CN100421155C - 垂直磁记录介质和磁记录/再现装置 - Google Patents

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CN100421155C CNB2004800274383A CN200480027438A CN100421155C CN 100421155 C CN100421155 C CN 100421155C CN B2004800274383 A CNB2004800274383 A CN B2004800274383A CN 200480027438 A CN200480027438 A CN 200480027438A CN 100421155 C CN100421155 C CN 100421155C
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Abstract

通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质(10)包括在非磁性基底(1)上层叠的至少非磁性下层(2)、垂直磁性层(3)以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol%到30mol%。

Description

垂直磁记录介质和磁记录/再现装置
技术领域
本发明涉及一种用于利用磁记录技术的硬盘装置等的磁记录介质，尤其涉及一种用于利用磁记录/再现装置的磁记录/再现介质的技术。
本申请要求2003年9月25日提交的日本专利申请2003-333480的优先权，其内容在此引入作为参考。本申请根据35.U.S.C.111(a)提交，并根据35.U.S.C.119(e)，要求2003年10月1日根据35.U.S.C.111(b)提交的临时申请60/507,124的优先权。
背景技术
在常规技术中，利用纵向磁记录系统的磁记录介质是公知的。另一方面，为了满足未来磁记录介质的记录密度增加的要求，垂直磁记录系统作为纵向磁记录系统的替代系统正逐渐引起人们注意。垂直磁记录介质主要包括磁记录层、下层以及保护层，其中磁记录层在几乎垂直的方向被磁化，所述下层的取向为磁记录层垂直方向，而保护层保护磁记录层的表面。此外，还可以可选地额外设置软磁性底涂膜，该膜包括软磁性材料，其具有集中由磁头产生的磁通的作用，所述磁头用于在磁记录层中记录。
在垂直磁记录介质和纵向磁记录介质中均要求增加记录密度。这些必须和减小噪音、高热起伏抗性一致，以便获得磁记录介质的记录密度增加。也就是说，应该减小磁记录层的精细晶粒尺寸，以减小噪音，并且应该减小磁粒之间的磁相互作用而增加晶体磁各向异性Ku，以便增大热起伏抗性。
为了结合噪音的减小和高热起伏抗性，常规地提出了磁性层和下层的各种组件、结构、材料，以及其它方案。特别是，近年来，提出一种采用由晶粒间界区域包围的粒状磁性层的磁记录介质，所述晶粒间界区域例如为非磁性氧化物或氮化物(例如，参考日本未审查专利申请，首次公开Hei07-311929，以及日本未审查专利申请，首次公开2002-15417)。
通过在高温下制造常规Cr偏析型CoCr基合金磁性膜，而通过将Cr偏析到晶粒间界来减小磁粒之间的磁相互作用。然而，由于Cr中部分固态地散布有Co，从而难于通过从内部磁粒充分偏析Cr而形成仅仅Cr的晶粒间界区域。另一方面，在粒状磁性层的情况下，优点在于，相比于CoCr基合金磁性膜的常规膜，该粒状磁性层可以容易地偏析与Co不混合的非磁性化合物；并且，由于将与Co不固态分散的非磁性化合物用作晶粒间界区域，从而可以大大加速对磁粒的分离。
发明内容
在将非磁性化合物添加到粒状膜的情况下，通过降解(degradation)，一些化合物通常扩散到磁粒中，并且会频繁发生晶体取向的恶化或者磁记录层的磁特性的恶化。因此，通常将非磁性化合物的添加量通常得较小。另一方面，需要更精细的磁记录层的晶粒尺寸，或者对颗粒之间的磁相互作用的进一步减小，以允许磁记录介质在以后的密度增加，为此，需要增加非磁性化合物的添加量而不恶化晶体取向或者磁特性。
本发明考虑上述情况完成，并将实现以下目的。
本发明的第一目的是，通过形成具有至少两种氧化物的磁记录层的晶粒间界，提供稳定的晶粒相，通过减小磁粒之间的相互作用来减少噪声，以及获得一种可以以更高记录密度进行记录的垂直磁记录介质。
本发明的第二目的是，提供磁记录层的稳定晶粒间界区域，通过减小磁粒之间的相互作用来减少噪声，以及获得一种可以以更高记录密度进行记录的磁记录/再现装置。
本发明提供以下的材料和装置。也就是，(1)一种垂直磁记录介质，包括被层叠在非磁性基底上的至少非磁性下层，磁性层，以及保护层，其中所述磁性层包括铁磁晶粒和非磁性晶粒间界区域；以及所述晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol％到30mol％，
(2)根据上述(1)的垂直磁记录介质，其中在晶粒间界区域中的氧与全部可氧化元素的浓度比小于从全部所述氧化物的化学计量比计算出的浓度比，
(3)根据上述(1)的垂直磁记录介质，其中形成所述晶粒间界区域的所述氧化物包括：选自于以下A组氧化物中的至少一种氧化物：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物以及铪氧化物；以及选自于以下B组氧化物中的至少一种氧化物：钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，
(4)根据上述(3)的垂直磁记录介质，其中从所述A组中选出的氧化物包括选自于钇氧化物和钨氧化物中的至少一种氧化物，
(5)根据上述(3)和(4)之一的垂直磁记录介质，其中从所述B组中选出的氧化物包括选自于硅氧化物、铬氧化物以及钽氧化物中的至少一种氧化物，
(6)根据上述(3)至(5)中的一项的垂直磁记录介质，其中在形成所述晶粒间界区域的氧化物中，从A组中选出的氧化物含量的摩尔百分数小于从B组中选出的氧化物含量的摩尔百分数，
(7)根据上述(3)至(6)中的一项的垂直磁记录介质，其中从B组中选出的氧化物的氧浓度小于从形成所述晶粒间界区域的氧化物的化学计量比计算出的浓度比，
(8)根据上述(1)至(7)中的一项的垂直磁记录介质，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物的含量为1mol％到20mol％，
