JP2004046994A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高記録密度に対応でき、高保持力を有し、低ノイズである磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体であって、非磁性下地層をＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む構成とする。この際、Ｖ−Ｔｉ系合金を、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内とし、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金は、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下とする。また、非磁性下地層を、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含む層とする。
【選択図】図１
【解決手段】少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体であって、非磁性下地層をＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む構成とする。この際、Ｖ−Ｔｉ系合金を、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内とし、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金は、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下とする。また、非磁性下地層を、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含む層とする。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハ−ドディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％で増えており今後もその傾向は続くと言われている。高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
【０００４】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒としては、磁気記録媒体用の基板にスパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。磁気記録媒体に用いられる基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板とは鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものである。ガラス基板にはアモルファスガラスと結晶化ガラスの２種類がある。どちらのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
【０００５】
現在一般的に用いられているハ−ドディスク装置用磁気記録媒体においては、非磁性基板上に非磁性下地層（Ｎｉ−Ａｌ系合金、Ｃｒ、Ｃｒ系合金等）、非磁性中間層（Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金等）、磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等）、保護膜（カ−ボン等）が順次成膜されており、その上に液体潤滑剤からなる潤滑膜が形成されている。
【０００６】
磁性層に用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等はＣｏが主成分である合金である。Ｃｏ合金はＣ軸に磁化容易軸をもつ六方最密構造（ｈｃｐ構造）をとる。磁気記録媒の記録方式には面内記録と垂直記録があり、一般的に磁性膜にはＣｏ合金が用いられている。面内記録の場合、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して平行に配向しており、垂直媒体の場合、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して垂直に配向している。したがって、面内記録の場合、Ｃｏ合金は（１０・０）面あるは（１１・０）面に配向していることが望ましい。
【０００７】
なお、結晶面表記の中の「・」は、結晶面を表すミラ−ブラベ−指数の省略形を示す。すなわち、結晶面を表わすのにＣｏのような六方晶系では、通常（ｈｋｉｌ）と４つの指数で表わすが、この中で「ｉ」に関してはｉ＝−（ｈ＋ｋ）と定義されており、この「ｉ」の部分を省略した形式では、（ｈｋ・ｌ）と表記する。
【０００８】
垂直記録の場合には、Ｃｏ合金は（００・１）面に配向していることが望ましい。逆に、面内記録の場合、Ｃｏ合金の（１０・１）面や（００・１）面の垂直成分を含む配向が存在すると面内方向の磁化の低下を促し好ましくない。
【０００９】
Ｃｏ合金の（１０・０）面や（１１・０）面を直接配向させることは難しく通常は体心立方構造（ｂｃｃ構造）をとるＣｒ合金が下地層として用いられている。Ｃｒ合金の（１００）面には、Ｃｏ合金の（１１・０）面が配向し易く、Ｃｒ合金の（１１２）面にはＣｏ合金の（１０・０）面が配向し易い。
【００１０】
磁気記録媒体の高記録密度化には、媒体ノイズの低減が必要である。ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、８７巻、５３６５〜５３７０ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．８７，ｐｐ．５３６５−５３７０）には、媒体ノイズの低減はＣｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが有効であることが理論式として記載されている。ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、８７巻、５４０７〜５４０９ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．８７，ｐｐ．５４０７−５４０９）には、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることにより、媒体ノイズが低減し高記録密度に適した磁気記録媒体が作成できたことが記載されている。
【００１１】
このように媒体ノイズの低減にはＣｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが重要である。Ｃｏ合金はＣｒ合金の上にエピタキシャル成長することから、Ｃｒ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることに寄与することは容易に推察できる。
【００１２】
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、９１巻、８６１１〜８６１３ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．９１，ｐｐ．８６１１−８６１３）には、Ｃｒ合金にＣｒ−Ｔｉ−Ｂ合金を用いることにより、Ｃｒ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくし、その結果として、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布が小さくなり媒体ノイズが低減されたことが記載されている。
【００１３】
Ｃｒには、さまざま元素が添加され特性が向上することが報告されている。特開昭６３−１９７０１８号公報ではＣｒにＴｉを添加することが有効であると記載されている。米国特許４６５２４９９号公報ではＣｒにＶを添加することが有効であると記載されている。特開昭６３−１８７４１６号公報ではＣｒにＭｏ，Ｗを添加することが有効であると記載されている。特開平７−７３４２７号公報と特開２０００−３２２７３２号公報では、下地層を、Ｃｒを主成分とする添加元素の異なる２層で構成することが有効であると記載されている。特開平１１−２８３２３５号公報では、Ｃｒを主成分とする下地層に酸素や窒素を添加することが有効であると記載されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように下地層には主としてＣｒ合金が用いられている。下地層の改善により媒体ノイズを低減させる手法としては、Ｃｒ合金の平均結晶粒径の微細化や配向性の向上、Ｃｏ合金との格子整合などが用いられてきた。下地層に用いられるＣｒ合金はＣｒが主成分であるので、その特性は主としてＣｒ固有の性質に起因してしまう。その結果として磁気記録媒の下地層の設計を狭めてしまう結果となっている。
【００１５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法、製造に用いるスパッタリング用タ−ゲットおよび磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記問題を解決するために、鋭意努力検討した結果、非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を用いることにより磁気記録再生装置の特性を向上できることを見出し本発明を完成した。即ち本発明は以下に関する。
【００１７】
（１）少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（２）Ｖ−Ｔｉ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【００１９】
（３）Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であり、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【００２０】
（４）非磁性下地層が２層以上の積層構造からなることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２１】
（５）非磁性下地層が、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含むことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２２】
（６）非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンからなることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２３】
