられる。Ｈ０／Ｈｋはθ＝４５度で最小（＝０．５）になるが、より浅い角度のθ＝１５度でもＨ０／Ｈｋは約０．６２となり既に大幅に減少している。これにより、媒体用の異方性磁界Ｈｋを垂直磁気記録媒体で用いるものより増大することができ、ＳＰＴヘッドによるオーバーライト特性を大幅に向上可能である。
図１０は、本発明になる磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。図１０中、図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図１０に示す磁気記録媒体は、図２に示すものに類似しているが、図１０の場合、ＳＵＬ２が基板１と下地層３との間に設けられている。本実施例では、ＳＵＬ２は単層構造を有する。しかし、ＳＵＬ２の膜厚は通常５０ｎｍから４００ｎｍであるため、ＳＵＬ２は多層構造を有しても良い。この場合、多層構造は、ＣｏＺｒＮｂ等の同じ材料からなる複数の層で構成されていても、ＦｅやＣ等の２種類の材料からなる複数の層で構成されていても良い。ショットノイズ（shot noise）を減少させるために、１又は複数の反強磁性層（図示せず）を設けて容易軸を半径方向に固定するようにしても良い。本発明の目的は傾斜異方性容易軸を有する磁気記録層からなる傾斜垂直磁気記録媒体を提供することであるため、本明細書ではＳＵＬ技術の更に詳細な説明は省略する。
図２に示す第１実施例の場合と同様に、図１０に示す下地層３は、傾斜した粒柱と〔０００１〕方位を有するｈｃｐ構造の材料からなる。磁性層４は、下地層３上にヘテロエピタキシャル成長され、垂直に成長した粒柱からなる。その上に、オーバーコート層５及び潤滑剤層６が、トランスデューサとの使用のために形成されている。
図１１は、本発明になる磁気記録媒体の第４実施例の要部を示す断面図である。図１１中、図２及び図１０と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１１では、磁性層４上のオーバーコート層５及び潤滑剤層６の図示、及び下地層３下のＳＵＬ２及び基板１の図示は省略する。
図１１に示す磁気記録媒体では、下地層３が多層構造を有する。この多層構造は、ＳＵＬ２からの微結晶情報をブロックするための非晶質又はアモルファスライクな層１３−１と、好ましくは基板面に対する垂線から〔１１１〕方向に斜めに形成されたｆｃｃ構造の層１３−２と、同じく斜めに形成されたｈｃｐ構造の層１３−３とからなる。ｆｃｃ構造の層１３−２は、ｈｃｐ構造の層１３−３の場合のように、〔０００１〕方向に斜めに形成したｈｃｐ構造の層に置き換えても良い。
非晶質又はアモルファスライクな層１３−１は、図２に示すシード層３−１と同様な材料からなり、シード層３−１と同様の膜厚を有するものであっても良い。ｆｃｃ構造の層１３−２は、適切なｆｃｃ構造の材料からなり、１ｎｍから５ｎｍの膜厚を有するものであっても良い。ｈｃｐ構造の層１３−３は、図２に示すｈｃ構造の下地層３と同様の材料からなり、ｈｃｐ構造の下地層３と同様の膜厚を有するものであっても良い。
図１２は、本発明になる磁気記録媒体の第５実施例の要部を示す断面図である。図１２中、図１１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１２では、磁性層４上のオーバーコート層５及び潤滑剤層６の図示、及び下地層３下のＳＵＬ２及び基板１の図示は省略する。
図１２に示す磁気記録媒体では、磁性層４が少なくとも２つの磁性層１４−１，１４−２からなる多層構造を有する。２つの磁性層１４−１，１４−２は、図２に示す磁性層４を構成している材料と同様の材料で構成されていても良い。第１の磁性層１４−１は、最も近い下地層１３−３と同様に斜めに形成されている。第２の磁性層１４−２は、従来と同様に粒柱が垂直に成長される。第１の磁性層１４−１は、好ましくは第２の磁性層１４−２より低い飽和磁化Ｍｓを有する。第１及び第２の磁性層１４−１，１４−２の飽和磁化Ｍｓが同様である場合には、第２の磁性層１４−２の膜厚は第１の磁性層１４−１より厚くても良い。図１２に示す如き構成は、特にＳＵＬ２及びＳＰＴヘッドとの使用で非常に薄い下地層３が望まれる場合に好適である。書き込みヘッドとＳＵＬ２との間の距離を減少させることで、解像度を向上、即ち、よりシャープな遷移を実現することができる。磁性層４の一部のみが斜めに成長されているため、磁気フットプリントは磁性層４全体を斜めに成長した場合のように大きくならない。
図１３は、本発明になる磁気記録媒体の第６実施例の要部を示す断面図である。図１３中、図７と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１３では、磁性層４上のオーバーコート層５及び潤滑剤層６の図示、及び下地層３下のＳＵＬ２及び基板１の図示は省略する。
