JP2013538462A - 印刷された温度センサ - Google Patents
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Abstract
Description
第1の実施例では負温度係数サーミスタは、図6に示すデザインに従って製造された。4つの銀電極又は接点が、デュポン社の5000銀導体を用いたスクリーン印刷により80g/m2の上質紙のシート基板上に堆積された。任意の2つの隣接する電極間の距離は、2mmであった。銀インクを周囲条件下で約1日乾燥させた後、シリコンインクが、デバイスのすべての4つの電極間の接続を形成するためにドロップキャストされた。インクに使用されるシリコンナノ粒子は、国際公開第2009/125370号に開示された方法によれば、ホウ素ドープされたp型シリコンウェーハから製粉された。これらの粒子は、95重量%のシリコンの割合で市販されているアクリル系スクリーン印刷塩基と混合し、インクの濃度をプロピレングリコールで薄くすることにより調整した。
第2の実施例において、図5に示されたデザインに従って負温度係数サーミスタが製造された。銀接点は、80g/m2の上質紙のシートを有する基板上にデュポン社の5000銀導体を用いたスクリーン印刷により堆積された。内部電極の直径は、5mmであり、2つの電極間の間隔は0.5mmであった。銀インクを周囲条件下で約1日乾燥させた後、シリコン層は、国際公開第2009/125370号に開示された方法に従って2503グレードの金属シリコンから粉砕されたシリコンナノ粒子を用いて、電極間の隙間を覆ってスクリーン印刷された。これらのナノ粒子は、88重量%のシリコンの割合で市販されているアクリル系スクリーン印刷塩基と混合し、インクの濃度をプロピレングリコールで薄くすることにより調整した。
図11は、図3に示されたデザインに係る負温度係数のサーミスタの写真である。この場合において、シリコンは互いに組み合わせた銀接点の上に固体ブロックとして印刷されるが、接点間のシリコンの領域だけが温度依存抵抗に寄与する。抵抗が低いために、シリコン半導体の長さと幅のアスペクト比は、理想的には1/1000より低くなるべきである。この例において、銀接点は、隣接する電極間に24の間隙を有する、25の個々の電極を備え、各隙間は16mmの長さを有し、各間隙の幅(隣接する電極間の間隔)は、0.25mmである。
図12は、より大きな領域にわたって延長され、かつグラフィックデザインとしての形をとる、図3の基本デザインに係る、実施例3に記載の互いに組み合わせたサーミスタの変形例の写真である。例として実物大の人間の手形をデザインとして選んだが、手形のデザインに限定されず、他のいくつかの抽象的な絵またはデザインが選択され得る。
Claims (27)
- 温度検出デバイスの製造方法であって、前記方法は、
サーミスタ構造を定義するように、少なくとも1つのシリコン層と少なくとも1つの電極又は接点を形成することを含み、
少なくとも前記シリコン層は、印刷することにより形成され、及び
前記シリコン層を印刷している間、前記シリコン層と前記少なくとも1つの電極又は接点のうち少なくとも1つが基板により支持されている。 - 前記少なくとも1つの電極又は接点は、印刷により形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのシリコン層と少なくとも2つの伝導電極又は接点は、温度が測定されるべき対象物に直接当てられ、前記対象物自体が前記サーミスタ構造の前記基板を形成するようになっている、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記基板は、導電性本体を備え、前記基板は前記サーミスタ構造の電極又は接点を形成する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記基板は、フレキシブルシートを備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フレキシブルシートは、固体薄膜、繊維材料又は織物を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記基板は、硬いシートを備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記硬いシートは、固体材料、繊維又は粒子材料を有する合成物、又は織物を有する合成物を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記基板は、製造中において前記サーミスタ構造のための一時的な支持又はテンプレートを形成する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記基板は、前記サーミスタ構造を印刷した後、犠牲とされて、そして化学的手段、熱的手段又は機械的手段によって取り除かれる、請求項9に記載の方法。
- 前記基板は、再利用可能なテンプレートを形成する、請求項9に記載の方法。
- 前記シリコン層は、シリコン粒子を有するインクと、バインダー及び適切な溶媒を含む液体溶媒と、から形成され、
前記シリコン粒子は、10ナノメートルから100マイクロメートルの範囲内の大きさを有し、及び粒子間の電荷の輸送を許容する面を有している、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の方法。 - バインダーに対する前記シリコンの比を変化させることによる、インク組成物の変更によって、前記シリコン粒子層に少なくとも1つの更なる伝導経路を追加すること、又はシリカあるいは他のセラミックナノ粒子などの絶縁層か伝導層又は半導体層を前記インクに追加すること、それによって効果的に前記サーミスタ構造の温度依存抵抗と並列に相対的な非温度依存の内部抵抗を追加すること、を含む、請求項13に記載の方法。
- 印刷された温度センサの公称抵抗を減少させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と並列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記印刷された温度センサの前記公称抵抗を増大させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と直列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記インクの前記シリコン粒子の画分は、5%〜95%の範囲内である、請求項12乃至15のいずれか一項に記載の方法。
- シリコン粒子を容量で25%〜60%の範囲内で前記インク内の前記シリコン粒子の画分を変更することにより、前記印刷された温度センサの前記抵抗を調整することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記インクは、60%を超えて、好ましくは80%を超えてシリコン粒子画分を有する、請求項16に記載の方法。
- 厚膜堆積処理によって、又は電気メッキ若しくは無電解メッキによって、導電性インクを用いて、印刷することにより少なくとも前記伝導電極又は接点の1つを形成すること、を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの接点を、所望の形状に形成するため、化学的エッチング又は電気化学的エッチング、レーザースクライビング若しくは別の方法で材料を除去することによって正確な形状にパターニングするステップを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記接点は、前記サーミスタ構造の径方向の電気経路が、測定される抵抗を前記印刷する方向に対して全方向にわたって平均化するように、円形の幾何学形状を有しており、前記印刷処理におけるいかなる横方向の異方性の影響を排除することを確実にしている、請求項1乃至20のいずれか一項に記載の方法。
- サーミスタデバイスに電流を供給するために使用される任意の2つの接点との間の距離が前記接点との間の半導体経路の幅と比べて小さくなるように、前記サーミスタデバイスのアスペクト比が低く、好ましくは1/30より低く、そしてより好ましくは1/1000より低い、請求項1乃至21のいずれか一項に記載の方法。
- 並んで延設される2つの細長い並列の接点は、比較的広い領域を覆うように、螺旋を定義するか又は経路を蛇行するパターンで堆積させて、それによって、前記基板の対応する形状の領域の平均温度を監視できる、請求項1乃至20又は22のいずれか一項に記載の方法。
