JP2001351217A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2001351217A JP2001351217A JP2000171518A JP2000171518A JP2001351217A JP 2001351217 A JP2001351217 A JP 2001351217A JP 2000171518 A JP2000171518 A JP 2000171518A JP 2000171518 A JP2000171518 A JP 2000171518A JP 2001351217 A JP2001351217 A JP 2001351217A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気記録媒体に関し、強磁性材料の結晶粒同
士の分離を保ちながら、記録磁化安定性に十分な結晶粒
径を確保し、低ノイズ化、良好な信号書込特性を実現す
る。 【解決手段】 非磁性材料４中に強磁性材料の結晶粒５
が分散した構造を持つ記録層３を構成する非磁性材料４
として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、強
磁性材料の融点Ｔmag と同じかそれよりも高いガラス材
料を用いる。
士の分離を保ちながら、記録磁化安定性に十分な結晶粒
径を確保し、低ノイズ化、良好な信号書込特性を実現す
る。 【解決手段】 非磁性材料４中に強磁性材料の結晶粒５
が分散した構造を持つ記録層３を構成する非磁性材料４
として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、強
磁性材料の融点Ｔmag と同じかそれよりも高いガラス材
料を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
るものであり、特に、低ノイズで高出力を得るために強
磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体を構成す
る強磁性材料及び非磁性材料の選択に特徴のある磁気記
録媒体に関するものである。
るものであり、特に、低ノイズで高出力を得るために強
磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体を構成す
る強磁性材料及び非磁性材料の選択に特徴のある磁気記
録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のハードディスク装置の小型化，大
容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能な
ハードディスク装置の研究開発が急速に進められてお
り、そのために、記録ビットの幅も記録密度の上昇に応
じて狭くなってきている。
容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能な
ハードディスク装置の研究開発が急速に進められてお
り、そのために、記録ビットの幅も記録密度の上昇に応
じて狭くなってきている。
【０００３】しかし、記録密度を高くすると再生出力が
低下するとともにノイズが増加してＳ／Ｎ比が低下して
しまうので、記録信号読取時にエラーが発生してしまう
という問題がある。したがって、より小さな記録ビット
を磁気記録媒体に形成するためには、記録ヘッドの高性
能化もさることながら、磁気記録媒体自体の高保磁力化
及び低ノイズ化が重要となる。
低下するとともにノイズが増加してＳ／Ｎ比が低下して
しまうので、記録信号読取時にエラーが発生してしまう
という問題がある。したがって、より小さな記録ビット
を磁気記録媒体に形成するためには、記録ヘッドの高性
能化もさることながら、磁気記録媒体自体の高保磁力化
及び低ノイズ化が重要となる。
【０００４】この様な磁気記録媒体におけるノイズの発
生の原因は、磁化遷移部分のばらつきであり、これは強
磁性層を構成する強磁性結晶粒間の磁気的な相互作用に
起因している。
生の原因は、磁化遷移部分のばらつきであり、これは強
磁性層を構成する強磁性結晶粒間の磁気的な相互作用に
起因している。
【０００５】即ち、磁気記録媒体にデータを記録した場
合、隣接する記録ビットは磁化方向が交互に逆向きにな
り、その境界にビット境界が形成されるが、このビット
境界はビット境界を構成する強磁性結晶粒の粒界の影響
で乱れ、この乱れが再生信号のノイズ、即ち、粒界ノイ
ズとなってＳ／Ｎ比が低下することになる。したがっ
て、媒体ノイズ（Ｎm ＝Ｎmedia ）の低減のためには強
磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を弱めてやることが必
要になる。
合、隣接する記録ビットは磁化方向が交互に逆向きにな
り、その境界にビット境界が形成されるが、このビット
境界はビット境界を構成する強磁性結晶粒の粒界の影響
で乱れ、この乱れが再生信号のノイズ、即ち、粒界ノイ
ズとなってＳ／Ｎ比が低下することになる。したがっ
て、媒体ノイズ（Ｎm ＝Ｎmedia ）の低減のためには強
磁性結晶粒間の磁気的な相互作用を弱めてやることが必
要になる。
【０００６】そこで、従来の磁気記録媒体においては、
ＣｏＣｒＰｔ或いはＣｏＣｒＰｔＴａ等のＣｏを基調と
した３元もしくは４元の合金をスパッタリング法によっ
て成膜した薄膜を用いるのが一般的であるため、その組
成及び成膜条件を制御することによって、２０〜５０ｎ
ｍ程度の微細なＣｏリッチ磁性粒子からなる強磁性部分
の周りに非磁性のＣｒが偏析した構成とすることによっ
てノイズの低減を図っていた。
ＣｏＣｒＰｔ或いはＣｏＣｒＰｔＴａ等のＣｏを基調と
した３元もしくは４元の合金をスパッタリング法によっ
て成膜した薄膜を用いるのが一般的であるため、その組
成及び成膜条件を制御することによって、２０〜５０ｎ
ｍ程度の微細なＣｏリッチ磁性粒子からなる強磁性部分
の周りに非磁性のＣｒが偏析した構成とすることによっ
てノイズの低減を図っていた。
【０００７】また、ガラス或いは耐熱性高分子フィルム
を基板として用い、Ｆｅ等の磁性金属とＡｇ等の非磁性
金属を同時に低温で１３０〜１５０ｎｍ程度の膜厚に成
膜して微細混合膜を形成したのち、加熱により粒子成長
させ、所望の磁気特性膜を得ることが提案されている
（必要ならば、特開昭５９−４２６４２号公報参照）
が、この様な方法によっては、現在要求されている磁気
記録媒体の膜厚である３０ｎｍ以下で高い保磁力を得る
ことは困難であると考えられる。
を基板として用い、Ｆｅ等の磁性金属とＡｇ等の非磁性
金属を同時に低温で１３０〜１５０ｎｍ程度の膜厚に成
膜して微細混合膜を形成したのち、加熱により粒子成長
させ、所望の磁気特性膜を得ることが提案されている
（必要ならば、特開昭５９−４２６４２号公報参照）
が、この様な方法によっては、現在要求されている磁気
記録媒体の膜厚である３０ｎｍ以下で高い保磁力を得る
ことは困難であると考えられる。
【０００８】そこで、本発明者は、ＦｅもしくはＦｅ系
合金、或いは、ＣｏもしくはＣｏ系合金からなる強磁性
材料と、これらと非固溶な非磁性材料と同時スパッタし
て、非磁性金属材料中に微細な強磁性粒子を分離析出さ
せることによって、記録層を構成する強磁性粒子同士を
孤立化させ、強磁性粒子間の磁気的な相互作用を低減
