JPS58208924A - 金属軟磁性膜磁気ヘツド - Google Patents
金属軟磁性膜磁気ヘツドInfo
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- JPS58208924A JPS58208924A JP8962282A JP8962282A JPS58208924A JP S58208924 A JPS58208924 A JP S58208924A JP 8962282 A JP8962282 A JP 8962282A JP 8962282 A JP8962282 A JP 8962282A JP S58208924 A JPS58208924 A JP S58208924A
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- film
- head
- glass
- nimno2
- magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘッドに係シ、特にヘッド特性の経時劣化
を防止しかつ安定して高歩留りを維持できるヘッド製造
工程を実現し、かつヘッドの長寿命仕を図るのに好適な
金属軟磁性膜をヘッドコアに応用した磁気ヘッドに関す
る。
を防止しかつ安定して高歩留りを維持できるヘッド製造
工程を実現し、かつヘッドの長寿命仕を図るのに好適な
金属軟磁性膜をヘッドコアに応用した磁気ヘッドに関す
る。
最近、家庭用Ｖ’Ｉ’Ｈの分野などでは記録密度の向上
の要求に応えるため（Ｃ高保磁カテーグの研究開発が進
められているが、従来のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを
ヘッドコアに用いたフェライトヘッドではフェライトコ
アの飽和磁束密度が十分大きぐ々いためコアの飽和現象
が生じ、高保磁カテープの性能を十分に引き出すことが
できなくなったという問題が生じて来た。そこでコア材
として上記フェライトの約２倍近い飽和磁束密度の金属
軟磁性体センダストのスパッタリング装置によシ作成し
た膜を上記フェライトコアに置き替えた構造の金属軟磁
性膜ヘッド（金属軟磁性膜の材質から以後センタストａ
ヘツドと記す）が考案され、上記の問題の解決が図られ
ている。以下第１図に示す従来の磁気ヘッドを説明する
。第１図（Ａｌはフェライトヘッド、第１図（Ｂｌはセ
ンダスト膜ヘッドを示す。第１図（Ｂｌに示す構造の磁
気ヘッドでは数１０μｍというトラック幅Ｔを金属軟磁
性膜８で構成するために上記トラック幅寸法以上の膜厚
の金属軟磁性膜８．を基板７上にスパッタリング装置等
の薄膜作成装置で形成することが必要となる。またヘッ
ド特性の経時劣化を招かず高い信頼性を保証するために １、 上記金属軟磁性膜上に保護板をガラス溶着し、テ
ープ摺動部の偏摩耗によるヘッド・テープ間の接触不良
が原因するヘッド出力の低下を防ぐ ２、 動作ギャップ形成もガラス溶着で行い、経時変化
によるギャップ開きを防止し、ヘッド出力の周波数特性
劣化を防ぐ ことが必要となる。当然−、ラド製造工程は上述のヘッ
ド特性の経時劣化対策を行ってもトラブル発生による歩
留り低下を招かなめ、安定した工程でなければならない
。また同時に従来フェライトヘッドで確保されていた２
０００時間以上のヘッド寿命もセンダスト膜ヘッドは保
証しなければならない。
の要求に応えるため（Ｃ高保磁カテーグの研究開発が進
められているが、従来のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを
ヘッドコアに用いたフェライトヘッドではフェライトコ
アの飽和磁束密度が十分大きぐ々いためコアの飽和現象
が生じ、高保磁カテープの性能を十分に引き出すことが
できなくなったという問題が生じて来た。そこでコア材
として上記フェライトの約２倍近い飽和磁束密度の金属
軟磁性体センダストのスパッタリング装置によシ作成し
た膜を上記フェライトコアに置き替えた構造の金属軟磁
性膜ヘッド（金属軟磁性膜の材質から以後センタストａ
ヘツドと記す）が考案され、上記の問題の解決が図られ
ている。以下第１図に示す従来の磁気ヘッドを説明する
。第１図（Ａｌはフェライトヘッド、第１図（Ｂｌはセ
