JP2002342908A

JP2002342908A - 磁気記録媒体とその製造方法

Info

Publication number: JP2002342908A
Application number: JP2001143566A
Authority: JP
Inventors: Tomoji Senzaki; 友二先崎; Hiroshi Uchiyama; 浩内山; Takahiro Igari; 孝洋猪狩
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-05-14
Filing date: 2001-05-14
Publication date: 2002-11-29
Also published as: KR20020087362A; US20020187368A1

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂製の基板を使って、室温程度の基板温度
で製造可能であり、高保磁力、および高いＳ／Ｎ比を実
現した高密度記録に適する磁気記録媒体、およびその製
造方法を提供する。【解決手段】樹脂製の基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主
体としてＳｉ酸化物を含有する磁性膜を、前記Ｓｉ酸化
物の含有量がＳｉ原子に換算して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに
対して８原子％以上、１６原子％以下とするように形成
し、結晶間相互作用を低減する。また、前記樹脂製の基
板上に前記磁性膜を形成する際、ガス圧を０．１３３Ｐ
ａ以上、２．６６Ｐａ以下としたチャンバー内でスパッ
タリング法により、樹脂製の基板を非加熱状態で成膜す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
により基板上に磁性層を成膜してなる磁気記録媒体、お
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等の外部記憶装置として、
アルミニウムやガラス等からなる基板上に磁性層が形成
してなる磁気ディスクと、スライダーに搭載された磁気
ヘッドとを備える、所謂、磁気ディスクドライブが多用
されている。この磁気ディスクドライブでは、磁気ディ
スク表面に対して微小間隔を保って磁気ヘッドを対向、
浮上させ、この浮上状態で磁気ディスクに対して信号の
記録再生を行う。

【０００３】近年のコンピュータの多機能化及び高性能
化に伴い、磁気ディスクドライブに対して高密度記録化
の要望が高まっている。磁気ディスクドライブの高密度
記録を実現する手法の一つとして、磁気ヘッドと磁気デ
ィスクの間の間隔を極力狭めることが挙げられる。

【０００４】磁気ディスクドライブでは、磁気ヘッドを
搭載したスライダーが磁気ディスクの表面上を、例え
ば、２０ｎｍ程度の間隔を保って浮上し、信号の書き込
み、および／または読み出しを行なう。この場合、磁気
ディスクの表面に存在する突起高さが２０ｎｍ以上の突
起は、磁気ヘッドクラッシュの原因となる。このため、
磁気ディスクには、表面に存在する突起の高さが２０ｎ
ｍ未満とされるような厳しい表面平滑性が要求される。

【０００５】従来、アルミニウム基板を用いた場合で
は、次のような方法により１５ｎｍ以上の高さを有する
突起が除去され、平滑なディスク表面を得ていた。ま
ず、アルミニウムからなる金属母材から基板形状のアル
ミニウムを切り出す。次いで、この切り出したアルミニ
ウム基板に対して高精度な研磨を施す。即ち、この研磨
工程によって磁気ヘッドのクラッシュの原因となる高さ
１５ｎｍ以上の突起をアルミニウム基板の表面から除去
する。具体的には、アルミニウム基板の表面に高い表面
平滑性を付与するために、アルミニウム基板に対する研
磨と洗浄を繰り返すと共に、研磨を繰り返す毎に研磨に
用いる砥粒の粒径を小さくすることによって、最終的に
高さ１５ｎｍ以上の突起を除去する。このような操作
は、ガラス基板の場合にもアルミニウム基板と同様にし
て行われ、研磨と洗浄とが繰り返されることによって平
滑な表面を得ている。

【０００６】しかしながら、アルミニウムやガラスから
なる基板を用いる場合には、上述のように基板の表面平
滑性を得るための研磨等の工程が煩雑であるため、製造
コストが高いものとなり、磁気ディスク自体の価格を引
き上げる要因になるという問題がある。

【０００７】このため、磁気ディスク用の基板として、
プラスチックからなる基板（樹脂製基板）が提案されて
いる。樹脂製基板の場合には、射出成形法等によって作
製されるため、基板の表面粗さは、射出成形に用いられ
る金型、あるいはスタンパの表面粗さに対応する。この
ため、高精度に平滑化された金型、あるいはスタンパを
用いることで、問題となるような突起が存在しない、優
れた表面平滑性を有する基板を製造することができる。
従って、樹脂製基板を用いることで、アルミニウム基板
や、ガラス基板で行われていた研磨、洗浄等の工程が不
要となり、磁気ディスクを製造する際の作業が簡略化さ
れ、製造コストを安価に抑えることが出来る。

【０００８】磁気ディスクを製作する場合、一般にスパ
ッタリング法により基板上に、例えば、Ｃｏ系合金薄膜
からなる磁性層を成膜する際、２００ ℃程度、あるい
はそれ以上の温度に基板を加熱して成膜を行っている。

【０００９】スパッタリング法においては、基板温度が
高い場合、基板表面に飛来した原子が結晶軸を揃えて密
に並ぶまでに有する運動エネルギーは、基板温度が低い
ときよりも大きい。このため、基板を加熱することによ
り、Ｃｏ系合金薄膜の磁気特性、特に保磁力Ｈｃが高め
られる。

【００１０】しかしながら、樹脂製基板は、ガラス転移
温度が低いため、基板上に磁性層を成膜する際に、２０
０℃以上という高い温度に基板を加熱することが出来な
い。このような制約があるため、樹脂製基板を用いた磁
気ディスクは保磁力Ｈｃが小さくなるという欠点があっ
た。

【００１１】このため、樹脂製基板を磁気ディスクに採
用するに当たっては、室温程度の基板温度で磁性層の成
膜を行なっても、磁気記録媒体として十分な磁気特性を
磁性層に付与できるようにすることが望まれていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録の分野におい
ては、高記録密度化が要求されていると共に、信号形態
もアナログ信号からデジタル信号に代わっている。その
ため、高記録密度化と共に、信号形態に合わせた媒体設
計も重要になっている。また、磁気記録媒体を設計する
に当たっては、記録再生に使用する磁気ヘッドの特性等
によって考慮しなければならない要素が多数ある。

【００１３】このような要素である磁気記録媒体の磁気
特性の内、再生用磁気ヘッドの再生能力によって制限さ
れる磁気特性が残留磁化厚みである。磁性層の残留磁化
厚みは、磁性層の残留磁化Ｍｒと磁性層の厚さｔとの積
Ｍｒ・ｔで表される。この残留磁化厚みは、磁気ヘッド
アンプのノイズを無視できる程度に再生出力が大きくな
るような範囲の値に制御する必要がある。磁気ヘッドの
再生感度と磁気ヘッドの飽和磁束によってこの値は決定
される。

【００１４】また、磁気記録媒体の磁気特性のうち、記
録用磁気ヘッドの書き込み能力によって制限されるのが
保磁力である。磁性層の保磁力は、記録用磁気ヘッドの
書き込み能力の範囲内にするという観点から、保磁力の
最大値が決定される。

【００１５】更に、高記録密度（特に高線記録密度）を
実現するためには、分解能を高め、高周波信号を記録再
生しても再生出力が小さくならないようにすることが必
要である。分解能を示す指標としては保磁力に対する残
留磁化厚みの比（Ｍｒ・ｔ／Ｈｃ）がある。この値が小
さいほど分解能は高まり、周波数特性が向上する。従っ
て、分解能を高めるという観点からは、保持力を大きく
し、かつ残留磁化厚みを小さくすることが必要である。

【００１６】また、高密度記録化の研究は、磁気記録媒
体のみならず、情報の記録再生を行なう磁気ヘッドの分
野においても盛んである。中でも磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、従来の薄膜ヘッド等に比べて感度が高いため、
極めて微小な信号を検出することが出来る一方で、雑音
も検出し易い。このため、磁気ヘッドの高性能化に伴っ
て磁気記録媒体のノイズを低減すること、即ち、高いＳ
／Ｎ比を得ることが重要となる。

【００１７】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、室温程度の基板温度で製造可能
であり、高いＳ／Ｎ比、および高保磁力を実現し、高密
度記録に適する磁気記録媒体、およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物を含有する磁性膜
が形成され、前記Ｓｉ酸化物の含有量がＳｉ原子に換算
して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子％以上、１６原
子％以下であることを特徴とする磁気記録媒体である。

