JP4263133B2 - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録技術が適用される磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に係り、特に１平方センチメートルあたり２３．２ギガビット以上の面記録密度を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関わる。

現在の磁気ディスク装置に用いられている面内磁気記録方式では、記録分解能を向上させるために、記録媒体である磁性膜の残留磁化と磁性膜厚の積を小さくして記録ビット内の反磁界を減少させる必要がある。さらに媒体ノイズを低減するために磁性膜の結晶粒径を小さくする必要があるため、磁性膜中の磁性粒子の体積を小さくすることが必須となる。ここで、磁性粒子の体積が減少すると、周囲の熱の影響によって磁性粒子の磁化が揺らぎ、記録した情報が失われる、いわゆる熱減磁問題が顕著となる。従来は磁性膜の磁気異方性を高めることにより熱減磁を抑制してきたが、記録ヘッドから発生する磁界強度の限界により、これ以上磁性膜の磁気異方性を高めることが難しくなっている。したがって、面内記録方式を用いて１平方センチメートル当たり２３．２ギガビットをこえる記録密度を実現させるのは困難であった。

これらの問題を解決する方法として、垂直磁気記録方式が注目されている。垂直磁気記録方式は、記録媒体の磁化を媒体面に垂直に、かつ隣り合う記録ビット内の磁化が互いに反平行になるように記録ビットを形成する方式である。垂直磁気記録方式では、磁化遷移領域での反磁界が小さいため面内磁気記録方式に比べて急峻な磁化遷移領域が形成され、高密度で磁化が安定する。したがって、面内磁気記録方式と比較して、同じ記録分解能を得るために膜厚を大きくすることができ、熱減磁を抑制できる。さらに、垂直記録層と軟磁性下地層を有する垂直磁気記録媒体と、単磁極ヘッドとの組み合わせにおいて、高い記録磁界が得られ、垂直記録層に磁気異方性の高い材料を選択することが可能となり、熱減磁をさらに抑制することができる。

垂直磁気記録媒体の磁気記録層（磁性層）としては、面内磁気記録媒体でも用いられているＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金膜、あるいは、ＣｏとＰｔを交互に多数積層した人工格子膜などが検討されている。さらに個々の磁性粒子を磁気的に分離し、媒体ノイズを低減するため、柱状（カラム状）の磁性粒子の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性化合物で取り囲んだ構造を有するグラニュラー媒体が提案されている。例えば、特開２００２−３４２９０８号公報にはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に、Ｓｉ原子量に換算して８ａｔ．％以上１６ａｔ．％以下のＳｉ酸化物を添加した媒体が開示されている。

垂直磁気記録方式においても、媒体ノイズを低減するためには結晶粒径を小さく均一にする必要がある。また、記録層厚が大きすぎると、ヘッドから発生する記録磁界が小さくなる。そのため、更なる高記録密度を実現するためには、磁性粒子の体積を小さくする必要があり、熱減磁は顕著となる。面内磁気記録方式と同様に、ヘッドから発生する磁界は有限であり、記録層の磁気異方性を高めることには限界がある。

これを解決するために、記録層の磁化を反転するのに必要な記録磁界を低減する手段として、記録層の磁化容易軸を記録磁界に対し傾けた媒体が提案されている。例えば、IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 38, No.6, November 2002, pp. 3675-3683, “Magnetic Recording Configuration for Densities beyond 1 Tb/in²” には、記録層の磁化容易軸を膜面法線方向から４５度傾けた垂直磁気記録媒体が記載されている。該媒体において、記録磁界に対して磁化容易軸が傾くことにより、磁化反転に必要な磁界が大幅に低減し、その結果、記録層の磁気異方性エネルギーを大幅に高めることが可能となり、高い記録密度と熱減磁耐性を両立することが可能になるとされている。
特開２００２−３４２９０８号公報 IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 38, No.6, November 2002, pp. 3675-3683