（７）非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンの表面にＮｉ−Ｐ系合金をメッキしたものであることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２４】
（８）磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである。）から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２５】
（９）（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示したものである。本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板１、非磁性下地層（２および３）、磁性層５及び保護膜６をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする。
【００２７】
また本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地層を２層以上から構成するのが好ましく、非磁性下地層と磁性層５の間に、非磁性中間層４を設け、また、保護膜６の上に潤滑層を設けるのが好ましい。なお、図１は、非磁性下地層を、第１非磁性下地層２、第２非磁性下地層３の２層から構成した例である。
【００２８】
本発明における非磁性基板としては、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているＮｉ−Ｐ系合金メッキ膜が形成されたＡｌ合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板と呼ぶ。）に加え、非磁性基板としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカ−バイド、カ−ボン、樹脂などの非金属材料からなるもの、及びこれらの非金属材料基板の上にＮｉＰまたはＮｉ−Ｐ系合金の膜を形成したものを挙げることができる。
【００２９】
本発明の非磁性下地層を用いた場合、非磁性基板として、Ａｌ合金基板に加えて、非金属基板においても良好に磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【００３０】
磁気記録再生装置では、記録密度の上昇に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されているために、基板表面の高い平滑性が必要となる。すなわち、本発明に用いられる非磁性層基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストロ−ム）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
【００３１】
本発明の非磁性基板に用いる非金属材料としては、コスト、耐久性の点からガラス基板を用いるのが好ましい。表面平滑性の点からはガラス基板、シリコン基板等を用いることが好ましい。
【００３２】
ガラス基板は結晶化ガラスまたはアモルファスガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては汎用のソ−ダライムガラス、アルミノケ−トガラス、アルミノシリケ−トを使用できる。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。ここで結晶化ガラスの構成成分としてはＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏが含まれているものが、実際にドライブ装置に組み込んで使用した場合に他の部品との熱膨張係数の整合性の点、あるいは組み立て時、使用時の剛性の点から好ましい。
【００３３】
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれらの繊維強化物が挙げられる。
【００３４】
本発明における非磁性下地層は、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む合金により構成される。また本発明における非磁性下地層は、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む合金に、他の補助的効果を有する元素を添加しても良く、添加元素としてはＭｏ，Ｗ、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ、Ｃｒが例示できる。
【００３５】
Ｖ−Ｔｉ系合金においては、Ｔｉの濃度は１ａｔ％（ａｔ％は原子％を示す。以下同じ。）〜４０ａｔ％の範囲内が好ましい。Ｔｉ濃度が１ａｔ％未満ではＴｉ添加の効果が小さく粒径が微細化されない。Ｔｉ濃度が４０％を超えるとＶ−Ｔｉ系合金の結晶配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。
【００３６】
Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金においては、Ｔｉの濃度は１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内が好ましい。Ｔｉ濃度が１ａｔ％未満ではＴｉ添加の効果が小さく粒径が微細化されない。Ｔｉ濃度が４０％を超えるとＶ−Ｔｉ合金の配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。またＢの濃度が２０ａｔ％より高くなると、Ｖ−Ｔｉ―Ｂ系合金の結晶配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。
【００３７】
非磁性層基板にガラスなどの非金属材料を用いる場合は、非磁性層基板と下地層との間に、非磁性のＴａ−Ｃｏ系合金、Ｔａ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｂ系合金、あるいは、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｗ合金の２層、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｍｏ合金の２層からなる層を形成すると、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金の配向性が向上するので好ましい。本特許ではこの層を非磁性シード層と呼ぶことにする。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地層を２層以上の積層構造から形成するのが好ましく、非磁性下地層を、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む層（図１の第１非磁性下地層２に該当する。）と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層（図１の第２非磁性下地層３に該当する。）から形成し、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む層を非磁性基板側に形成するのが好ましい。
【００３８】
本発明の磁気記録媒体で、非磁性下地層を２層以上から形成する際の、表面側に形成する層（図１の第２非磁性下地層３に該当する。）は、Ｃｒ層では格子定数が小さいので、Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｔｉ系合金などのように、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ、Ｔｉなどを添加してＣｒの格子定数を広げ、磁性層のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体で、非磁性下地層にＣｒ層またはＣｒ合金層を成膜する理由は、磁性層のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが目的である。Ｖ−Ｔｉ系合金はＣｒ合金同様ｂｃｃ構造を取る。したがって、Ｖ−Ｔｉ系合金の（１００）面には、Ｃｏ合金の（１１・０）面が配向し易く、Ｖ−Ｔｉ系合金の（１１２）面にはＣｏ合金の（１０・０）面が配向し易い。
【００４０】
Ｖ−Ｔｉ系合金の格子定数はＴｉの濃度によって変化するが、３．０４〜３．１４オングストローム（１オングストロームは０．１ｎｍ）の範囲である。一方、ＣｒまたはＣｒ合金の格子定数は添加元素濃度によって変化するが、２．８８〜３．００オングストロームの範囲である。このように、Ｖ−Ｔｉ系合金の格子定数はＣｒ合金よりも大きいので、Ｃｏ合金との格子定数にマッチングが、Ｃｒ合金と比較すると弱くなる。Ｖ−Ｔｉ系合金により結晶粒径の微細化が達成されるが、格子定数が大きいためにＣｏ合金との格子マッチングが弱くなりＣｏ合金の配向性が低下してしまう。この点を補うために、ＣｒまたはＣｒ合金を成膜しＣｏ合金との格子マッチングを改善しＣｏ合金の配向性を向上させることができる。この結果として、結晶粒径の微細化と配向性の向上が同時に達成される。なお、Ｂ添加によりＶ−Ｔｉ系合金の構造、格子定数は変化しないので上述の議論はＶ−Ｔｉ−Ｂ系合金にも適用される。
【００４１】
Ｃｏの格子定数はａ軸が２．５１オングストローム、ｃ軸が４．０７オングストロームである。Ｃｏ合金の格子定数は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓなどの元素を添加することにより、大きくなる。例えば、Ｐｔを１０ａｔ％添加することによりＣｏ合金の格子定数はａ軸が２．５５オングストローム、ｃ軸が４．１２オングストロームに広がる。Ｐｔを添加すると磁性層の磁気異方性定数が向上するので、保持力を向上させる。磁気記録媒の高記録密度化を達成するためには保持力（Ｈｃ）をさらに向上させる必要性がある。Ｐｔの添加濃度は磁気記録媒の高記録密度化に伴い年々増加している。このことから今後、高保持力化のためにＰｔの添加濃度が増加し、Ｃｏ合金の格子定数は大きくなることが予想される。この結果として、Ｃｒ合金を用いないでも、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金のみでもＣｏ合金との格子マッチングが向上し、結晶粒径の微細化と配向性の向上が同時に達成される可能性がある。
【００４２】
非磁性下地層のＶ−Ｔｉ系合金層またはＶ−Ｔｉ−Ｂ系合金層の結晶配向は、（１００）面を優先配向面とするのが好ましい。その結果、非磁性下地層のＣｒ層またはＣｒ合金層の結晶配向は（１００）面が優先配向面となり、さらに（１００）面非磁性下地層の上に形成した磁性層のＣｏ合金の結晶配向がより強く（１１・０）を示すので、磁気的特性例えば保持力（Ｈｃ）の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。
【００４３】