ンダスト膜ヘッドを示す。第１図（Ｂｌに示す構造の磁
気ヘッドでは数１０μｍというトラック幅Ｔを金属軟磁
性膜８で構成するために上記トラック幅寸法以上の膜厚
の金属軟磁性膜８．を基板７上にスパッタリング装置等
の薄膜作成装置で形成することが必要となる。またヘッ
ド特性の経時劣化を招かず高い信頼性を保証するために １、 上記金属軟磁性膜上に保護板をガラス溶着し、テ
ープ摺動部の偏摩耗によるヘッド・テープ間の接触不良
が原因するヘッド出力の低下を防ぐ ２、 動作ギャップ形成もガラス溶着で行い、経時変化
によるギャップ開きを防止し、ヘッド出力の周波数特性
劣化を防ぐ ことが必要となる。当然−、ラド製造工程は上述のヘッ
ド特性の経時劣化対策を行ってもトラブル発生による歩
留り低下を招かなめ、安定した工程でなければならない
。また同時に従来フェライトヘッドで確保されていた２
０００時間以上のヘッド寿命もセンダスト膜ヘッドは保
証しなければならない。
ところが、上記した従来のセンダスト膜ヘッドでは保護
板１２の接着とギャップ、１０形成を同時に有機樹脂接
着剤で行っているため、テープ摺動部９に露出している
上記有機接着剤近傍の偏摩耗や上記接着剤のしみ出し、
あるいは動作ギャップ開きを生じてヘッド特性の経時劣
化を招いてしまう。従って上記経時劣化を防ぐべく前述
のヘッド特性の経時劣化対策を施す必要がある。しかし
。
板１２の接着とギャップ、１０形成を同時に有機樹脂接
着剤で行っているため、テープ摺動部９に露出している
上記有機接着剤近傍の偏摩耗や上記接着剤のしみ出し、
あるいは動作ギャップ開きを生じてヘッド特性の経時劣
化を招いてしまう。従って上記経時劣化を防ぐべく前述
のヘッド特性の経時劣化対策を施す必要がある。しかし
。
前述の従来例では基板７１Ｃ用すて因る。露光によって
ＬｉＯ・Ｓ ｉ Ｏ２を析出する感光性結晶化カラスは
熱膨張係数が１ｏ、４ ｘ １０−’／’Ｃと金属軟磁
性膜に用すて（ハるセンタストの１４．５ Ｘ １０
／ ｃ ＩＩＣ対して４ｘ１０−’／’Ｃの差があるた
め、上述の対策を施すべくカラス溶着を行うと加熱で上
記熱膨張係数の差による応力が誘導され、数１０μｍと
ｂう厚い膜厚のセンダスト膜形成時に導入された応力と
相萱ってセンダスト膜内にクラックを発生させたり基板
表面の破損を引き起こし、安定した保護板接着や動作ギ
ャップ形成を行うことができないという問題を住じた。
ＬｉＯ・Ｓ ｉ Ｏ２を析出する感光性結晶化カラスは
熱膨張係数が１ｏ、４ ｘ １０−’／’Ｃと金属軟磁
性膜に用すて（ハるセンタストの１４．５ Ｘ １０
／ ｃ ＩＩＣ対して４ｘ１０−’／’Ｃの差があるた
め、上述の対策を施すべくカラス溶着を行うと加熱で上
記熱膨張係数の差による応力が誘導され、数１０μｍと
ｂう厚い膜厚のセンダスト膜形成時に導入された応力と
相萱ってセンダスト膜内にクラックを発生させたり基板
表面の破損を引き起こし、安定した保護板接着や動作ギ
ャップ形成を行うことができないという問題を住じた。
また第２図に示すように上記感光性結晶化ガラス基板の
摩耗速度が従来フェライトコアに用いてｂたＭｎ−Ｚｎ
単結晶フェライトの１０倍以上もあり。
摩耗速度が従来フェライトコアに用いてｂたＭｎ−Ｚｎ
単結晶フェライトの１０倍以上もあり。
ギャップ深さ４０μｍのヘッドでもヘッド寿命は４００
時間程度にしかならず、 ２０００時間の保証はでき
ない。ギャップ深さを深くして２０００時間のヘッド寿
命を保証するためにはギャップ深さが１６０μｍ以上も
必要で、ヘッド出力の大幅な低下を招くためギャップ深
さを深くする方法を採用することば出来なり０ 以上のごと〈従来のセンダスト膜ヘッドはヘッド特性が
経時劣化し、該経時劣化を防止しようとするとヘッド製
造工程における不良が多発して歩留りが大幅に劣化して
しまい、かつテープ摺動に対する摩耗速度が大きくヘッ
ド寿命２０００時間を保証できないという重大な欠点を
抱えている。
時間程度にしかならず、 ２０００時間の保証はでき
ない。ギャップ深さを深くして２０００時間のヘッド寿
命を保証するためにはギャップ深さが１６０μｍ以上も
必要で、ヘッド出力の大幅な低下を招くためギャップ深
さを深くする方法を採用することば出来なり０ 以上のごと〈従来のセンダスト膜ヘッドはヘッド特性が