以上に述べたように、垂直磁気記録媒体において、記録層の磁化容易軸を膜面法線方向から傾けることにより高い磁気異方性エネルギーを保持しながら必要記録磁界を低減でき、これによって高ＳＮＲと耐熱減磁性を両立できることが期待される。磁化容易軸を傾けるには、記録層形成時の粒子入射方向を制限することによって磁性粒子の形状を傾ける方法が有効である。しかしこの場合、成膜速度が低下し、生産性に問題がある。また、磁性粒子を傾けることにより粒子の膜面投影面積が広がり、かつ隣接した粒子が折り重なる構造となるため、特に従来の斜め蒸着媒体のようにトラック方向に粒子が傾いている場合、記録分解能の低下が問題となる。

本発明は、生産性や記録分解能の低下を招くことなく、高い磁気異方性エネルギーを保持しながら必要記録磁界が低く、高ＳＮＲと耐熱減磁性を両立できる磁気記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の磁気記録媒体は、軟磁性下地層と磁気記録層を有し、磁気記録層は、膜面に垂直な磁性粒子を有する第１記録層と、トラック幅方向に傾いた磁性粒子を有する第２記録層とを備える。また、本発明の磁気記録再生装置は、この磁気記録媒体と単磁極ヘッドを有する。その結果、以下のような効果が得られる。
（１）第２記録層が含有する磁性粒子のカラムと磁化容易軸を媒体面法線方向に対し傾斜させることにより、耐熱減磁性を維持したまま必要記録磁界を低減することが可能となる。
（２）第２記録層が含有する磁性粒子のカラムの傾斜の膜面投影方向とトラック長手方向のなす角を７０度以上１１０度以下（本明細書では、この角度範囲を「トラック幅方向」という）とすることにより、磁性粒子のトラック方向の膜面投影長（膜面に平行な平面に投影された磁性粒子の投影像の、記録トラックに平行な方向の長さ）の変化は小さくできる。第２記録層が含有する磁性粒子のカラムの傾斜の膜面投影方向とトラック長手方向のなす角が上記角度範囲から外れる場合には、トラック方向の膜面投影長が増大するため、記録分解能が劣化する。したがってカラムの傾斜方向はトラック幅方向であることが望ましい。
（３）第２記録層の上又は下に、膜面に垂直な磁性粒子のカラムを有する第１記録層を成長させることにより、磁性粒子のトラック幅方向の膜面投影長を小さく保ちつつ必要記録磁界を低減できる。これによってトラック分解能の劣化が抑えられ、高い記録トラック密度を実現することができる。このとき、第１記録層の磁化容易軸が媒体面法線方向に対してトラック幅方向に傾斜していると、より好ましい。
（４）膜面に垂直な磁性粒子のカラムを有する第１記録層は高速な形成が可能であり、成膜速度が低下する第２記録層の膜厚を小さくして、生産性を向上できる。

本発明の磁気記録再生装置は、これらの媒体上に、単磁極ヘッドにより情報を記録する。単磁極ヘッドと、軟磁性下地層を有し、必要記録磁界の低い媒体との組み合わせによって、磁化遷移が形成されるときに媒体に印加される磁界強度の媒体上の位置に対する変化率（磁界勾配）を大きくできる。この磁界勾配の増大と、媒体が持つ上記（２）と（３）の特徴の相乗効果により、シャープな磁化遷移を形成することが可能となり、１平方センチメートル当たり２３．２ギガビットをこえる記録密度を実現できる。

本発明の磁気記録再生装置は、少なくとも単磁極ヘッドと、単磁極ヘッドを搭載したスライダと、スライダを固定するサスペンションアームと、サスペンションアームを支持するアクチュエーターを備え、アクチュエーターが動くことにより、単磁極ヘッドを回転するディスク状の磁気記録媒体上の任意の位置に移動させて情報を記録する機能を有する。単磁極ヘッドは、少なくとも主磁極と補助磁極を有する。

本発明によれば、高い垂直磁気異方性エネルギーを保ちながら記録磁界を低減し、熱揺らぎに強く、媒体ノイズが小さく、記録効率に優れた磁気記録媒体を提供することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
〔実施例１〕
図１は本発明の垂直磁気記録媒体の第１の実施形態を示すものであり、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像に基づいて作成した断面模式図である。図２は、本発明による磁気記録再生装置の一例の概略図である。