磁性層は、直下の非磁性下地層の、例えば（１００）面と充分に良く格子がマッチングするＣｏを主原料としたＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造である材料とするのが好ましい。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金から選ばれたいずれか一種を含むものとするのが好ましい。
【００４４】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４５】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４６】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４７】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４８】
磁性層の膜厚は１５ｎｍ以上であれば熱揺らぎの観点から問題ないが、高記録密度への要求から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。４０ｎｍを越えると、磁性層の結晶粒径が増大してしまい、好ましい記録再生特性が得られないからである。磁性層は、多層構造としても良く、その材料は上記のなかから選ばれる何れかを用いた組み合わせとすることができる。多層構造とした場合、非磁性下地層の直上は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。
【００４９】
非磁性下地層と磁性層との間にＣｏ合金のエピタキシャル成長を助長する目的として非磁性中間層を設けるのが好ましい。磁気的特性例えば保磁力の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。非磁性中間層はＣｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金としたときＣｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。非磁性中間層の膜厚は０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００５０】
磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となっているのが好ましい。ＣｒとＢとが高濃度で共存するのを防ぎ、ＣｒとＢとの共有結合性化合物の生成を極力抑え、その結果それによる磁性層中の配向の低下を防ぐことができるからである。
【００５１】
保護膜は、従来の公知の材料、例えば、カ−ボン、ＳｉＣの単体またはそれらを主成分とした材料を使用することができる。保護膜の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であるのが高記録密度状態で使用した場合のスペ−シングロスまたは耐久性の点から好ましい。
【００５２】
保護膜上には必要に応じ例えばパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設けることができる。
【００５３】
非磁性基板はその表面に、テクスチャ−処理によるテクスチャ−痕を有したものとしても良い。テクスチャ−痕を有した基板の表面の平均粗さが、０．１ｎｍ〜０．７ｎｍの範囲内（より好ましくは０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲内。さらに好ましくは０．１ｎｍ〜０．３５ｎｍの範囲内。）となるように加工するのが好ましい。テクスチャ−痕はほぼ円周方向に形成されているのが磁気記録媒体の円周方向の磁気的異方性を強める点から好ましい。
【００５４】
テクスチャ−加工は、オッシレ−ションを加えたテクスチャ−加工とすることができる。オッシレ−ションとは、テ−プを基板の円周方向に走行させると同時に、テ−プを基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレ−ションの条件は６０回／分〜１２００回／分の範囲内とすることが、テクスチャ−による表面研削量が均一になるので好ましい。
【００５５】
テクスチャ−加工の方法としては、線密度が７５００本／ｍｍ以上のテクスチャ−痕を形成する方法を用いることができ、前述したテ−プを用いたメカニカルテクスチャ−による方法以外に固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レ−ザ−加工を用いた方法を用いることができる。
【００５６】
図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッドを用いることができる。
【００５７】
上記磁気記録再生装置によれば、高記録密度に適した磁気記録再生装置を製造することが可能となる。
【００５８】
次に本発明の製造方法の一例を説明する。
【００５９】
非磁性基板として、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているＮｉＰメッキＡｌ基板、または、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカ−バイド、カ−ボン、樹脂の非金属材料からなるものもしくはこれらの非金属材料の、基板の上にＮｉＰまたはＮｉ−Ｐ系合金の膜を形成したものから選ばれるいずれかを用いる。
【００６０】
非磁性基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストロ−ム）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
【００６１】
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下。）であるのが好ましい。端面のチャンファ−部の面取り部、側面部の少なくとも一方の、いずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下。）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００６２】
必要に応じて非磁性基板の表面にテクスチャ−加工を施した後、基板を洗浄して、基板を成膜装置のチャンバ−内に設置する。必要に応じて基板は、例えばヒ−タより１００℃〜４００℃の範囲内で加熱する。非磁性基板１上に、第１非磁性下地層２、第２非磁性下地層３、非磁性中間層４、磁性層５を各層の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタリング用タ−ゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成する。
【００６３】
膜を形成するためのスパッタリングの条件は例えば次のようにする。形成に用いるチャンバ内は真空度が１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａの範囲内となるまで排気する。チャンバ内に基板を収容して、スパッタ−用ガスとしてＡｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワ−は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷの範囲内とし、放電時間と供給するパワ−を調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
【００６４】
非磁性層基板にガラスなどの非金属材料を用いる場合は、非磁性層基板と下地層との間に、非磁性のＴａ−Ｃｏ系合金、Ｔａ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｂ系合金、あるいは、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｗ合金の２層、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｍｏ合金の２層からなる非磁性シード層を形成すると、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金の配向性配向性が向上するので好ましい。非磁性シード層を成膜する場合、非磁性シード層を成膜した後、その表面を酸素雰囲気に曝露する工程を有することが好ましい。曝露する酸素雰囲気は、例えば５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。また曝露用の雰囲気ガスを水と接触させたものを用いることもできる。また曝露時間は、０．５秒〜１５秒の範囲内とするのが好ましい。例えば、第１非磁性下地層を形成後チャンバから取出し外気雰囲気または酸素雰囲気中に曝露させることが好ましい。またはチャンバから取り出さずチャンバ内に大気または酸素を導入して曝露させる方法を用いることも好ましい。特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り出すような煩雑な工程がいらないので、非磁性下地層、磁性層の成膜を含めて一連の成膜工程として続けて処理することができるので好ましい。その場合は例えば、到達真空度が１０−６Ｐａ以下において５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。なお、酸素による暴露時の酸素ガス圧の上限であるが、大気圧での暴露も可能であるが、好ましくは、５×１０−２Ｐａ以下とするのが良い。
【００６５】
非磁性下地層を形成した後、１５ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有した磁性層を磁性層の材料からなるスパッタリング用タ−ゲットを用いて同様にスパッタリング法により形成する。スパッタリング用タ−ゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系から選ばれたいずれか一種を含むものを原料としたものを用いることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。
【００６６】
ここで、非磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶配向は優先配向面が（１１２）を示しているように形成するのが好ましい。
【００６７】
非磁性下地層と磁性層との間に非磁性中間層を設ける場合は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金（Ｃｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内。）を原料としたスパッタリング用タ−ゲットを用いるのが好ましい。このとき、磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となるようなスパッタ−条件で成膜するのが好ましい。
【００６８】
磁性層を形成した後、公知の方法、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜、たとえばカ−ボンを主成分とする保護膜を形成する。