経時劣化し、該経時劣化を防止しようとするとヘッド製
造工程における不良が多発して歩留りが大幅に劣化して
しまい、かつテープ摺動に対する摩耗速度が大きくヘッ
ド寿命２０００時間を保証できないという重大な欠点を
抱えている。
本発明の目的はヘッド特性の経時劣化を防止し安定した
高歩留りのヘッド製造工程を実現し。
高歩留りのヘッド製造工程を実現し。
２０００時間以上のヘッド寿命を保証できる金属軟磁性
層磁気ヘッドを提供することにある。
層磁気ヘッドを提供することにある。
従来金属軟磁性膜（センタスト膜）ヘッドにおいてヘッ
ド特性の経時劣化を防止゛し安定しｉ高歩留、りのヘッ
ド製造二些を実現し得えなかったのは基板に用いた感光
性結晶化ガラスの熱膨張係数が１０．６ Ｘ １０−’
／ ０ｃと金属軟磁性膜であるセンダスト膜に比較して
４ｘｌＯ−’／’Ｃ小ざいためセンダスト膜表面への保
護板接着と動作ギャップ形成にガラス溶着法を用いるこ
とができなかったためであり。
ド特性の経時劣化を防止゛し安定しｉ高歩留、りのヘッ
ド製造二些を実現し得えなかったのは基板に用いた感光
性結晶化ガラスの熱膨張係数が１０．６ Ｘ １０−’
／ ０ｃと金属軟磁性膜であるセンダスト膜に比較して
４ｘｌＯ−’／’Ｃ小ざいためセンダスト膜表面への保
護板接着と動作ギャップ形成にガラス溶着法を用いるこ
とができなかったためであり。
２０００時間以上のヘッド寿命を保証できなかったのけ
上記感光性結晶化ガラスのテープ摺動による摩耗速度が
従来フェライトへラドコアに粗いてしたＭｎ −Ｚｎ単
結晶フェライトの１０倍以上であったことが原因してい
た。以上からセンダスト膜と基板間の熱膨張係数の差を
従来例よりも減少せしめ。
上記感光性結晶化ガラスのテープ摺動による摩耗速度が
従来フェライトへラドコアに粗いてしたＭｎ −Ｚｎ単
結晶フェライトの１０倍以上であったことが原因してい
た。以上からセンダスト膜と基板間の熱膨張係数の差を
従来例よりも減少せしめ。
テープ摺動に対する耐摩耗性が上記Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フ
ェライトと同程度である材質を基板として採用すること
が従来技術の問題解決を図るうえで是非とも必要な対策
である。もちろん基板が空孔の多い材質では １基板表面に空孔による多数の微細な穴が現われ、形成
される膜組織を乱し磁気特性劣化の原因となる ２テ一プ摺動部に空孔による多数の微細な穴が現われ、
滑らかなテープ走行を妨げの原因となり安定したヘッド
出力が得られなめ という問題を生ずるため基板は穴孔の少ない緻密な材質
であることも必要である。
ェライトと同程度である材質を基板として採用すること
が従来技術の問題解決を図るうえで是非とも必要な対策
である。もちろん基板が空孔の多い材質では １基板表面に空孔による多数の微細な穴が現われ、形成
される膜組織を乱し磁気特性劣化の原因となる ２テ一プ摺動部に空孔による多数の微細な穴が現われ、
滑らかなテープ走行を妨げの原因となり安定したヘッド
出力が得られなめ という問題を生ずるため基板は穴孔の少ない緻密な材質
であることも必要である。
以上の観点から本発明においてはＮｉＭｎＯ２系酸化物
で、熱膨張係数１２Ｘ１０１００以上、ビッカース硬度
５５０以上にできるＮａＣｆ１型結晶構造を有するＮｉ
Ｍｎ０２を基板に採用することにより保護板接着、動作
ギャップ形成に安定したガラス溶着法の導入を町Ｈｅと
し、 ２０００時間以上のヘッド寿命実現を図った。
で、熱膨張係数１２Ｘ１０１００以上、ビッカース硬度
５５０以上にできるＮａＣｆ１型結晶構造を有するＮｉ
Ｍｎ０２を基板に採用することにより保護板接着、動作
ギャップ形成に安定したガラス溶着法の導入を町Ｈｅと
し、 ２０００時間以上のヘッド寿命実現を図った。
もちろん上記ＮａＣｎ型結晶構造のＮｉＭｎＯ２を緻密
性向上のために熱間静止圧プレスで焼結することや熱膨
張係数同上のために賊、０６を添加すること、または上
述の両者を同時に実行するとさも上述の基板材として要
求される条件から鑑みて有効といえる。筐だ上記のごと
く基板の熱膨張係数を増大できたことにより金属軟磁性
膜に対膨張係数の自由度が増し、センダスト膜以外のＧ