し、高密度記録領域における媒体ノイズを減少させるこ
とを提案している（必要ならば、特願平７−１６０４３
７号参照）。但し、この方法においては、スパッタ後に
熱処理を行うと、強磁性粒子の分離が完全ではなく、と
ころどころ接触する強磁性粒子が存在するという問題が
ある。
合金、或いは、ＣｏもしくはＣｏ系合金からなる強磁性
材料と、これらと非固溶な非磁性材料と同時スパッタし
て、非磁性金属材料中に微細な強磁性粒子を分離析出さ
せることによって、記録層を構成する強磁性粒子同士を
孤立化させ、強磁性粒子間の磁気的な相互作用を低減
し、高密度記録領域における媒体ノイズを減少させるこ
とを提案している（必要ならば、特願平７−１６０４３
７号参照）。但し、この方法においては、スパッタ後に
熱処理を行うと、強磁性粒子の分離が完全ではなく、と
ころどころ接触する強磁性粒子が存在するという問題が
ある。
【０００９】また、Ｃｏ系合金と、それと非固溶な、高
分子材料、酸化物、窒化物、或いは、フッ化物等の非磁
性材料とを同時スパッタすることによって記録層を形成
した強磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体が
提案されている（必要ならば、特開平１１−１１０７３
０号公報、或いは、特開平１０−３０２２４２号公報参
照）。
分子材料、酸化物、窒化物、或いは、フッ化物等の非磁
性材料とを同時スパッタすることによって記録層を形成
した強磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体が
提案されている（必要ならば、特開平１１−１１０７３
０号公報、或いは、特開平１０−３０２２４２号公報参
照）。
【００１０】ここで、図５を参照して、従来の強磁性材
料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体の一例を説明す
る。 図５参照 図５は、従来の磁気記録媒体の概略的構成図であり、実
際には、Ａｌ基板の両側に対称的に記録層が構成されて
いる。まず、Ａｌ基板２１上に、１０μｍ程度のＮｉＰ
補強層２２をメッキにより成膜してＡｌ基板２１の機械
的強度を高め、高速回転時の磁気ヘッドとの接触信頼性
を確保する。
料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体の一例を説明す
る。 図５参照 図５は、従来の磁気記録媒体の概略的構成図であり、実
際には、Ａｌ基板の両側に対称的に記録層が構成されて
いる。まず、Ａｌ基板２１上に、１０μｍ程度のＮｉＰ
補強層２２をメッキにより成膜してＡｌ基板２１の機械
的強度を高め、高速回転時の磁気ヘッドとの接触信頼性
を確保する。
【００１１】次いで、スパッタリング法を用いて、強磁
性体であるＣｏ80Ｐｔ20と非磁性体であるＳｉＯ2 とを
同時スパッタして、厚さが、１５ｎｍの記録層２３を形
成したのち、厚さが１０ｎｍのＤＬＣ層２６を形成す
る。
性体であるＣｏ80Ｐｔ20と非磁性体であるＳｉＯ2 とを
同時スパッタして、厚さが、１５ｎｍの記録層２３を形
成したのち、厚さが１０ｎｍのＤＬＣ層２６を形成す
る。
【００１２】この場合、Ｃｏ80Ｐｔ20とＳｉＯ2 の物理
化学的性質、例えば、融点、表面エネルギー、或いは、
凝集エネルギー等に依存した析出粒径及び孤立性を持っ
てＳｉＯ2 膜２４中にＣｏ80Ｐｔ20からなる強磁性粒子
２５が析出した構造が実現され、強磁性粒子２５間の磁
気的な相互作用が弱められ、優れた磁気特性が期待され
る。
化学的性質、例えば、融点、表面エネルギー、或いは、
凝集エネルギー等に依存した析出粒径及び孤立性を持っ
てＳｉＯ2 膜２４中にＣｏ80Ｐｔ20からなる強磁性粒子
２５が析出した構造が実現され、強磁性粒子２５間の磁
気的な相互作用が弱められ、優れた磁気特性が期待され
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法に
よる強磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体に
おける強磁性粒子の平均結晶粒径は１０ｎｍ以下であ
り、それ以上の膜厚にすると２列目の結晶粒が成長しは
じめて平均結晶粒径が増大することはなく、この様な結
晶粒径では充分な記録磁化安定性を確保することは困難
であるという問題がある。
よる強磁性材料−非磁性材料グラニュラ磁気記録媒体に
おける強磁性粒子の平均結晶粒径は１０ｎｍ以下であ
り、それ以上の膜厚にすると２列目の結晶粒が成長しは
じめて平均結晶粒径が増大することはなく、この様な結
晶粒径では充分な記録磁化安定性を確保することは困難
であるという問題がある。
【００１４】これは、析出する結晶粒径に影響を与える
Ｃｏ80Ｐｔ20とＳｉＯ2 の物理化学的性質の内、融点が
ともに１６００℃程度と接近していることが原因である
と考えられる。即ち、同時堆積させた記録層２３におい
て、非磁性母材であるＳｉＯ2 膜２４中に充分大きな結
晶粒の強磁性粒子２５を析出させるためには、非磁性材
料の融点Ｔn と強磁性材料の融点Ｔmag との間に、Ｔn
≦Ｔmag の関係が成立する必要があるが、両者の融点が
接近していると非磁性母材が冷却する過程で強磁性粒子
の結晶粒が充分成長しないためである。
Ｃｏ80Ｐｔ20とＳｉＯ2 の物理化学的性質の内、融点が
ともに１６００℃程度と接近していることが原因である
と考えられる。即ち、同時堆積させた記録層２３におい
て、非磁性母材であるＳｉＯ2 膜２４中に充分大きな結
晶粒の強磁性粒子２５を析出させるためには、非磁性材
料の融点Ｔn と強磁性材料の融点Ｔmag との間に、Ｔn
≦Ｔmag の関係が成立する必要があるが、両者の融点が
接近していると非磁性母材が冷却する過程で強磁性粒子
の結晶粒が充分成長しないためである。
【００１５】また、上記の提案においてはＳｉＯ2 以外
の非磁性材料を用いることも示唆されているが、具体的
例は全く開示されておらず、且つ、ＳｉＯ2 のようなガ
ラス材料ではない他の非磁性材料を用いて、ＳｉＯ2 を
用いた場合以上の十分安定な記録磁化を有しながら、極
低ノイズ性を確保した磁気記録媒体を実現することは、
過去の実験事実から見て困難であると予想される。
の非磁性材料を用いることも示唆されているが、具体的
例は全く開示されておらず、且つ、ＳｉＯ2 のようなガ
ラス材料ではない他の非磁性材料を用いて、ＳｉＯ2 を
用いた場合以上の十分安定な記録磁化を有しながら、極
低ノイズ性を確保した磁気記録媒体を実現することは、
過去の実験事実から見て困難であると予想される。
【００１６】したがって、本発明は、強磁性材料の結晶
粒同士の分離を保ちながら、記録磁化安定性に十分な結
晶粒径を確保し、低ノイズ化、良好な信号書込特性を実
現することを目的とする。
粒同士の分離を保ちながら、記録磁化安定性に十分な結
晶粒径を確保し、低ノイズ化、良好な信号書込特性を実
現することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におい
て、符号２はＮｉＰ等の補強層であり、また、符号６は
ＤＬＣ等の保護層である。 図１参照 上述の課題を解決するために、本発明においては、非磁
性材料４中に強磁性材料の結晶粒５が分散した構造を持
つ記録層３を有する磁気記録媒体において、非磁性材料
