JP2022539054A - Ntc薄膜サーミスタ及びntc薄膜サーミスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
非導電性のキャリア材料を提供するステップa)と、
少なくとも1つの第1薄膜電極を成膜するステップb)と、
少なくとも1つのNTC薄膜を成膜するステップc)と、
少なくとも1つの第2薄膜電極を成膜するステップd)と、を含む。
2 NTC薄膜
3a 第1薄膜電極
3b 第2薄膜電極
4 キャリア材料
5 保護層
Claims (29)
- 少なくとも1つの第1薄膜電極(3a)と、
少なくとも1つのNTC薄膜(2)と、
少なくとも1つの第2薄膜電極(3b)と、
を有するNTC薄膜サーミスタ(1)。 - 前記NTC薄膜(2)は、単結晶又は多結晶の機能性セラミックを有し、当該セラミックは、スピネル構造又はペロブスカイト構造を有する請求項1に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜(2)は、元素Mn、Ni、Zn、Fe、Co、Cu、Zr、Y、Cr、Ca又はAlのうちの少なくとも1つを有する請求項1又は2に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記薄膜電極(3a、3b)は、導電性セラミックからなる請求項1~3のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記薄膜電極(3a、3b)は、Cu、Pt、Cr、Ni、Ag、Pd、Au、Tiのような金属、これらの元素の混合物又は合金の一つ又は複数の層からなる請求項1~3のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)は、前記NTC薄膜(2)の一方の表面に配置されている請求項1~5のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)は、インターディジタル櫛形構造として配置されている請求項1~6のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜サーミスタ(1)は、第1及び第2薄膜電極(3a、3b)を複数有し、
前記第1薄膜電極(3a)と前記第2薄膜電極(3b)との間には、それぞれ1つのNTC薄膜(2)が設けられている請求項1~5のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。 - 前記第1薄膜電極(3a)は、前記NTC薄膜サーミスタ(1)の第1側において前記NTC薄膜(2)から突出しており、前記第2薄膜電極(3b)は、前記第1側において前記NTC薄膜(2)よりも短く、
前記第2薄膜電極(3b)は、前記NTC薄膜サーミスタ(1)の第1側に対向する第2側において前記NTC薄膜(2)から突出しており、前記第1薄膜電極(3a)は、前記第2側において前記NTC薄膜(2)よりも短い
請求項1~8のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。 - 前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)の前記NTC薄膜(2)からの突出領域において、前記電極は、各々の下方に位置するNTC薄膜(2)から突出した第1又は第2薄膜電極(3a、3b)に密接している請求項1~9のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)の前記NTC薄膜(2)からの突出領域において、前記電極は、下方に位置するNTC薄膜(2)から突出した第1又は第2薄膜電極(3a、3b)よりも短い請求項9又は10に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)の前記第1及び第2側における突出区画は、メタライゼーションペースト又は別の導電性媒体により補強可能である請求項9~11のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜(2)は、前記第1及び第2側に垂直で互いに対向する第3及び第4側に前記薄膜電極(3a、3b)から突出している請求項9~12のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜(2)は、前記薄膜電極(3a、3b)からの突出領域において、下方にあるNTC薄膜(2)よりも短い請求項1~13のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜サーミスタ(1)は、キャリア材料(4)に配置されている請求項1~14のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記キャリア材料(4)は、第1電極として構成されている請求項1~15のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記キャリア材料(4)に、回路もしくは微小電気機械システムが集積されているか、又は前記キャリア材料(4)は、電子デバイスの構成部分である請求項15に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記NTC薄膜(2)は、3μmよりも薄い請求項1~17のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 前記薄膜電極(3a、3b)は、10μmよりも薄い請求項1~18のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 全体が、100μmよりも薄い請求項1~19のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 基板又は印刷回路基板への集積に適している請求項1~20のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)。
- 印刷回路基板と、
請求項1~21のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)とを有するレイアウトであって、
前記NTC薄膜サーミスタ(1)は、前記印刷回路基板に集積されている
レイアウト。 - 請求項1~21のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)を複数有するレイアウトであって、
前記NTC薄膜サーミスタ(1)は、マトリクスに配置されている
レイアウト。 - 非導電性のキャリア材料(4)を提供するステップa)と、
少なくとも1つの第1薄膜電極(3a)を成膜するステップb)と、
少なくとも1つのNTC薄膜(2)を成膜するステップc)と、
少なくとも1つの第2薄膜電極(3b)を成膜するテップd)と、を含み、
前記ステップc)の前又は後に前記ステップb)を実施することができる
NTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。 - 前記ステップb)において、下方にNTC薄膜(2)のない第1領域にも前記第1薄膜電極(3a)を成膜し、
前記ステップd)において、下方にNTC薄膜(2)のない第2領域にも前記第2薄膜電極(3b)を成膜し、
前記第1領域及び第2領域は、互いに重ならず、なおかつ、まず第1薄膜電極(3a)を成膜し、続いてNTC薄膜(2)を成膜し、続いて第2薄膜電極(3b)を成膜し、続いてNTC薄膜(2)を再度成膜し、続いて第1薄膜電極(3a)を再度成膜する手順を含む
請求項24に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。 - CSD法により前記NTC薄膜(2)を成膜する請求項24又は25に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。
- PVD法又はCVD法により前記第1及び第2薄膜電極(3a、3b)、並びにNTC薄膜(2)を成膜する請求項24~26のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。
- 別の方法ステップにおいて、前記NTC薄膜サーミスタ(1)に焼結プロセスを施す請求項24~27のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。
- 別の方法ステップにおいて、第1及び第2薄膜電極(3a、3b)、並びにNTC薄膜(2)からなる積層体を前記キャリア材料(4)から分離するか、又は研削プロセス又はエッチングプロセスにより前記キャリア材料(4)を薄くする、もしくは完全に除去する請求項24~28のいずれか1項に記載のNTC薄膜サーミスタ(1)の製造方法。
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