ｏ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、 Ｚｒ、’Ｗ等の金属
元素）やＣｏ Ｊ−Ｍ２ （Ｍ＋ ＋ Ｍ２は上記Ｍ
で示された金属元素）系の非晶質金属磁性膜のような飽
和磁束′１！！度がＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトよりも
大きく高透磁率を示す金属軟磁性膜を用いたヘッドの基
板としても有効と−える。
性向上のために熱間静止圧プレスで焼結することや熱膨
張係数同上のために賊、０６を添加すること、または上
述の両者を同時に実行するとさも上述の基板材として要
求される条件から鑑みて有効といえる。筐だ上記のごと
く基板の熱膨張係数を増大できたことにより金属軟磁性
膜に対膨張係数の自由度が増し、センダスト膜以外のＧ
ｏ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、 Ｚｒ、’Ｗ等の金属
元素）やＣｏ Ｊ−Ｍ２ （Ｍ＋ ＋ Ｍ２は上記Ｍ
で示された金属元素）系の非晶質金属磁性膜のような飽
和磁束′１！！度がＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトよりも
大きく高透磁率を示す金属軟磁性膜を用いたヘッドの基
板としても有効と−える。
一方上述のＮｉＭｎＯ２系酸化物以外にもいくつかの結
晶化カラスが上記の熱膨張係数、ビッカース硬度を有す
る妙よ、ヘッド化に必ｇな数１０μｍとｂう膜厚のセン
ダスト膜等の金属軟磁性膜形成時に導入される膜応力の
ために生ずる基板の反りが上記ＮｉＭｎＯ２系酸化物の
倍以上もあり。
晶化カラスが上記の熱膨張係数、ビッカース硬度を有す
る妙よ、ヘッド化に必ｇな数１０μｍとｂう膜厚のセン
ダスト膜等の金属軟磁性膜形成時に導入される膜応力の
ために生ずる基板の反りが上記ＮｉＭｎＯ２系酸化物の
倍以上もあり。
１、 保護板接着工程に２ｂて溶着ガラス層に導入され
る応力が大きくなり、上記ガラス層やセンダスト膜内の
クラック発生要因となる２、 ギャップ形成時のコアブ
ロック突き合わせに２いてセンダスト膜どおしの合わせ
精度が劣化し、トラックづれ不良をひきおこすとｂう点
で上記Ｎ ｉＭｎ ０２糸酸化物に劣っている。
る応力が大きくなり、上記ガラス層やセンダスト膜内の
クラック発生要因となる２、 ギャップ形成時のコアブ
ロック突き合わせに２いてセンダスト膜どおしの合わせ
精度が劣化し、トラックづれ不良をひきおこすとｂう点
で上記Ｎ ｉＭｎ ０２糸酸化物に劣っている。
以下９本発明の一実施例の磁気ヘッドの構成をに３図の
ヘッド久造工程の願に従って説明する。
ヘッド久造工程の願に従って説明する。
軟磁性膜基板１５の鏡面仕上げ面上にスパッタリンク、
真空蒸着等の薄膜作成装置で金属軟磁性膜としてセンダ
スト膜１６を形成し、更に保護板１７を接層するための
溶着ガラス層１８をスパッタリング等の薄膜作成装置に
より上記センダスト膜面と保護板１７上に付着せしめる
（第３図Ａ）。
真空蒸着等の薄膜作成装置で金属軟磁性膜としてセンダ
スト膜１６を形成し、更に保護板１７を接層するための
溶着ガラス層１８をスパッタリング等の薄膜作成装置に
より上記センダスト膜面と保護板１７上に付着せしめる
（第３図Ａ）。
然る後双方を上記ガラス層１８が対面するように重ね合
わせて加熱溶着することによってコアブロック１９．１
９’を形成し、一方に巻線窓２ｏを形成した１組のコア
ブロックｊ９．１９’の少なくとも一方の側面に５ｉ０
２等のギャップスペーサ膜２１とギャップボンディング
用溶着ガラス獲２２をスパッタリング等の薄膜作成技術
を用Ａて上記コアブロックの突き合わせ面の必要部位に
付着させ（第３図Ｂ）、上記カラス膜２２が対面するよ
う例突き合わせて加熱溶着して動作ギャップ２３を形成
する（第３図Ｃ）。然る後、テープ摺動部２４形成のた
め狭トラツク加工を施しコイル２５を巻いてヘッドチッ
プが完成する（第５９’Ｄ）。Ｔはトラック幅である。
わせて加熱溶着することによってコアブロック１９．１
９’を形成し、一方に巻線窓２ｏを形成した１組のコア
ブロックｊ９．１９’の少なくとも一方の側面に５ｉ０
２等のギャップスペーサ膜２１とギャップボンディング
