JPH0340484B2 - - Google Patents
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- JPH0340484B2 JPH0340484B2 JP105085A JP105085A JPH0340484B2 JP H0340484 B2 JPH0340484 B2 JP H0340484B2 JP 105085 A JP105085 A JP 105085A JP 105085 A JP105085 A JP 105085A JP H0340484 B2 JPH0340484 B2 JP H0340484B2
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- film
- sensitive resistor
- temperature sensitive
- thin film
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱応答性の速い薄膜サーミスタに関す
るものである。
るものである。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他ナシヨナ
ルテクニカルレポート（National Technical
Report）Vol.26（1980）P.403に示されているよ
うに、平板状絶縁性基板の一方の表面に感温抵抗
体膜と一対の電極膜とを形成して構成される。
ルテクニカルレポート（National Technical
Report）Vol.26（1980）P.403に示されているよ
うに、平板状絶縁性基板の一方の表面に感温抵抗
体膜と一対の電極膜とを形成して構成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来の薄膜サーミスタは、
熱応答性が遅いという問題があつた。これは下記
の理由による。
熱応答性が遅いという問題があつた。これは下記
の理由による。
例えば、室温に保たれた薄膜サーミスタを、手
早く高温に保たれたオーブン中に移した時、サー
ミスタ温度は時間経過とともに上昇する。このと
きの熱応答性はサーミスタの熱容量に大きく依存
し、熱容量が大きくなると熱応答性は遅くなる。
従来の薄膜サーミスタは、平板状絶縁基板の上に
感温抵抗体膜と電極膜とを形成して構成されるの
で、薄膜サーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性
基板により支配される。感温抵抗体膜と電極膜は
数μｍ〜数10μｍの厚さで形成されるが、平板状
絶縁性基板は0.3〜1.0mmの厚さのものが用いられ
る。従つて、感温抵抗体膜と電極膜との熱容量は
小さくても、平板状絶縁基板の熱容量は大きいの
で、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅かつた。
早く高温に保たれたオーブン中に移した時、サー
ミスタ温度は時間経過とともに上昇する。このと
きの熱応答性はサーミスタの熱容量に大きく依存
し、熱容量が大きくなると熱応答性は遅くなる。
従来の薄膜サーミスタは、平板状絶縁基板の上に
感温抵抗体膜と電極膜とを形成して構成されるの
で、薄膜サーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性
基板により支配される。感温抵抗体膜と電極膜は
数μｍ〜数10μｍの厚さで形成されるが、平板状
絶縁性基板は0.3〜1.0mmの厚さのものが用いられ
る。従つて、感温抵抗体膜と電極膜との熱容量は
小さくても、平板状絶縁基板の熱容量は大きいの
で、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅かつた。
本発明は感温抵抗体膜と電極膜とから成る感温
部の熱容量を小さくすることにより、熱応答性の
速い薄膜サーミスタを提供するものである。
部の熱容量を小さくすることにより、熱応答性の
速い薄膜サーミスタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段
は、感温抵抗体膜の形成された部分の平板状絶縁
性基板の一部または全部を除去することにある。
は、感温抵抗体膜の形成された部分の平板状絶縁
性基板の一部または全部を除去することにある。
作 用
本発明は上記した構成を有するので、感温部、
すなわち、感温抵抗体膜の形成された部分、の平
板状絶縁性基板は除去される。従つて感温部の熱
容量は、感温抵抗体膜のみの熱容量、もしくは感
温抵抗体膜と電極膜との熱容量となるので、従来
に比べ非常に小さくできる。この結果、熱応答性
の速い薄膜サーミスタが得られる。
すなわち、感温抵抗体膜の形成された部分、の平
板状絶縁性基板は除去される。従つて感温部の熱
容量は、感温抵抗体膜のみの熱容量、もしくは感
温抵抗体膜と電極膜との熱容量となるので、従来
に比べ非常に小さくできる。この結果、熱応答性
の速い薄膜サーミスタが得られる。
平板状絶縁性基板の除去は、通常、化学的に平
板状絶縁性基板を腐食する手段でなされるが、こ
のとき腐食液により感温抵抗体膜が浸されないよ
うに絶縁膜が平板状絶縁性基板表面に形成され
る。
板状絶縁性基板を腐食する手段でなされるが、こ
のとき腐食液により感温抵抗体膜が浸されないよ
うに絶縁膜が平板状絶縁性基板表面に形成され
る。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を
示す断面図である。平板状石英基板１の一方の表
面上に絶縁膜２を形成したのち、さらに感温抵抗
体膜３と一対の電極膜４とを形成した。感温抵抗
体膜３として、Fe、Ni、Co、Mnなどの複合金
属酸化物膜、Si膜、Ge膜などが用いられる。電
極膜４として、Au−Pt、Ag−Pd、Pt、Pd、Au
などの厚膜電極膜、Cr−Au、Cr−Cu、Alなどの
薄膜電極膜が用いられる。また、絶縁膜２として
窒化シリコン膜が用いられる。
示す断面図である。平板状石英基板１の一方の表
面上に絶縁膜２を形成したのち、さらに感温抵抗
体膜３と一対の電極膜４とを形成した。感温抵抗
体膜３として、Fe、Ni、Co、Mnなどの複合金
属酸化物膜、Si膜、Ge膜などが用いられる。電
極膜４として、Au−Pt、Ag−Pd、Pt、Pd、Au
などの厚膜電極膜、Cr−Au、Cr−Cu、Alなどの
薄膜電極膜が用いられる。また、絶縁膜２として
窒化シリコン膜が用いられる。
感温抵抗体膜３の形成された部分の平板状石英