本発明の磁気記録再生装置において、ロータリーアクチュエーター２１に支持されたサスペンションアーム２２の先端にスライダ２３が固定されている。このスライダの端部に設けられた磁気ヘッド素子部２４により、図の回転方向２５に回転する磁気記録媒体２６に情報を記録再生する。磁気ヘッド素子部２４における記録ヘッドには単磁極ヘッド、再生ヘッドには磁気抵抗効果型ヘッドを用いた。ロータリーアクチュエーター２１が回転することによりヘッド素子２４をディスクの異なる半径位置へと移動させ位置決めすることが可能となる。このとき、媒体上には同心円の記録トラック２７が形成される。

図３は、本発明の一実施例の磁気記録過程におけるヘッドと媒体の配置を示す模式図である。主磁極３１と補助磁極３２とコイル３３からなる記録ヘッド（単磁極ヘッド）と、一方を補助磁極が兼用する一対のシールド３２，３７間に挟まれた磁気抵抗効果膜３８を有する再生ヘッドを備えるヘッドは、記録層３４と軟磁性下地層３５を有する磁気記録媒体に相対して配置される。コイル３３に電流を流して励磁すると、主磁極３１の先端と軟磁性下地層３５の間に垂直方向の磁界が生じ、これにより磁気記録媒体の記録層３４に記録がなされる。軟磁性下地層３５へ流れた磁束は補助磁極３２へと戻り磁気回路を作る。媒体は回転運動によって３６の方向に走行し、媒体とヘッドは相対的に位置を変えながら記録がなされる。厳密には記録トラックは媒体の回転中心を中心とする同心円であるため、ここで述べている記録トラック方向とはその場所での記録トラックに対する接線方向のことである。また、トラック幅方向は、媒体半径方向に一致する。図１の断面はトラック幅方向に切断したものであり、図１のＡ−Ａ’方向は、図２に示すＡ−Ａ’方向に一致する。

図５（ａ）に、本実施例の垂直磁気記録媒体の各層を作製する工程を示す。各工程は材料ごとに１つ又は複数のチャンバーにおいて、スパッタリング法やＣＶＤ法などの成膜法により実行される。基板１１（図１参照）には直径６３．５ｍｍのガラス基板を用いた。基板１１としては、アルミニウム等の金属材料からなる基板を用いてもよいし、ガラス、シリコンなどの非金属材料からなる基板を用いてもよい。シード層１２は、基板と薄膜の密着性を高めるために堆積される。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＮｉ−３７．５ａｔ．％Ｔａ−１０ａｔ．％Ｚｒ合金層をスパッタ法により形成した（工程５１）。軟磁性下地層１３は、単磁極ヘッドから、膜面に垂直の方向に強い磁界を印加するために設けられ、Ｃｏ基アモルファス材料や、Ｆｅ合金材料など、飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上の強磁性材料で、透磁率が高い材料が好ましい。また、軟磁性下地層１３の磁気特性を改善し、磁壁からの漏れ磁束によって発生する磁気ノイズを低減することを目的として、非磁性材料を介して強磁性材料を分割した多層構造を有してもよい。本実施例では軟磁性下地層１３として、膜厚５０ｎｍのＣｏ−３ａｔ．％Ｔａ−５ａｔ．％Ｚｒ合金層、膜厚０．６ｎｍのＲｕ層、膜厚５０ｎｍのＣｏ−３ａｔ．％Ｔａ−５ａｔ．％Ｚｒ合金層をスパッタ法により順次形成した（工程５２）。

中間層１４は、第２記録層１６と軟磁性下地層１３との磁気的相互作用を遮断するとともに、第２記録層１６の結晶配向性を整え、さらに記録層１６中の磁性粒子の柱状構造形成を促進して、記録層１６の磁気異方性を調整するためのものである。中間層１４の材料としては、非磁性で、非晶質、もしくは六方稠密格子構造や、面心立方格子構造の材料を選択できるが、高い（０００１）配向を示し、記録層１６の結晶配向を高める効果を有するＲｕ，Ｔｉ，Ｈｆなどの金属、及びそれらを含む合金を用いるのが望ましい。また、中間層１４がカラム構造を有し、かつ、面内の周期が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の凹凸のある表面を有する構造とすることにより、後述の第２記録層１６のカラム構造の形成を促進することができる。また、中間層１４は、例えばＭｇＯとＰｄのような、表面エネルギーの異なる材料の組み合わせからなる多層構造とし、表面層の島状成長により凹凸のある表面を形成してもよい。本実施例では中間層１４として、膜厚１ｎｍのＴａ、膜厚２０ｎｍのＲｕを順次形成した（工程５３）。