図１３に示す磁気記録媒体では、磁性層４が反強磁性結合された少なくとも２つの磁性層４−１，４−２からなる。２つの磁性層４−１，４−２は、図２に示す磁性層４を構成している材料と同様の材料で構成されていても良い。第１及び第２の磁性層４−１，４−２の間には、反平行結合を誘起する薄いスペーサ層７が形成されている。このスペーサ層７は、図７に示すスペーサ層７を構成している材料と同様の材料で構成され、図７に示すスペーサ層７と同様の膜厚を有するものであっても良い。第１及び第２の磁性層４−１，４−２は、好ましくは両方とも粒柱が垂直に成長されるが、図１２に示す第５実施例の場合のように第１の磁性層４−１を斜めに形成するようにしても良い。ｈｃｐ構造の下地層３は、図１１又は図１２に示す如き非晶質又はアモルファスライクな層１３−１と、ｆｃｃ構造の層１３−２と、ｈｃｐ構造の層１３−３とからなる多層構造を有するものであっても良い。
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図１４及び図１５と共に説明する。図１４は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す断面図であり、図１５は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す平面図である。
図１４及び図１５において、ベース１３にはモータ１４が取り付けられており、このモータ１４は複数の磁気記録ディスク１６が固定されたハブ１５を回転する。各磁気記録ディスク１６は、上記磁気記録媒体のいずれの実施例の構造を有するものであっても良い。磁気記録ディスク１６からの情報の読み取りはスライダ１７に固定されたＭＲ（又はＧＭＲ）ヘッドにより行われる。ＭＲヘッドにはインダクティブヘッドが組み合わされており、磁気記録ディスク１６への情報の書き込みはこのインダクティブヘッドにより行われる。ＭＲヘッド及びインダクティブヘッドは、トランスデューサを構成する。スライダ１７はサスペンション１８に接続されており、サスペンション１８はスライダ１７を磁気記録ディスク１６の記録面に押し付ける。スライダ１７の表面はパターン化されており、特定のディスク回転速度及びサスペンション硬度では、スライダ１７が磁気記録ディスク１６の記録面より所定距離浮いた位置を走査するようになっている。サスペンション１８は、アクチュエータ２０に接続された強固なアーム１９に固定されている。これにより、磁気記録ディスク１６の広範囲にわたって書き込みを行うことが可能となる。
勿論、磁気記録ディスク１６の数は図１４に示すように３つに限定されるものではなく、２つ、或いは、４つ以上の磁気記録ディスク１６を磁気記憶装置内に設けても良い。
更に、本発明になる磁気記録媒体は、磁気記録ディスクに限定されるものではなく、本発明は、磁気記録カードを含む各種磁気記録媒体に適用可能である。
磁気記録層の異方性容易軸の傾斜角度は、磁気記録ディスク上の半径方向上の位置（又は領域）に応じて異なるように設定されていても良い。又、同様にして、磁気記録層の異方性容易軸の傾斜角度の公差は、磁気記録ディスク上の半径方向上の位置（又は領域）に応じて異なるように設定されていても良い。例えば、異方性容易軸の傾斜角度は、製造工程において図５Ａ又は図５Ｂに示す傾斜スロット５２の角度をベネチアブラインドと同様の要領で変えることで変更可能である。線速度は、磁気記録ディスク上の半径方向上の位置に応じて変わるので、磁気記録ディスク上の半径方向上の位置（又は領域）に応じて磁気記録層の異方性容易軸の傾斜角度（又は傾斜角度の公差）を変えることで、半径方向上の位置にかかわらず磁気記録ディスクの性能を略一定にすることが可能である。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。

Claims (23)

  1. 基板と、
    ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層と、
    該基板の上に設けられ、ｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満であるｈｃｐ構造の下地層とを備え、
    該磁性層は、該下地層の上に、該磁性層のｃ軸が該下地層のｃ軸の傾斜を保ち、且つ、該磁性層の粒柱が該垂線と平行な方向にエピタキシャル成長されてなる、磁気記録媒体。
  2. ５０ｎｍから４００ｎｍの膜厚を有し、該下地層と該基板との間に設けられた軟磁性層を更に備えた、請求項１記載の磁気記録媒体。
  3. 該下地層は、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｒｕ、非磁性ＣｏＣｒ及び非磁性ＣｏＣｒ−Ｍからなるグループから選択された材料からなり、ＭはＯｓ、Ｒｅ、Ｒｕ及びＴａから選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
  4. 該磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ及びＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２から選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
  5. 該ｈｃｐ構造の下地層は、２ｎｍから２０ｎｍの膜厚を有する、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