４として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、
強磁性材料の融点Ｔmag と同じかそれよりも低いガラス
材料を用いたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におい
て、符号２はＮｉＰ等の補強層であり、また、符号６は
ＤＬＣ等の保護層である。 図１参照 上述の課題を解決するために、本発明においては、非磁
性材料４中に強磁性材料の結晶粒５が分散した構造を持
つ記録層３を有する磁気記録媒体において、非磁性材料
４として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、
強磁性材料の融点Ｔmag と同じかそれよりも低いガラス
材料を用いたことを特徴とする。
【００１８】この様に、非磁性材料４として、融点Ｔn
がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、強磁性材料の融点Ｔ
mag と同じかそれよりも低いガラス材料を用いること、
即ち、 Ｔn ＜ＴSiO2、且つ、Ｔn ≦Ｔmag の関係を満たすことによって、強磁性材料の結晶粒５の
結晶粒径を十分大きくすることができ、それによって、
超高密度磁気記録領域においても熱揺らぎによる影響の
少ない、低媒体ノイズで高信号品質の、即ち、高Ｓ／Ｎ
の磁気記録媒体を実現することができる。
がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、強磁性材料の融点Ｔ
mag と同じかそれよりも低いガラス材料を用いること、
即ち、 Ｔn ＜ＴSiO2、且つ、Ｔn ≦Ｔmag の関係を満たすことによって、強磁性材料の結晶粒５の
結晶粒径を十分大きくすることができ、それによって、
超高密度磁気記録領域においても熱揺らぎによる影響の
少ない、低媒体ノイズで高信号品質の、即ち、高Ｓ／Ｎ
の磁気記録媒体を実現することができる。
【００１９】また、本発明においては、強磁性材料とし
てＣｏを主成分とする合金、特に、少なくともＣｏとＰ
ｔとを含む合金を用い、また、ガラス材料として、酸化
物、特に、ＳｉＯ2 を主体とする材料を用いることを特
徴とする。
てＣｏを主成分とする合金、特に、少なくともＣｏとＰ
ｔとを含む合金を用い、また、ガラス材料として、酸化
物、特に、ＳｉＯ2 を主体とする材料を用いることを特
徴とする。
【００２０】この様に、強磁性材料としては、記録磁化
の熱安定性を考慮すると六方細密構造を有するＣｏを主
成分とする合金が望ましく、特に、１軸異方性を有し、
適度に高い保磁力を得やすいＣｏ−Ｐｔ合金が望まし
い。
の熱安定性を考慮すると六方細密構造を有するＣｏを主
成分とする合金が望ましく、特に、１軸異方性を有し、
適度に高い保磁力を得やすいＣｏ−Ｐｔ合金が望まし
い。
【００２１】また、ガラス材料としては、Ａｓ2 Ｓ3 や
Ｓｂ2 Ｓ3 等の硫化物等でも良いが、常温・常圧での安
定性、強磁性材料に対する固溶度を考慮すると非固溶な
酸化物が望ましく、さらに、毒性等を考慮すると、Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物が望ましい。
Ｓｂ2 Ｓ3 等の硫化物等でも良いが、常温・常圧での安
定性、強磁性材料に対する固溶度を考慮すると非固溶な
酸化物が望ましく、さらに、毒性等を考慮すると、Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物が望ましい。
【００２２】また、本発明においては、非磁性基板１と
記録層３との間に、非磁性材料からなり、且つ、柱状結
晶構造を有する下地層、特に、ＣｒまたはＣｒを主成分
とする合金を用いることを特徴とする。
記録層３との間に、非磁性材料からなり、且つ、柱状結
晶構造を有する下地層、特に、ＣｒまたはＣｒを主成分
とする合金を用いることを特徴とする。
【００２３】この様に、Ｃｒ系材料からなる柱状結晶構
造を有する下地層を設けることによって、強磁性材料の
結晶粒５がエピタキシャル成長し、磁化容易軸が面内配
向するので、より高い保持力及びＳ／Ｎ比が得られる。
造を有する下地層を設けることによって、強磁性材料の
結晶粒５がエピタキシャル成長し、磁化容易軸が面内配
向するので、より高い保持力及びＳ／Ｎ比が得られる。
【００２４】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２参照 図２は、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、例えば、
３．５インチ（≒８．９ｃｍ）のＡｌ基板１１上に、厚
さが、例えば、１０μｍ程度のＮｉ81Ｐ19からなるＮｉ
Ｐ補強層１２をメッキにより設けて、Ａｌ基板１１の機
械的強度を高めて、高速回転時の磁気ヘッドとの接触信
頼性を確保する。
の第１の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。 図２参照 図２は、本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、例えば、
３．５インチ（≒８．９ｃｍ）のＡｌ基板１１上に、厚
さが、例えば、１０μｍ程度のＮｉ81Ｐ19からなるＮｉ
Ｐ補強層１２をメッキにより設けて、Ａｌ基板１１の機
械的強度を高めて、高速回転時の磁気ヘッドとの接触信
頼性を確保する。
【００２５】次いで、必要に応じて砥粒を用いたテクス
チャ加工を行って、ＮｉＰ補強層１２の表面の円周方向
に沿って微細な溝を形成したり、或いは、凹凸加工を行
って凹凸を形成する。このテクスチャ加工によって形成
された溝或いは凹凸加工によって形成された凹凸によっ
て磁気ヘッドと磁気ディスク記録媒体との間の摩擦を低
減して磁気ヘッドの吸着を防止するとともに、テクスチ
ャ加工によって円周方向に磁化が向きやすくなるので面
内記録方向への磁気異方性を高めることができる。
チャ加工を行って、ＮｉＰ補強層１２の表面の円周方向
に沿って微細な溝を形成したり、或いは、凹凸加工を行
って凹凸を形成する。このテクスチャ加工によって形成
された溝或いは凹凸加工によって形成された凹凸によっ
て磁気ヘッドと磁気ディスク記録媒体との間の摩擦を低
減して磁気ヘッドの吸着を防止するとともに、テクスチ
ャ加工によって円周方向に磁化が向きやすくなるので面
内記録方向への磁気異方性を高めることができる。
【００２６】次いで、多元スパッタ装置を用いて、基板
温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｏ80Ｐｔ20ターゲッ
ト、ＳｉＯ2 ターゲット、及び、ＧｅＯ2 ターゲットを
用いて同時スパッタすることによってＮｉＰ補強層１２
上に、厚さ７〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの記録層１
３を堆積させたのち、保護層として厚さが、例えば、１
０ｎｍのＤＬＣ層１６を形成する。
温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｏ80Ｐｔ20ターゲッ
ト、ＳｉＯ2 ターゲット、及び、ＧｅＯ2 ターゲットを
用いて同時スパッタすることによってＮｉＰ補強層１２
