JP5118276B2 - 半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット、同製造方法及び半導体装置用ゲート絶縁膜 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高集積度半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット、同製造方法及び半導体装置用ゲート絶縁膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置のゲート絶縁膜として、長年SiO2が使用されてきた。しかし、近年の半導体の高集積化に伴ってゲート絶縁膜の薄膜化が進み、トンネル電流によるリーク電流が無視できなくなってきた。
そのため、従来使われていたSiO2にかわって、より誘電率の高い酸化物(HfO2,ZrO2,Ta2O5,HfSixOy,ZrSixOy,Y2O3等)を使用し、実際の膜厚はリーク電流が無視できる程度に保ったまま、電気的な見掛の厚さを薄くするという方法が検討されている。
しかしながら、上記のような高誘電率酸化膜は、基板上のSi下地との界面近傍でSiを取込んでシリケード(金属成分とSiの混ざった酸化物)を形成したり、高誘電率酸化膜中の酸素がSiに拡散し、そこにSiO2膜を形成するなどによって誘電率劣化させ、所期の目的が達せられないという問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題を解決するために、従来の絶縁膜であるSiO2等に比べて誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のSi下地との間に反応(拡散)層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜及びそのための半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット並びに同製造方法を提供することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1.Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなり、95%以上の密度比を持つ半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット
2.Gd,Laの群から選択した少なくとも1種の元素からなるフッ化物粉末を、大気中、酸素ガス雰囲気中、窒素ガス雰囲気中又はArガス等の不活性ガス雰囲気中で、650°C〜1000°Cでホットプレスすることにより、95%以上の密度比を持つ、Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなる半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
3.Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなる半導体装置用ゲート絶縁膜、を提供する。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明のゲート絶縁膜は、Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなる。一般に、Al,Ba,Ca,Gd,La,Li,Mg,Pb,Yのフッ化物は熱力学的に安定であり、SiO2よりも誘電率が高い。
SiO2の誘電率は4.9であるが、上記フッ化物の中で、例えばAlF3の誘電率6、LiFの誘電率6、BaF2の誘電率10、CaF2の誘電率10、PbF2の誘電率45、LaF3の誘電率60であり、いずれも高誘電率を備えている。これによって、集積度が高くかつ動作速度の速いLSIの製造が可能となる。
【0006】
本発明の半導体装置用ゲート絶縁膜は、真空蒸着、RFスパッタリング等のPVD法、CVD法を用いて形成できる。しかし、フッ化物の薄膜を形成する場合、フッ素ガスやフッ素化合物ガスが極めて腐食性が高いので、反応性スパッタリングあるいは金属膜を形成した後にフッ素ガス雰囲気中で熱処理する等の手段によって、フッ化物膜とするような方法は適していない。
したがって、上記成膜方法の中でも、フッ化物のターゲットを用いてスパッタリングする方法が、本発明のフッ化物からなる半導体装置用ゲート絶縁膜形成の有効な手段の一つである。
すなわち、Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより半導体装置用ゲート絶縁膜を容易にかつ安定して形成することができる。
【0007】
次に、このゲート絶縁膜を形成する場合に好適なスパッタリングターゲットを例にとって説明する。ゲート絶縁膜に用いるフッ化物ターゲットの組成は、AlF3、BaF2、CaF2、GdF3、LaF3、LiF、MgF2、PbF2、YF3である。この内、BaF2、CaF2、LaF3、PbF2はイオン伝導性材料であり、化学量論的組成であることが望ましい。化学量論的組成からずれた場合には、イオンの移動が起こり、絶縁材としての機能を劣化させるので好ましくないからである。
これら以外のフッ化物ターゲット、すなわちAlF3、GdF3、LiF、MgF2、YF3ターゲットについても、ターゲット組成の化学量論比からのずれが小さいことが求められる。
化学量論的組成からのずれは0.5以内の組成比であれば特に問題とならない。すなわち、AlF2.5−3.5,GdF2.5−3.5,LiF0.5−1.5,MgF1.5−2.5,YF2.5−3.5の組成の範囲である。
化学量論比からのずれが、0.5を超えると目的とする良好な絶縁体特性(比誘電率、リーク電流など)を維持することができなくなるので、上記の範囲とするのが望ましい。本発明は、このようなフッ化物を全て包含する。
【0008】
また、蒸着法に用いるフッ化物の蒸着源は、高温に加熱し、昇華させることで基板又は被成膜物にフッ化物を飛ばすため、全てが分子または分子が数個集まったクラスターの状態なので蒸着源の密度を高くする必要がない。
しかし、スパッタリングターゲットの場合、蒸着源と同様な製造方法では、低密度のターゲットにしかならない。
すなわち、このようにして製造される従来のフッ化物ターゲットは、密度比95%未満の低密度のポーラスな組織となり、密度不足で脆くなり加工性が悪くなるという問題がある。さらに、このような低密度のターゲットを用いてスパッタリングした膜は、パーティクルと呼ばれる粒子状の欠陥が数多く検出され、製品歩留まりが著しく低下するという問題が発生する。
従って、本発明のフッ化物からなるスパッタリングターゲットは95%以上の密度比を持つことが望ましい。
