RU2013116739A - Печатный датчик температуры - Google Patents
Печатный датчик температуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013116739A RU2013116739A RU2013116739/07A RU2013116739A RU2013116739A RU 2013116739 A RU2013116739 A RU 2013116739A RU 2013116739/07 A RU2013116739/07 A RU 2013116739/07A RU 2013116739 A RU2013116739 A RU 2013116739A RU 2013116739 A RU2013116739 A RU 2013116739A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thermistor
- substrate
- silicon
- printing
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims 10
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/226—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor using microstructures, e.g. silicon spreading resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления датчика температуры, при выполнении которого формируют по меньшей мере один слой кремния и по меньшей мере один электрод или контакт, для создания структуры терморезистора, при этом по меньшей мере слой кремния формируют посредством печати, а несущей основой при печати по меньшей мере одного из слоя кремния и по меньшей мере одного электрода или контакта является подложка.2. Способ по п.1, в котором по меньшей мере один электрод или контакт формируют печатью.3. Способ по п.1, в котором по меньшей мере один слой кремния и по меньшей мере два проводящих электрода или контакта наносятся непосредственно на объект, температура которого должна измеряться, так что объект сам образует подложку для структуры терморезистора.4. Способ по п.1, в котором подложка содержит электропроводное тело, так что подложка образует электрод или контакт структуры терморезистора.5. Способ по п.1, в котором подложка содержит гибкий лист.6. Способ по п.5, в котором гибкий лист включает сплошную пленку, волокнистый материал или тканый материал.7. Способ по п.1, в котором подложка содержит жесткий лист.8. Способ по п.7, в котором жесткий лист включает сплошной материал, композиционный материал, содержащий материал волокон или частиц, или композиционный материал, содержащий тканый материал.9. Способ по п.1, в котором подложка образует временную несущую основу или шаблон для структуры терморезистора при его изготовлении.10. Способ по п.9, в котором подложка является временной и удаляется химическими, термическим или механическим средствами после печати структуры терморезистора.11. Способ по п.9, в котором подложка образует повторно исп
Claims (28)
1. Способ изготовления датчика температуры, при выполнении которого формируют по меньшей мере один слой кремния и по меньшей мере один электрод или контакт, для создания структуры терморезистора, при этом по меньшей мере слой кремния формируют посредством печати, а несущей основой при печати по меньшей мере одного из слоя кремния и по меньшей мере одного электрода или контакта является подложка.
2. Способ по п.1, в котором по меньшей мере один электрод или контакт формируют печатью.
3. Способ по п.1, в котором по меньшей мере один слой кремния и по меньшей мере два проводящих электрода или контакта наносятся непосредственно на объект, температура которого должна измеряться, так что объект сам образует подложку для структуры терморезистора.
4. Способ по п.1, в котором подложка содержит электропроводное тело, так что подложка образует электрод или контакт структуры терморезистора.
5. Способ по п.1, в котором подложка содержит гибкий лист.
6. Способ по п.5, в котором гибкий лист включает сплошную пленку, волокнистый материал или тканый материал.
7. Способ по п.1, в котором подложка содержит жесткий лист.
8. Способ по п.7, в котором жесткий лист включает сплошной материал, композиционный материал, содержащий материал волокон или частиц, или композиционный материал, содержащий тканый материал.
9. Способ по п.1, в котором подложка образует временную несущую основу или шаблон для структуры терморезистора при его изготовлении.
10. Способ по п.9, в котором подложка является временной и удаляется химическими, термическим или механическим средствами после печати структуры терморезистора.
11. Способ по п.9, в котором подложка образует повторно используемый шаблон.
12. Способ по п.1, в котором слой кремния формируют из пасты, содержащей частицы кремния и жидкое связующее вещество, состоящее из связки и подходящего растворителя, при этом размер частиц кремния составляет от 10 нм до 100 мкм, а поверхность частиц обеспечивает передачу электрического заряда между частицами.
13. Способ по п.12, в котором вводят по меньшей мере один дополнительный проводящий путь в слой частиц кремния путем модификации состава пасты, изменением соотношения между количествами кремния и связующего материала, либо добавлением к пасте или изолирующей фазы, например, двуокиси кремния или других керамических наночастиц, или проводящей или полупроводящей фазы, тем самым добавляя относительно не зависящее от температуры внутреннее сопротивление параллельно зависящему от температуры сопротивлению структуры терморезистора.
14. Способ по п.13, в котором используют проводящую пасту при печати внутреннего резистора, по существу не зависящего от температуры, параллельно зависящему от температуры сопротивлению структуры терморезистора, для снижения номинального сопротивления печатного термодатчика.