【００６９】
さらに、保護膜上には必要に応じパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコ−ト法などを用いて塗布し潤滑層を形成する。
【００７０】
（実施例１）
非磁性基板としてアルミニウム合金基板（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）にＮｉＰを無電解メッキで１２μｍつけてをテクスチャーを施し平均表面粗さＲａ＝０．５ｎｍにしたものを用いた。この基板にＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）まで排気した後、２５０℃に加熱した。第１非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるターゲットを用いて６０オングストローム積層し、さらに第２非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるターゲットを用いて２０オングストローム積層した。非磁性中間層としてはＣｏ−Ｃｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金層を２００オングストロ−ムの膜厚で形成し、保護膜（カ−ボン）５０オングストロ−ムを積層した。成膜時のＡｒ圧は３ｍＴｏｒｒとした。パ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤２０オングストロ−ムをディップ法で塗布し潤滑層を形成した。
【００７１】
その後グライドテスタ−を用いて、テスト条件のグライド高さを０．４μｉｎｃｈとして、グライドテストを行ない、合格した磁気記録媒体をリ−ドライトアナライザ−ＲＷＡ１６３２（ＧＵＺＩＫ社製）を用いて記録再生特性を調べた。記録再生特性は、再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ）などの電磁変換特性を測定した。記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。ノイズの測定は５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力を２５０ｋＦＣＩで測定し、ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。保磁力（Ｈｃ）および角形比（Ｓ＊）の測定にはカ−効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社製）を用いた。
【００７２】
（実施例２）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：７７ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７３】
（実施例３）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：８７ａｔ％、Ｔｉ：１０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７４】
（実施例４）
非磁性基板としてガラス基板（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗さ３オングストロ−ム）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）まで排気した後、非磁性シード層として、Ｔａ−Ｃｏ合金（Ｔａ：７５ａｔ％、Ｃｏ：２５ａｔ％）からなるタ−ゲットも用いて常温にて２００オングストロ−ム積層した。
【００７５】
その後、基板を２５０℃に加熱した。加熱後、酸素暴露を０．１Ｐａで５秒間実施した。第１非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した。第２非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。非磁性中間層としてはＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金層を２００オングストロ−ムの膜厚で形成し、保護膜（カ−ボン）５０オングストロ−ムを積層した。成膜時のＡｒ圧は３ｍＴｏｒｒとした。パ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤２０オングストロ−ムをディップ法で塗布し潤滑層を形成した。評価方法は実施例１と同様とした。
【００７６】
（実施例５）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：７７ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００７７】
（実施例６）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：８７ａｔ％、Ｔｉ：１０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００７８】
（比較例１）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて８０−オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７９】
（比較例２）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて８０−オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００８０】
図３に実施例１におけるＸ線回折結果を示す。Ｃｏ合金の（１１・０）面の回折パターンのみ確認でき、Ｃｏ合金の（１１・０）面のみが選択的に配向していることが分かる。実施例１では、第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）は６０オングストローム積層と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）は２０オングストローム積層と膜厚が薄いのでＸ線回折測定ではピークが観察されない。そこで、実施例１において、第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）を３００オングストローム積層と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）を３００オングストローム積層し、それ以降の非磁性中間層、磁性層は成膜せず、保護膜を成膜したサンプルを作成した。
【００８１】
図４にこのサンプルのＸ線回折結果を示す。Ｖ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金の（２００）面の回折パターンのみ確認でき、Ｖ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金の（２００）面のみが選択的に配向していることが分かる。このときの（２００）面から計算されるＶ−Ｔｉ合金の格子定数は３．１１オングストローム、Ｃｒ−Ｔｉ合金の格子定数は２．９７オングストロームである。
【００８２】
実施例１〜６、比較例１〜２のの記録再生特性および保持力（Ｈｃ）、角型比の結果を表１に示す。実施例１，２、３、比較例１は異方性媒体であり、実施例４，５、６、比較例２は等方性媒体であるので、特性の比較は実施例１，２、３と比較例１、実施例４，５，６と比較例２の間で行なうことが妥当である。一般的に等方性媒体と異方性媒体では異方性媒体の方が再生信号出力（ＴＡＡ）が大きくなる特徴がある。比較例１と比べると実施例１ではＳＮＲが１．２ｄＢ、実施例２では１．８ｄＢ、実施例３では１．７ｄＢ向上していることが確認できた。比較例２と比べると実施例４ではＳＮＲが０．８ｄＢ、実施例５では１．４ｄＢ、実施例６では１．６ｄＢ向上していることが確認できた。
【００８３】
実施例１と実施例２、実施例３では、実施例２、実施例３の方が、ＳＮＲが良好である。一方、保持力、角型比では実施例１の方が実施例２、実施例３よりも優れていること分かる。実施例１はＶ−Ｔｉ合金であり、実施例２、実施例３はＶ−Ｔｉ−Ｂ合金である。実施例１〜３より、Ｖ−Ｔｉ系合金にＢを添加することにより、ＳＮＲは向上するが、保持力、角型は低下すると言える。Ｂ添加により、ＳＮＲと保持力、角型はトレードオフの関係になっている。ＳＮＲ、保持力、角型をどうするかは、磁気ヘッド、信号処理系との組み合わせによって最適化をする必要性がある。磁気ヘッド、信号処理系との組み合わせによって保持力、角型を優先する場合は、Ｖ−Ｔｉ系合金を用い、ＳＮＲを優先する場合は、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を用いることが好ましい。実施例４〜６についても同様のことが言える。
【００８４】
【表１】
【００８５】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体であるのでＳＮＲが向上し、高記録密度に適した磁気記録媒体となる。
【００８６】
また、本発明の磁気記録再生装置においては、上述の磁気記録媒体を用いているので高記録密度に適したものになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示したものである。
【図２】本発明の記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。
【図３】実施例１におけるＸ線回折結果を示す。
【図４】実施例１において、第１非磁性下地層を３００オングストローム、第２非磁性下地層を３００オングストローム積層し、非磁性中間層、磁性層を成膜せずに、保護膜を成膜したサンプルのＸ線回折結果を示す。
【符号の説明】
１ 非磁性基板
２ 第１非磁性下地層
３ 第２非磁性下地層
４ 第３非磁性下地層
５ 非磁性中間層
６ 磁性層
７ 保護膜
２０ 磁気記録媒体
２１ 媒体駆動部
２２ 磁気ヘッド
２３ ヘッド駆動部
２４ 記録再生信号処理系
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハ−ドディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％で増えており今後もその傾向は続くと言われている。高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