- 蛇行隙間を定義するように、互いに平行に延び、隣接する複数の細長いストリップ又は複数のフィンガーをそれぞれ有する、2つの互いに組み合わせた電気接点は、印刷された粒状シリコン層によって接続又はブリッジされている、請求項1乃至20又は22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間に続くように構成された、請求項24に記載の方法。
- 前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間の上に連続層を形成する、請求項24に記載の方法。
- 4つの電気接点であって、前記4つの電気接点のうち2つの電気接点が電流を前記温度検出デバイスに供給するために使用され、前記4つの電気接点のうち2つの電気接点が使用中の電圧を監視するために使用され、前記4つの電気接点は、より高い精度を得るために従来の線形4点幾何学形状又は通常使用されるファン・デル・ポー(van der Pauw)形状のいずれかで堆積される、請求項1乃至22のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ZA201006532 | 2010-09-13 | ||
ZA2010/06532 | 2010-09-13 | ||
PCT/IB2011/054001 WO2012035494A1 (en) | 2010-09-13 | 2011-09-13 | Printed temperature sensor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013538462A true JP2013538462A (ja) | 2013-10-10 |
JP2013538462A5 JP2013538462A5 (ja) | 2014-05-29 |
JP5806316B2 JP5806316B2 (ja) | 2015-11-10 |
Family
ID=45831072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013528807A Expired - Fee Related JP5806316B2 (ja) | 2010-09-13 | 2011-09-13 | 印刷された温度センサ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9029180B2 (ja) |
EP (1) | EP2616784B1 (ja) |
JP (1) | JP5806316B2 (ja) |
KR (1) | KR20130128383A (ja) |
CN (1) | CN103210290B (ja) |
ES (1) | ES2663098T3 (ja) |
RU (1) | RU2013116739A (ja) |
WO (1) | WO2012035494A1 (ja) |
ZA (1) | ZA201301890B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016186434A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 東京コスモス電機株式会社 | 温度センサ |
CN110249415A (zh) * | 2016-10-22 | 2019-09-17 | 马坦·拉皮多特 | 用于检测缺陷发生和位置的移动检查系统 |
JP2019529315A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-10-17 | ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用 |
JP2019203875A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | センサユニット、それを含む温度センサ、該センサユニットの製造方法、及びそれを利用して製造された該温度センサ |
JP2020510200A (ja) * | 2017-03-06 | 2020-04-02 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 印刷温度センサー |
JP2022546674A (ja) * | 2019-10-16 | 2022-11-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011047171A2 (en) | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Kesumo, Llc | Foot-operated controller |
WO2013114291A1 (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | Pst Sensors (Proprietary) Limited | Thermal imaging sensors |
US9076419B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-07-07 | Bebop Sensors, Inc. | Multi-touch pad controller |
DE102012111458B4 (de) * | 2012-11-27 | 2022-12-08 | Tdk Electronics Ag | Halbleitervorrichtung |
US20150108632A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Thin film with negative temperature coefficient behavior and method of making thereof |
JP6024642B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2016-11-16 | 株式会社デンソー | 熱電変換装置およびその製造方法 |
WO2015096927A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Arcelik Anonim Sirketi | An induction cooker, the safe utilization of which is provided |
US9281104B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-03-08 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Conductive thin film comprising silicon-carbon composite as printable thermistors |
JP6574443B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2019-09-11 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 温度測定のための低コストで磁気共鳴安全なプローブ |
US9753568B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-09-05 | Bebop Sensors, Inc. | Flexible sensors and applications |
US9965076B2 (en) * | 2014-05-15 | 2018-05-08 | Bebop Sensors, Inc. | Piezoresistive sensors and applications |
US9442614B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-09-13 | Bebop Sensors, Inc. | Two-dimensional sensor arrays |
US10362989B2 (en) | 2014-06-09 | 2019-07-30 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor system integrated with a glove |