第１記録層１５、及び第２記録層１６は、ＣｏＣｒＰｔ合金とＳｉ酸化物からなるターゲットを用い、スパッタ法で形成した（工程５４、５５）。ここで第２記録層１５を形成する工程５４について、一実施形態を以下に述べる。図４に示すスパッタ装置４０は、基板４１上に第２記録層１６を形成するためのもので、成膜粒子を放出するためのスパッタターゲット４２と、成膜粒子の基板への入射方向を特定方向に制限するための遮蔽板４３を備えている。スパッタリングターゲット４２は形成すべき層の構成材料からなり、円板状に形成されている。遮蔽板４３は、成膜粒子通過口４４を備え、基板４１とスパッタターゲット４２の間に位置する。成膜粒子通過口４４の形状は、スパッタターゲット４２から放出される成膜粒子が基板４１に付着するときの、入射角の半径方向成分が約４５°になるように設定した。このように成膜粒子の入射方向を制限することにより、中間層１４の表面の凹凸に従って成長した磁性粒子１８の周囲に酸化物などの非磁性粒界１９が取り囲んだカラム構造を有し、かつ該カラムが半径方向に傾斜した状態で第２記録層１６が形成される。このとき、第２記録層１６の磁性粒子結晶の磁化容易方向が膜面に垂直の場合でも、カラムの形状異方性により、記録層１６の磁化容易方向がカラムの傾斜方向に傾くが、中間層１４の表面の結晶面間隔や結晶配向を調整して、記録層１６の結晶面方向をトラック幅方向に傾けてもよい。図４には、第２記録層がトラック幅方向の基板の外側の向きに傾いている例を示したが、成膜粒子通過口４４の形状を変えることにより、基板の内側に傾けてもよい。

第１記録層１５は遮蔽板４３を用いず、通常のスパッタリング法を用いて、磁性粒子のカラムの成長方向が膜面に垂直方向になるように成膜した。ここで、前記第２記録層１６の結晶面方向をカラム傾斜方向に傾け、エピタキシー効果により第１記録層１５の結晶面方向を第２記録層のカラム傾斜方向に傾けることにより、第１記録層１５の磁化容易軸も傾斜させることが可能となる。

保護層１７として膜厚４ｎｍのカーボンをスパッタ法により形成した（工程５６）。保護層１７の材料としては従来公知のものを使用してよく、窒化カーボン、シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。保護層１７の膜厚は、磁気ヘッド浮上特性や媒体腐食耐性、磁気スペーシング等の観点から２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが望ましい。

図１に示す実施例１の垂直磁気記録媒体について、第２記録層１６のカラムの傾斜を膜面法線方向に対し４５度とし、全記録層厚Ｔを２０ｎｍに固定して、第２記録層１６の層厚Ｔ２を変化させたときの必要反転磁界、ＳＮＲ、ＳＮＲの記録密度依存性とオフトラック特性から見積もった記録密度、全記録層の成膜時間の変化を表１に示す。ここで、Ｔ２／Ｔが０、すなわち従来の垂直記録媒体と同様に記録層の全膜厚にわたりカラムが垂直になっている媒体を比較例１とし、Ｔ２／Ｔが１、すなわち記録層の全膜厚にわたりカラムが傾斜している媒体を比較例２とした。