上に、厚さ７〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの記録層１
３を堆積させたのち、保護層として厚さが、例えば、１
０ｎｍのＤＬＣ層１６を形成する。
【００２７】この場合、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４の融
点は、ＳｉＯ2 とＧｅＯ2 とが共晶を形成してＳｉＯ2
膜の融点より低くなるので、結晶粒が成長し易く記録層
１３の膜厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20か
らなる強磁性粒子１５がＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４中に
析出した構造が実現される。
点は、ＳｉＯ2 とＧｅＯ2 とが共晶を形成してＳｉＯ2
膜の融点より低くなるので、結晶粒が成長し易く記録層
１３の膜厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20か
らなる強磁性粒子１５がＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４中に
析出した構造が実現される。
【００２８】なお、この場合のスパッタ条件は、下記の
表１に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成は
５０体積％のＣｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＧｅＯ
2 膜となり、また、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４における
ＳｉＯ2 とＧｅＯ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＧｅＯ2 ＝
８０：２０となる。また、記録層１３の成膜時にＲＦバ
イアスを印加しているので強磁性粒子１５が成長し易
く、結晶粒径がより大きくなる。
表１に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成は
５０体積％のＣｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＧｅＯ
2 膜となり、また、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４における
ＳｉＯ2 とＧｅＯ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＧｅＯ2 ＝
８０：２０となる。また、記録層１３の成膜時にＲＦバ
イアスを印加しているので強磁性粒子１５が成長し易
く、結晶粒径がより大きくなる。
【００２９】
【表１】
【００３０】この第１の実施の形態の磁気記録媒体の保
磁力は１５．９ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
（キロフラックスチェンジ／ミリメートル）の記録密度
における、Ｓiso ／Ｎm は２７ｄＢを実現することがで
きた。なお、Ｓiso は孤立波出力、即ち、記録密度の低
い領域の出力であり、Ｎm は媒体ノイズである。
磁力は１５．９ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
（キロフラックスチェンジ／ミリメートル）の記録密度
における、Ｓiso ／Ｎm は２７ｄＢを実現することがで
きた。なお、Ｓiso は孤立波出力、即ち、記録密度の低
い領域の出力であり、Ｎm は媒体ノイズである。
【００３１】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、強磁性粒子１５同士が完全に分離されて孤立し
ているので磁気的な相互作用が弱くなり、それによって
媒体ノイズＮm が小さくなるので、Ｓiso ／Ｎm 比を大
きくすることができる。
いては、強磁性粒子１５同士が完全に分離されて孤立し
ているので磁気的な相互作用が弱くなり、それによって
媒体ノイズＮm が小さくなるので、Ｓiso ／Ｎm 比を大
きくすることができる。
【００３２】また、本発明の第１の実施の形態において
は、非磁性母材としてＣｏ80Ｐｔ20より融点が低いＳｉ
Ｏ2 −ＧｅＯ2 を用いているのでＣｏ80Ｐｔ20からなる
強磁性粒子１５の平均結晶粒径を大きくすることがで
き、それによって、記録磁化の熱的安定性を向上するこ
とができる。
は、非磁性母材としてＣｏ80Ｐｔ20より融点が低いＳｉ
Ｏ2 −ＧｅＯ2 を用いているのでＣｏ80Ｐｔ20からなる
強磁性粒子１５の平均結晶粒径を大きくすることがで
き、それによって、記録磁化の熱的安定性を向上するこ
とができる。
【００３３】即ち、熱ゆらぎの影響は、Ｋu を記録層の
磁気異方性定数、Ｖを記録層の単位磁化の体積、ｋをボ
ルツマン定数、絶対温度をＴとすると、Ｋu ・Ｖ／ｋＴ
で表され、この値が大きいほど熱的に安定である。した
がって、強磁性粒子の平均結晶粒径を大きくするとＶが
大きくなり、熱ゆらぎの影響が小さくなり、熱的安定性
が高まる。
磁気異方性定数、Ｖを記録層の単位磁化の体積、ｋをボ
ルツマン定数、絶対温度をＴとすると、Ｋu ・Ｖ／ｋＴ
で表され、この値が大きいほど熱的に安定である。した
がって、強磁性粒子の平均結晶粒径を大きくするとＶが
大きくなり、熱ゆらぎの影響が小さくなり、熱的安定性
が高まる。
【００３４】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態の磁気記録媒体を説明するが、非磁性母材とし
てＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 を用いた以外は上記の第１の実施
の形態と全く同様であるので、説明は簡単にする。 図３参照 図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、上記の第１
の実施の形態と同様にＡｌ基板１１上にＮｉＰ補強層１
２をメッキにより設けたのち、多元スパッタ装置を用い
て、基板温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｏ80Ｐｔ20
ターゲット、ＳｉＯ2 ターゲット、及び、ＳｎＯ2 ター
ゲットを用いて同時スパッタすることによってＮｉＰ補
強層１２上に、厚さ７〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの
記録層１３を堆積させたのち、保護層として厚さが、例
えば、１０ｎｍのＤＬＣ層１６を形成する。
施の形態の磁気記録媒体を説明するが、非磁性母材とし
てＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 を用いた以外は上記の第１の実施
の形態と全く同様であるので、説明は簡単にする。 図３参照 図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、上記の第１
の実施の形態と同様にＡｌ基板１１上にＮｉＰ補強層１
２をメッキにより設けたのち、多元スパッタ装置を用い
て、基板温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｏ80Ｐｔ20