(9)根据上述(1)至(8)中的一项的垂直磁记录介质，其中被包含在所述磁性层中的晶粒包括钴铂合金作为主要成分，
(10)根据上述(1)至(9)中的一项的垂直磁记录介质，其中所述非磁性下层包括钌作为主要成分，
(11)根据上述(1)至(10)中的一项的垂直磁记录介质，其在所述非磁性基底和所述非磁性下层之间包括至少一个软磁性层，
(12)一种磁记录/再现装置，该装置包括根据上述(1)至(11)中的一项的垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的支撑和旋转驱动机构、磁头以及托架组件，其中磁头具有用于在所述垂直磁记录介质中记录信息的装置以及用于再现该记录的信息的装置，在所述滑架组件中将所述磁头支撑为可以相对于所述垂直磁记录介质自由移动。
(13)根据上述(12)的磁记录/再现装置，其中所速读/写头是单磁极记录头。
本发明首先提供了一种垂直磁记录介质，包括非磁性基底、形成在所述非磁性基底上的至少一层非磁性下层、以及具有晶粒和晶粒间界区域的磁性层(垂直磁记录层)，晶粒间界区域隔离上述晶粒，其中所述晶粒间界区域包括至少两种氧化物。
本发明还提供了一种磁记录/再现装置，该装置包括上述垂直磁记录介质、支撑并旋转地驱动所述垂直磁记录介质的机构、磁头以及托架组件，其中磁头具有用于在所述垂直磁记录介质中记录信息的装置以及用于再现该记录的信息的装置，而所述托架组件将所述磁头支撑为可以在垂直磁记录介质上自由移动。
本发明的垂直磁记录/再现装置具有被层叠在非磁性基底上的非磁性基底、非磁性下层、磁性层。磁性层包括晶粒以及晶粒间界区域，晶粒间界区域隔离上述晶粒，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物。本发明的垂直磁记录/再现装置是一种采用上述垂直磁记录介质的装置，它包括垂直磁记录介质和读/写头。
本发明的垂直磁记录介质中的磁性层(垂直磁记录层)包括许多晶粒以及隔离晶粒的晶粒间界区域。在本发明中，使用至少两种氧化物作为晶粒间界区域。
通常，当通过例如溅射方法的沉积方法从化合物靶材料将薄膜沉积在基底上时，靶材料以原子态到达基底，然后通过再组合而形成该化合物。在该过程中，当使用一种氧化物来形成磁性层中的晶粒间界区域时，在形成膜期间，通过在氧化前分离氧气和材料，而使氧化物的部分蒸发为氧，或者在膜中将氧化物分解成原子，从而在化合物中容易发生氧缺陷。通过分解的原子的扩散，将原子带入晶粒，并破坏晶体取向或者降低晶体磁各向异性能。
另一方面，当使用至少两种氧化物作为形成磁性层中晶粒间界区域的材料时，通过从一种氧化物对另一种氧化物提供氧，即使因为蒸发或其它原因出现氧缺陷，仍使得难于出现从晶粒间界区域到晶粒的扩散。相比于通过一种氧化物形成晶粒间界区域的情况，通过至少两种氧化物来形成晶粒间界区域可以形成牢固并稳定的晶粒间界区域。从这些现象可以看出，相比于通过一种氧化物来形成晶粒间界区域的情况，当通过至少两种氧化物形成晶粒间界区域时，可以减小氧化物的组成量。
通过使用具有不同的金属氧化物形成标准自由能(ΔG0)的氧化物作为所述至少两种氧化物，会发生从具有较大ΔG0的氧化物到具有较小ΔG0的氧化物的还原反应。这时，在具有较大ΔG0的氧化物中会发生一些氧缺陷；然而，通过还原反应产生的能量导致的磁性层中的再扩散，将加速从晶粒内部到晶粒间界的对氧的偏析。
根据本发明，具有这样的效果，即，通过形成具有至少两种氧化物的磁性层(垂直磁记录层)的晶粒间界区域，可以形成磁性层中的充分的晶粒间界区域，晶粒间界区域材料到磁粒的扩散几乎不会发生，改善了磁性层的晶体取向和磁特性，可使磁性层的磁粒更精细，可以提供一种稳定的晶粒间界区域，通过减小磁粒之间的相互作用而减少了噪声，并获得一种能够以更高密度记录的垂直磁记录介质。
附图说明
图1是示出根据本发明的垂直磁记录介质的第一实施例的示意性截面图；
图2是示出根据本发明的垂直磁记录介质的第二实施例的示意性截面图；
图3是示出根据本发明的垂直磁记录介质的第三实施例的示意性截面图；
图4是示出根据本发明的垂直磁记录/再现装置的实例的部分分解透视图；
图5是示出根据本发明的实例的垂直磁记录介质的示意性截面图；
图6是示出CoPtCr-xmol％WO3-ymol％SiO2垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图7是示出CoPtCr-xmol％WO3-ymol％Cr2O3垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图8是示出CoPtCr-xmol％WO3-ymol％Ta2O5垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图9是示出CoPtCr-xmol％Y2O3-ymol％SiO2垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图10是示出CoPtCr-xmol％Y2O3-ymol％Cr2O3垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图11是示出CoPtCr-xmol％Y2O3-ymol％Ta2O5垂直磁记录层的晶粒间界区域形成材料的含量与SNRm之间的关系的曲线图；
图12是示出根据本发明的实例的垂直磁记录介质的示意性截面图。
具体实施方式
下面基于附图描述本发明的第一实施例。
图1是示出根据本实施例的垂直磁记录介质的实例的示意性截面图。图中，标号10表示垂直磁记录介质。
本实施例的垂直磁记录介质10具有这样的结构，其中，如图1所示，在非磁性基底1上连续层叠非磁性下层2、垂直磁性层(垂直磁记录层)3、以及保护层4。
非磁性基底1可以是玻璃基底、铝系合金基底、具有氧化表面的硅单晶基底、以及由陶瓷、塑料及其它材料制成的基底。另外，由于可以获得相同的预期效果，还可以采用具有涂敷有NiP合金等的表面的上述非磁性基底。
至少一个下层包括在非磁性基底1和垂直磁性层3之间的非磁性下层2。例如，Ru、RuCr、Hf、CoCrPt、以及CoCrPtB可以用作包括非磁性下层2的下层。