【００１９】以上のように構成された磁気記録媒体で
は、磁性層中のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒が、適量のＳ
ｉ酸化物に囲まれた状態となり、当該結晶粒の結晶間相
互作用が小さくなる。また、磁性膜の厚さが１０ｎｍ以
上、２５ｎｍ以下と適度な厚さとなされている。これに
より、磁気記録媒体は低ノイズ化し、高Ｓ／Ｎ比が得ら
れると共に、高保磁力が得られる。

【００２０】また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造
方法は、樹脂製基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体として
Ｓｉ酸化物を含有し、前記Ｓｉ酸化物の含有量がＳｉ原
子に換算して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子％以
上、１６原子％以下であるような磁性膜を少なくとも形
成してなる磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性
膜は、ガス圧を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）以上、
２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）以下としたチャンバー
内で、スパッタリング法により成膜することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。

【００２１】このような磁気記録媒体の製造方法では、
磁性層の成膜時に、基板温度を室温程度とすることが可
能であると共に、Ａｒガス圧を最適にすることにより、
高Ｓ／Ｎ比、および高保持力を実現する磁気記録媒体を
製造できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気記録媒
体、およびその製造方法に関する実施の形態について、
図面を示しながら詳細に説明する。なお、以下の発明で
用いる図面は、各部の特徴を分かりやすく図示するため
に、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、
各部材の寸法比率が実際と同じであるものではない。ま
た、磁気記録媒体を構成する各層の構成や材料等につい
て例示するが、本発明は例示する磁気記録媒体に限定さ
れるものではなく、所望とする目的や性能に応じて各層
の構成や材料等を選択することができる。

【００２３】本発明に係る磁気記録媒体は、基板上に強
磁性体であるＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とした磁性薄膜が
形成されてなる金属薄膜型の磁気記録媒体である。図1
に示すように、磁気記録媒体１は、基板２と、基板２上
に形成された下地層３と、下地層３上に形成された中間
層４と、中間層４上に形成された磁性層５と、磁性層５
上に形成された保護層６とを有している。

【００２４】磁性層５は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体と
し、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯｘ（ｘ：１以上、２以下））を
含有している。そして、磁性層５におけるＳｉ酸化物の
含有量は、当該酸化物を構成する構成元素Ｓｉの比率が
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して、８原子％以上、１６原子％
以下となるような量とされている。また、磁性層５の厚
さは１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下とされている。

【００２５】この磁性層５は、磁性層５を構成するＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒間に、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯｘ
（ｘ：１以上、２以下））が島状に分散せしめられた構
造となっている。即ち、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒がＳ
ｉ酸化物によって囲まれ孤立化し、当該結晶粒の結晶間
相互作用が分断される。これによって、磁化遷移部分の
磁化のばらつきに起因するノイズを低減することが出来
る。それと共に、各結晶粒が磁気的に孤立することによ
って磁化の回転が一斉回転型になるため、保磁力が大き
くなる。即ち、磁気記録媒体１は高Ｓ／Ｎ比、および高
保磁力を持つ媒体となることが可能になる。ただし、本
発明は上記した磁性層５の微細構造に拘束されるもので
はない。

【００２６】磁性層におけるＳｉ酸化物含有量が、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉ酸化物を構成する構成元素Ｓ
ｉの比率として換算したときに、当該構成元素Ｓｉが、
８原子％未満とされるような量である場合、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｒの結晶粒を囲んで孤立化させる効果が不十分とな
り、高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力が得られない。

【００２７】一方、磁性層におけるＳｉ酸化物の含有量
がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉ酸化物を構成する構成
元素Ｓｉの比率として換算した場合、構成元素Ｓｉが１
６原子％を上回るような量である場合、磁性層中のＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒの含有量が相対的に減少するため、逆にＳ
／Ｎ比、および保磁力は小さくなってしまう。

【００２８】従って、磁性層５におけるＳｉ酸化物（Ｓ
ｉＯｘ（ｘ：１以上、２以下））の含有量が、当該酸化
物を構成する構成元素Ｓｉの比率としてＣｏ−Ｐｔ−Ｃ
ｒに対して、８原子％以上、１６原子％以下となるよう
な量とされることによって、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒
と、当該結晶粒を囲むＳｉ酸化物との比率が適正とな
る。これによって、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間
相互作用が効率良く分断され、高Ｓ／Ｎ比、および高保
磁力を得ることが出来る。

【００２９】また、磁性層５の厚さが１０ｎｍ未満であ
る場合、磁性層における結晶配向性が乱れた初期成長層
の影響が大きくなるため、結晶磁気異方性の劣化が起こ
り、Ｓ／Ｎ比、および保磁力が低下してしまう場合があ
る。一方、磁性層５の厚さが２５ｎｍを上回る場合、垂
直方向の反磁界が小さくなり、磁化の垂直成分が増加す
るため、Ｓ／Ｎ比、および水平方向の保磁力が低下して
しまう場合がある。このような理由から、磁性層５の厚
さは、１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲、特には、１
５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲であることが望まし
い。これにより、Ｓ／Ｎ比、および保磁力の更なる向上
が図られ、磁気記録媒体１は、高性能の磁気ヘッドに対
しても記録再生が可能となり、高密度記録に好適なもの
となる。

【００３０】磁性層５は、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｒとＳｉ酸化
物（ＳｉＯｘ（ｘ：１以上、２以下））を構成する構成
元素Ｓｉとの総和を１００原子％としたとき、Ｐｔが１
２原子％以上、２０原子％以下であり、Ｃｒが０原子％
を超え、１０原子％以下であり、Ｓｉ酸化物を構成する
元素Ｓｉが８原子％以上、１６原子％以下であり、残部
がＣｏであるような組成であることが好ましい。磁性層
５を構成する元素の組成が上記の範囲とされることで、
優れた保磁力が磁気記録媒体１に付与されると共に、高
いＳ／Ｎ比を有し、媒体ノイズを顕著に抑えることがで
きる。

【００３１】ここで、磁性層５中のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの
結晶粒を孤立化させるＳｉ酸化物としてＳｉＯｘで表さ
れる酸化物を用いることが好ましい。ＳｉＯｘとして
は、具体的には、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ等が挙げられる。こ
れらのＳｉ酸化物を用いることにより、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃ
ｒの結晶粒の結晶間相互作用をより効率的に分断するこ
とが出来るため、Ｓ／Ｎ比、および保磁力の更なる向上
を図ることができる。

【００３２】また、磁性層５中のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結
晶粒を孤立化させるＳｉ酸化物（ＳｉＯｘ）と共に、更
に、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃等の酸化物を
併用することが好ましい。磁性層５は、スパッタリング
法により基板２上に成膜される。この時、ターゲットの
組成と磁性層の組成とが化学量論的組成から外れること
があり、所望の特性を有する磁性層を得られないことが
ある。Ｓｉ酸化物（ＳｉＯｘ）として、例えばＳｉＯ₂
を含有させたターゲットをスパッタリングした時に、Ｓ
ｉＯ₂はＳｉとＯとに分離した状態となってターゲット
からはじき飛ばされ、基板上に被着するが、この際にＯ
原子が不足気味となり、単体のＳｉが生ずることがあ
る。

【００３３】このような単体のＳｉでは、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒの結晶粒を所望通りに囲むことができず、当該結晶
粒の結晶間相互作用を分断することができない。即ち、
磁性層５において、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ結晶粒の結晶間相
互作用の分断に寄与しないＳｉが存在することになり、
この結果、ＳｉＯ₂を磁性層５に用いることから期待さ
れるほどのＳ／Ｎ比、および保磁力の向上効果が得られ
ない場合がある。

【００３４】そこで、磁性層５中に含有させる酸化物と
して、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯｘ）と共に、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂またはＹ₂Ｏ₃を併用することにより、これ
らのＣｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃が、磁性層５
中のＳｉＯｘにＯが不足した場合、これを補うことがで
きる。即ち、磁性層５において、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ結晶
粒の結晶間相互作用の分断に寄与しないＳｉＯｘができ
るのを低減（単体のＳｉのできる確率を小さく）するこ
とができる。このことから、ＳｉＯｘと共に、Ｃｒ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂またはＹ₂Ｏ₃を磁性層５に含有
させることにより、Ｓ／Ｎ比、および保磁カの大幅な向
上を図ることができる。