【０００４】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒としては、磁気記録媒体用の基板にスパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。磁気記録媒体に用いられる基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板とは鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものである。ガラス基板にはアモルファスガラスと結晶化ガラスの２種類がある。どちらのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
【０００５】
現在一般的に用いられているハ−ドディスク装置用磁気記録媒体においては、非磁性基板上に非磁性下地層（Ｎｉ−Ａｌ系合金、Ｃｒ、Ｃｒ系合金等）、非磁性中間層（Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金等）、磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等）、保護膜（カ−ボン等）が順次成膜されており、その上に液体潤滑剤からなる潤滑膜が形成されている。
【０００６】
磁性層に用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等はＣｏが主成分である合金である。Ｃｏ合金はＣ軸に磁化容易軸をもつ六方最密構造（ｈｃｐ構造）をとる。磁気記録媒の記録方式には面内記録と垂直記録があり、一般的に磁性膜にはＣｏ合金が用いられている。面内記録の場合、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して平行に配向しており、垂直媒体の場合、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して垂直に配向している。したがって、面内記録の場合、Ｃｏ合金は（１０・０）面あるは（１１・０）面に配向していることが望ましい。
【０００７】
なお、結晶面表記の中の「・」は、結晶面を表すミラ−ブラベ−指数の省略形を示す。すなわち、結晶面を表わすのにＣｏのような六方晶系では、通常（ｈｋｉｌ）と４つの指数で表わすが、この中で「ｉ」に関してはｉ＝−（ｈ＋ｋ）と定義されており、この「ｉ」の部分を省略した形式では、（ｈｋ・ｌ）と表記する。
【０００８】
垂直記録の場合には、Ｃｏ合金は（００・１）面に配向していることが望ましい。逆に、面内記録の場合、Ｃｏ合金の（１０・１）面や（００・１）面の垂直成分を含む配向が存在すると面内方向の磁化の低下を促し好ましくない。
【０００９】
Ｃｏ合金の（１０・０）面や（１１・０）面を直接配向させることは難しく通常は体心立方構造（ｂｃｃ構造）をとるＣｒ合金が下地層として用いられている。Ｃｒ合金の（１００）面には、Ｃｏ合金の（１１・０）面が配向し易く、Ｃｒ合金の（１１２）面にはＣｏ合金の（１０・０）面が配向し易い。
【００１０】
磁気記録媒体の高記録密度化には、媒体ノイズの低減が必要である。ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、８７巻、５３６５〜５３７０ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．８７，ｐｐ．５３６５−５３７０）には、媒体ノイズの低減はＣｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが有効であることが理論式として記載されている。ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、８７巻、５４０７〜５４０９ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．８７，ｐｐ．５４０７−５４０９）には、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることにより、媒体ノイズが低減し高記録密度に適した磁気記録媒体が作成できたことが記載されている。
【００１１】
このように媒体ノイズの低減にはＣｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが重要である。Ｃｏ合金はＣｒ合金の上にエピタキシャル成長することから、Ｃｒ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることが、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくすることに寄与することは容易に推察できる。
【００１２】
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、９１巻、８６１１〜８６１３ページ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．９１，ｐｐ．８６１１−８６１３）には、Ｃｒ合金にＣｒ−Ｔｉ−Ｂ合金を用いることにより、Ｃｒ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布を小さくし、その結果として、Ｃｏ合金の平均結晶粒径と結晶粒径の分布が小さくなり媒体ノイズが低減されたことが記載されている。
【００１３】
Ｃｒには、さまざま元素が添加され特性が向上することが報告されている。特開昭６３−１９７０１８号公報ではＣｒにＴｉを添加することが有効であると記載されている。米国特許４６５２４９９号公報ではＣｒにＶを添加することが有効であると記載されている。特開昭６３−１８７４１６号公報ではＣｒにＭｏ，Ｗを添加することが有効であると記載されている。特開平７−７３４２７号公報と特開２０００−３２２７３２号公報では、下地層を、Ｃｒを主成分とする添加元素の異なる２層で構成することが有効であると記載されている。特開平１１−２８３２３５号公報では、Ｃｒを主成分とする下地層に酸素や窒素を添加することが有効であると記載されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように下地層には主としてＣｒ合金が用いられている。下地層の改善により媒体ノイズを低減させる手法としては、Ｃｒ合金の平均結晶粒径の微細化や配向性の向上、Ｃｏ合金との格子整合などが用いられてきた。下地層に用いられるＣｒ合金はＣｒが主成分であるので、その特性は主としてＣｒ固有の性質に起因してしまう。その結果として磁気記録媒の下地層の設計を狭めてしまう結果となっている。
【００１５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法、製造に用いるスパッタリング用タ−ゲットおよび磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記問題を解決するために、鋭意努力検討した結果、非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を用いることにより磁気記録再生装置の特性を向上できることを見出し本発明を完成した。即ち本発明は以下に関する。
【００１７】
（１）少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（２）Ｖ−Ｔｉ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【００１９】
（３）Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であり、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【００２０】
（４）非磁性下地層が２層以上の積層構造からなることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２１】
（５）非磁性下地層が、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含むことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２２】
（６）非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンからなることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２３】
（７）非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンの表面にＮｉ−Ｐ系合金をメッキしたものであることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２４】
（８）磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである。）から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００２５】
（９）（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示したものである。本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板１、非磁性下地層（２および３）、磁性層５及び保護膜６をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする。
【００２７】
また本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地層を２層以上から構成するのが好ましく、非磁性下地層と磁性層５の間に、非磁性中間層４を設け、また、保護膜６の上に潤滑層を設けるのが好ましい。なお、図１は、非磁性下地層を、第１非磁性下地層２、第２非磁性下地層３の２層から構成した例である。
【００２８】
本発明における非磁性基板としては、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているＮｉ−Ｐ系合金メッキ膜が形成されたＡｌ合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板と呼ぶ。）に加え、非磁性基板としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカ−バイド、カ−ボン、樹脂などの非金属材料からなるもの、及びこれらの非金属材料基板の上にＮｉＰまたはＮｉ−Ｐ系合金の膜を形成したものを挙げることができる。
【００２９】
本発明の非磁性下地層を用いた場合、非磁性基板として、Ａｌ合金基板に加えて、非金属基板においても良好に磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【００３０】
磁気記録再生装置では、記録密度の上昇に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されているために、基板表面の高い平滑性が必要となる。すなわち、本発明に用いられる非磁性層基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストロ−ム）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