用于本实施例中的非磁性下层2的优选厚度是等于或大于1且等于或小于50纳米，更优选的是等于或大于1且等于或小于30纳米。当它小于1纳米时，非磁性下层2的结晶度较差，这将导致垂直磁性层(垂直磁记录层)3中结晶度变差，并且容易导致噪音增加，当它大于50纳米时，垂直磁记录层3的磁粒会变大，并且容易导致噪音增加。
为了进一步改善上述非磁性下层2的结晶度，可以在非磁性基底1和上述非磁性下层2之间使用图中未示出的额外的下层(籽晶层)。
例如，可以用Ti，TiCr，Hf，Pt，Pd，NiFe，NiFeMo，NiFeCr，NiAl，NiTa以及NiNb作为籽晶层。
垂直磁性层(垂直磁记录层)3由晶界区域和磁晶粒形成，其中晶粒间界区域由至少两种氧化物形成，而磁晶粒的主要成分是CoPt合金。可以将垂直磁性层3层叠为至少两层具有不同组成的磁性层中。包括垂直磁性层3的晶粒的材料可以是CoPt基合金，CoCr基合金，CoCrPt基合金，CoCrPtB基合金，CoCrPtTa基合金等。这些合金具有如下优点：良好的晶体取向、大磁各向异性以及良好的热起伏耐受性。
作为包括垂直磁性层3的晶粒间界区域的材料，优选的是选自以下氧化物的至少两种氧化物：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物。由于氧化物之间的氧化还原反应，会出现金属氧化物形成标准自由能ΔG0的差异，通过所产生的能量，扩散加速，结晶相增加，并且磁粒(晶体)之间的磁相互作用减少。
更优选的是，包括垂直磁性层3的晶粒间界区域的材料可以是从下面的A组氧化物中选出的至少一种氧化物：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物；以及从下面的B组氧化物中选出的至少一种氧化物：钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，通过利用对氧化物的组合，使金属氧化物形成标准自由能ΔG0的差异变大，氧化物之间的氧化还原反应容易发生，通过所产生的能量，扩散加速，晶粒间界区域相进一步生长，并且磁粒之间(晶粒之间)的磁相互作用减少。
另外，更优选的是，包括垂直磁性层3的晶粒间界区域的材料可以由从A组中的钇氧化物和钨氧化物中选出的至少一种氧化物，以及从B组中的硅氧化物、铬氧化物以及钽氧化物中选出的至少一种氧化物组成。钇和钨的ΔG0较小，它们的还原反应较强烈，并且在氧化还原反应中产生的能量更大。另一方面，硅、铬以及钽具有如下特性：即使其通过降解渗入磁粒中，它们也几乎不会降低磁特性。
通过上述氧化还原反应，B组的氧化物被A组的氧化物还原，从而B组的氧化物中出现氧缺陷。结果，B组的氧化物低于从化学计量比计算出的浓度。
当在垂直磁性层3中形成晶粒间界区域时，如果包括晶粒间界区域的氧化物发生一些氧缺陷，那么，这些氧化还原反应将被进一步加速。
也就是说，当晶粒间界区域中所有可氧化元素的氧浓度比率小于通过全部氧化物的总体化学计量比计算得到的氧浓度比率时，则氧化还原反应加速，并可以获得分散能。
这里，化合物的化学计量比表示包括靶材料的组成物的组成比，所述靶材料用于例如溅射的沉积方法中。当反应溅射方法等通过在氧气氛围中蒸发可氧化材料而形成氧化物，其表示元素的化学上最稳定的组成比。
对于形成垂直磁性层3中晶粒间界区域的氧化物的含量(摩尔百分比)，优选的是，从上述A组中选出的氧化物的含量(摩尔百分比)小于从B组中选出的氧化物的含量(摩尔百分比)。当A组的氧化物含量过大而B组氧化物的含量过小时，B组的材料将分散到磁粒中，结晶度将变得更差。
形成垂直磁性层3中的晶粒间界区域的氧化物的含量优选等于或大于0.1并且等于或小于30mol％，更优选的是等于或大于1并且等于或小于20mol％。当形成垂直磁性层3的晶粒间界区域的氧化物的含量小于0.1mol％时，晶粒间界区域的形成将不充分，并且趋于增加垂直磁性层3的磁相互作用，当超过30mol％时，部分晶粒间界区域材料会分散到晶粒中，并且趋于减少垂直磁性层(垂直磁记录层)3的晶体取向。当形成晶粒间界区域的材料(氧化物)的含量处于0.1和30mol％之间的范围时，可以获得充分的晶粒间界区域，晶粒间界区域材料几乎不会分散到磁粒(晶体)内部，并且可以获得良好的晶体取向和垂直磁性层3的良好的磁特性。
另外，在本实施例中，可以通过在所获得的垂直磁记录介质10的表面上，例如，在作为磁记录层的垂直磁性层3的表面上，或者在保护层4的表面上，通过例如浸渍法，涂敷例如全氟聚醚的润滑剂，来形成图中未示出的润滑层。
可以在垂直磁性层(垂直磁记录层)3上提供至少一层保护层4。作为保护层4的材料，可以采用碳、金刚石状碳(DLC)，SiNx，SiOx，CNx以及CHx。
在制造本实施例的垂直磁记录介质10的过程中，采用例如溅射法的沉积方法作为层叠每一层的制造方法，特别是，可以采用利用复合靶的单溅射法。也可以采用利用每一种材料的靶的多重同时溅射法。
由于本实施例的垂直磁记录介质10具有上述结构，并且垂直磁性层(垂直磁记录层)3的晶粒间界区域通过至少两种氧化物形成，从而，在垂直磁性层中形成充分的晶粒间界区域，晶粒间界区域材料几乎不会分散到磁粒，并且可以获得良好的垂直磁性层3的晶体取向和良好的磁特性。由于这些原因，可以提供一种稳定的晶粒间界区域，通过减小磁粒之间的相互作用而减小噪音，并获得一种能够以更高密度记录的垂直磁记录介质。
下面基于附图描述根据本发明的第二实施例。
图2是根据本实施例的垂直磁记录介质20的实例的示意性截面图。
在本实施例中，和上述第一实施例不同的是，在非磁性基底1和非磁性下层2之间形成软磁性层5，其它的对应组成部件都采用相同的标号标注，并省略对其的描述。
通过提供本身具有高磁导率的软磁性层5，形成称为垂直双层介质的本实施例的垂直磁记录介质20，该介质在软磁性层5上具有垂直磁性层(垂直磁记录层)3。在垂直双层介质中，软磁性层5具有一部分磁头磁化垂直磁记录层3的功能，例如，磁头在水平方向上将记录磁场从单磁极头回流到磁头的功能，软磁性层5对记录磁场的垂直磁性层(垂直磁记录层)3施加充分并锐化的垂直磁场，并且可以改善记录/再现效率。
作为软磁性层5的软磁性材料，可以采用CoZrNb，CoTaZr，FeCoB，FeCoN，FeTaC，FeTaN，FeNi，FeAlSi等，其具有高饱和磁通密度和良好的软磁特性。
下面基于附图描述根据本发明的第三实施例。
图3是根据本实施例的垂直磁记录介质30的实例的示意性截面图。