【００３５】上記磁気層５以外の図1に示す本発明の磁
気記録媒体１を構成する基板２、下地層３、中間層４、
保護層６は、それぞれ以下のような構成となっている。

【００３６】基板２は、樹脂材料からなることが好まし
い。樹脂材料（プラスチック材料）を用いることによっ
て、スタンパを装着した射出成形装置等で樹脂製基板の
成形が可能となり、従来の金属基板やガラス基板で施さ
れていた研磨、洗浄等の煩雑な工程を省略することがで
きると共に、良好な表面平滑性が容易に得られる。基板
２に用いる樹脂材料としては、ポリメチルメタクリレー
トや、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィン系炭化
水素が挙げられる。

【００３７】また、基板２の表面平均粗さは１ｎｍ以下
であり、最大突起高さが１５ｎｍ以下であることが好ま
しい。このように基板２の表面平滑性を良好とすること
により、磁気記録媒体１と磁気ヘッドとの間の間隙が極
めて小とされた場合であっても、磁気記録媒体１と磁気
へッドとの接触・衝突が防止され、記録再生が安定して
行れる。

【００３８】なお、基板２の材料としては、樹脂材料に
限定されず、必要により、従来から磁気記録媒体用の基
板として用いられる材料を使用することも可能である。
具体的には、アルミニウム、ガラス等が挙げられる。

【００３９】下地層３としては、例えばＣｒ、Ｃｒ−Ｗ
合金等を用いることができる。基板２上に下地層３を成
膜することにより、磁性層５の表面平滑性を良好なもの
とすることができる。

【００４０】中間層４としては、例えばＣｏ−Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｔｉ−Ｃｒ、Ｒｕ、ＣｏＲｕ、Ｒｅ、ＣｏＲｅを用
いることができる。磁性層５の下に中間層４を形成する
ことにより、磁性層５の結晶配向を良好なものとし、磁
気特性を向上させることができる。

【００４１】この理由について、例えば、中間層４とし
てＴｉを用いた場合について説明する。中間層４に用い
られるＴｉの面間隔は、磁性層５に用いられるＣｏの面
間隔よリ１５％〜１７％大きい。一方、磁性層５ではＣ
ｏ中に面間隔の大きな原子であるＰｔが加えられている
ため、実際の磁性層５の面間隔は、Ｃｏ単独の面間隔に
較べて大きい。従って、中間層４を構成するＴｉと、磁
性層５との面間隔が近似するようになり、磁性層５の結
晶配向は良好なものとなる。中間層４としてＣｏ−Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｃｒ、Ｒｕ、ＣｏＲｕ、Ｒｅ、ＣｏＲ
ｅを用いた場合についても、中間層４にＴｉを用いた場
合と同様、磁性層５の結晶配向を良好なものとすること
ができる。

【００４２】保護層６は、磁気ヘッドの接触による磨耗
や損傷等から磁気記録媒体１を保護するために設けられ
る。そのため、磁気記録媒体１の保護はもちろん、磁気
ヘッドに対して損傷を与えることのないような硬度の高
い、例えば、カーボン（Ｃ）等を主体とする薄膜が用い
られる。

【００４３】保護層６上に、潤滑剤を含有する潤滑剤層
を形成することも可能である。保護層６上に潤滑剤層を
形成することにより、磁気記録媒体１の表面の摩擦係数
を低減し、磁気記録媒体１の走行性や耐久性を向上させ
ることができる。

【００４４】以上のように構成された磁気記録媒体１
は、基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物
を含有する磁性膜が形成され、前記Ｓｉ酸化物の含有量
がＳｉ原子に換算して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原
子％以上、１６原子％以下とし、磁性層５の厚さが１０
ｎｍ以上、２５ｎｍ以下とされている。これにより、磁
性層５のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒がＳｉ酸化物（Ｓｉ
Ｏｘ）によって囲まれ、当該結晶粒の結晶間相互作用が
低減される。これによって磁気記録媒体１は、高Ｓ／Ｎ
比、および高保磁力を実現し、高密度記録に好適なもの
となる。

【００４５】以下、図１に示すような構成の磁気記録媒
体１の製造方法について説明する。まず、マスタリング
工程により、プラスチックからなる基板２の原盤となる
スタンパ１３を作製する。このマスタリング工程では、
図２に示すようなガラス原盤１１を用意し、アルカリ、
酸、流水超音波等によってその表面を洗浄・研磨する。

【００４６】次に、このガラス原盤１１上に、例えばス
ピンコーター等の方法により、フォトレジスト溶液を塗
布する。フォトレジスト溶液を塗布後、１０００℃以下
の温度でベーク処理し、図３に示すような、所定の膜厚
を有するフォトレジスト層１２を形成する。

【００４７】次いで、図４に示すように、例えば、波長
４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザーや、波長４１２ｎｍの
Ｋｒレーザー等を用いて、カッティングデータに対応し
た溝のパターン露光をフォトレジスト層１２に施す。パ
ターン露光を受けたフォトレジスト層１２は、露光部１
２ａとされる。

【００４８】更に、図５に示すように、フォトレジスト
層１２に対して、アルカリ性の現像液等を用いて現像処
理を施す。これにより、フォトレジスト層１２の露光部
１２ａが溶出し、グルーブやサーボパターン等に対応し
た所定の凹凸パターンが形成される。

【００４９】その後、所定の凹凸パターンが形成された
フォトレジスト層１２上に、導電化層を形成し、更に、
Ｎｉ等のメッキを施す。これにより、図６に示すよう
に、フォトレジスト層１２の上にスタンパ１３が形成さ
れる。

【００５０】最後に、スタンパ１３をガラス原盤１１、
およびフォトレジスト層１２から剥離し、剥離したスタ
ンパ１３をアルカリ溶液や、有機溶剤等を用いて洗浄
し、凹凸パターンが転写された面に残存しているフォト
レジストを除去する。そして、凹凸パターンが形成され
ていない面側を研磨し、スタンパ１３を所望の厚みとす
ることにより、図７に示すように、凹凸パターンが転写
された射出成形用のスタンパ１３が得られる。

【００５１】なお、基板２としてグルーブやサーボパタ
ーン等の凹凸パターンを有していない平板上の基板２を
作製する場合には、上記工程のうち、パターン露光、お
よび現像処理を行わないようにする。この場合、フォト
レジスト溶液の塗布及びべ一ク処理だけを行い、その上
にＮｉ等のメッキを施す。これにより、表面に凹凸パタ
ーンのない、平板状のスタンパが得られる。

【００５２】基板２は、以上のように作製されたスタン
パ１３を用いて、樹脂材料を射出成形することで作製さ
れる。このとき得られる基板２の表面の粗さは、フォト
レジスト層１２の表面の粗さに対応したものとなる。そ
して、実際に以上のようにして基板２を作製したとこ
ろ、基板２の表面平均粗さが１ｎｍ以下、最大突起高さ
が１５ｎｍ以下となった。このように、基板２を作製す
ることで、基板２の表面の突起を取り除く研磨工程や洗
浄工程を施すことなく、表面平滑性に優れた基板２を作
製することができる。

【００５３】磁気記録媒体１は、以上のように作製され
た基板２の上に磁性層５を含む積層膜を成膜することで
作製される。磁性層５を含む積層膜は、例えば、図８に
示すようなインライン型スパッタリング装置２１を用い
て成膜される。

【００５４】インライン型スパッタリング装置２１は、
１列に並んだチャンバー２３ａ、チャンバー２３ｂ、チ
ャンバー２３ｃ、チャンバー２３ｄ、およびチャンバー
２３ｅを有している。各チャンバー２３ａ〜ｅは、それ
ぞれチャンバー２３ａ〜ｅ内部を高真空に保つ排気装置
２２ａ〜ｅと、スパッタガスをチャンバー２３ａ〜ｅ内
部に導入するガス導入孔２６ａ〜ｅとを有している。ス
パッタリングを行う際には、まず、チャンバー２３ａ〜
ｅ内は、排気装置２２ａ〜ｅによって大気を排出され高
真空状態に保たれ、成膜時にガス導入孔２６ａ〜ｅから
Ａｒガス等のスパッタガスが導入される。