【００３１】
本発明の非磁性基板に用いる非金属材料としては、コスト、耐久性の点からガラス基板を用いるのが好ましい。表面平滑性の点からはガラス基板、シリコン基板等を用いることが好ましい。
【００３２】
ガラス基板は結晶化ガラスまたはアモルファスガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては汎用のソ−ダライムガラス、アルミノケ−トガラス、アルミノシリケ−トを使用できる。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。ここで結晶化ガラスの構成成分としてはＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏが含まれているものが、実際にドライブ装置に組み込んで使用した場合に他の部品との熱膨張係数の整合性の点、あるいは組み立て時、使用時の剛性の点から好ましい。
【００３３】
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれらの繊維強化物が挙げられる。
【００３４】
本発明における非磁性下地層は、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む合金により構成される。また本発明における非磁性下地層は、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む合金に、他の補助的効果を有する元素を添加しても良く、添加元素としてはＭｏ，Ｗ、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ、Ｃｒが例示できる。
【００３５】
Ｖ−Ｔｉ系合金においては、Ｔｉの濃度は１ａｔ％（ａｔ％は原子％を示す。以下同じ。）〜４０ａｔ％の範囲内が好ましい。Ｔｉ濃度が１ａｔ％未満ではＴｉ添加の効果が小さく粒径が微細化されない。Ｔｉ濃度が４０％を超えるとＶ−Ｔｉ系合金の結晶配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。
【００３６】
Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金においては、Ｔｉの濃度は１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内が好ましい。Ｔｉ濃度が１ａｔ％未満ではＴｉ添加の効果が小さく粒径が微細化されない。Ｔｉ濃度が４０％を超えるとＶ−Ｔｉ合金の配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。またＢの濃度が２０ａｔ％より高くなると、Ｖ−Ｔｉ―Ｂ系合金の結晶配向性が低下してしまい保持力（Ｈｃ）が低下してしまう。
【００３７】
非磁性層基板にガラスなどの非金属材料を用いる場合は、非磁性層基板と下地層との間に、非磁性のＴａ−Ｃｏ系合金、Ｔａ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｂ系合金、あるいは、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｗ合金の２層、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｍｏ合金の２層からなる層を形成すると、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金の配向性が向上するので好ましい。本特許ではこの層を非磁性シード層と呼ぶことにする。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地層を２層以上の積層構造から形成するのが好ましく、非磁性下地層を、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む層（図１の第１非磁性下地層２に該当する。）と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層（図１の第２非磁性下地層３に該当する。）から形成し、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金からなる群から選ばれる何れか１種以上を含む層を非磁性基板側に形成するのが好ましい。
【００３８】
本発明の磁気記録媒体で、非磁性下地層を２層以上から形成する際の、表面側に形成する層（図１の第２非磁性下地層３に該当する。）は、Ｃｒ層では格子定数が小さいので、Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｔｉ系合金などのように、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ、Ｔｉなどを添加してＣｒの格子定数を広げ、磁性層のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体で、非磁性下地層にＣｒ層またはＣｒ合金層を成膜する理由は、磁性層のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが目的である。Ｖ−Ｔｉ系合金はＣｒ合金同様ｂｃｃ構造を取る。したがって、Ｖ−Ｔｉ系合金の（１００）面には、Ｃｏ合金の（１１・０）面が配向し易く、Ｖ−Ｔｉ系合金の（１１２）面にはＣｏ合金の（１０・０）面が配向し易い。
【００４０】
Ｖ−Ｔｉ系合金の格子定数はＴｉの濃度によって変化するが、３．０４〜３．１４オングストローム（１オングストロームは０．１ｎｍ）の範囲である。一方、ＣｒまたはＣｒ合金の格子定数は添加元素濃度によって変化するが、２．８８〜３．００オングストロームの範囲である。このように、Ｖ−Ｔｉ系合金の格子定数はＣｒ合金よりも大きいので、Ｃｏ合金との格子定数にマッチングが、Ｃｒ合金と比較すると弱くなる。Ｖ−Ｔｉ系合金により結晶粒径の微細化が達成されるが、格子定数が大きいためにＣｏ合金との格子マッチングが弱くなりＣｏ合金の配向性が低下してしまう。この点を補うために、ＣｒまたはＣｒ合金を成膜しＣｏ合金との格子マッチングを改善しＣｏ合金の配向性を向上させることができる。この結果として、結晶粒径の微細化と配向性の向上が同時に達成される。なお、Ｂ添加によりＶ−Ｔｉ系合金の構造、格子定数は変化しないので上述の議論はＶ−Ｔｉ−Ｂ系合金にも適用される。
【００４１】
Ｃｏの格子定数はａ軸が２．５１オングストローム、ｃ軸が４．０７オングストロームである。Ｃｏ合金の格子定数は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓなどの元素を添加することにより、大きくなる。例えば、Ｐｔを１０ａｔ％添加することによりＣｏ合金の格子定数はａ軸が２．５５オングストローム、ｃ軸が４．１２オングストロームに広がる。Ｐｔを添加すると磁性層の磁気異方性定数が向上するので、保持力を向上させる。磁気記録媒の高記録密度化を達成するためには保持力（Ｈｃ）をさらに向上させる必要性がある。Ｐｔの添加濃度は磁気記録媒の高記録密度化に伴い年々増加している。このことから今後、高保持力化のためにＰｔの添加濃度が増加し、Ｃｏ合金の格子定数は大きくなることが予想される。この結果として、Ｃｒ合金を用いないでも、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金のみでもＣｏ合金との格子マッチングが向上し、結晶粒径の微細化と配向性の向上が同時に達成される可能性がある。
【００４２】
非磁性下地層のＶ−Ｔｉ系合金層またはＶ−Ｔｉ−Ｂ系合金層の結晶配向は、（１００）面を優先配向面とするのが好ましい。その結果、非磁性下地層のＣｒ層またはＣｒ合金層の結晶配向は（１００）面が優先配向面となり、さらに（１００）面非磁性下地層の上に形成した磁性層のＣｏ合金の結晶配向がより強く（１１・０）を示すので、磁気的特性例えば保持力（Ｈｃ）の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。
【００４３】
磁性層は、直下の非磁性下地層の、例えば（１００）面と充分に良く格子がマッチングするＣｏを主原料としたＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造である材料とするのが好ましい。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金から選ばれたいずれか一種を含むものとするのが好ましい。
【００４４】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４５】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４６】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４７】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４８】
磁性層の膜厚は１５ｎｍ以上であれば熱揺らぎの観点から問題ないが、高記録密度への要求から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。４０ｎｍを越えると、磁性層の結晶粒径が増大してしまい、好ましい記録再生特性が得られないからである。磁性層は、多層構造としても良く、その材料は上記のなかから選ばれる何れかを用いた組み合わせとすることができる。多層構造とした場合、非磁性下地層の直上は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。
【００４９】
非磁性下地層と磁性層との間にＣｏ合金のエピタキシャル成長を助長する目的として非磁性中間層を設けるのが好ましい。磁気的特性例えば保磁力の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。非磁性中間層はＣｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金としたときＣｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。非磁性中間層の膜厚は０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００５０】
磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となっているのが好ましい。ＣｒとＢとが高濃度で共存するのを防ぎ、ＣｒとＢとの共有結合性化合物の生成を極力抑え、その結果それによる磁性層中の配向の低下を防ぐことができるからである。
【００５１】
保護膜は、従来の公知の材料、例えば、カ−ボン、ＳｉＣの単体またはそれらを主成分とした材料を使用することができる。保護膜の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であるのが高記録密度状態で使用した場合のスペ−シングロスまたは耐久性の点から好ましい。