在本实施例中，和上述第二实施例不同的是，如图3所示，在非磁性基底1和软磁性层5之间形成偏置施加层6，其它的对应组成部件都采用相同的标号标注，并省略对其的描述。
在本实施例的垂直磁记录介质30中，如图3所示，可以在软磁性层5和非磁性基底1之间提供偏置施加层6，例如平面内硬磁性膜或者铁磁层。软磁性层5容易形成磁畴，从磁畴产生尖峰噪声，然后沿偏置施加层6的一个径向方向施加磁场，通过将该偏置磁场施加到在其上形成的软磁性层5上，而防止产生磁畴壁。
通过精细地分散作为层叠结构的偏置施加层6的各向异性，很难形成大的磁畴。
作为偏置施加层6的材料，可以采用CoCrPt，CoCrPtB，CoCrPtTa，CoCrPtC，CoCrPtCuB，CoCrPtWC，CoCrPtWB，CoCrPtTaNd，CoSm，CoPt，CoPtO，CoCrPtO，CoPt-SiO2以及CoCrPtO-SiO2。
图4是根据本发明的垂直磁记录/再现装置的实例的部分分解透视图。
如图4所示，本发明的垂直磁记录/再现装置具有顶部开口的矩形盒形底盘61，以及封闭该底盘的顶部开口的顶盖，并且该顶盖通过图中未示出的多个螺钉被固定到底盘61上。
在底盘61中容纳有磁记录介质62、主轴电动机63、磁头64、磁头致动器65、旋转轴66、音圈电动机67以及磁头放大电路68，其中磁记录介质62采用上述本实施例的垂直磁记录介质10，主轴电动机63作为支撑和旋转磁记录介质62的驱动装置，磁头64记录和再现磁记录介质62中的磁信号，磁头致动器65具有在末端安装磁头64、并支撑磁头64在磁记录介质62上自由移动的悬架，旋转轴66支撑磁头致动器65自由旋转，音圈电动机67通过旋转轴66旋转和定位磁头致动器65。
如上所述，根据本发明的本实施例的垂直磁记录介质10可以用作垂直磁记录/再现装置60的磁记录介质62。
根据本实施例的垂直磁记录/再现装置，通过使用上述垂直磁记录介质10，可以在垂直磁记录层3中提供稳定的晶粒间界区域，通过减小磁粒之间的相互作用来减小噪音，并且该磁记录/再现装置可以以更高密度进行记录。
实例
本发明将通过下面的实例来详细描述。
实例1
制备非磁性基底，其为用于2.5英寸磁盘的玻璃基底。
将非磁性基底置于真空度为1×10-5帕的真空室中，加热到250摄氏度，并在0.6帕气压下的氩气中通过直流磁控管溅射来进行溅射。
首先，将非磁性基底相对于靶设置，使直流500瓦的电磁辐射放射到靶，形成40纳米厚的铬层作为非磁性底涂膜。在该非磁性底涂膜上形成25纳米厚的CoCrPt铁磁层作为偏置施加层。在获得的CoCrPt铁磁层上形成200纳米厚的CoZrNb软磁性层。
此后，在真空度为1×10-5帕的真空室中将基底温度降到室温。通过使用NiTa靶在直流500瓦下放射电磁辐射，在CoZrNb软磁性层上形成10纳米厚的NiTa层作为非磁性籽晶层。然后，通过使用Ru靶在直流500瓦下放射电磁辐射，在该非磁性籽晶层上形成Ru层作为非磁性下层。通过使用(Co-16at％-Pt-10at％Cr)-3mol％Y2O3-5mol％SiO2的复合靶，在该Ru下层上形成12纳米厚的CoPtCr-Y2O3-SiO2垂直磁记录层。
最后，形成7纳米厚的碳保护层。
当将在真空室中形成的基底置于大气中之后，通过浸渍法形成1.5纳米的全氟聚醚类润滑层，从而获得垂直磁记录介质。
图5为示出获得的垂直磁记录介质的结构的示意性截面图。
如图所示，垂直磁记录介质40具有如下结构：在非磁性基底1上连续层叠Cr非磁性层(非磁性底涂膜)18、CoCrPt铁磁性层(偏置施加层)16、CoZrNb软磁性层15、NiTa籽晶层19、Ru下层(非磁性下层)12、CoPtCr-Y2O3-SiO2垂直磁记录层(垂直磁性层)13、碳保护层14、以及润滑层(图中未示出)。
首先，通过透射电子显微镜(TEM)测量所获取的垂直磁记录介质40的垂直记录层13，并且测量垂直记录层13中的磁粒的颗粒尺寸分布。通过上述结果，可以观测到4到6纳米颗粒尺寸范围的精细Co磁粒，以及大约1纳米厚的晶粒间界区域。
通过使用透射电子显微镜的能量色散x射线分光法(TEM-EDX)，来评估垂直磁记录层13的局部元素浓度分布，并且可以观测到主要成分是Co的Co基磁晶粒、以及晶粒间界区域中存在的结构，其主要组成是围绕每个Co磁晶粒的Y、Si以及O2。
通过使用具有电磁体的磁化装置，沿盘形基底的径向向外的方向，将1185A/m(15000Oe)的磁场施加到获得的垂直磁记录介质40，并且对偏置施加层16的铁磁性层进行平面内径向磁化。
通过读/写分析仪1632以及美国Guzik技术公司制造的旋转台S1701MP，来评估磁化的垂直磁记录介质40的读/写性能。
读写头使用记录轨道宽度为0.25微米并且再现轨道宽度为0.15微米的磁头，其中将单磁极用于记录部分，而将磁致电阻效应用于再现装置。磁盘的测量旋转速度是4200rpm，距离给定位置中心的半径为22.2毫米。
通过这些结果，在23.8dB获得了优越的介质SNRm(再现信号输出S：线性记录密度119kFCI下的输出，Nm：716kFCI下的rms值(均方根值))。
对比实例1
作为对比实例的垂直磁记录介质，根据与上述实例1的垂直磁记录介质40的相同过程来获得垂直磁记录介质，不同之处在于，通过使用(Co-16at％Pt-10at％Cr)-8mol％SiO2的复合靶，形成12纳米厚的CoPtCr-SiO2作为垂直磁记录层12。
除了垂直记录层不同，获得的对比实例1的垂直磁记录介质具有和图5所示的垂直磁记录介质相同的层结构。
获得的对比实例1的垂直磁记录介质的垂直磁记录层通过TEM来测量，并检测垂直磁记录层的磁粒的颗粒尺寸分布。结果，颗粒尺寸范围等于或大于7并且等于或小于10纳米。
当以类似于实例1的方式评估对比实例1的垂直磁记录介质的记录/再现特性时，SNRm是18.5dB。
可以看出，在本发明中使用两种氧化物的实例1的介质，比使用一种氧化物作为晶粒间界形成相的对比实例1的常规介质，具有更好的特性。
实例2
作为实例2的垂直磁记录层，根据与实例1相同的过程来制造垂直磁记录介质，不同之处在于，在复合靶中使用多种氧化物，所述靶为Co-16at％Pt-10at％Cr和CoPtCr-4mol％A-4mol％B的复合靶(其中A代表从Y2O3、WO3、MgO、Al2O3、ZrO2、HfO2中选出的至少一个，B代表从TiO2、CeO2、SiO2、Cr2O3、NiO、Ta2O5中选出的至少一个)，其具有下面的表1中所示的多种元素的氧化物组合，而不是使用CoPtCr-3mol％Y2O3-5mol％SiO2的复合靶。