EP3172582A4 (en) | 2014-07-22 | 2018-02-28 | Brewer Science, Inc. | Thin-film resistive-based sensor |
US9931778B2 (en) | 2014-09-18 | 2018-04-03 | The Boeing Company | Extruded deposition of fiber reinforced polymers |
US9863823B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-01-09 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with footwear |
KR102381654B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2022-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 온도 검출 소자 및 이를 이용한 온도 센서 |
US10082381B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-09-25 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with vehicle tires |
US9827996B2 (en) | 2015-06-25 | 2017-11-28 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with steering wheels |
JP6579194B2 (ja) | 2015-07-31 | 2019-09-25 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
US10034609B2 (en) * | 2015-11-05 | 2018-07-31 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Temperature sensor for tracking body temperature based on printable nanomaterial thermistor |
CN108291844A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-07-17 | Pst传感器(私人)有限公司 | 数字传感器 |
US10393598B1 (en) * | 2015-12-03 | 2019-08-27 | FluxTeq LLC | Heat flux gage |
CN107560750A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 国神光电科技(上海)有限公司 | 一种测温电路及一种测温结构 |
CN106322457B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-10-23 | 深圳拓邦股份有限公司 | 一种电磁灶 |
CN106556473A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-04-05 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
CN106644144A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
CN106556474A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-04-05 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
CN106370318A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-02-01 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
DE102017105317B3 (de) | 2017-03-14 | 2018-05-09 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Vorrichtung zum Charakterisieren des elektrischen Widerstandes eines Messobjekts |
KR101923074B1 (ko) | 2017-03-21 | 2018-11-28 | 부경대학교 산학협력단 | 저온 센서용 금 나노입자-실리콘 복합소재 |
CN107063492A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 武汉大学 | 一种印刷型温度传感器及应用该温度传感器的疏散标志 |
KR20190004974A (ko) * | 2017-07-05 | 2019-01-15 | 주식회사 이엠따블유 | 프린팅 공정을 이용한 센서의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 |
EP3435048A1 (de) * | 2017-07-25 | 2019-01-30 | Heraeus Sensor Technology GmbH | Sensor zur erfassung eines räumlichen temperaturprofils und verfahren zur herstellung einer sensoreinheit |
US11300458B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-04-12 | Littelfuse, Inc. | Temperature sensing tape, assembly, and method of temperature control |
JP2019090785A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-06-13 | リテルヒューズ・インク | 温度感知テープ |
KR102073720B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2020-02-05 | (주) 텔로팜 | 최소 침습 기술을 이용한 식물의 수액 흐름 측정용 마이크로 니들 프로브 장치 |
EP3521786B8 (en) | 2018-01-31 | 2020-11-18 | ABB Power Grids Switzerland AG | Wound electrical component with printed electronics sensor |
DE102018102471B3 (de) * | 2018-02-05 | 2019-02-21 | Leoni Kabel Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Messung einer Temperaturverteilung auf einer Oberfläche |
JP6524567B1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-06-05 | 株式会社Gceインスティチュート | 熱電素子、熱電装置、及び熱電素子の形成方法 |
US10884496B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-01-05 | Bebop Sensors, Inc. | One-size-fits-all data glove |
KR102131121B1 (ko) * | 2018-08-28 | 2020-07-07 | 건국대학교 산학협력단 | 플렉시블 온도 센서를 활용한 온도 제어 시스템 |
US11280685B2 (en) | 2018-10-01 | 2022-03-22 | Goodrich Corporation | Additive manufactured resistance temperature detector |