【００５２】
保護膜上には必要に応じ例えばパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設けることができる。
【００５３】
非磁性基板はその表面に、テクスチャ−処理によるテクスチャ−痕を有したものとしても良い。テクスチャ−痕を有した基板の表面の平均粗さが、０．１ｎｍ〜０．７ｎｍの範囲内（より好ましくは０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲内。さらに好ましくは０．１ｎｍ〜０．３５ｎｍの範囲内。）となるように加工するのが好ましい。テクスチャ−痕はほぼ円周方向に形成されているのが磁気記録媒体の円周方向の磁気的異方性を強める点から好ましい。
【００５４】
テクスチャ−加工は、オッシレ−ションを加えたテクスチャ−加工とすることができる。オッシレ−ションとは、テ−プを基板の円周方向に走行させると同時に、テ−プを基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレ−ションの条件は６０回／分〜１２００回／分の範囲内とすることが、テクスチャ−による表面研削量が均一になるので好ましい。
【００５５】
テクスチャ−加工の方法としては、線密度が７５００本／ｍｍ以上のテクスチャ−痕を形成する方法を用いることができ、前述したテ−プを用いたメカニカルテクスチャ−による方法以外に固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レ−ザ−加工を用いた方法を用いることができる。
【００５６】
図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッドを用いることができる。
【００５７】
上記磁気記録再生装置によれば、高記録密度に適した磁気記録再生装置を製造することが可能となる。
【００５８】
次に本発明の製造方法の一例を説明する。
【００５９】
非磁性基板として、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているＮｉＰメッキＡｌ基板、または、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカ−バイド、カ−ボン、樹脂の非金属材料からなるものもしくはこれらの非金属材料の、基板の上にＮｉＰまたはＮｉ−Ｐ系合金の膜を形成したものから選ばれるいずれかを用いる。
【００６０】
非磁性基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストロ−ム）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
【００６１】
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下。）であるのが好ましい。端面のチャンファ−部の面取り部、側面部の少なくとも一方の、いずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下。）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００６２】
必要に応じて非磁性基板の表面にテクスチャ−加工を施した後、基板を洗浄して、基板を成膜装置のチャンバ−内に設置する。必要に応じて基板は、例えばヒ−タより１００℃〜４００℃の範囲内で加熱する。非磁性基板１上に、第１非磁性下地層２、第２非磁性下地層３、非磁性中間層４、磁性層５を各層の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタリング用タ−ゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成する。
【００６３】
膜を形成するためのスパッタリングの条件は例えば次のようにする。形成に用いるチャンバ内は真空度が１０−４Ｐａ〜１０−７Ｐａの範囲内となるまで排気する。チャンバ内に基板を収容して、スパッタ−用ガスとしてＡｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワ−は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷの範囲内とし、放電時間と供給するパワ−を調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
【００６４】
非磁性層基板にガラスなどの非金属材料を用いる場合は、非磁性層基板と下地層との間に、非磁性のＴａ−Ｃｏ系合金、Ｔａ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｂ系合金、あるいは、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｗ合金の２層、Ｃｒ−Ｔａ合金とＣｏ−Ｍｏ合金の２層からなる非磁性シード層を形成すると、Ｖ−Ｔｉ系合金、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金の配向性配向性が向上するので好ましい。非磁性シード層を成膜する場合、非磁性シード層を成膜した後、その表面を酸素雰囲気に曝露する工程を有することが好ましい。曝露する酸素雰囲気は、例えば５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。また曝露用の雰囲気ガスを水と接触させたものを用いることもできる。また曝露時間は、０．５秒〜１５秒の範囲内とするのが好ましい。例えば、第１非磁性下地層を形成後チャンバから取出し外気雰囲気または酸素雰囲気中に曝露させることが好ましい。またはチャンバから取り出さずチャンバ内に大気または酸素を導入して曝露させる方法を用いることも好ましい。特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り出すような煩雑な工程がいらないので、非磁性下地層、磁性層の成膜を含めて一連の成膜工程として続けて処理することができるので好ましい。その場合は例えば、到達真空度が１０−６Ｐａ以下において５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。なお、酸素による暴露時の酸素ガス圧の上限であるが、大気圧での暴露も可能であるが、好ましくは、５×１０−２Ｐａ以下とするのが良い。
【００６５】
非磁性下地層を形成した後、１５ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有した磁性層を磁性層の材料からなるスパッタリング用タ−ゲットを用いて同様にスパッタリング法により形成する。スパッタリング用タ−ゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系から選ばれたいずれか一種を含むものを原料としたものを用いることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。
【００６６】
ここで、非磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶配向は優先配向面が（１１２）を示しているように形成するのが好ましい。
【００６７】
非磁性下地層と磁性層との間に非磁性中間層を設ける場合は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金（Ｃｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内。）を原料としたスパッタリング用タ−ゲットを用いるのが好ましい。このとき、磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となるようなスパッタ−条件で成膜するのが好ましい。
【００６８】
磁性層を形成した後、公知の方法、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜、たとえばカ−ボンを主成分とする保護膜を形成する。
【００６９】
さらに、保護膜上には必要に応じパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコ−ト法などを用いて塗布し潤滑層を形成する。
【００７０】
（実施例１）
非磁性基板としてアルミニウム合金基板（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）にＮｉＰを無電解メッキで１２μｍつけてをテクスチャーを施し平均表面粗さＲａ＝０．５ｎｍにしたものを用いた。この基板にＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）まで排気した後、２５０℃に加熱した。第１非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるターゲットを用いて６０オングストローム積層し、さらに第２非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるターゲットを用いて２０オングストローム積層した。非磁性中間層としてはＣｏ−Ｃｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金層を２００オングストロ−ムの膜厚で形成し、保護膜（カ−ボン）５０オングストロ−ムを積層した。成膜時のＡｒ圧は３ｍＴｏｒｒとした。パ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤２０オングストロ−ムをディップ法で塗布し潤滑層を形成した。
【００７１】
その後グライドテスタ−を用いて、テスト条件のグライド高さを０．４μｉｎｃｈとして、グライドテストを行ない、合格した磁気記録媒体をリ−ドライトアナライザ−ＲＷＡ１６３２（ＧＵＺＩＫ社製）を用いて記録再生特性を調べた。記録再生特性は、再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ）などの電磁変換特性を測定した。記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。ノイズの測定は５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力を２５０ｋＦＣＩで測定し、ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。保磁力（Ｈｃ）および角形比（Ｓ＊）の測定にはカ−効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社製）を用いた。
【００７２】
（実施例２）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：７７ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７３】