除了垂直记录层有所不同之外，获得的垂直磁记录介质具有和图5所示的垂直磁记录介质相同的层结构。
以类似于实例1的方式对获得的垂直磁记录介质的记录/再现特性进行评估。结果在表1中示出。
表1
  A组   B组   SNRm(dB)
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   TiO<sub>2</sub>   22.5
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   CeO<sub>2</sub>   22.0
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   23.7
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   23.5
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   NiO   22.6
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   23.6
  WO<sub>3</sub>   TiO<sub>2</sub>   22.1
  WO<sub>3</sub>   CeO<sub>2</sub>   22.5
  WO<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   23.3
  WO<sub>3</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   23.5
  WO<sub>3</sub>   NiO   22.8
  WO<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   23.2
  MgO   TiO<sub>2</sub>   21.4
  MgO   CeO<sub>2</sub>   21.9
  MgO   SiO<sub>2</sub>   22.6
  MgO   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   22.7
  MgO   NiO   21.8
  MgO   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   22.3
  对比实例的介质SiO<sub>2</sub>   -   18.5
  A组   B组   SNRm(dB)
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   TiO<sub>2</sub>   21.6
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   CeO<sub>2</sub>   21.3
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   22.2
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   22.1
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   NiO   21.9
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   22.8
  ZrO<sub>2</sub>   TiO<sub>2</sub>   21.8
  ZrO<sub>2</sub>   CeO<sub>2</sub>   22.0
  ZrO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   22.5
  ZrO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   22.2
  ZrO<sub>2</sub>   NiO   21.1
  ZrO<sub>2</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   22.1
  HfO<sub>2</sub>   TiO<sub>2</sub>   21.8
  HfO<sub>2</sub>   CeO<sub>2</sub>   21.3
  HfO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   22.6
  HfO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   22.7
  HfO<sub>2</sub>   NiO   21.6
  HfO<sub>2</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   22.2
  对比实例的介质SiO<sub>2</sub>   -   18.5
通过表1的结果，可以看出，使用了选自于作为A组的Y氧化物、W氧化物、Mg氧化物、Al氧化物、Zr氧化物以及Hf氧化物中的至少一种氧化物以及选自于作为B组的Ti氧化物、Ce氧化物、Si氧化物、Cr氧化物、Ni氧化物以及Ta氧化物中的至少一种氧化物的介质，其特性优于对比实例1的常规介质的特性。
实例3
作为实例3的垂直磁记录层，根据与实例1相同的方法来制造垂直磁记录介质，不同之处在于，使用了具有多种组成比的氧化物复合靶，所述靶为CoPtCr-xmol％A-ymol％B复合靶(其中A代表从Y2O3和WO3中选出的至少一个，B代表从SiO2、Cr2O3和Ta2O5中选出的至少一个)，其具有下面的表2所示的多种组成比，而不是使用CoPtCr-3mol％Y2O3-5mol％SiO2的复合靶。
除了垂直记录层有所不同之外，获得的垂直磁记录介质具有和图5所示的垂直磁记录介质相同的层结构。
以类似于实例1的方式对获得的实例3的垂直磁记录介质的记录/再现特性进行评估。