US11085833B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Xerox Corporation | Temperature sensor ink composition with metal oxide nanoparticles |
CA3061524A1 (en) | 2018-11-13 | 2020-05-13 | Institut National D'optique | Microbolometer detectors and arrays for printed photonics applications |
KR102205001B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2021-01-18 | 순천대학교 산학협력단 | 롤투롤 그라비아 인쇄를 이용한 온도 센서 태그 제조 방법 |
CN109781291B (zh) * | 2019-02-02 | 2021-10-26 | 五邑大学 | 一种柔性温度传感器 |
US11480481B2 (en) | 2019-03-13 | 2022-10-25 | Bebop Sensors, Inc. | Alignment mechanisms sensor systems employing piezoresistive materials |
TWI728345B (zh) * | 2019-04-19 | 2021-05-21 | 美宸科技股份有限公司 | 柔性感測器 |
DE102019122364A1 (de) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Schreiner Group Gmbh & Co. Kg | Gegenstand zur Durchführung einer elektrischen Messung an einer Messschicht |
US20230207161A1 (en) * | 2020-04-22 | 2023-06-29 | Nanoco 2D Materials Limited | Negative temperature coefficient (ntc) thermistors utilising transition metal dichalcogenide quantum dots |
KR102418224B1 (ko) * | 2020-04-24 | 2022-07-08 | 성균관대학교산학협력단 | 탈부착이 가능한 수유병 센싱 장치 및 상기 장치를 포함하는 수유병 모니터링 시스템 |
US11688614B2 (en) * | 2021-04-28 | 2023-06-27 | Kla Corporation | Mitigating thermal expansion mismatch in temperature probe construction apparatus and method |
FI129739B (en) * | 2021-06-08 | 2022-08-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Improved negative temperature coefficient thermistor |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61160902A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
JPH04293203A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタおよびその製造方法 |
US5622652A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Img Group Limited | Electrically-conductive liquid for directly printing an electrical circuit component onto a substrate, and a method for making such a liquid |
JP2003168340A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Fujikura Ltd | メンブレンスイッチおよびその製造方法 |
JP2007027541A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | Ntcサーミスタ素子とその製造方法 |
JP2008130639A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ |
WO2010055841A1 (ja) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | アルプス電気株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4200970A (en) | 1977-04-14 | 1980-05-06 | Milton Schonberger | Method of adjusting resistance of a thermistor |
US4415607A (en) * | 1982-09-13 | 1983-11-15 | Allen-Bradley Company | Method of manufacturing printed circuit network devices |
EP0290159B1 (en) | 1987-04-21 | 1994-12-21 | TDK Corporation | PTC heating device |
JPH0436072Y2 (ja) | 1987-11-16 | 1992-08-26 | ||
JPH0515750Y2 (ja) | 1987-04-21 | 1993-04-26 | ||
US5363084A (en) | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Film resistors having trimmable electrodes |
WO1997014157A1 (en) | 1995-10-07 | 1997-04-17 | Img Group Limited | An electrical circuit component formed of a conductive liquid printed directly onto a substrate |
JP2001272282A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 温度検出回路及び同回路を備えたディスク記憶装置 |
US6794245B2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating double-sided hemispherical silicon grain electrodes and capacitor modules |
US6807503B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
ES2548627T3 (es) | 2003-01-30 | 2015-10-19 | Pst Sensors (Pty) Limited | Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina |
CN100385217C (zh) * | 2004-12-22 | 2008-04-30 | 中国科学院合肥智能机械研究所 | 一种柔性温度传感器阵列的制备方法 |
CN1664523A (zh) * | 2005-01-13 | 2005-09-07 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 纳米尺度微型温度传感器的制作方法 |
CN106185797B (zh) | 2005-06-30 | 2019-03-12 | Pst传感器(私人)有限公司 | 表面改性的半导体纳米粒子 |