15. Способ по п.13, в котором используют проводящую пасту при печати внутреннего резистора, по существу не зависящего от температуры, последовательно с зависящим от температуры сопротивлением структуры терморезистора, для повышения номинального сопротивления печатного термодатчика.
16. Способ по п.12, в котором фракция частиц кремния в пасте составляет от 5% до 95%.
17. Способ по п.16, в котором при подгонке сопротивления печатного термодатчика меняют фракцию частиц кремния в пасте изменением количества частиц кремния в интервале от 25 до 60 об.%.
18. Способ по п.16, в котором фракция частиц кремния в пасте превышает 60%, предпочтительно, 80%.
19. Способ по п.1, в котором при формировании по меньшей мере одного из проводящих электродов или контактов выполняют печать проводящей пастой, осаждение тонкопленочных покрытий или гальваническое осаждение или осаждение методом химического восстановления.
20. Способ по п.19, в котором точную форму по меньшей мере одного контакта подгоняют химическим или электрохимическим травлением, лазерным скрайбированием или иным способом удаления материала для получения требуемой формы.
21. Способ по п.1, в котором контакты имеют круглую геометрию, благодаря чему радиальный электрический путь в структуре терморезистора гарантирует, что измеряемое сопротивление усредняется по всем направлениям относительно направления печати, благодаря чему исключается какая-либо поперечная анизотропия в процессе печати.
22. Способ по п.1, в котором аспектовое отношение терморезисторного датчика составляет менее 1/30, так что расстояние между любыми двумя контактами, используемыми для подведения тока к терморезисторному датчику, мало в сравнении с шириной полупроводящей дорожки между контактами.
23. Способ по п.22, в котором аспектовое отношение в терморезисторном датчике составляет менее 1/1000.
24. Способ по п.1, в котором два вытянутых параллельных контакта, проходящих рядом друг с другом, наносят так, что они образуют дорожку в форме спирали или меандра, перекрывая относительно большую площадь, и позволяя, благодаря этому, измерять среднюю температуру участка подложки соответствующей формы.
25. Способ по п.1, в котором два встречно-штыревых гребенчатых электрических контакта, каждый включающий несколько вытянутых полосок или зубцов, проходящих параллельно и рядом друг с другом, образуя змеевидный зазор, соединены или перекрыты печатным слоем частиц кремния.
26. Способ по п.25, в котором геометрия печатного слоя частиц кремния повторяет змеевидный зазор между электродами.
27. Способ по п.25, в котором печатный слой частиц кремния образует сплошной слой над змеевидным зазором между электродами.
28. Способ по п.1, в котором наносимые четыре электрических контакта, из которых два используются для подачи электрического тока к датчику температуры, а два используются для измерения напряжения в процессе использования, имеют обычную линейную четырехточечную геометрию, либо любую из распространенных геометрий ван дер Пау для получения большей точности.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ZA201006532 | 2010-09-13 | ||
| ZA2010/06532 | 2010-09-13 | ||
| PCT/IB2011/054001 WO2012035494A1 (en) | 2010-09-13 | 2011-09-13 | Printed temperature sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013116739A true RU2013116739A (ru) | 2014-10-20 |
Family
ID=45831072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013116739/07A RU2013116739A (ru) | 2010-09-13 | 2011-09-13 | Печатный датчик температуры |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9029180B2 (ru) |
| EP (1) | EP2616784B1 (ru) |
| JP (1) | JP5806316B2 (ru) |
| KR (1) | KR20130128383A (ru) |
| CN (1) | CN103210290B (ru) |
| ES (1) | ES2663098T3 (ru) |
| RU (1) | RU2013116739A (ru) |
| WO (1) | WO2012035494A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA201301890B (ru) |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010004038T5 (de) | 2009-10-16 | 2012-09-20 | Kesumo, Llc | Fussbetätigter Controller |
| CN104185780A (zh) * | 2012-01-30 | 2014-12-03 | Pst传感器(私人)有限公司 | 热成像传感器 |
| US9076419B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-07-07 | Bebop Sensors, Inc. | Multi-touch pad controller |
| DE102012111458B4 (de) * | 2012-11-27 | 2022-12-08 | Tdk Electronics Ag | Halbleitervorrichtung |
| US20150108632A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Thin film with negative temperature coefficient behavior and method of making thereof |
| JP6024642B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2016-11-16 | 株式会社デンソー | 熱電変換装置およびその製造方法 |
| WO2015096927A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Arcelik Anonim Sirketi | An induction cooker, the safe utilization of which is provided |
| US9281104B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-03-08 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Conductive thin film comprising silicon-carbon composite as printable thermistors |