必要反転磁界は、６．４１ｋｆｒ／ｍｍで記録したとき、再生出力が飽和値の８０％になる磁界と定義した。記録層の磁性粒子の平均粒径１２．７ｎｍ、磁気異方性定数１．３×１０^５Ｊ／ｍ^３、飽和磁化０．３１４Ｔ、軟磁性下地層厚さ１００ｎｍ、軟磁性下地層飽和磁束密度１．３Ｔ、軟磁性下地層比透磁率５００、単磁極ヘッド主磁極幅１１０ｎｍ、主磁極厚さ１５０ｎｍ、主磁極飽和磁束密度２．４Ｔ、ヘッド媒体間の磁気的スペーシング１３ｎｍ、ヘッド媒体間相対速度秒速２０ｍであった。ビット長１５２ｎｍの低密度記録及び３８ｎｍの高密度記録を行い、低密度出力に対する高密度出力の百分率である分解能と、高密度ノイズに対する低密度出力の比をｄＢで表したＳＮＲを求めた。ヘッド磁界強度は６５３ｋＡ／ｍであった。

第２記録層１６の成膜速度は、図４に示すような遮蔽板４３などを用い成膜粒子の入射方向を制限するため、通常第１記録層１５の成膜速度に対し遅くなるのが一般的である。第２記録層１６の成膜速度は、遮蔽板の形状や成膜条件によって変化するが、ここでは第１記録層１５の成膜速度を毎秒５ｎｍ、第２記録層１６の成膜速度を毎秒１ｎｍとした。

表１に示すように、比較例１の媒体では必要磁界が８１９ｋＡ／ｍと高く、本実施例で用いたヘッド磁界が不足しているのに対し、Ｔに対するＴ２の割合が増加するにつれて必要磁界が減少し、これに伴ってＳＮＲが改善した。これは第２記録層１６の磁化容易軸が傾斜することにより磁化反転が容易となり、第１記録層１５の磁化反転をアシストするためと考えられる。また、本実施例の媒体において、第２記録層１６の形成時にｈｃｐ（０００２）面が膜面に対し傾斜した効果により、第１記録層１５のｈｃｐ（０００２）面が膜面に対し５度から１０度傾斜した。これによって第１記録層１５の磁化容易軸が膜面法線方向に対し傾いたため、必要記録磁界がさらに減少したものと類推される。低密度出力の経時変化から見積もった、記録直後の低密度出力に対する、記録後１０年経過した後の低密度出力の割合はＴ２の値によらず、それぞれ８１％とほぼ一定であった。

一方、Ｔ２の割合が増加するにつれてトラック密度が減少し、Ｔ２／Ｔが０．５を超えると、面記録密度も減少し始める。これはＴ２の増加に伴い、トラック幅方向の膜面投影長が増大することに起因する。また、第２記録層１６の割合が大きくなるにつれて成膜時間も増加し、生産性が劣化する。さらに、Ｔ２／Ｔが０．７よりも大きくなると、媒体欠陥の数が急激に増大し、許容値である、ディスク面あたり１００個を超えた。これは、斜め方向からのスパッタリング時のシャドーイング効果により、膜表面の凹凸が強調され、異常成長点が増えたためと考えられる。以上を鑑み、垂直記録層厚Ｔに対する、第２記録層１６の厚さＴ２の割合Ｔ２／Ｔは０．１以上０．７以下であることが望ましい。すなわち、Ｔ２／Ｔが０．１よりも小さいと、比較例１の従来媒体と比較した面記録密度の増大効果が小さく、０．７よりも大きいと、欠陥数が増大し好ましくない。

次に、図４の遮蔽板４３の成膜粒子通過口４４の形状を調整して、第２記録層１６のカラムの傾斜角度を変えた媒体を作製した。表２に、Ｔ２／Ｔを０．４と一定として、第２記録層１６の、媒体法線方向に対するカラムの傾斜角度を変化させた媒体のＳＮＲを示す。ここで、傾斜角度は、断面ＴＥＭ像から各々の磁性粒子部分の膜面法線となす角を求め、その平均値とした。表１の比較例１の媒体に対し、傾斜角度１０度からＳＮＲの向上が見られたが、傾斜角度７０度の媒体において、急激にＳＮＲが劣化した。これは、成膜時のスパッタ粒子の入射角度の制限により、磁性粒子と非磁性粒界の分離が困難となったためと考えられる。以上の結果から、第２記録層１６の傾きが１０度から６０度の範囲で本発明の効果が見られ、さらに第２記録層１６の傾きは３０度から５０度の範囲が望ましい。