【００５５】チャンバー２３ａは、内部にターゲット電
源より整合回路を通じて電力が供給されるカソード２４
ａと、カソード２４ａに接触した状態で保持されている
バッキングプレートと、バッキングプレート上に保持さ
れるターゲットとを備えている。なお、後述する実施例
の磁気ディスク1を作製する際には、チャンバー２３ａ
の内部に設置するターゲットとして、Ｃｒ−Ｗ合金から
なる下地層３用のターゲツトを用いた。

【００５６】チャンバー２３ｂは、チャンバー２３ａと
同様に、内部にターゲット電源より整合回路を通じて電
力が供給されるカソード２４ｂと、カソード２４ｂに接
触した状態で保持されているバッキングプレートと、バ
ッキングプレート上に保持されるターゲットとを備えて
いる。なお、後述する実施例の磁気ディスクを作製する
際には、チャンバー２３ｂの内部に設置するターゲット
として、Ｃｏ−Ｃｒからなる中間層４用のターゲットを
用いた。

【００５７】チャンバー２３ｃは、チャンバー２３ａと
同様に、内部にターゲット電源より整合回路を通じて電
力が供給されるカソード２４ｃと、カソード２４ｃに接
触した状態で保持されているバッキングプレートと、バ
ッキングプレート上に保持されるターゲツトとを備えて
いる。なお、後述する実施例の磁気ディスクを作製する
際には、チャンバー２３ｃの内部に設置するターゲット
として、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物（Ｓ
ｉＯｘ）を含有する磁性層５用のターゲットを用いた。

【００５８】チャンバー２３ｄは、チャンバー２３ａと
同様に、内部にターゲット電源よリ整合回路を通じて電
力が供給されるカソード２４ｄと、カソード２４ｄに接
触した状態で保持されているバッキングプレートと、バ
ッキングプレート上に保持されるターゲットとを備えて
いる。なお、後述する実施例の磁気ディスクを作製する
際には、チャンバー２３ｄの内部に設置するターゲット
として、Ｃからなる保護層６用のターゲットを用いた。

【００５９】また、インライン型スパッタリング装置２
１は、基板２を保持するパレット２５を備えている。こ
のパレット２５は、チャンバー２３ａ〜ｅの内部で、パ
レット２５が保持した状態の基板２が各ターゲットと対
向するように配置され、且つ各チャンバー２３ａ〜ｅの
間を移動可能となされている。

【００６０】以上のようなインライン型スパッタリング
装置２１で基板２上に磁性層５等の積層膜を成膜する際
には、まず、基板２をパレット２５によって保持して、
これをチャンバー２３ｅの内部に導入する。次に、排気
装置２２ａ〜ｅが、各チャンバー２３ａ〜ｅの内部を排
気して、高真空状態に保持する。次いで、ガス導入孔２
６ａ〜ｅから、Ａｒガス等のスパッタガスをチャンバー
２３ａ〜ｅの内部に導入し、各チャンバー２３ａ〜ｅ毎
に所定のガス圧とする。

【００６１】そして、基板２を保持したパレット２５
を、成膜する薄膜に対応したチャンバ一内へと移動さ
せ、基板２をターゲットと対向させた状態で、ターゲッ
トをスパッタリングする。これにより、基板２上に薄膜
が成膜される。そして、基板２上に磁性層５を含む所定
の積層膜が形成されるように、このような成膜を各チャ
ンバー２３ａ〜ｅ内で行う。

【００６２】以上のようにして、基板２を保持したパレ
ット２５を各チャンバー２３間を移動させることによっ
て、基板２上に磁性層５を含む積層膜を形成する。これ
によリ、基板２上に磁性層５を含む積層膜が形成されて
なる磁気記録媒体１が得られる。

【００６３】そして、本発明では、基板２上に磁性層５
を成膜する際に、チャンバー２３ｃ内のガス圧を、０．
１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）以上、２．６６Ｐａ（２０
ｍＴｏｒｒ）以下の範囲内とする。使用ガスとしては、
不活性ガス、例えば、Ａｒガスが挙げられる。これによ
り、高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力を実現し、優れた磁気
特性を有する磁気記録媒体１を作製することが可能とな
る。チャンバー内のガス圧を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏ
ｒｒ）未満とした場合、Ｓ／Ｎ比、および保磁力の向上
が不十分となる。一方、チャンバー内のガス圧を２．６
６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）より大とすると、チャンバー
内のガス圧を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）とした場
合よりもＳ／Ｎ比、および保磁力が低下してしまう。

【００６４】チャンバー内のガス圧を、０．１３３Ｐａ
（１ｍＴｏｒｒ）以上、２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒ
ｒ）以下とし、磁性層５の材料にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを用
いることで、スパッタリング法で磁性層５を成膜する際
に、基板２を加熱しなくとも、十分な磁気異方性を付与
することができる。これによって、基板２として、金属
等に較べて耐熱性の低い樹脂材料（プラスチック材料）
を採用することが可能となる。

【００６５】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体とし
て、図８に示したインライン型スパッタリング装置２１
を用いて実際に金属薄膜型の磁気ディスクを作製し、そ
れらの磁気特性等を調べた結果について説明する。

【００６６】実施例１まず、磁性層中のＳｉＯ₂の含有量と磁気特性について
検討した。前述のようにしてスタンパを作製し、樹脂
材料を射出成形してなる表面に凹凸を設けた基板を得
た。この基板の平均表面粗さは、０．３５２ｎｍ、最大
突起高さは、４．５０５ｎｍであった。なお、基板の樹
脂材料としては、日本ゼオン社製のＺＥＯＮＥＸ（商品
名）を用いた。

【００６７】図１に準じた構成で、前記基板２上に８４
原子％Ｃｒ−１６原子％Ｗ（以降、原子％を省き８４Ｃ
ｒ−１６Ｗと表記する。なお、他の化合物の場合につい
ても同様に表記する）合金からなる下地層３と、５８Ｃ
ｏ−４２Ｃｒからなる中間層４と、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、
およびＳｉＯ₂とからなる磁性層５と、Ｃからなる保護
層６とを順次成膜した。次に、保護層６の表面にフッ素
系潤滑剤を塗布し、サンプル磁気ディスクを得た。

【００６８】このとき、インライン型スパッタリング装
置２１の、磁性層５を成膜するチャンバー内に設置され
るターゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉ酸化物
としてＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。な
お、これらＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉＯ₂は、Ｃｏ
と、Ｐｔと、Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉ
との総和を１００原子％としたとき、Ｃｏを１００−
（１４＋６＋ｘ）原子％、Ｐｔを１４原子％、Ｃｒを６
原子％、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉをｘ原子％と
なるような比率で混合した。

【００６９】スパッタリング前のチャンバー内圧力は、
２．６７×１０^-5Ｐａ（２×１０^-7Ｔｏｒｒ）とした。
また、スパッタリング時のそれぞれのＡｒガス圧力は、
下地層３の成膜時は４Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）、中間層
４の成膜時は５．３Ｐａ（４７ｍＴｏｒｒ）、磁性層５
の成膜時は１．１Ｐａ（８．６ｍＴｏｒｒ）、保護層６
の成膜時は１．６Ｐａ（１２ｍＴｏｒｒ）とした。ま
た、スパッタリング時のそれぞれの成膜速度として、下
地層３の成膜時は、２ｎｍ／ｓ、中間層４の成膜時は、
２ｎｍ／s 、磁性層５の成膜時は、２ｎｍ／s、保護層
６の成膜時は、０．５ｎｍ／sとした。また、これらの
薄膜を成膜する際、基板２を保持するパレットは室温に
保った。

【００７０】以上のように作製された磁性層５中のＳｉ
Ｏ₂含有量が異なる複数のサンプルディスクについて、
それらの保磁力ＨｃをＲＭＭ（ＲｅｍａｎｅｎｔＭｏ
ｍｅｎｔＭａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）で測定した。ま
た、線速度１２．９ｍ／ｓ、波長０．５μｍ（約１００
ｋＦＣＩ））としたときのＳ／Ｎ比を、電磁変換測定器
「ＧＵＺＩＫ−１６３２Ａ」で測定した。

【００７１】Ｓ／Ｎ比の測定に用いる磁気へッドには、
インダクティブ型磁気へッドからなる記録用磁気へツド
と、シールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドからなる再
生用磁気ヘッドとを組み合わせたものを使用した。ここ
で、記録用磁気へッドについては、記録トラック幅を
２．７μｍとし、ギャップ長を０．３５μｍとした。ま
た、再生用磁気ヘッドについては、磁気低抗効果素子の
磁界検出に寄与する部分の幅、所謂、再生ＭＲ幅を２．
３μｍとし、磁気低抗効果素子を狭持するシールドの間
隔を０．２６μｍとした。これらの磁気へッドは、ナノ
スライダに搭載した。