基板１１（感温部石英基板１１）は、HFなどに
より化学的に溶解して、除去される。金属酸化物
感温抵抗体３もHFに溶解するので、感温部石英
基板１１をHFで溶解するとき金属酸化物感温抵
抗体３がHFに浸されないように、窒化シリコン
絶縁膜２が形成される。窒化シリコン絶縁膜２は
化学的安定性に優れ、HFに浸され難い。
基板１１（感温部石英基板１１）は、HFなどに
より化学的に溶解して、除去される。金属酸化物
感温抵抗体３もHFに溶解するので、感温部石英
基板１１をHFで溶解するとき金属酸化物感温抵
抗体３がHFに浸されないように、窒化シリコン
絶縁膜２が形成される。窒化シリコン絶縁膜２は
化学的安定性に優れ、HFに浸され難い。
平板状石英基板１の厚さを0.5mm、絶縁膜２の
厚さを１〜3μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜
6μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜6μｍ、電極
膜４の厚さを10〜15μｍ、としたとき、従来の薄
膜サーミスタ（第１図において感温部石英基板１
１が除去されていないもの）の熱時定数は約15秒
であつた。他方、感温部石英基板１１を除去した
薄膜サーミスタの熱時定数は５秒以下であつた。
厚さを１〜3μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜
6μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜6μｍ、電極
膜４の厚さを10〜15μｍ、としたとき、従来の薄
膜サーミスタ（第１図において感温部石英基板１
１が除去されていないもの）の熱時定数は約15秒
であつた。他方、感温部石英基板１１を除去した
薄膜サーミスタの熱時定数は５秒以下であつた。
平板状絶縁性基板１は硝子板、石英板、シリコ
ン板の群から選ばれた一種で構成されることが望
ましい。この理由は、前述した材料がHFあるい
はHNO3とHFの混合液中に容易に溶解するから
である。
ン板の群から選ばれた一種で構成されることが望
ましい。この理由は、前述した材料がHFあるい
はHNO3とHFの混合液中に容易に溶解するから
である。
また、絶縁膜２は窒化シリコン膜で構成するこ
とが望ましい。窒化シリコン膜は化学的に安定
で、HFあるいはHNO3とHFの混合液で腐食さ
れ難い。
とが望ましい。窒化シリコン膜は化学的に安定
で、HFあるいはHNO3とHFの混合液で腐食さ
れ難い。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、感温
の熱容量をきわめて小さくできるので、熱応答性
の速い薄膜サーミスタが容易に得られる。
の熱容量をきわめて小さくできるので、熱応答性
の速い薄膜サーミスタが容易に得られる。
図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの
断面図である。 １……平板状絶縁基板、２……絶縁膜、３……
感温抵抗体膜、４……電極膜、１１……感温抵抗
体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板。
断面図である。 １……平板状絶縁基板、２……絶縁膜、３……
感温抵抗体膜、４……電極膜、１１……感温抵抗
体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平板状絶縁性基板と、この平板状絶縁性基板
の一方の表面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
の上に形成された感温抵抗体膜と一対の電極膜と
から成り、前記感温抵抗体膜の形成された部分の
前記平板状絶縁性基板の少なくとも一部を除去し
た薄膜サーミスタ。 ２ 平板状絶縁性基板は硝子板、石英板、シリコ
ン板の群の中から選ばれた一種で構成された特許
請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。 ３ 絶縁膜は窒化シリコン膜で構成された特許請
求の範囲第２項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP105085A JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP105085A JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160902A JPS61160902A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0340484B2 true JPH0340484B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=11490720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP105085A Granted JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160902A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2519750B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1996-07-31 | 住友電気工業株式会社 | サ―ミスタとその製造方法 |
| JP5806316B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2015-11-10 | ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッドＰｓｔ Ｓｅｎｓｏｒｓ （Ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 印刷された温度センサ |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP105085A patent/JPS61160902A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160902A (ja) | 1986-07-21 |
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