〔実施例２〕
図６は本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示すものであり、ＴＥＭ像をもとに作成した媒体の断面図である。第１の実施例と共通する部位の番号は同一とする。図５（ｂ）に作製工程を示した。本実施例の媒体の製造工程が実施例１の媒体の製造工程と異なる点は、第１記録層の成膜工程５５と第２記録層の成膜工程５４の順番が逆になっていることのみであり、各工程５１〜５６における処理内容は実施例１の場合と同様である。

非磁性基板上１１上に、基板との密着性を高めるためのシード層１２、軟磁性下地層１３、中間層１４、第１記録層１５、第２記録層１６、保護層１７を順次形成する。第１記録層１５の表面が、中間層の表面の凹凸をトレースすることによって、各層を第１の実施例の媒体と同様に作製可能である。媒体表面側にカラムが傾斜した第２記録層１６を設けた場合においても、第１の実施例と同様の効果が得られる。
〔実施例３〕
実施例１と同様の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、ヘッドに、図７の模式図に示すような構造を持つ記録再生ヘッドを用いた。すなわち、ヘッドは、主磁極６１と補助磁極６２とコイル６３からなる記録ヘッドと、磁気抵抗効果膜６８を一対のシールド６９で挟んだ構造の再生ヘッドとを有し、記録層６４と軟磁性下地層６５を有する磁気記録媒体が相対して配置される。ここで、実施例１と異なり、補助磁極６２は主磁極６１に対して、媒体移動方向６６の下流側に配置される。さらに、補助磁極６２に接続され、主磁極６１の近傍にまで伸びた軟磁性薄膜からなるシールド６７を備える。図８に、磁気ヘッドのＡＢＳ面（浮上面）から見たヘッドの磁極配置の模式図を示す。

本実施例のヘッドにおいて、シールド６７が主磁極６１に近接する効果により、磁界勾配が増加し、記録トラック幅を減少させる効果がある一方、ヘッド磁界強度が減少する。シールド６７と主磁極６１の間隔が、トラック方向、トラック幅方向ともに１００ｎｍのとき、実施例１のヘッドと比較して磁界勾配が５０％増加し、記録トラック幅が１５％減少したが、記録磁界は５５０ｋＡ／ｍに減少した。このため、表１の比較例１に示す従来の媒体において、ＳＮＲは１６．２ｄＢと大幅に劣化したのに対し、表１に示す実施例の、Ｔ２／Ｔが０．４の媒体においては２０．５ｄＢのＳＮＲが得られた。したがって、従来の垂直記録媒体との組み合わせでは記録が困難であったが、本発明の媒体との組み合わせにおいて高密度記録が可能となった。

本発明による垂直磁気記録媒体の一例の断面模式図。 本発明による垂直磁気記録再生装置の概略図。 本発明の垂直磁気記録再生装置における記録過程の模式図。 第２記録層を作製するスパッタリング装置の概略図。 本発明の垂直磁気記録媒体の作製工程を示した図。 本発明による垂直磁気記録媒体の他の例の断面模式図。 本発明の垂直磁気記録再生装置の他の例の断面概略図。 単磁極ヘッドを浮上面からみた磁極配置図。

符号の説明

１１…非磁性基板、１２…シード層、１３…軟磁性下地層、１４…中間層、１５…第１記録層、１６…第２記録層、１７…保護層、１８…磁性粒子、１９…非磁性粒界、２１…ロータリーアクチュエーター、２２…サスペンションアーム、２３…スライダ、２４…磁気ヘッド素子部、２５…媒体回転方向、２６…磁気記録媒体、２７…記録トラック、３１…主磁極、３２…補助磁極、３３…コイル、３４…記録層、３５…軟磁性下地層、３６…媒体走行方向、３７…シールド、３８…磁気抵抗効果膜、４０…スパッタリング装置、４１…基板、４２…スパッタターゲット、４３…遮蔽板、４４…成膜粒子通過口、５１…シード層成膜工程、５２…軟磁性下地層成膜工程、５３…中間層成膜工程、５４…第２記録層成膜工程、５５…第１記録層成膜工程、５６…保護層成膜工程、６１…主磁極、６２…補助磁極、６３…コイル、６４…記録層、６５…軟磁性下地層、６６…媒体移動方向、６７…シールド、６８…磁気抵抗効果膜、６９…シールド