【0009】
フッ化物スパッタリングターゲットを製造するには、上記組成の範囲にある粉末を、大気中、酸素中、窒素中、あるいはArなどの不活性ガス中のいずれかの雰囲気中で、650〜1000°Cでホットプレスすることによって製造するのが有効である。
ホットプレスを真空中で行った場合、フッ化物粉の解離の進行する。大気、酸素、窒素、不活性ガス中で行うことにより、解離の進行を抑えることができる。上記の雰囲気中で、650°C以上でホットプレスすることによって密度比95%以上に高密度化したターゲットを得ることができる。
また高温でホットプレスすると、フッ素の解離による組成ずれと共に、脆化がおこるため、機械加工が困難となり、スパッタリングターゲットには適さないが、ホットプレス温度を1000°C以下とすることで、組成ずれが少なくかつ、機械加工に対して充分な強度を持つフッ化物ターゲットが得ることができる。
【0010】
【実施例】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【0011】
(参考例1)
AlF3粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この焼結体の相対密度は98.2%であった。
次に、このAlF3ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのAlF3を成膜した。
このようにして得たAlF3膜と基板の断面を観察したところ、AlF3層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このAlF3膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率5.8の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0012】
(実施例2)
GdF3粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この結果、焼結体の相対密度は97.2%であった。
次に、このGdF3ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのGdF3を成膜した。
このようにして得たGdF3膜と基板の断面を観察したところ、GdF3層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このGdF3膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率27.1の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0013】
(実施例3)
LaF3粉を1気圧のArガス雰囲気中で700°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この焼結体の相対密度は99.5%であった。
次に、このLaF3ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのLaF3を成膜した。
このようにして得たLaF3膜と基板の断面を観察したところ、LaF3層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このLaF3膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率148.2の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0014】
(参考例4)
MgF2粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。相対密度は99.2%であった。このホットプレス焼結体を直径 76.2mmのターゲットに加工した。
次に、このMgF2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのMgF2を成膜した。
このようにして得たMgF2膜と基板の断面を観察したところ、MgF2層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このMgF2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率9.5の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0015】
(参考例5)
YF3粉を1気圧のArガス雰囲気中で950°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この焼結体の相対密度は97.9%であった。
次に、このYF3ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのYF3を成膜した。
このようにして得たYF3膜と基板の断面を観察したところ、YF3層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このYF3膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率26.2の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0016】
(参考例6)
BaF2粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この結果、焼結体の相対密度は98.2%であった。
次に、このBaF2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのBaF2を成膜した。
このようにして得たBaF2膜と基板の断面を観察したところ、BaF2層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このBaF2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率9.7の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0017】
(参考例7)
CaF2粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この結果、焼結体の組成比はCaF1.8、となり、相対密度は97.2%であった。
次に、このCaF2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのCaF2を成膜した。