图6到11是示出CoPtCr-xmol％A-ymol％B(其中A代表从Y2O3和WO3中选出的至少一个，B代表从SiO2、Cr2O3和Ta2O5中选出的至少一个)垂直磁记录层和SNRm的晶粒间界区域形成材料的含量之间的关系的曲线图。
图6到8是分别示出当晶粒间界区域形成材料是A＝WO3、B代表从SiO2、Cr2O3和Ta2O5中选出的至少一个、并且组成是x＝y＝Z/2(0＝z＝40mol％)时的曲线101、111以及121的曲线图，。
图6到8是分别示出当晶粒间界区域形成材料只是WO3，即组成是x＝z，y＝0(0＝z＝40mol％)时的曲线102、112以及122的曲线图。
另外，图6到8是分别示出当晶粒间界区域形成材料仅是SiO2、Cr2O3或Ta2O5，即组成是x＝0，y＝z(0＝z＝40mol％)时的曲线103、113以及123的曲线图。
从其对比可以清楚看出，图6到8中的曲线101、111以及121所示的使用了两种氧化物的情况下的SNRm，优于图6到8中的曲线102、112以及122，以及曲线103、113以及123所示的仅使用一种氧化物的情况。
同样，图9到11是分别示出当晶粒间界区域形成材料是A＝Y2O3，B为从SiO2、Cr2O3和Ta2O5中选出的至少一个，并且组成是x＝y＝z/2(0＝z＝40mol％)时的曲线201、211以及221的曲线图。
图9到11是分别示出当晶粒间界区域形成材料仅是Y2O3，即组成是x＝z，y＝0(0＝z＝40mol％)时的曲线202、212以及222的曲线图。
另外，图9到11是分别示出当晶粒间界区域形成材料仅是SiO2、Cr2O3或Ta2O5，即组成是x＝0，y＝z(0＝z＝40mol％)时的曲线203、213以及223的曲线图。
从其对比可以清楚看出，图9到11中的曲线201、211以及221所示的使用了两种氧化物的情况下的SNRm，优于图9到11中的曲线202、212以及222，以及曲线203、213以及223所示的仅使用一种氧化物的情况。
从图6到11可以看出，当晶粒间界区域形成材料含量的总量等于或大于0.1并且等于或小于30mol％时，可以显示出更好的特性。当晶粒间界区域形成材料含量的总量等于或大于1并且等于或小于20mol％时，可以显示出甚至更好的特性。
实例4
作为实例4的垂直磁记录层，根据与实例1相同的过程来制造垂直磁记录介质，不同之处在于，使用了多种氧化物复合靶，所述靶为CoPtCr-xmol％A-ymol％B的复合靶(其中A代表从Y2O3和WO3中选出的至少一个，B代表从SiO2、Cr2O3和Ta2O5中选出的至少一个)，其具有下面的表2中所示的多种组成比，而不是使用CoPtCr-3mol％Y2O3-5mol％SiO2的复合靶。
除了垂直记录层不同之外，获得的垂直磁记录介质具有与图5所示的垂直磁记录介质相同的层结构。
当利用TEM-EDX评估在图4中获得的垂直磁记录介质中的局部元素浓度分布时，确定了主要成分是Co的Co基磁晶粒、以及晶粒间界区域中的结构，所述结构具有围绕每个Co基磁晶粒的主要成分Y、W、Si、Cr、Ta以及O2。
通过在实例4中获得的磁记录介质中进行X射线光电子能谱分析，测量了氧化物的峰值以及可氧化材料(基本物质)的峰值。
通过这些结果，可以看出，Y、W、Si、Cr以及Ta以Y2O3、WO3、SiO2、Cr2O3以及Ta2O5的化学计量比存在。另一方面，当测量B组(Si、Cr以及Ta)的峰值时，可以看出，这些氧化物的峰值积分强度相比于A组(Y、W以及其它材料)的峰值积分强度要弱，而可氧化材料(元素物质)的峰值积分强度较强。这表明B组的一些氧化物被A组的氧化物还原。通过上述描述，可以看出，晶粒间界区域的氧浓度比通过氧化物化学计量比计算得到的浓度比减少。
以类似于实例1的方式对获得的实例4的垂直记录介质的记录/再现特性进行评估。结果如表2所示。
表2
  A组   mol％   B组  mol％   SNRm(dB)
  WO<sub>3</sub>   3   SiO<sub>2</sub>   7   23.1
  WO<sub>3</sub>   5   SiO<sub>2</sub>   5   21.3
  WO<sub>3</sub>   7   SiO<sub>2</sub>   3   20.1
  WO<sub>3</sub>   3   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   7   22.9
  WO<sub>3</sub>   5   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   5   22.2
  WO<sub>3</sub>   7   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   3   19.5
  WO<sub>3</sub>   3   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   7   23.3
  WO<sub>3</sub>   5   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   5   22.5
  WO<sub>3</sub>   7   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   3   20.4
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   3   SiO<sub>2</sub>   7   23.3
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   5   SiO<sub>2</sub>   5   22.8
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   7   SiO<sub>2</sub>   3   19.6
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   3   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   7   22.8