【００７２】各サンプル磁気ディスクについて、保磁
力、およびＳ／Ｎ比を測定した結果を図９に示す。図９
において、横軸は、磁性層におけるＳｉＯ₂の含有量を
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂の構成元素Ｓｉの比
率として示したものである。右縦軸は、サンプル磁気デ
ィスクの保磁力の大きさを示している。なお、図の保磁
力はＯｅ単位で示しているが、本文中では、ＳＩ単位
（Ａ／ｍ）を併記して示した。換算は、１Ｏｅ≒７９Ａ
／ｍによる。左縦軸は、サンプル磁気ディスクに対して
記録再生を行ったときのＳ／Ｎ比を示している。

【００７３】図９から明らかなように、磁性層における
ＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂
を構成する構成元素Ｓｉの比率が８原子％以上、１６原
子％以下となるような量である場合、１．８２×１０⁵
Ａ／ｍ（２．３ｋＯｅ）〜１．９８×１０⁵Ａ／ｍ
（２．５ｋＯｅ）と高い保磁力が得られると共に、３５
ｄＢ以上の高いＳ／Ｎ比が得られた。しかし、磁性層に
おけるＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対する
ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉの比率が８原子％未満
となるような量である場合には、媒体ノイズが増加し保
磁力、およびＳ／Ｎ比のいずれも急激に低下してしまっ
た。

【００７４】一方、磁性層におけるＳｉＯ₂の含有量
が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂を構成する構成
元素Ｓｉの比率が１６原子％を上回るような量である場
合には、特に保磁力の低下が著しく、現行の磁気へッド
による記録が困難となるところがある。これらの結果か
ら、磁性層におけるＳｉＯ₂の含有量を、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒに対するＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉの比率と
して８原子％以上、１６原子％以下となるような量とす
ることで、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間相互作用
を分断し、高Ｓ／Ｎ比と高保磁力とを兼ね備えた優れた
磁気特性を得られることが分かった。

【００７５】実施例２実施例１で明らかになった最適な磁性層の組成を適用し
て、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製し、磁性
層５の最適な厚さについて検討した。前記のように樹脂
材料を射出成形してなる樹脂製基板２上に、８４Ｃｒ−
１６Ｗ合金からなる下地層３と、５８Ｃｏ−４２Ｃｒか
らなる中間層４と、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、およびＳｉＯ₂
とからなる磁性層５と、Ｃからなる保護層６とを順次成
膜した。次に、保護層の表面にフッ素系潤滑剤を塗布
し、サンプル磁気ディスクを得た。

【００７６】このとき、インライン型スパッタリング装
置の、磁性層を成膜するチャンバー内に設置されるター
ゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉ酸化物として
ＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。これらＣ
ｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉＯ₂は、Ｃｏと、Ｐｔと、
Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和を１
００原子％としたとき、Ｃｏを６８原子％、Ｐｔを１４
原子％、Ｃｒを６原子％、ＳｉＯ₂を構成する構成元素
Ｓｉを１２原子％となるような比率で混合した。それと
共に、磁性層５の厚さを変化させたこと以外は、実施例
１と同様にして複数のサンプル磁気ディスクを作製し
た。

【００７７】そして、磁性層の厚さがそれぞれ異なる複
数のサンプル磁気ディスクについて、実施例１と同様の
手法にて、保磁力、およびＳ／Ｎ比を測定した。各サン
プル磁気ディスクについて保磁力を測定した結果を、図
１０に示す。図１０において、横軸は磁性層の厚さを示
しており、縦軸はサンプル磁気ディスクの保磁力の大き
さを示している。なお、図の保磁力はＯｅ単位で示して
いるが、本文中では、ＳＩ単位（Ａ／ｍ）と併記して示
した。換算は、１Ｏｅ≒７９Ａ／ｍによる。また、各サ
ンプル磁気ディスクについてＳ／Ｎ比を測定した結果
を、図１１に示す。図１１において、横軸は磁性層の厚
さを示しており、縦軸はサンプル磁気ディスクに対して
記録再生を行ったときのＳ／Ｎ比を示している。

【００７８】図１０から明らかなように、磁性層の厚さ
を１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲内としたときに
は、２．３７×１０⁵Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）以上の高
い保磁力が得られた。特に、磁性層の厚さを１５ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下の範囲内とすることにより、２．６１
×１０⁵Ａ／ｍ（３．３ｋＯｅ）以上の極めて高い保磁
力を得られることが分かった。一方、磁性層の厚さが１
０ｎｍ末満である場合には、保磁力は２．３７×１０⁵
Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）を下回る低い値を示した。ま
た、磁性層の厚さが２５ｎｍを上回る場合も、保磁力は
２．３７×１０⁵Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）を下回る低い
値を示した。これらの結果から、磁性層の厚さを１０ｎ
ｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲内とすることで、高保磁力
を得られることが分かった。

【００７９】また、図１１から明らかなように、磁性層
の厚さを１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲内としたと
きには、３０ｄＢ以上の高いＳ／Ｎ比が得られた。特
に、磁性層の厚さを１５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲
内とすることにより、約３５ｄＢの極めて高いＳ／Ｎ比
を得られることが分かった。一方、磁性層の厚さが１０
ｎｍ未満である場合、Ｓ／Ｎ比は３０ｄＢを下回る低い
値を示した。また、磁性層の厚さが２５ｎｍを上回る場
合も、Ｓ／Ｎ比は３０ｄＢを下回る低い値を示した。こ
れらの結果から、磁性層の厚さを１０ｎｍ以上、２５ｎ
ｍ以下の範囲内とすることで、高Ｓ／Ｎ比を得られるこ
とが分かった。

【００８０】以上の実施例２の結果から、磁性層の厚さ
を１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲内に規定すること
で、高保磁力と高Ｓ／Ｎ比とを兼ね備えた優れた磁気特
性を得られることが分かった。更に、磁性層の厚さを１
５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲内とすることにより、
磁気ディスクは、極めて優れた磁気特性を有することが
明らかとなった。

【００８１】実施例３次に、図１の構成に準じて、実施例１と同様にして２種
類の磁気ディスクを作製し、磁性層を成膜する際の最適
なガス圧について検討した。磁気ディスク構成は、前記
のように樹脂材料を射出成形してなる基板上に、８４Ｃ
ｒ−１６Ｗ合金からなる下地層３と、５８Ｃｏ−４２Ｃ
ｒからなる中間層４と、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、およびＳｉ
Ｏ₂とからなる磁性層５と、Ｃからなる保護層６とを順
次成膜した。次に、保護層の表面にフッ素系潤滑剤を塗
布し、サンプル磁気ディスクを得た。

【００８２】このとき、インライン型スパッタリング装
置２１の、磁性層５を成膜するチャンバー内に設置され
る一種類のターゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳ
ｉ酸化物（ＳｉＯｘ）としてＳｉＯ₂を混合し、焼成す
ることにより得た。なお、これらＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、お
よびＳｉＯ₂は、Ｃｏと、Ｐｔと、Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構
成する構成元素Ｓｉとの総和を１００原子％としたと
き、Ｃｏを６８原子％、Ｐｔを１４原子％、Ｃｒを６原
子％、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉを１２原子％と
なるような比率で混合した。それと共に、磁性層を成膜
する際のチャンバー内のＡｒガスの圧力を変化させたこ
と以外は、実施例1と同様にして複数のサンプル磁気デ
ィスクを作製した。

【００８３】インライン型スパッタリング装置２１の、
磁性層５を成膜するチャンバー内に設置される他の一種
類のターゲツトは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉ酸化
物としてＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。
これらＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉＯ₂は、Ｃｏと、
Ｐｔと、Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの
総和を１００原子％としたとき、Ｃｏを６４原子％、Ｐ
ｔを１４原子％、Ｃｒを６原子％、ＳｉＯ₂を構成する
構成元素Ｓｉを１６原子％となるような比率で混合し
た。それと共に、磁性層５を成膜する際のチャンバー内
のＡｒガスの圧力を変化させたこと以外は、実験1と同
様にして複数のサンプル磁気ディスクを作製した。