Claims (16)

1. 軟磁性下地層と、情報を記録する磁気記録層と、前記軟磁性下地層と前記磁気記録層との間に形成された少なくとも１層の中間層とを有する磁気記録媒体において、
   前記磁気記録層はカラム構造をなす強磁性体粒子を含有する第１記録層と第２記録層を備え、前記第１記録層はカラムが媒体面法線方向を向き、前記第２記録層はカラムがトラック幅方向に傾斜していることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１記録層のカラムと媒体面法線方向がなす角が１０度未満であり、第２記録層のカラムと媒体面法線方向のなす角が１０度以上６０度未満であることを特徴とする磁気記録媒体。
3. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記中間層のうち少なくとも１層はカラム構造をなす粒子を含有し、該カラム構造をなす粒子を含有する層に接して前記第２記録層が形成され、前記第２記録層の上に前記第１記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記中間層のうち少なくとも１層はカラム構造をなす粒子を含有し、該カラム構造をなす粒子を含有する層に接して前記第１記録層が形成され、前記第１記録層の上に前記第２記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
5. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記中間層のうち少なくとも１層は島状構造を有し、前記中間層の上に前記第２記録層が形成され、前記第２記録層の上に前記第１記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
6. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記中間層のうち少なくとも１層は島状構造を有し、前記中間層の上に前記第１記録層が形成され、前記第１記録層の上に前記第２記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
7. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記中間層は六方稠密格子構造の金属又は合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
8. 請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１記録層と第２記録層の厚みの和をＴ、前記第２記録層の厚みをＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔが０．１以上０．７以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
9. 磁気記録媒体と、単磁極ヘッドと、前記単磁極ヘッドを搭載したスライダと、前記スライダを固定するサスペンションアームと、前記サスペンションアームを支持するアクチュエーターとを含む磁気記録再生装置において、
   前記磁気記録媒体は、軟磁性下地層と、情報を記録する磁気記録層と、前記軟磁性下地層と前記磁気記録層との間に形成された少なくとも１層の中間層とを有し、前記磁気記録層はカラム構造をなす強磁性体粒子を含有する第１記録層と第２記録層を備え、前記第１記録層はカラムが媒体面法線方向を向き、前記第２記録層はカラムがトラック幅方向に傾斜していることを特徴とする磁気記録再生装置。
10. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記第１記録層のカラムと媒体面法線方向がなす角が１０度未満であり、第２記録層のカラムと媒体面法線方向のなす角が１０度以上６０度未満であることを特徴とする磁気記録再生装置。
11. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記中間層のうち少なくとも１層はカラム構造をなす粒子を含有し、該カラム構造をなす粒子を含有する層に接して前記第２記録層が形成され、前記第２記録層の上に前記第１記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録再生装置。
12. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記中間層のうち少なくとも１層はカラム構造をなす粒子を含有し、該カラム構造をなす粒子を含有する層に接して前記第１記録層が形成され、前記第１記録層の上に前記第２記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録再生装置。
13. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記中間層のうち少なくとも１層は島状構造を有し、前記中間層の上に前記第２記録層が形成され、前記第２記録層の上に前記第１記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録再生装置。
14. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記中間層のうち少なくとも１層は島状構造を有し、前記中間層の上に前記第１記録層が形成され、前記第１記録層の上に前記第２記録層が形成されていることを特徴とする磁気記録再生装置。
15. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記中間層は六方稠密格子構造の金属又は合金を含むことを特徴とする磁気記録再生装置。
16. 請求項９記載の磁気記録再生装置において、前記第１記録層と第２記録層の厚みの和をＴ、前記第２記録層の厚みをＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔが０．１以上０．７以下であることを特徴とする磁気記録再生装置。

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