（実施例３）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：８７ａｔ％、Ｔｉ：１０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７４】
（実施例４）
非磁性基板としてガラス基板（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ、表面粗さ３オングストロ−ム）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）まで排気した後、非磁性シード層として、Ｔａ−Ｃｏ合金（Ｔａ：７５ａｔ％、Ｃｏ：２５ａｔ％）からなるタ−ゲットも用いて常温にて２００オングストロ−ム積層した。
【００７５】
その後、基板を２５０℃に加熱した。加熱後、酸素暴露を０．１Ｐａで５秒間実施した。第１非磁性下地層として、Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した。第２非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。非磁性中間層としてはＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２０オングストロ−ム積層した。磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金層を２００オングストロ−ムの膜厚で形成し、保護膜（カ−ボン）５０オングストロ−ムを積層した。成膜時のＡｒ圧は３ｍＴｏｒｒとした。パ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤２０オングストロ−ムをディップ法で塗布し潤滑層を形成した。評価方法は実施例１と同様とした。
【００７６】
（実施例５）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：７７ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００７７】
（実施例６）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ合金（Ｖ：８７ａｔ％、Ｔｉ：１０ａｔ％、Ｂ：３ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて６０オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００７８】
（比較例１）
実施例１の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて８０−オングストロ−ム積層した他は実施例１と同様の処理をした。
【００７９】
（比較例２）
実施例３の第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）のかわりに、Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて８０−オングストロ−ム積層した他は実施例３と同様の処理をした。
【００８０】
図３に実施例１におけるＸ線回折結果を示す。Ｃｏ合金の（１１・０）面の回折パターンのみ確認でき、Ｃｏ合金の（１１・０）面のみが選択的に配向していることが分かる。実施例１では、第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）は６０オングストローム積層と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）は２０オングストローム積層と膜厚が薄いのでＸ線回折測定ではピークが観察されない。そこで、実施例１において、第１非磁性下地層Ｖ−Ｔｉ合金（Ｖ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）を３００オングストローム積層と第２非磁性下地層Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｔｉ：２０ａｔ％）を３００オングストローム積層し、それ以降の非磁性中間層、磁性層は成膜せず、保護膜を成膜したサンプルを作成した。
【００８１】
図４にこのサンプルのＸ線回折結果を示す。Ｖ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金の（２００）面の回折パターンのみ確認でき、Ｖ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金の（２００）面のみが選択的に配向していることが分かる。このときの（２００）面から計算されるＶ−Ｔｉ合金の格子定数は３．１１オングストローム、Ｃｒ−Ｔｉ合金の格子定数は２．９７オングストロームである。
【００８２】
実施例１〜６、比較例１〜２のの記録再生特性および保持力（Ｈｃ）、角型比の結果を表１に示す。実施例１，２、３、比較例１は異方性媒体であり、実施例４，５、６、比較例２は等方性媒体であるので、特性の比較は実施例１，２、３と比較例１、実施例４，５，６と比較例２の間で行なうことが妥当である。一般的に等方性媒体と異方性媒体では異方性媒体の方が再生信号出力（ＴＡＡ）が大きくなる特徴がある。比較例１と比べると実施例１ではＳＮＲが１．２ｄＢ、実施例２では１．８ｄＢ、実施例３では１．７ｄＢ向上していることが確認できた。比較例２と比べると実施例４ではＳＮＲが０．８ｄＢ、実施例５では１．４ｄＢ、実施例６では１．６ｄＢ向上していることが確認できた。
【００８３】
実施例１と実施例２、実施例３では、実施例２、実施例３の方が、ＳＮＲが良好である。一方、保持力、角型比では実施例１の方が実施例２、実施例３よりも優れていること分かる。実施例１はＶ−Ｔｉ合金であり、実施例２、実施例３はＶ−Ｔｉ−Ｂ合金である。実施例１〜３より、Ｖ−Ｔｉ系合金にＢを添加することにより、ＳＮＲは向上するが、保持力、角型は低下すると言える。Ｂ添加により、ＳＮＲと保持力、角型はトレードオフの関係になっている。ＳＮＲ、保持力、角型をどうするかは、磁気ヘッド、信号処理系との組み合わせによって最適化をする必要性がある。磁気ヘッド、信号処理系との組み合わせによって保持力、角型を優先する場合は、Ｖ−Ｔｉ系合金を用い、ＳＮＲを優先する場合は、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を用いることが好ましい。実施例４〜６についても同様のことが言える。
【００８４】
【表１】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体であるのでＳＮＲが向上し、高記録密度に適した磁気記録媒体となる。
【００８６】
また、本発明の磁気記録再生装置においては、上述の磁気記録媒体を用いているので高記録密度に適したものになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示したものである。
【図２】本発明の記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。
【図３】実施例１におけるＸ線回折結果を示す。
【図４】実施例１において、第１非磁性下地層を３００オングストローム、第２非磁性下地層を３００オングストローム積層し、非磁性中間層、磁性層を成膜せずに、保護膜を成膜したサンプルのＸ線回折結果を示す。
【符号の説明】
１ 非磁性基板
２ 第１非磁性下地層
３ 第２非磁性下地層
４ 第３非磁性下地層
５ 非磁性中間層
６ 磁性層
７ 保護膜
２０ 磁気記録媒体
２１ 媒体駆動部
２２ 磁気ヘッド
２３ ヘッド駆動部
２４ 記録再生信号処理系
Claims (9)
- 少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
- Ｖ−Ｔｉ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
- Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金が、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内であり、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性下地層が２層以上の積層構造からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性下地層が、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板が、アルミニウム、ガラス、または、シリコンの表面にＮｉ−Ｐ系合金をメッキしたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである。）から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002204988A JP2004046994A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2004046994A true JP2004046994A (ja) | 2004-02-12 |
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ID=31710405
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| JP2002204988A Pending JP2004046994A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014169466A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Yuutekku:Kk | 配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置 |
| JP2017106125A (ja) * | 2017-02-27 | 2017-06-15 | 株式会社ユーテック | 配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置 |
| JP2017128816A (ja) * | 2017-03-14 | 2017-07-27 | 株式会社ユーテック | 配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置 |
-
2002
- 2002-07-15 JP JP2002204988A patent/JP2004046994A/ja active Pending
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