【００８４】以上のように作製された複数のサンプル磁
気ディスクについて、実施例１と同様の手法にて、保磁
力及びＳ／Ｎ比を測定した。各サンプル磁気ディスクに
ついて保磁力を測定した結果を、図１２に示す。図１２
において、横軸は磁性層５を成膜する際のＡｒガスの圧
力を示している。なお、図のＡｒガス圧はｍＴｏｒｒ単
位で示しているが、本文中では、ＳＩ単位（Ｐａ）と併
記して示した。換算は、１ｍＴｏｒｒ≒０．１３３Ｐａ
による。縦軸はサンプル磁気ディスクの保磁力の大きさ
を示している。なお、図の保磁力はＯｅ単位で示してい
るが、本文中では、ＳＩ単位（Ａ／ｍ）と併記して示し
た。換算は、１Ｏｅ≒７９Ａ／ｍによる。また、各サン
プル磁気ディスクについてＳ／Ｎ比を測定した結果を、
図１３に示す。図１３において、横軸は磁性層５を成膜
する際のＡｒガスの圧力を示している。表示単位は、図
１２と同様に扱った。縦軸はサンプル磁気ディスクに対
して記録再生を行ったときのＳ／Ｎ比を示している。

【００８５】また、図１２、および図１３中、○印は、
ＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂
の構成元素Ｓｉの比率として１２原子％とされたサンプ
ル磁気ディスクの評価結果を表す。また、図１２、およ
び図１３中、△印は、ＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｒに対するＳｉＯ₂の構成元素Ｓｉの比率として１
６原子％とされたサンプル磁気ディスクの評価結果を表
す。

【００８６】図１２から明らかなように、磁性層５成膜
時のＡｒガスの圧力を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）
以上、２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）以下の範囲内と
したときには、ＳｉＯ₂の含有量にかかわらず、２．４
５×１０⁵Ａ／ｍ（３．１０ｋＯｅ）以上の高い保磁力
が得られた。しかし、Ａｒガスの圧力を０．１３３Ｐａ
（１ｍＴｏｒｒ）未満とした場合、例えば、磁性層５に
おけるＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対する
ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉの比率が１６原子％と
なるような量とされたサンプル磁気ディスクの保磁力
は、２．４４×１０ ⁵Ａ／ｍ（３．０９ｋＯｅ）であ
り、現在使用されている磁気ヘッドの記録能力を考慮す
ると、不十分な値であった。一方、Ａｒガスの圧カが
２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）を上回る場合、Ａｒガ
スを０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）とした場合よりも
Ｓ／Ｎ比、および保磁力が低下してしまった。これらの
結果から、磁性層５成膜時のスパッタガスの圧力を、
０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）以上、２．６６Ｐａ
（２０ｍＴｏｒｒ）以下の範囲内とすることで高保磁力
を得られることが分かった。

【００８７】また、図１３から明らかなように、磁性層
５成膜時のＡｒガスの圧力を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏ
ｒｒ）以上、２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）以下の範
囲内としたときには、ＳｉＯ₂の含有量にかかわらず、
３５ｄＢ以上の極めて高いＳ／Ｎ比が得られた。しか
し、Ａｒガスの圧力を０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）
未満とした場合、例えば磁性層５におけるＳｉＯ₂の含
有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂を構成する
構成元素Ｓｉの比率が１２原子％となるような量とされ
たサンプル磁気ディスクのＳ／Ｎ比は、３４．２ｄＢで
あり、現在使用されている磁気へッドの記録能力を考慮
すると、不十分な値であった。一方、Ａｒガスの圧力が
２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）を上回る場合、Ａｒガ
スを０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）とした場合よりも
Ｓ／Ｎ比、および保磁力が低下してしまった。これらの
結果から、磁性層５成膜時のスパッタガスの圧力を、
０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）以上、２．６６Ｐａ
（２０ｍＴｏｒｒ）以下の範囲内とすることで高Ｓ／Ｎ
比を得られることが分かった。

【００８８】以上の実施例３の結果から、磁性層５成膜
時のスパッタガスの圧カを０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒ
ｒ）以上、２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）以下の範囲
内に規定することで、高保磁力と高Ｓ／Ｎ比とを兼ね備
え、高密度記録に好適な磁気ディスクを製造できること
が分かった。

【００８９】実施例４磁性層５の強磁性体として、Ｃｏ−ＰｔとＳｉ酸化物
（ＳｉＯ₂）を用いる場合、およびＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒと
Ｓｉ酸化物（ＳｉＯ₂）、並びにＣｒ₂Ｏ₃を併用する場
合について、磁気ディスクを図１の構成に準じて、実施
例１と同様に作製し、それぞれ磁性層としての効果につ
いて検討した。前記のように樹脂材料を射出成形してな
る基板上に、８４Ｃｒ−１６Ｗ合金からなる下地層３
と、５８Ｃｏ−４２Ｃｒからなる中間層４と、Ｃｏ−Ｐ
ｔ、およびＳｉＯ₂からなる磁性層５、もしくはＣｏ−
Ｐｔ−Ｃｒ、およびＳｉＯ₂とＣｒ₂Ｏ₃からなる磁性層
５と、Ｃからなる保護層６とを順次成膜した。次に、保
護層６の表面にフッ素系潤滑剤を塗布し、２種類のサン
プル磁気ディスクを得た。

【００９０】このとき、インライン型スパッタリング装
置２１の、磁性層５を成膜するチャンバー内に設置され
る一種類のターゲットは、Ｃｏ、Ｐｔと、Ｓｉ酸化物と
してＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。Ｃ
ｏ、Ｐｔ、およびＳｉＯ₂は、ＣｏとＰｔとＳｉＯ₂を構
成する構成元素Ｓｉとの総和を１００原子％としたと
き、Ｃｏ６４原子％、Ｐｔを２０原子％、ＳｉＯ₂を構
成する構成元素Ｓｉを１６原子％となるような比率で混
合した。それと共に、磁性層５の厚さを変化させたこと
以外は、実施例１と同様にして複数のサンプル磁気ディ
スクを得た。

【００９１】インライン型スパッタリング装置２１の、
磁性層５を成膜するチャンバー内に設置される他の種類
のダーゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ならびにＳｉ酸化
物としてＳｉＯ₂のほか、Ｃｒ₂Ｏ₃を併用混合し、焼成
することにより得た。これらＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉＯ
₂、およびＣｒ₂Ｏ₃は、Ｃｏと、Ｐｔと、Ｃｒと、Ｓｉ
Ｏ₂を構成する構成元素Ｓｉと、Ｃｒ₂Ｏ₃を構成する構
成元素Ｃｒとの総和を１００原子％としたとき、Ｃｏを
６７原子％、Ｐｔを１４原子％、Ｃｒを６原子％、Ｓ
ｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉを１２原子％、Ｃｒ₂Ｏ₃
を構成する構成元素Ｃｒを１原子％となるような比率で
混合した。それと共に、磁性層５の厚さを変化させたこ
と以外は、実施例１と同様にして複数のサンプル磁気デ
ィスクを得た。

【００９２】以上のように作製された複数のサンプル磁
気ディスクについて、実施例１と同様の手法にて、保磁
力、およびＳ／Ｎ比を測定した。各サンプル磁気ディス
クについて保磁力を測定した結果を、図１４に示す。図
１４において、横軸は磁性層５の厚さを示しており、縦
軸はサンプル磁気ディスクの保磁力の大きさを示してい
る。なお、図の保磁力はＯｅ単位で示しているが、本文
中では、ＳＩ単位（Ａ／ｍ）と併記して示した。換算
は、１Ｏｅ≒７９Ａ／ｍによる。また、各サンプル磁気
ディスクについてＳ／Ｎ比を測定した結果を、図１５に
示す。図１５において、横軸は磁性層５の厚さを示して
おり、縦軸はサンプル磁気ディスクに対して記録再生を
行ったときのＳ／Ｎ比を示している。

【００９３】図１４、および図１５中、□印は、ＳｉＯ
₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔに対するＳｉＯ₂の構成元素Ｓ
ｉの比率として１６原子％とされたサンプル磁気ディス
クの評価結果を表す。また図１４、および図１５中、△
印は、ＳｉＯ₂の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対する
ＳｉＯ₂の構成元素Ｓｉの比率として１２原子％とさ
れ、Ｃｒ₂Ｏ₃の含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＣ
ｒ₂Ｏ₃の構成元素Ｃｒの比率として１原子％とされたサ
ンプル磁気ディスクの評価結果を表す。