ターゲット、ＳｉＯ2 ターゲット、及び、ＳｎＯ2 ター
ゲットを用いて同時スパッタすることによってＮｉＰ補
強層１２上に、厚さ７〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの
記録層１３を堆積させたのち、保護層として厚さが、例
えば、１０ｎｍのＤＬＣ層１６を形成する。
【００３５】この場合、ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜１７の融
点は、ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 とが共晶を形成してＳｉＯ2
膜の融点より低くなるので、結晶粒が成長し易く記録層
１３の膜厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20か
らなる強磁性粒子１５がＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜１７中に
析出した構造が実現される。
点は、ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 とが共晶を形成してＳｉＯ2
膜の融点より低くなるので、結晶粒が成長し易く記録層
１３の膜厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20か
らなる強磁性粒子１５がＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜１７中に
析出した構造が実現される。
【００３６】なお、この場合のスパッタ条件は、下記の
表２に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成は
５０体積％のＣｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＳｎＯ
2 膜となり、また、ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜１７における
ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＳｎＯ2 ＝
８０：２０となる。また、この場合も、記録層１３の成
膜時にＲＦバイアスを印加しているので強磁性粒子１５
が成長し易く、結晶粒径がより大きくなる。
表２に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成は
５０体積％のＣｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＳｎＯ
2 膜となり、また、ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜１７における
ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＳｎＯ2 ＝
８０：２０となる。また、この場合も、記録層１３の成
膜時にＲＦバイアスを印加しているので強磁性粒子１５
が成長し易く、結晶粒径がより大きくなる。
【００３７】
【表２】
【００３８】この第２の実施の形態の磁気記録媒体の保
磁力は１４．８ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
の記録密度における、Ｓiso ／Ｎm は２６ｄＢであり、
上記の第１の実施の形態とほぼ同様の特性を得ることが
できた。
磁力は１４．８ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
の記録密度における、Ｓiso ／Ｎm は２６ｄＢであり、
上記の第１の実施の形態とほぼ同様の特性を得ることが
できた。
【００３９】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いても、非磁性母材としてＣｏ80Ｐｔ20より融点が低い
ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 を用いているのでＣｏ80Ｐｔ20から
なる強磁性粒子１５の平均結晶粒径を大きくすることが
でき、それによって、記録磁化の熱的安定性を向上する
ことができる。
いても、非磁性母材としてＣｏ80Ｐｔ20より融点が低い
ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 を用いているのでＣｏ80Ｐｔ20から
なる強磁性粒子１５の平均結晶粒径を大きくすることが
でき、それによって、記録磁化の熱的安定性を向上する
ことができる。
【００４０】次に、図４を参照して、本発明の第３の実
施の形態の磁気記録媒体を説明するが、この第３の実施
の形態は、下地層として柱状多結晶構造を有するＣｒ層
をＮｉＰ補強層上に設けた点で、上記の第１の実施の形
態と異なるものである。 図４参照 図４は、本発明の第３の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、上記の第１
の実施の形態と同様にＡｌ基板１１上にＮｉＰ補強層１
２をメッキにより設けたのち、多元スパッタ装置を用い
て、基板温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｒをスパッ
タすることによって、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｒ
層１８を堆積させたのち、Ｃｏ80Ｐｔ20ターゲット、Ｓ
ｉＯ2 ターゲット、及び、ＧｅＯ2 ターゲットを用いて
同時スパッタすることによってＣｒ層１８上に、厚さ７
〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの記録層１３を堆積さ
せ、次いで、保護層として厚さが、例えば、１０ｎｍの
ＤＬＣ層１６を形成する。
施の形態の磁気記録媒体を説明するが、この第３の実施
の形態は、下地層として柱状多結晶構造を有するＣｒ層
をＮｉＰ補強層上に設けた点で、上記の第１の実施の形
態と異なるものである。 図４参照 図４は、本発明の第３の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、Ａｌ基板の両側に対称的
に記録層を設けた構造となっている。まず、上記の第１
の実施の形態と同様にＡｌ基板１１上にＮｉＰ補強層１
２をメッキにより設けたのち、多元スパッタ装置を用い
て、基板温度Ｔs を２５℃とした状態で、Ｃｒをスパッ
タすることによって、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｒ
層１８を堆積させたのち、Ｃｏ80Ｐｔ20ターゲット、Ｓ
ｉＯ2 ターゲット、及び、ＧｅＯ2 ターゲットを用いて
同時スパッタすることによってＣｒ層１８上に、厚さ７
〜２０ｎｍ、例えば、１５ｎｍの記録層１３を堆積さ
せ、次いで、保護層として厚さが、例えば、１０ｎｍの
ＤＬＣ層１６を形成する。
【００４１】この場合、Ｃｒ層１８は柱状多結晶構造と
なるので、その上に堆積する記録層１３中の強磁性粒子
１９はエピタキシャル成長し、磁化容易軸が面内配向し
た状態で結晶粒が成長することになり、記録層１３の膜
厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20からなる強
磁性粒子１９がＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４中に析出した
構造が実現される。
なるので、その上に堆積する記録層１３中の強磁性粒子
１９はエピタキシャル成長し、磁化容易軸が面内配向し
た状態で結晶粒が成長することになり、記録層１３の膜
厚とほぼ等しい平均結晶粒径のＣｏ80Ｐｔ20からなる強
磁性粒子１９がＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４中に析出した
構造が実現される。
【００４２】なお、この場合のスパッタ条件は、下記の
表３に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成
は、上記の第１の実施の形態と同様に、５０体積％のＣ
ｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜となり、ま
た、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４におけるＳｉＯ2 とＧｅ
Ｏ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＧｅＯ2 ＝８０：２０とな
る。
表３に示す条件で行うものであり、記録層１３の組成
は、上記の第１の実施の形態と同様に、５０体積％のＣ
ｏ80Ｐｔ20が含まれたＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜となり、ま
た、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜１４におけるＳｉＯ2 とＧｅ
Ｏ2 の体積比は、ＳｉＯ2 ：ＧｅＯ2 ＝８０：２０とな
る。
【００４３】
【表３】
【００４４】この第３の実施の形態の磁気記録媒体の保
磁力は１９．９ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
の記録密度における、Ｓiso ／Ｎm は２９ｄＢであり、
上記の第１の実施の形態より優れた特性を得ることがで
きた。
磁力は１９．９ｋＡ／ｍであり、また、８ｋｆｃ／ｍｍ
の記録密度における、Ｓiso ／Ｎm は２９ｄＢであり、
上記の第１の実施の形態より優れた特性を得ることがで
きた。
【００４５】この様に、本発明の第３の実施の形態にお
いては、柱状多結晶構造を有するＣｒ層１８からなる下
地層を設けているので、結晶配向がそろうとともに強磁
性粒子１９の平均結晶粒径がより大きくなるので、保磁
力が大きくなり、且つ、熱的安定性を向上することがで
きる。
いては、柱状多結晶構造を有するＣｒ層１８からなる下
地層を設けているので、結晶配向がそろうとともに強磁
性粒子１９の平均結晶粒径がより大きくなるので、保磁
力が大きくなり、且つ、熱的安定性を向上することがで
きる。
【００４６】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、磁化記録層を構成
する磁性膜として、Ｃｏ80Ｐｔ20を用いているが、他の
組成のＣｏＰｔ合金でも良く、また、Ｃｏ 69Ｃｒ21Ｐｔ
8 Ｔａ2 等のＣｏＣｒＰｔＴａ合金、Ｃｏ74Ｃｒ15Ｐｔ
4 Ｔａ4 Ｎｂ3 等のＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ合金、或い
は、Ｃｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 等のＣｏＣｒＰｔ合金を用
いても良いものであり、さらには、Ｃｏ単体でも良く、
いずれにしても、Ｃｏまたは、Ｃｏを主成分とし少なく
ともＰｔを含むＣｏ合金であれば良い。これは、Ｃｏ合
金は六方細密構造を有し、且つ、Ｃｏ−Ｐｔ合金は１軸
異方性を有し、適度に高い保磁力を得ることができるた
めである。
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、磁化記録層を構成
する磁性膜として、Ｃｏ80Ｐｔ20を用いているが、他の
組成のＣｏＰｔ合金でも良く、また、Ｃｏ 69Ｃｒ21Ｐｔ
8 Ｔａ2 等のＣｏＣｒＰｔＴａ合金、Ｃｏ74Ｃｒ15Ｐｔ
4 Ｔａ4 Ｎｂ3 等のＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ合金、或い
は、Ｃｏ76.3Ｃｒ17Ｐｔ6.7 等のＣｏＣｒＰｔ合金を用
いても良いものであり、さらには、Ｃｏ単体でも良く、
いずれにしても、Ｃｏまたは、Ｃｏを主成分とし少なく
ともＰｔを含むＣｏ合金であれば良い。これは、Ｃｏ合
金は六方細密構造を有し、且つ、Ｃｏ−Ｐｔ合金は１軸
異方性を有し、適度に高い保磁力を得ることができるた
めである。
【００４７】また、上記の各実施の形態においては、非
磁性母材としてＳｉＯ2 −ＧｅＯ2或いはＳｉＯ2 −Ｓ
ｎＯ2 のＳｉＯ2 を主成分とするガラス材料を用いてい
るが、これらの材料に限られるものではなく、ＳＯ3 、
Ｐ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2Ｏ3 、或いは、Ｓｂ2 Ｏ5
等の他の酸化物をＳｉＯ2 に混合しても良いものであ
り、いずれにしても、共晶を構成することによって融点
がＳｉＯ2 より低くなるので、強磁性粒子の平均結晶粒
径を大きくすることができる。
磁性母材としてＳｉＯ2 −ＧｅＯ2或いはＳｉＯ2 −Ｓ
ｎＯ2 のＳｉＯ2 を主成分とするガラス材料を用いてい
るが、これらの材料に限られるものではなく、ＳＯ3 、
Ｐ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2Ｏ3 、或いは、Ｓｂ2 Ｏ5
等の他の酸化物をＳｉＯ2 に混合しても良いものであ
り、いずれにしても、共晶を構成することによって融点
がＳｉＯ2 より低くなるので、強磁性粒子の平均結晶粒
径を大きくすることができる。
【００４８】さらには、ガラス材料としては、ＳｉＯ2
を主成分とするガラス材料に限られるものではなく、Ｓ
Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 、或いは、Ｓｂ
2 Ｏ 5 等の単体の酸化物、ＳやＰ等の元素、Ａｓ2 Ｓ3
やＳｂ2 Ｓ3 等の硫化物、Ａｓ2 Ｓｅ3 やＳｂ2 Ｓｅ3
等のセレン化物、Ａｓ2 Ｔｅ3 やＳｂ2 Ｔｅ3 等のテル
ル化物、ハロゲン化物、或いは、有機化合物を用いても
良いものである。但し、常温・常圧における安定性、Ｃ
ｏ合金に対する非固溶性、さらには、毒性を考慮するな
らば、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス材料が最も好適で
ある。
を主成分とするガラス材料に限られるものではなく、Ｓ
Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 、或いは、Ｓｂ
2 Ｏ 5 等の単体の酸化物、ＳやＰ等の元素、Ａｓ2 Ｓ3
やＳｂ2 Ｓ3 等の硫化物、Ａｓ2 Ｓｅ3 やＳｂ2 Ｓｅ3
等のセレン化物、Ａｓ2 Ｔｅ3 やＳｂ2 Ｔｅ3 等のテル