  6. 少なくとも１ｎｍの膜厚を有し、該下地層と該基板との間に設けられた非晶質シード層を更に備えた、請求項１記載の磁気記録媒体。
  7. 少なくとも１ｎｍの膜厚を有し、該下地層と該軟磁性層との間に設けられた非晶質シード層を更に備えた、請求項２記載の磁気記録媒体。
  8. 該下地層と該基板との間に設けられ、該下地層と直接接触しており１ｎｍから５ｎｍの膜厚を有するｆｃｃ構造の層を更に備えた、請求項１，２，６又は７記載の磁気記録媒体。
  9. 該磁性層は、少なくとも該下地層の上に設けられた第１の磁性層と、該第１の磁性層の上に設けられた第２の磁性層とからなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
  10. Ｒｕ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ及びその合金からなるグループから選択された材料からなり、該第１の磁性層の上に設けられており該第１の磁性層と該第２の磁性層の間の反結合を誘起するスペーサ層を更に備えた、請求項９記載の磁気記録媒体。
  11. 基板と、該基板の上に設けられたｈｃｐ構造の下地層と、ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
    該下地層のｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満となるように、該基板に入射する原子の大部分が基板面に対する垂線から３５を超える角度で入射するように下地層材料を斜めに蒸着し、
    該下地層の上に、該磁性層のｃ軸が該下地層のｃ軸の傾斜を保ち、且つ、該磁性層の粒柱が該垂線と平行な方向に成長するように該磁性層をエピタキシャル成長する、磁気記録媒体の製造方法。
  12. 下地層ターゲット材料は、該基板面に対する垂線に対して大きな入射角となるように該基板の中心に対して並進する、請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
  13. 下地層ターゲット材料は、環状又はテーパを有する環状形状である、請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
  14. 下地層ターゲット材料は、該基板への原子の斜め入射を促進するカソード磁石を用いてスパッタリングされる、請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
  15. 該磁気記録媒体はディスク状磁気記録媒体であり、該ディスク状磁気記録媒体の円周方向に沿った傾斜スロットと半径方向に沿った垂直スロットを有するマスクを用いて、該基板に対して所望の入射角度の原子のみを該マスクを通過させて他の原子が該マスクで阻止する、請求項１１〜１４のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
  16. 該基板を回転させる、請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法。
  17. 該基板の中心を中心として下地層ターゲット又は蒸着ソースを回転させる、請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法。
  18. 少なくとも１つの磁気記録媒体と、
    該磁気記録媒体に情報を書き込み及び／又は該磁気記録媒体から情報を読み出すトランスデューサとを備え、
    該磁気記録媒体は、
    基板と、
    ｈｃｐ構造のＣｏ系磁性層と、
    該基板の上に設けられ、ｃ軸が基板面に対する垂線から１０度から４５度の角度傾斜しており傾斜のばらつきが５度未満であるｈｃｐ構造の下地層とを備え、該磁性層は、該下地層の上に、該磁性層のｃ軸が該下地層のｃ軸の傾斜を保ち、且つ、該磁性層の粒柱が該垂線と平行な方向にエピタキシャル成長されてなる、磁気記憶装置。
  19. 該磁気記録媒体は、５０ｎｍから４００ｎｍの膜厚を有すると共に該下地層と該基板との間に設けられた軟磁性層を更に備えた、請求項１８記載の磁気記憶装置。
  20. 該磁気記録媒体の該下地層は、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｒｕ、非磁性ＣｏＣｒ及び非磁性ＣｏＣｒ−Ｍからなるグループから選択された材料からなり、ＭはＯｓ、Ｒｅ、Ｒｕ及びＴａから選択された材料からなる、請求項１８又は１９記載の磁気記憶装置。
  21. 該磁気記録媒体は、少なくとも１ｎｍの膜厚を有すると共に該下地層と該基板との間に設けられた非晶質シード層を更に備えた、請求項１８記載の磁気記憶装置。
  22. 該磁気記録媒体は、少なくとも１ｎｍの膜厚を有すると共に該下地層と該軟磁性層との間に設けられた非晶質シード層を更に備えた、請求項１９記載の磁気記憶装置。
  23. 該磁気記録媒体の該磁性層は、少なくとも２つの反強磁性結合された磁性層からなる、請求項１８又は１９記載の磁気記憶装置。
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