【００９４】図１４から明らかなように、磁性層５の強
磁性体としてＣｏ−Ｐｔを含有するサンプル磁気ディス
クは、磁性層５の厚さが１０ｎｍ以上、２５以下の範囲
内で、２．３７×１０⁵Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）以上の
高保磁力を得られた。また、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｒとＳｉＯ
₂と共に、Ｃｒ₂Ｏ₃を含有するサンプル磁気ディスク
も、磁性層の厚さが１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下の範囲
内で、２．３７×１０⁵Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）以上の
高保磁力を得られることが分かった。

【００９５】一方、図１５から明らかなように、Ｃｏ−
Ｐｔ−ＣｒとＳｉＯ₂と共に、Ｃｒ₂Ｏ₃を含有するサン
プル磁気ディスクでは、磁性層５の強磁性体としてＣｏ
−ＰｔとＳｉＯ₂を含有するサンプル磁気ディスクに比
べて、高Ｓ／Ｎ比を得られることが分かった。また、図
１１中に示すような、磁性層５におけるＳｉＯ₂の含有
量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉＯ₂を構成する構
成元素Ｓｉとして比率が１２原子％となるような量とさ
れたサンプル磁気ディスクのＳ／Ｎ比との比較から明ら
かなように、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｒとＳｉＯ₂と共に、Ｃｒ₂
Ｏ₃を含有するサンプル磁気ディスクは、Ｓ／Ｎ比が向
上することが分かった。これは、Ｓｉ酸化物としてＳｉ
Ｏ₂と共に、Ｃｒ₂Ｏ₃を併用することで、単独のＳｉに
Ｏ原子が補給され、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間
相互作用が低下するためと考えられる。

【００９６】以上の実施例４の結果から、磁性層５中の
Ｓｉ酸化物としてＳｉＯ₂と共に、Ｃｒ₂Ｏ₃を併用する
ことで、磁気特性を更に向上させられることが明らかと
なった。

【００９７】実施例５図１の構成に準じ、実施例１と同様にして磁気ディスク
を作製し、酸化物を含有する磁性層中の、Ｃｒの最適な
含有量を検討した。前記のように樹脂材料を射出成形し
てなる基板上に、８４Ｃｒ−１６Ｗ合金からなる下地層
３と、５８Ｃｏ−４２Ｃｒからなる中間層４と、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｃｒ、およびＳｉＯ₂からなる磁性層５と、Ｃか
らなる保護層６とを順次成膜した。次に、保護層６の表
面にフッ素系潤滑剤を塗布し、サンプル磁気ディスクを
得た。

【００９８】このとき、インライン型スパッタリング装
置２１の、磁性層５を成膜するチャンバー内に設置され
るターゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉ酸化物
としてＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。な
お、これらＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉＯ₂は、Ｃｏ
と、Ｐｔと、Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉ
との総和を１００原子％としたとき、Ｃｏを１００−
（１６＋ｘ＋１２）原子％、Ｐｔを１６原子％、Ｃｒを
ｘ原子％、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉを１２原子
％となるような比率で混合した。また、Ｃｒの含有量
は、４原子％、６原子％、１０原子％、１２原子％と変
化させた。それにより、残留磁化Ｍｒと磁性層厚さｔと
の積Ｍｒ・ｔの値を変化させた以外は、実施例1と同様
にして複数のサンプル磁気ディスクを作製した。

【００９９】以上のように作製された複数のサンプル磁
気ディスクについて、実施例１と同様の手法にて保磁力
を測定した。各サンプル磁気ディスクについて保磁力を
測定した結果を図１６に示す。図１６において、横軸は
残留磁化Ｍｒと、磁性層厚さｔとの積Ｍｒ・ｔを示し、
縦軸はサンプル磁気ディスクの保磁力の大きさを示して
いる。なお、図の保磁力はＯｅ単位で示しているが、本
文中では、ＳＩ単位（Ａ／ｍ）と併記して示した。換算
は、１Ｏｅ≒７９Ａ／ｍによる。

【０１００】図１６から明らかなように、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和を１
００原子％としたときのＣｒの含有量が１０原子％以下
である場合に、Ｍｒ・ｔの広い範囲にわたって、高い保
磁力が得られることが分かった。特にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
と、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和を１００
％としたときのＣｒの含有量が４原子％、６原子％、１
０原子％である場合、２．５３×１０⁵Ａ／ｍ（３．２
ｋＯｅ）を上回る優れた保磁力を示した。

【０１０１】従って、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、ＳｉＯ₂を
構成する構成元素Ｓｉとの総和を１００原子％としたと
きのＣｒの含有量は、０原子％を超え、１０原子％以下
であることが好ましく、特に４原子％以上、１０原子％
以下が好ましいことが明らかとなった。

【０１０２】実施例６図１の構成に準じ、実施例１と同様にして磁気ディスク
を作製し、酸化物を含有する磁性層５中の、Ｐｔの最適
な含有量を検討した。前記のように樹脂材料を射出成形
してなる基板上に、８４Ｃｒ−１６Ｗ合金からなる下地
層３と、５８Ｃｏ−４２Ｃｒからなる中間層４と、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｃｒ、およびＳｉＯ₂からなる磁性層５と、Ｃ
からなる保護層６とを順次成膜した。次に、保護層６の
表面にフッ素系潤滑剤を塗布し、サンプル磁気ディスク
を得た。

【０１０３】このとき、インライン型スパッタリング装
置の、磁性層５を成膜するチャンバー内に設置されるタ
ーゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉ酸化物とし
てＳｉＯ₂を混合し、焼成することにより得た。これら
Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、およびＳｉＯ₂は、Ｃｏと、Ｐｔ
と、Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和
を１００原子％としたとき、Ｃｏを１００−（ｘ＋６＋
１２）原子％、Ｐｔをｘ原子％、Ｃｒを６原子％、Ｓｉ
Ｏ₂を構成する構成元素Ｓｉを１２原子％となるような
比率で混合した。そして、図１７に示すように、Ｐｔの
含有量を変化させたこと以外は、実施例１と同様にして
複数のサンプル磁気ディスクを作製した。

【０１０４】以上のように作製された複数のサンプル磁
気ディスクについて、実施例１と同様の手法にて保磁
力、およびＳ／Ｎ比を測定した。各サンプル磁気ディス
クについて、保磁力、およびＳ／Ｎ比を測定した結果
を、図１７に示す。図１７において、横軸のＰｔ含有量
は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素
Ｓｉとの総和を１００原子％としたときの比率として示
したものである。右縦軸はサンプル磁気ディスクの保磁
力の大きさを示す。なお、図の保磁力はＯｅ単位で示し
ているが、本文中では、ＳＩ単位（Ａ／ｍ）と併記して
示した。換算は、１Ｏｅ≒７９Ａ／ｍによる。また、左
縦軸はサンプル磁気ディスクに対して記録再生を行った
ときのＳ／Ｎ比を示している。

【０１０５】図１７から明らかなように、Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和を１
００原子％としたときのＰｔの含有量を１２原子％より
多くすると、２．３７×１０⁵Ａ／ｍ（３．０ｋＯｅ）
を上回る優れた保磁力を得られることが分かった。

【０１０６】また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構
成する構成元素Ｓｉとの総和を１００原子％としたとき
のＰｔの含有量が１２原子％以上、２０原子％以下であ
るとき、３３ｄＢを上回るＳ／Ｎ比を示した。特に、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、ＳｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉと
の総和を１００原子％としたときのＰｔの含有量が１３
原子％以上、１６原子％以下であるとき、Ｓ／Ｎ比が３
５ｄＢを上回り、媒体ノイズを顕著に抑えられることが
分かった。

【０１０７】以上の結果から、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、Ｓ
ｉＯ₂を構成する構成元素Ｓｉとの総和を１００原子％
としたときのＰｔの含有量は、１２原子％以上、２０原
子％以下であることが好ましく、特に１３原子％以上、
１６原子％以下であることが好ましいことが明らかとな
った。