ル化物、ハロゲン化物、或いは、有機化合物を用いても
良いものである。但し、常温・常圧における安定性、Ｃ
ｏ合金に対する非固溶性、さらには、毒性を考慮するな
らば、ＳｉＯ2 を主成分とするガラス材料が最も好適で
ある。
【００４９】また、上記の第３の実施の形態において
は、下地層としてＣｒを用いているが、Ｃｒに限られる
ものではなく、Ｃｒを主成分とする合金を用いても良い
ものである。例えば、Ｃｒ90Ｍｏ10等のＭｏ，Ｗ，Ｔ
ａ，Ｖ，Ｔｉ等を添加したＣｒ合金を用いれば良いもの
であり、これらの元素の添加によりｂｃｃ構造を有する
Ｃｒの格子定数を大きくすることができ、それによっ
て、Ｃｏ−Ｐｔ合金との格子整合を取ることが容易にな
るので、再現性良く強磁性粒子の平均結晶粒径を大きく
することができ、さらには、結晶配向性の制御や応力の
制御が可能になる。
は、下地層としてＣｒを用いているが、Ｃｒに限られる
ものではなく、Ｃｒを主成分とする合金を用いても良い
ものである。例えば、Ｃｒ90Ｍｏ10等のＭｏ，Ｗ，Ｔ
ａ，Ｖ，Ｔｉ等を添加したＣｒ合金を用いれば良いもの
であり、これらの元素の添加によりｂｃｃ構造を有する
Ｃｒの格子定数を大きくすることができ、それによっ
て、Ｃｏ−Ｐｔ合金との格子整合を取ることが容易にな
るので、再現性良く強磁性粒子の平均結晶粒径を大きく
することができ、さらには、結晶配向性の制御や応力の
制御が可能になる。
【００５０】また、上記の各実施の形態においては、非
磁性基板としてＡｌ基板を用いているが、Ａｌ基板に限
られるものではなく、ガラス基板やＳｉ基板等の他の基
板を用いても良いのであり、ガラス基板を用いた場合に
は、記録層の密着性を高めるためにＮｉＰ層或いはＮｉ
Ａｌ層を下地として設ければ良い。
磁性基板としてＡｌ基板を用いているが、Ａｌ基板に限
られるものではなく、ガラス基板やＳｉ基板等の他の基
板を用いても良いのであり、ガラス基板を用いた場合に
は、記録層の密着性を高めるためにＮｉＰ層或いはＮｉ
Ａｌ層を下地として設ければ良い。
【００５１】また、上記の各実施の形態においては特に
示していないが、記録層の残留磁化と膜厚の積は、１０
０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下にすることが望ましい。即ち、
リードヘッドがＭＲヘッドによって構成されて以来、感
度が飛躍的に向上しているので、記録層の残留磁化と膜
厚の積を大きくしても出力が飽和するので、１００Ｇａ
ｕｓｓ・μｍ以下にすることが望ましいことになる。
示していないが、記録層の残留磁化と膜厚の積は、１０
０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下にすることが望ましい。即ち、
リードヘッドがＭＲヘッドによって構成されて以来、感
度が飛躍的に向上しているので、記録層の残留磁化と膜
厚の積を大きくしても出力が飽和するので、１００Ｇａ
ｕｓｓ・μｍ以下にすることが望ましいことになる。
【００５２】また、上記の各実施の形態においては、記
録層を同時スパッタによって成膜する際に、スパッタリ
ング電力以外にＲＦバイアスを印加しているが、このＲ
Ｆバイアスは必ずしも必要がないものである。
録層を同時スパッタによって成膜する際に、スパッタリ
ング電力以外にＲＦバイアスを印加しているが、このＲ
Ｆバイアスは必ずしも必要がないものである。
【００５３】ここで、再び、図１を参照して、本発明の
付記を説明する。 （付記１） 非磁性基板１上に、非磁性材料４中に強磁
性材料の結晶粒５が分散した構造を持つ記録層３を有す
る磁気記録媒体において、前記非磁性材料４として、融
点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、前記強磁性材
料の融点Ｔmagと同じかそれよりも低いガラス材料を用
いたことを特徴とする磁気記録媒体。 （付記２） 上記強磁性材料として、ＣｏまたはＣｏを
主成分とするＣｏ合金を用いることを特徴とする付記１
記載の磁気記録媒体。 （付記３） 上記強磁性材料として、Ｃｏを主成分と
し、少なくともＰｔを含むＣｏ合金を用いることを特徴
とする付記１記載の磁気記録媒体。 （付記４） 上記ガラス材料として、Ｃｏ合金に非固溶
なガラス材料を用いることを特徴とする付記１乃至３の
いずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記５） 上記Ｃｏ合金に非固溶なガラス材料とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物を用いることを特徴
とする付記４記載の磁気記録媒体。 （付記６） 上記ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物が、Ｓ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 またはＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 のいずれか
であることを特徴とする付記５記載の磁気記録媒体。 （付記７） 上記非磁性基板１と記録層３との間に、柱
状結晶構造を有する下地層を設けたことを特徴とする付
記１乃至６のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記８） 上記下地層として、ＣｒまたはＣｒを主成
分とするＣｒ合金を用いたことを特徴とする付記７記載
の磁気記録媒体。 （付記９） 上記記録層３の表面に、カーボンを主成分
とする保護層６を設けたことを特徴とする付記１乃至８
のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記１０） 上記記録層３の残留磁化と膜厚の積を、
１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下とすることを特徴とする付
記１乃至９のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記１１） 非磁性基板１上に、非磁性材料４と強磁
性材料とを同時にスパッタして成膜することにより、非
磁性材料４中に強磁性材料の結晶粒５が分散した構造を
持つ記録層３を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記非磁性材料４として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融
点より低く、且つ、前記強磁性材料の融点Ｔmag と同じ
かそれよりも低いガラス材料を用いたことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 （付記１２） 上記同時スパッタ工程において、スパッ
タリング電力以外に、高周波バイアス電力を印加するこ
とを特徴とする付記１１記載の磁気記録媒体の製造方
法。
付記を説明する。 （付記１） 非磁性基板１上に、非磁性材料４中に強磁
性材料の結晶粒５が分散した構造を持つ記録層３を有す
る磁気記録媒体において、前記非磁性材料４として、融
点Ｔn がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、前記強磁性材
料の融点Ｔmagと同じかそれよりも低いガラス材料を用