用溶着ガラス獲２２をスパッタリング等の薄膜作成技術
を用Ａて上記コアブロックの突き合わせ面の必要部位に
付着させ（第３図Ｂ）、上記カラス膜２２が対面するよ
う例突き合わせて加熱溶着して動作ギャップ２３を形成
する（第３図Ｃ）。然る後、テープ摺動部２４形成のた
め狭トラツク加工を施しコイル２５を巻いてヘッドチッ
プが完成する（第５９’Ｄ）。Ｔはトラック幅である。
基板１５にはＮａ Ｃｊｌ！型結晶構造を有するＮｊ
ＭｎＯ２を用いる。もちろん材質の緻密性向上のために
熱間静水圧プレスして焼結したＮａＣｆ型結晶構造を有
するＮｉＭｎＯ２、熱膨張係数向上のためＫＡｆ１２０
゜を添加したＮａ止星型結晶構造有するＮｉＭｎＯ２（
ＡＩ！、２０ｓの添加量が４〜６重量パーセントで１３
×１０／’Ｃ以上の熱膨張係数が得られた）、あるｂＩ
′１ＡｉＶ、２０３を添加しかつ熱間静水圧プレスして
焼結したＮａＣｌ！、型結晶構造を有するＮｉＭｎ０２
でも基板として用いることができる。
ＭｎＯ２を用いる。もちろん材質の緻密性向上のために
熱間静水圧プレスして焼結したＮａＣｆ型結晶構造を有
するＮｉＭｎＯ２、熱膨張係数向上のためＫＡｆ１２０
゜を添加したＮａ止星型結晶構造有するＮｉＭｎＯ２（
ＡＩ！、２０ｓの添加量が４〜６重量パーセントで１３
×１０／’Ｃ以上の熱膨張係数が得られた）、あるｂＩ
′１ＡｉＶ、２０３を添加しかつ熱間静水圧プレスして
焼結したＮａＣｌ！、型結晶構造を有するＮｉＭｎ０２
でも基板として用いることができる。
また上記実施例では金属軟磁性膜としてセンダスト膜を
用いてｂるが、センダスト膜以外でもＧ。
用いてｂるが、センダスト膜以外でもＧ。
−Ｍ（ＭはＮｂ、 Ｔａ、 Ｔｉ、 Ｗ 、 Ｚｒ等の
金属元素）。
金属元素）。
Ｇｏ−Ｍ、−Ｍ２（Ｍ、 、 Ｍ２はＮｂ、 Ｔａ 、
Ｔｉ、 Ｗ 、 Ｚｒ）とｂうＣＯを母体とした高透
磁率非晶質合金膜のごとく高透磁率を有する金属磁性膜
なら上記センタスト膜に置き換え可能である。
Ｔｉ、 Ｗ 、 Ｚｒ）とｂうＣＯを母体とした高透
磁率非晶質合金膜のごとく高透磁率を有する金属磁性膜
なら上記センタスト膜に置き換え可能である。
保護板１７には基板１５と同材質の上記ＮｉＭｎ０２系
酸化物を用いる。保護板接着やキャップボンデインク用
の溶着ガラス層１８．２２には熱膨張係数が大キク、作
業温度を低く選べるＰｂ−Ｂ系ガラスを用いる。ただし
上記ギャップボンデインク用溶着ガラスは上記保護板接
着用溶着ガラスよシ作業温度の低い材質であることが必
要である。なお上記保護板１７接着は金属薄膜による金
属溶着で行ってもよい。ただし該金属薄膜はギャップボ
ンデインク用溶着ガラス２２の作業温度よりも高温の融
点の材質であることが必要である。
酸化物を用いる。保護板接着やキャップボンデインク用
の溶着ガラス層１８．２２には熱膨張係数が大キク、作
業温度を低く選べるＰｂ−Ｂ系ガラスを用いる。ただし
上記ギャップボンデインク用溶着ガラスは上記保護板接
着用溶着ガラスよシ作業温度の低い材質であることが必
要である。なお上記保護板１７接着は金属薄膜による金
属溶着で行ってもよい。ただし該金属薄膜はギャップボ
ンデインク用溶着ガラス２２の作業温度よりも高温の融
点の材質であることが必要である。
土肥実施例は動作ギャップ２３が基板１６の表面に平行
でなく基板１６上でヘッド磁路を構成する金属、軟磁性
膜が該ギャップを挾んで左右に配置されているヘッドで
あるが、ヘッド磁路を構成する金属軟磁性膜がギャップ
スペーサ膜と共に基板表面上に該スペーサ膜を上下に挾
んで平行に配置された構造のヘッドに対しても本発明は
摘用可能である。
でなく基板１６上でヘッド磁路を構成する金属、軟磁性
膜が該ギャップを挾んで左右に配置されているヘッドで
あるが、ヘッド磁路を構成する金属軟磁性膜がギャップ
スペーサ膜と共に基板表面上に該スペーサ膜を上下に挾
んで平行に配置された構造のヘッドに対しても本発明は
摘用可能である。
以上記従した実施例により
１）上記ＮｉＭｎＯ２系酸化物の熱＃張係数が１２×１
０”／ ０Ｃと従来基板に用すてｂた感光性結晶化ガラ
スの１０．４ ｘ １０−’／’Ｃより大食く、保護板
接着やギャップボンデインクにおける′ガラス溶着ある