ES2370519T3 (es) | 2005-08-23 | 2011-12-19 | University Of Cape Town | Dopado de materiales semiconductores particulados. |
WO2007072162A1 (en) | 2005-12-22 | 2007-06-28 | University Of Cape Town | Thick film semiconducting inks |
US8637138B2 (en) * | 2005-12-27 | 2014-01-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Layered structures on thin substrates |
US20070234918A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Edward Hirahara | System and method for making printed electronic circuits using electrophotography |
RU2513179C2 (ru) | 2008-04-09 | 2014-04-20 | Юниверсити Оф Кейптаун | Способ получения полупроводниковых наночастиц, заканчивающихся стабильным кислородом |
US8895962B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
-
2011
- 2011-09-13 JP JP2013528807A patent/JP5806316B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 CN CN201180054592.XA patent/CN103210290B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 KR KR1020137009246A patent/KR20130128383A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-09-13 RU RU2013116739/07A patent/RU2013116739A/ru unknown
- 2011-09-13 EP EP11824675.0A patent/EP2616784B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-13 WO PCT/IB2011/054001 patent/WO2012035494A1/en active Application Filing
- 2011-09-13 US US13/822,965 patent/US9029180B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 ES ES11824675.0T patent/ES2663098T3/es active Active
-
2013
- 2013-03-13 ZA ZA2013/01890A patent/ZA201301890B/en unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61160902A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
JPH04293203A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタおよびその製造方法 |
US5622652A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Img Group Limited | Electrically-conductive liquid for directly printing an electrical circuit component onto a substrate, and a method for making such a liquid |
JP2003168340A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Fujikura Ltd | メンブレンスイッチおよびその製造方法 |
JP2007027541A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | Ntcサーミスタ素子とその製造方法 |
JP2008130639A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ |
WO2010055841A1 (ja) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | アルプス電気株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016186434A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 東京コスモス電機株式会社 | 温度センサ |
JP2019529315A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-10-17 | ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用 |
CN110249415A (zh) * | 2016-10-22 | 2019-09-17 | 马坦·拉皮多特 | 用于检测缺陷发生和位置的移动检查系统 |
JP2020500415A (ja) * | 2016-10-22 | 2020-01-09 | ラピドット, マタンLAPIDOT, Matan | 欠陥の発生及び位置の検出のための移動式検査システム |
JP2020510200A (ja) * | 2017-03-06 | 2020-04-02 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 印刷温度センサー |
JP7132234B2 (ja) | 2017-03-06 | 2022-09-06 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト-ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 印刷温度センサー |
JP2019203875A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | センサユニット、それを含む温度センサ、該センサユニットの製造方法、及びそれを利用して製造された該温度センサ |
JP2022546674A (ja) * | 2019-10-16 | 2022-11-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103210290B (zh) | 2015-12-09 |
US9029180B2 (en) | 2015-05-12 |
CN103210290A (zh) | 2013-07-17 |
ES2663098T3 (es) | 2018-04-11 |
RU2013116739A (ru) | 2014-10-20 |
JP5806316B2 (ja) | 2015-11-10 |
EP2616784A4 (en) | 2015-09-09 |
US20130203201A1 (en) | 2013-08-08 |
KR20130128383A (ko) | 2013-11-26 |
ZA201301890B (en) | 2014-05-28 |
EP2616784B1 (en) | 2017-12-20 |
WO2012035494A1 (en) | 2012-03-22 |
EP2616784A1 (en) | 2013-07-24 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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