いたことを特徴とする磁気記録媒体。 （付記２） 上記強磁性材料として、ＣｏまたはＣｏを
主成分とするＣｏ合金を用いることを特徴とする付記１
記載の磁気記録媒体。 （付記３） 上記強磁性材料として、Ｃｏを主成分と
し、少なくともＰｔを含むＣｏ合金を用いることを特徴
とする付記１記載の磁気記録媒体。 （付記４） 上記ガラス材料として、Ｃｏ合金に非固溶
なガラス材料を用いることを特徴とする付記１乃至３の
いずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記５） 上記Ｃｏ合金に非固溶なガラス材料とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物を用いることを特徴
とする付記４記載の磁気記録媒体。 （付記６） 上記ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物が、Ｓ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 またはＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 のいずれか
であることを特徴とする付記５記載の磁気記録媒体。 （付記７） 上記非磁性基板１と記録層３との間に、柱
状結晶構造を有する下地層を設けたことを特徴とする付
記１乃至６のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記８） 上記下地層として、ＣｒまたはＣｒを主成
分とするＣｒ合金を用いたことを特徴とする付記７記載
の磁気記録媒体。 （付記９） 上記記録層３の表面に、カーボンを主成分
とする保護層６を設けたことを特徴とする付記１乃至８
のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記１０） 上記記録層３の残留磁化と膜厚の積を、
１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下とすることを特徴とする付
記１乃至９のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 （付記１１） 非磁性基板１上に、非磁性材料４と強磁
性材料とを同時にスパッタして成膜することにより、非
磁性材料４中に強磁性材料の結晶粒５が分散した構造を
持つ記録層３を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記非磁性材料４として、融点Ｔn がＳｉＯ2 の融
点より低く、且つ、前記強磁性材料の融点Ｔmag と同じ
かそれよりも低いガラス材料を用いたことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 （付記１２） 上記同時スパッタ工程において、スパッ
タリング電力以外に、高周波バイアス電力を印加するこ
とを特徴とする付記１１記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、強磁性材料−非磁性材
料グラニュラ磁気記録媒体を構成する非磁性材料とし
て、ＳｉＯ2 より融点が低く、且つ、強磁性材料の融点
と同じか低い融点のガラス材料を用いているので、高い
Ｓ／Ｎ比と高い熱的安定性を再現性良く両立することが
でき、それによって、ハードディスク装置等の磁気ディ
スク記録装置の大容量化及び高密度磁気記録化に寄与す
るところが大きい。
料グラニュラ磁気記録媒体を構成する非磁性材料とし
て、ＳｉＯ2 より融点が低く、且つ、強磁性材料の融点
と同じか低い融点のガラス材料を用いているので、高い
Ｓ／Ｎ比と高い熱的安定性を再現性良く両立することが
でき、それによって、ハードディスク装置等の磁気ディ
スク記録装置の大容量化及び高密度磁気記録化に寄与す
るところが大きい。
【００５５】また、柱状多結晶構造を有する下地層を設
けることによって、非磁性材料中に析出する強磁性粒子
の平均結晶粒径をより大きくすることができ、それによ
って、Ｓ／Ｎ比をより向上することができる。
けることによって、非磁性材料中に析出する強磁性粒子
の平均結晶粒径をより大きくすることができ、それによ
って、Ｓ／Ｎ比をより向上することができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図である。
略的構成図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図である。
略的構成図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図である。
略的構成図である。
【図５】従来の磁気記録媒体の概略的構成図である。
１ 非磁性基板 ２ 補強層 ３ 記録層 ４ 非磁性材料 ５ 強磁性材料の結晶粒 ６ 保護層 １１ Ａｌ基板 １２ ＮｉＰ補強層 １３ 記録層 １４ ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 膜 １５ 強磁性粒子 １６ ＤＬＣ層 １７ ＳｉＯ2 −ＳｎＯ2 膜 １８ Ｃｒ層 １９ 強磁性粒子 ２１ Ａｌ基板 ２２ ＮｉＰ補強層 ２３ 記録層 ２４ ＳｉＯ2 膜 ２５ 強磁性粒子 ２６ ＤＬＣ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 CA01 CA05 DA03 FA09 5E049 AA04 AA09 DB12 DB20
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、非磁性材料中に強磁
性材料の結晶粒が分散した構造を持つ記録層を有する磁
気記録媒体において、前記非磁性材料として、融点Ｔn
がＳｉＯ2 の融点より低く、且つ、前記強磁性材料の融
点Ｔmag と同じかそれよりも低いガラス材料を用いたこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記強磁性材料として、Ｃｏを主成分と
し、少なくともＰｔを含むＣｏ合金を用いることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記ガラス材料として、Ｃｏ合金に非固
溶なガラス材料を用いることを特徴とする請求項１また
は２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記Ｃｏ合金に非固溶なガラス材料とし
て、ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物を用いることを特徴
とする請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記非磁性層基板と記録層との間に、柱
状結晶構造を有する下地層を設けたことを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000171518A JP2001351217A (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | 磁気記録媒体 |
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