因は金属溶着の際に基板表面からのセンダスト膜剥離や
基板、センダスト膜、溶着ガラス層内のクラック発生を
抑え、ヘッド製造の高歩留り化を安定して実現できた ２）ガラス溶着による保護板接着、ギャップ形成が可能
となシヘッド特性の経時劣化をほとんどなくすことがで
きた。
０”／ ０Ｃと従来基板に用すてｂた感光性結晶化ガラ
スの１０．４ ｘ １０−’／’Ｃより大食く、保護板
接着やギャップボンデインクにおける′ガラス溶着ある
因は金属溶着の際に基板表面からのセンダスト膜剥離や
基板、センダスト膜、溶着ガラス層内のクラック発生を
抑え、ヘッド製造の高歩留り化を安定して実現できた ２）ガラス溶着による保護板接着、ギャップ形成が可能
となシヘッド特性の経時劣化をほとんどなくすことがで
きた。
３）第４図に示すごとぐ上記ＮｉＭｎ０２系酸化物はテ
ープ摺動（Ｃ対して現在ＶＴＲヘッド材であるＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトと同等の摩耗速度を示し、ヘッド寿
命を容易に２０００時間以上にまで延長でき、かつヘッ
ド寿命の余裕分はギャップ深さを浅くすることＫよって
ヘッド出力向上に寄与させることができた。
ープ摺動（Ｃ対して現在ＶＴＲヘッド材であるＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトと同等の摩耗速度を示し、ヘッド寿
命を容易に２０００時間以上にまで延長でき、かつヘッ
ド寿命の余裕分はギャップ深さを浅くすることＫよって
ヘッド出力向上に寄与させることができた。
本発明によればヘッド特性の経時劣化を防止するための
安定したガラス溶着による保護板接着やギャップ形成を
可能にできるのでヘッド特性の経時劣化を防止し安定し
て高歩留りを維持できるヘッド製造を実現できる効果が
ある。また、テープ摺動による摩耗速度を従来ＶＴＲへ
ラドコアのＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトと同等にでき、
ヘッド寿命を２０００時間以上に延長できる効果もある
。
安定したガラス溶着による保護板接着やギャップ形成を
可能にできるのでヘッド特性の経時劣化を防止し安定し
て高歩留りを維持できるヘッド製造を実現できる効果が
ある。また、テープ摺動による摩耗速度を従来ＶＴＲへ
ラドコアのＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトと同等にでき、
ヘッド寿命を２０００時間以上に延長できる効果もある
。
第１図は従来の磁気ヘッドの斜視図でｒＡ）はＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトを用いたフェライトヘッド、ＣＢ）
はセンダスト膜ヘッド、第２図は従来のフェライト−・
ラドとセンダスト膜ヘッドの摩耗特性′を示す特性図、
第３図は本発明の磁気ヘッドの実施例の製造工程を示す
斜視図、第４図は本発明ヘッドの摩耗特性を示す特性図
である。 １・・・Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト、２・・・動作ギ
ャップ、４・・・巻線窓、５・・・テープ摺動部、６・
・・コイル。 ７・・・基板、８・・・センダスト膜、９・・・テープ
摺動部。 １０・・・ギャップ、１１・・・接着剤１５・・・基板
、１６・・・センダスト膜、１７・・・保護板。 １８・・・溶着ガラス層、２２・・・溶着ガラス膜。 ２３・・・ギャップ、２４・・・テープ摺動部代理人弁
理士 薄 １）利 幸
ｎ単結晶フェライトを用いたフェライトヘッド、ＣＢ）
はセンダスト膜ヘッド、第２図は従来のフェライト−・
ラドとセンダスト膜ヘッドの摩耗特性′を示す特性図、
第３図は本発明の磁気ヘッドの実施例の製造工程を示す
斜視図、第４図は本発明ヘッドの摩耗特性を示す特性図
である。 １・・・Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト、２・・・動作ギ
ャップ、４・・・巻線窓、５・・・テープ摺動部、６・
・・コイル。 ７・・・基板、８・・・センダスト膜、９・・・テープ
摺動部。 １０・・・ギャップ、１１・・・接着剤１５・・・基板