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   5   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   5   21.3
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   7   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   3   19.7
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   3   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   7   23.3
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   5   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   5   21.9
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   7   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   3   20.0
  -   -   SiO<sub>2</sub>   10   18.2
  -   -   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   10   16.1
  -   -   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   10   16.9
  WO<sub>3</sub>   10   -   -   17.5
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   10   -   -   16.5
从表2的结果可以清楚看出，当以多种组成比使用氧化物、并且B组的氧化物的量大于A组的氧化物的量时，表现出更好的特性。特别是，可以看到，当将晶粒间界形成为A组和B组的组合时，B组的氧化物中氧浓度比A组的氧化物中的氧浓度小。
实例5
作为实例5的垂直磁记录层，根据与实例1相同的方法来制造垂直磁记录介质，不同之处在于，使用了多种氧化物复合靶，所述靶为CoPtCr-amol％A-bmol％B-cmol％C-dmol％D-emol％E的复合靶(其中A代表从Y2O3、WO3、MgO、Al2O3、ZrO2、HfO2中选出的至少一个，B＝SiO2、C＝Cr2O3，D＝Ta2O5，E＝CeO2，以及a＝b＝c＝2mol％，d＝0到2mol％，以及e＝0到2mol％)，其具有表3中所示的多种晶粒间界区域组成，而不是使用CoPtCr-3mol％Y2O3-5mol％SiO2的复合靶。
对比实例2
接着，为了比较，作为对比实例2的垂直磁记录介质，根据与实例1的垂直磁记录介质相同的方法来制造垂直磁记录介质，不同之处在于，利用(Co-16at％Pt-10at％Cr)-xmol％SiO2(其中x＝6，8，以及10mol％)的复合靶，形成12纳米厚的CoPtCr-SiO2层作为垂直磁记录层。
除了垂直记录层不同之外，实例5的垂直磁记录介质和对比实例2的垂直磁记录介质具有和图5所示的垂直磁记录介质相同的层结构。
以和实例1相同的方式对实例5中获得的垂直磁记录介质和对比实例2中获得的垂直磁记录介质的记录/再现特性进行评估。结果在表3中示出。
表3
  A   B   C   D   E   SNRm(dB)
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.8
  WO<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.9
  MgO   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.7
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.4
  ZrO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.3
  HfO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   -   -   21.8
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   21.7
  WO<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   21.8
  MgO   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   20.5
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   20.9
  ZrO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   20.1
  HfO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   -   21.1
  Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   21.6
  WO<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   21.5
  MgO   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   21.1
  Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   20.7
  ZrO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   20.2