【０１０８】実施例７以下の表１に示した条件で膜形成を行い、磁気特性、電
磁変換特性、環境試験を行った。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】ポリシクロオレフィン（日本ゼオン社製の
ＺＥＯＮＥＸ）を材料としたプラスチック基板にＲＦ
Ｇｌｏｗ処理／８４Ｃｒ−１６Ｗ／５０Ｔｉ−５０Ｗ／
Ｒｕ／６２Ｃｏ−１７．５Ｐｔ−８．５Ｃｒ−１２Ｓｉ
Ｏ_２／Ｃの順で膜形成を行った。このときに得られた磁
気特性はＶＳＭ（振動試料型磁気特性測定機）を用いて
Ｍｒ・ｔ＝０．４ｍＡ，Ｈｃ＝２５５ｋＡ／ｍ，Ｓ^＊＝
０．８５（Ｓ^＊：保磁力角形比）という結果を得た。磁
気変換特性をスピンスタンドＬＳ−９０，Ｒ／ＷＡｎ
ａｌｙｚｅｒＧｕｚｉｋ１６３２Ａ（共同電子社製）
を用いて行った。ヘッドは記録０．５μｍ、再生０．２
５μｍのトラック幅、浮上２５ｎｍのＧＭＲナノスライ
ダーを用いた。測定半径２８．７ｍｍ、回転数５４００
ｒｐｍ、記録密度２５０ｋＦＣＩにおけるＳ／Ｎを測定
した。その結果、Ｓ／Ｎの絶対値は２７ｄＢが得られ
た。この媒体のＳＥＭ測定の結果、クラックは入ってい
ないことを確認した。また、この媒体をＣｌａｓｓ１
００以下のＣｌｅａｎ環境のもと、８０℃、８０％の環
境下に４時間放置した後、１時間かけて−４０℃まで下
げ、さらに１時間放置し室温に４時間かけて戻した。そ
の後、膜浮きを光学顕微鏡で観察した。しかし、膜浮き
は発生していなかった。このディスクが変形していない
ことを確認するため上記スピンスタンドＬＳ９０で上記
ヘッドを用いて浮上を確認したが、クラッシュすること
なく電磁変換特性を確認することができた。

【０１１１】

【発明の効果】請求項１に係る発明では、基板上にＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物を含有する磁性膜
が形成され、前記Ｓｉ酸化物の含有量がＳｉ原子に換算
して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子％以上、１６原
子％以下でとすることによって、磁性層におけるＣｏ−
Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間相互作用を低減して、高保
磁力、および高Ｓ／Ｎ比を実現し、高密度記録に好適な
磁気記録媒体を提供することができる。

【０１１２】請求項２、５、６に係る発明では、前記基
板が樹脂製の基板であることによって、製造コストが大
幅に削減される。また、表面平均粗さが１ｎｍ以下、最
大突起高さが１５ｎｍ以下となり、表面平滑性に優れた
磁気ディスクが作製できる。

【０１１３】請求項３に係る発明では、前記磁性膜の厚
さが１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以下とすることにより、高
保磁力、および高Ｓ／Ｎ比を発現することができる。

【０１１４】請求項４に係る発明では、前記Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｃｒと、Ｓｉ酸化物におけるＳｉとの総和を１００原
子％としたときに、Ｐｔが１２原子％以上、２０原子％
以下であり、Ｃｒが０原子％を超え、１０原子％以下で
あり、Ｓｉが８原子％以上、１６原子％以下であり、残
部がＣｏであるようにすることで、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯ
ｘ）中のＯの欠乏を防止するため、磁性層におけるＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間相互作用を効果的に低減
して、高保磁力、および高Ｓ／Ｎ比を実現することがで
きる。

【０１１５】請求項７、８、９に係る発明では、樹脂製
基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体としてＳｉ酸化物を含
有し、前記Ｓｉ酸化物の含有量がＳｉ原子に換算して、
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子％以上、１６原子％以
下であるような磁性膜を少なくとも形成してなる磁気記
録媒体の製造方法であって、前記磁性膜は、ガス圧を
０．１３３Ｐａ（１ｍＴｏｒｒ）以上、２．６６Ｐａ
（２０ｍＴｏｒｒ）以下としたチャンバー内でスパッタ
リング法により成膜することによって、高保磁力、およ
び高Ｓ／Ｎ比を実現することができる。特に、本手法に
よれば、基板加熱を行うことなく磁気特性に優れた磁性
層を成膜することができるため、基板として樹脂材料
（プラスチック材料）を採用することができる。従っ
て、優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を低コストに
て製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の要部概略断面
図である。

【図２】磁気記録媒体の基板用スタンパの作製に使うガ
ラス原盤を示す概略断面図である。

【図３】磁気記録媒体の基板用スタンパの作製に使うガ
ラス原盤上に形成されたフォトレジスト層を示す概略断
面図である。

【図４】磁気記録媒体の基板用スタンパの作製に使うフ
ォトレジスト層の露光部を示す概略断面図である。

【図５】磁気記録媒体の基板用スタンパの作製に使う露
光部が溶出されたフォトレジスト層およびガラス原盤を
示す概略断面図である。

【図６】磁気記録媒体の基板用スタンパの作製に使うガ
ラス原盤およびフォトレジスト層上に形成されたスタン
パを示す概略断面図である。

【図７】スタンパを示す概略断面図である。

【図８】インライン型スパッタリング装置の構成を示す
概略図である。

【図９】実施例１の各サンプル磁気ディスクの保磁力お
よびＳ／Ｎ比を示す図である。

【図１０】実施例２の各サンプル磁気ディスクの保磁力
を示す図である。

【図１１】実施例２の各サンプル磁気ディスクのＳ／Ｎ
比を示す図である。

【図１２】実施例の３各サンプル磁気ディスクの保磁力
を示す図である。

【図１３】実施例３の各サンプル磁気ディスクのＳ／Ｎ
比を示す図である。

【図１４】実施例４の各サンプル磁気ディスクの保磁力
を示す図である。

【図１５】実施例４の各サンプル磁気ディスクのＳ／Ｎ
比を示す図である。

【図１６】実施例５の各サンプル磁気ディスクの保磁力
を示す図である。

【図１７】実施例６の各サンプル磁気ディスクの保磁力
およびＳ／Ｎ比を示す図である。

【符号の説明】

１……磁気記録媒体、２……基板、３……下地層、４…
…中間層、５……磁性層、６……保護層、１１……ガラ
ス原盤、１２……フォトレジスト層、１２ａ……露光
部、１３……スタンパ、２１……インライン型スパッタ
リング装置、２２ａ〜ｅ……排気装置、２３ａ〜ｅ……
チャンバー、２４ａ〜ｄ……カソード、２５……パレッ
ト、２６ａ〜ｅ……ガス導入孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者猪狩孝洋東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB06 BB07 CB01 CB07 DA03 EA03 FA09 5D112 AA02 AA05 AA24 BA01 BA10 BB05 FA04 FB20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、
Ｓｉ酸化物を含有する磁性膜が形成され、前記Ｓｉ酸化
物の含有量がＳｉ原子に換算して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに
対して８原子％以上、１６原子％以下であることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記基板が樹脂製の基板であることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記磁性膜の厚さが１０ｎｍ以上、２５
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気記
録媒体。
【請求項４】前記Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒと、Ｓｉ酸化物に
おけるＳｉとの総和を１００原子％としたときに、Ｐｔ
が１２原子％以上、２０原子％以下であり、Ｃｒが０原
子％を超え、１０原子％以下であり、Ｓｉが８原子％以
上、１６原子％以下であり、残部がＣｏであることを特
徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記基板の表面に凹凸パターンが形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項６】前記基板の平均表面粗さが１ｎｍ以下で
あり、最大突起高さが１５ｎｍ以下であることを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】樹脂製基板上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体
としてＳｉ酸化物を含有し、前記Ｓｉ酸化物の含有量が
Ｓｉ原子に換算して、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して８原子
％以上、１６原子％以下であるような磁性膜を少なくと
も形成してなる磁気記録媒体の製造方法であって、前記
磁性膜は、ガス圧を０．１３３Ｐａ以上、２．６６Ｐａ
以下としたチャンバー内でスパッタリング法により成膜
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】前記磁性膜をチャンバー内でスパッタリ
ング法により成膜するに際し、前記基板は非加熱状態と
することを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体の製
造方法。
【請求項９】前記磁性膜を１０ｎｍ以上、２５ｎｍ以
下の厚さで成膜することを特徴とする請求項７記載の磁
気記録媒体の製造方法。