このようにして得たCaF2膜と基板の断面を観察したところ、CaF2層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このCaF2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率9.5の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0018】
(参考例8)
LiF粉を1気圧のArガス雰囲気中で700°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この焼結体の相対密度は99.5%であった。
次に、このLiFターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのLiFを成膜した。
このようにして得たLiF膜と基板の断面を観察したところ、LiF層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このLiF膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率5.8の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0019】
(参考例9)
PbF2粉を1気圧のArガス雰囲気中で900°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。この焼結体の相対密度は99.2%であった。
次に、このPbF2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのPbF2を成膜した。
このようにして得たPbF2膜と基板の断面を観察したところ、PbF2層とSi基板に反応層は見出されなかった。同様に、このPbF2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率43.1の高誘電率を持つ膜が得られ、バルク値と遜色ない絶縁膜を形成することができた。
また、上記スパッタリングによる成膜の際にはパーティクル数も少なく、良好な絶縁膜を形成することができた。
【0020】
(比較例1)
SiO2粉を1気圧のArガス雰囲気中で1050°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。焼結体の相対密度は99.0%であった。
次に、このSiO2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのSiO2を成膜した。
次に、このSiO2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。この結果、比誘電率4.8の低い誘電率を持つ膜が得られた。このような低誘電率の絶縁膜は、集積度が高くかつ動作速度の速いLSIの製造においては、トンネル電流によるリーク電流が無視できないものであり、絶縁膜としての特性が劣る結果となった。
【0021】
(比較例2)
ZrO2粉を1気圧のArガス雰囲気中で1120°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。焼結体の相対密度は91.0%であった。
次に、このZrO2ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのZrO2を成膜した。
このようにして得たZrO2膜と基板の断面を観察したところ、ZrO2層とSi基板との界面にSiO2反応層が形成されていた。このZrO2膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。
この結果、見掛けの比誘電率6.3の誘電率を持つ膜が得られたが、反応層による誘電率の劣化があった。このような絶縁膜は、さらに膜厚が厚くなり、集積度が高くかつ動作速度の速いLSIの製造においては、絶縁膜としての特性が劣る結果となった。
【0022】
(比較例3)
Ta2O5粉を1気圧のArガス雰囲気中で1300°C、300kgf/cm2、2時間ホットプレスした。焼結体の相対密度は98.5%であった。
次に、このTa2O5ターゲットを用い、自然酸化膜を除去したpタイプSi基板上にRFスパッタリング法により、膜厚100ÅのTa2O5を成膜した。
このようにして得たTa2O5膜と基板の断面を観察したところ、Ta2O5層とSi基板との界面にSiO2反応層が形成されていた。このTa2O5膜に引き続き白金(Pt)を1000Å成膜して電極とし、誘電率を測定した。
この結果、見掛けの比誘電率7.1の誘電率を持つ膜が得られたが、反応層による誘電率の劣化があった。このような絶縁膜は、さらに膜厚が厚くなり、集積度が高くかつ動作速度の速いLSIの製造においては、絶縁膜としての特性が劣る結果となった。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、従来の絶縁膜であるSiO2等に比べて誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することができるという優れた効果を有する。さらに、基板上のSi下地との間に反応(拡散)層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜及びそのための半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット並びに同製造方法を提供することができる著しい効果を有する。
Claims (3)
- Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなり、95%以上の密度比を持つ半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット。
- Gd,Laの群から選択した少なくとも1種の元素からなるフッ化物粉末を、大気中、酸素ガス雰囲気中、窒素ガス雰囲気中又はArガス等の不活性ガス雰囲気中で、650°C〜1000°Cでホットプレスすることにより、95%以上の密度比を持つ、Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなる半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
- Gd,Laの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなる半導体装置用ゲート絶縁膜。
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