| BR112016023692A2 (pt) * | 2014-04-15 | 2017-08-15 | Koninklijke Philips Nv | sonda de medição de temperatura, sistema de ressonância magnética, e método para monitorar a temperatura em um ambiente de ressonância magnética |
| US9753568B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-09-05 | Bebop Sensors, Inc. | Flexible sensors and applications |
| US9965076B2 (en) * | 2014-05-15 | 2018-05-08 | Bebop Sensors, Inc. | Piezoresistive sensors and applications |
| US9442614B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-09-13 | Bebop Sensors, Inc. | Two-dimensional sensor arrays |
| US10362989B2 (en) | 2014-06-09 | 2019-07-30 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor system integrated with a glove |
| JP2017531163A (ja) | 2014-07-22 | 2017-10-19 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 薄膜抵抗式センサ |
| US9931778B2 (en) | 2014-09-18 | 2018-04-03 | The Boeing Company | Extruded deposition of fiber reinforced polymers |
| US9863823B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-01-09 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with footwear |
| KR102381654B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2022-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 온도 검출 소자 및 이를 이용한 온도 센서 |
| JP6532259B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-06-19 | 東京コスモス電機株式会社 | 温度センサ |
| US10082381B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-09-25 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with vehicle tires |
| US9827996B2 (en) | 2015-06-25 | 2017-11-28 | Bebop Sensors, Inc. | Sensor systems integrated with steering wheels |
| DE112016003480T5 (de) | 2015-07-31 | 2018-04-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperatursensor |
| US10034609B2 (en) * | 2015-11-05 | 2018-07-31 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Temperature sensor for tracking body temperature based on printable nanomaterial thermistor |
| EP3377867A1 (en) * | 2015-11-18 | 2018-09-26 | PST Sensors (Pty) Limited | Digital sensor |
| US10393598B1 (en) * | 2015-12-03 | 2019-08-27 | FluxTeq LLC | Heat flux gage |
| CN107560750A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 国神光电科技（上海）有限公司 | 一种测温电路及一种测温结构 |
| CN106322457B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-10-23 | 深圳拓邦股份有限公司 | 一种电磁灶 |
| DE102016119340A1 (de) * | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sensors, Sensor und Verwendung eines Sensors |
| JP2020500415A (ja) * | 2016-10-22 | 2020-01-09 | ラピドット， マタンＬＡＰＩＤＯＴ， Ｍａｔａｎ | 欠陥の発生及び位置の検出のための移動式検査システム |
| CN106556473A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-04-05 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
| CN106556474A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-04-05 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
| CN106370318A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-02-01 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
| CN106644144A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
| EP3373310A1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-09-12 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Printed temperature sensor |
| DE102017105317B3 (de) | 2017-03-14 | 2018-05-09 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Vorrichtung zum Charakterisieren des elektrischen Widerstandes eines Messobjekts |
| KR101923074B1 (ko) | 2017-03-21 | 2018-11-28 | 부경대학교 산학협력단 | 저온 센서용 금 나노입자-실리콘 복합소재 |
| CN107063492A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 武汉大学 | 一种印刷型温度传感器及应用该温度传感器的疏散标志 |
| KR20190004974A (ko) * | 2017-07-05 | 2019-01-15 | 주식회사 이엠따블유 | 프린팅 공정을 이용한 센서의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 |
| EP3435048A1 (de) * | 2017-07-25 | 2019-01-30 | Heraeus Sensor Technology GmbH | Sensor zur erfassung eines räumlichen temperaturprofils und verfahren zur herstellung einer sensoreinheit |
| US11231331B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-01-25 | Littelfuse, Inc. | Temperature sensing tape |
| US11300458B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-04-12 | Littelfuse, Inc. | Temperature sensing tape, assembly, and method of temperature control |
| KR102073720B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2020-02-05 | (주) 텔로팜 | 최소 침습 기술을 이용한 식물의 수액 흐름 측정용 마이크로 니들 프로브 장치 |
| EP3521786B8 (en) | 2018-01-31 | 2020-11-18 | ABB Power Grids Switzerland AG | Wound electrical component with printed electronics sensor |
| DE102018102471B3 (de) * | 2018-02-05 | 2019-02-21 | Leoni Kabel Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Messung einer Temperaturverteilung auf einer Oberfläche |
| JP6524567B1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-06-05 | 株式会社Ｇｃｅインスティチュート | 熱電素子、熱電装置、及び熱電素子の形成方法 |