  HfO<sub>2</sub>   SiO<sub>2</sub>   Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   CeO<sub>2</sub>   20.7
  6mol％SiO<sub>2</sub>   -   -   -   -   17.9
  8mol％SiO<sub>2</sub>   -   -   -   -   18.5
  10mol％SiO<sub>2</sub>   -   -   -   -   18.2
从表3可以清楚看出，其中使用至少三种氧化物作为晶粒间界形成相的情况，比仅使用一种氧化物作为晶粒间界形成相的情况，表现出更好的特性。
实例6
作为实例6的垂直磁记录介质，根据和实例1相同的过程来制造该垂直磁记录介质，不同之处在于，没有形成Cr非磁性层、CoCrPt铁磁性层、以及CoZrNb软磁性层。
图12为示出根据本发明的垂直磁记录介质的另一可选实例的示意性截面图。
如图12所示，实例6的垂直磁记录介质50具有这样的结构，其中，在非磁性基底1上连续层叠NiTa籽晶层29、Ru下层2、CoPtCr-Y2O3-SiO2垂直磁记录层3、碳保护层4、以及润滑层(图中未示出)。
以与实例1相同的方法通过TEM测量实例6中获得的垂直磁记录介质。结果，可以看到，垂直磁记录层的颗粒尺寸范围为等于或大于5并且等于或小于7纳米。
通过使用记录轨道宽度为0.25微米和再现轨道宽度为0.15微米的环形磁头，利用磁致电阻效应，来评估垂直磁记录介质的记录/再现特性，并且SNRm是21.5dB。
对比实例3
作为对比实例3的垂直磁性层，根据和实例5相同的过程来制造对比垂直磁记录介质，不同之处在于，通过CoPtCr-SiO2靶，形成12纳米厚的CoPtCr-SiO2垂直磁性层。
除了垂直磁性层不同之外，获得的垂直磁记录介质具有和图12相同的层结构。
以与实例6相同的方法通过TEM测量获得的垂直磁记录介质。结果，可以看出，垂直磁记录层的颗粒尺寸范围为等于或大于9并且等于或小于12纳米。
通过使用记录轨道宽度为0.25微米和再现轨道宽度为0.15微米的环形磁头，利用磁致电阻效应，来评估垂直磁记录介质的记录/再现特性，并且SNRm是16.8dB。
虽然上文描述和示出了本发明的优选实施例，但是，可以理解，这些只是对本发明的示例，而不能认为是限制。在不偏离本发明的精神或范围的情况下，可以进行添加、省略、替代以及其它修改。因此，本发明不受上述描述的限制，而仅由所附的权利要求书的范围来限定。
工业应用性
本发明的一个应用实例是，本发明的垂直磁记录介质能够应用于这样的磁记录/再现装置，该装置具有优越的再现信号输出，以及在近似0.25微米和0.15微米磁轨道宽度水平上的线性记录密度。

Claims (13)

1. 一种垂直磁记录介质，包括被层叠在非磁性基底上的至少
非磁性下层，
磁性层，以及
保护层，
其中
所述磁性层包括铁磁晶粒和非磁性晶粒间界区域；以及
所述晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，
其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol％到30mol％。
2. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中在晶粒间界区域中的氧与全部可氧化元素的浓度比小于从全部所述氧化物的化学计量比计算出的浓度比。
3. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中形成所述晶粒间界区域的所述氧化物包括：
选自于以下A组氧化物中的至少一种氧化物：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物以及铪氧化物；以及
选自于以下B组氧化物中的至少一种氧化物：钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物。
4. 根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中从所述A组中选出的氧化物包括选自于钇氧化物和钨氧化物中的至少一种氧化物。
5. 根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中从所述B组中选出的氧化物包括选自于硅氧化物、铬氧化物以及钽氧化物中的至少一种氧化物。
6. 根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中在形成所述晶粒间界区域的氧化物中，从A组中选出的氧化物含量的摩尔百分数小于从B组中选出的氧化物含量的摩尔百分数。
7. 根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中从B组中选出的氧化物的氧浓度小于从形成所述晶粒间界区域的氧化物的化学计量比计算出的浓度比。
8. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物的含量为1mol％到20mol％。
9. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中被包含在所述磁性层中的晶粒包括钴铂合金作为主要成分。
10. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中所述非磁性下层包括钌作为主要成分。
11. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其在所述非磁性基底和所述非磁性下层之间包括至少一个软磁性层。
12. 一种磁记录/再现装置，包括：
根据权利要求1的垂直磁记录介质，
垂直磁记录介质的支撑和旋转驱动机构，
磁头，其具有用于在所述垂直磁记录介质上记录信息的装置、以及用于再现所述记录的信息的装置，以及
托架组件，其中将所述磁头支撑为可以相对于所述垂直磁记录介质自由移动。
13. 根据权利要求12的磁记录/再现装置，其中所述读/写头是单磁极记录头。
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