、１６・・・センダスト膜、１７・・・保護板。 １８・・・溶着ガラス層、２２・・・溶着ガラス膜。 ２３・・・ギャップ、２４・・・テープ摺動部代理人弁
理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １薄膜作成装置を用いて非磁性基板上に作成した金属軟
磁性膜をコア材として用いる磁気ヘッドにおいてＮ ｉ
Ｍｎ Ｏ２系酸化物でＮａＣ１型結晶構造を有するＮｉ
ＭｎＯ２を該基板として用い、かつ金属軟磁性膜として
センダスト膜を用いたことを特徴とする金属軟磁性膜磁
気ヘッド。 ２金属軟磁性膜としてＣｏ−Ｍ （Ｍ Ｉ″ｉＮｂ ｖ
Ｔａ Ｔ Ｔ ｘ ＋Ｗ、Ｚｒなる金属元素）あるい
はＧｏ −Ｍ、 −Ｍ２ （Ｍ、。 Ｍ２はＮｂ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ 、 Ｗ 、 Ｚｒな
る金属元素）系非晶質合金膜を用いたことを特徴とする
特許請求範囲第１項に記載された金属軟磁性膜磁気ヘッ
ド。 五非磁性基板としてＮｉＭｎＯ２系酸化物で熱間静水圧
プレスを施して焼結したＮａＣｌ型結晶構造を有するＮ
ｉＭｎＯ２を用いたことを特徴とする特許請求範囲第１
項または第２項に記載された金属軟磁性膜磁気ヘッド。 ４、非磁性基板としてＮｉＭｎＯ２系酸化物で庇、０３
を添加したＮａＣβ型結晶構造を有するＮｉＭｎＯ２を
用いたことを特徴とする特許請求範囲第１項または第２
項に記載された金属軟磁性膜磁気ヘッド。 ５非磁性基板としてＮｉＭｎ０．系酸化物で舷２０Ｂを
添加し、かつ熱間静水圧プレスを施して焼結したＮａＣ
１！、型結晶構造を有するＮｉＭｎＯ２を用藝たことを
特徴とする特許請求範囲第１項または第２項に記載され
た金属軟磁性膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8962282A JPH0248965B2 (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | Kinzokunanjiseimakujikihetsudo |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8962282A JPH0248965B2 (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | Kinzokunanjiseimakujikihetsudo |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208924A true JPS58208924A (ja) | 1983-12-05 |
| JPH0248965B2 JPH0248965B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=13975848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8962282A Expired - Lifetime JPH0248965B2 (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | Kinzokunanjiseimakujikihetsudo |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248965B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172703A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP8962282A patent/JPH0248965B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172703A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248965B2 (ja) | 1990-10-26 |
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