| KR102007446B1 (ko) * | 2018-05-21 | 2019-10-21 | 해성디에스 주식회사 | 센서 유닛, 이를 포함하는 온도 센서, 센서 유닛의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 온도 센서 |
| US10884496B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-01-05 | Bebop Sensors, Inc. | One-size-fits-all data glove |
| KR102131121B1 (ko) * | 2018-08-28 | 2020-07-07 | 건국대학교 산학협력단 | 플렉시블 온도 센서를 활용한 온도 제어 시스템 |
| US11280685B2 (en) | 2018-10-01 | 2022-03-22 | Goodrich Corporation | Additive manufactured resistance temperature detector |
| US11085833B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Xerox Corporation | Temperature sensor ink composition with metal oxide nanoparticles |
| US11187590B2 (en) | 2018-11-13 | 2021-11-30 | Institut National D'optique | Microbolometer detectors and arrays for printed photonics applications |
| KR102205001B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2021-01-18 | 순천대학교 산학협력단 | 롤투롤 그라비아 인쇄를 이용한 온도 센서 태그 제조 방법 |
| CN109781291B (zh) * | 2019-02-02 | 2021-10-26 | 五邑大学 | 一种柔性温度传感器 |
| JP7374589B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2023-11-07 | 日東電工株式会社 | 温度センサフィルム、導電フィルムおよびその製造方法 |
| US11480481B2 (en) | 2019-03-13 | 2022-10-25 | Bebop Sensors, Inc. | Alignment mechanisms sensor systems employing piezoresistive materials |
| TWI728345B (zh) * | 2019-04-19 | 2021-05-21 | 美宸科技股份有限公司 | 柔性感測器 |
| DE102019122364A1 (de) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Schreiner Group Gmbh & Co. Kg | Gegenstand zur Durchführung einer elektrischen Messung an einer Messschicht |
| DE102019127915A1 (de) | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
| US20230207161A1 (en) * | 2020-04-22 | 2023-06-29 | Nanoco 2D Materials Limited | Negative temperature coefficient (ntc) thermistors utilising transition metal dichalcogenide quantum dots |
| KR102418224B1 (ko) * | 2020-04-24 | 2022-07-08 | 성균관대학교산학협력단 | 탈부착이 가능한 수유병 센싱 장치 및 상기 장치를 포함하는 수유병 모니터링 시스템 |
| JP7519043B2 (ja) | 2020-06-12 | 2024-07-19 | Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
| US11688614B2 (en) * | 2021-04-28 | 2023-06-27 | Kla Corporation | Mitigating thermal expansion mismatch in temperature probe construction apparatus and method |
| FI129739B (en) * | 2021-06-08 | 2022-08-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Improved negative temperature coefficient thermistor |
| CN114980382A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-30 | 闽都创新实验室 | 一种微型加热器 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4200970A (en) | 1977-04-14 | 1980-05-06 | Milton Schonberger | Method of adjusting resistance of a thermistor |
| US4415607A (en) * | 1982-09-13 | 1983-11-15 | Allen-Bradley Company | Method of manufacturing printed circuit network devices |
| JPS61160902A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| US4874924A (en) | 1987-04-21 | 1989-10-17 | Tdk Corporation | PTC heating device |
| JPH0436072Y2 (ru) | 1987-11-16 | 1992-08-26 | ||
| JPH0515750Y2 (ru) | 1987-04-21 | 1993-04-26 | ||
| JP2701565B2 (ja) * | 1991-03-22 | 1998-01-21 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サーミスタおよびその製造方法 |
| US5363084A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Film resistors having trimmable electrodes |
| US5622652A (en) | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Img Group Limited | Electrically-conductive liquid for directly printing an electrical circuit component onto a substrate, and a method for making such a liquid |
| DE857348T1 (de) | 1995-10-07 | 1999-05-06 | Img Group Ltd., Chalfont, Pa. | Mit einer auf einem substrat gedruckten leitfähigen flüssigkeit hergestelltes bauteil für elektrische schaltungen |
| JP2001272282A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 温度検出回路及び同回路を備えたディスク記憶装置 |
| JP2003168340A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Fujikura Ltd | メンブレンスイッチおよびその製造方法 |
| US6794245B2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating double-sided hemispherical silicon grain electrodes and capacitor modules |
| US6807503B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
| WO2004068536A2 (en) | 2003-01-30 | 2004-08-12 | University Of Cape Town | A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device |
| CN100385217C (zh) * | 2004-12-22 | 2008-04-30 | 中国科学院合肥智能机械研究所 | 一种柔性温度传感器阵列的制备方法 |
| CN1664523A (zh) * | 2005-01-13 | 2005-09-07 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 纳米尺度微型温度传感器的制作方法 |
| WO2007004014A2 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-11 | University Of Cape Town | Semiconducting nanoparticles with surface modification |
| JP2007027541A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | Ｎｔｃサーミスタ素子とその製造方法 |
| WO2007023362A1 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | University Of Cape Town | Doping of particulate semiconductor materials |
| KR101407252B1 (ko) | 2005-12-22 | 2014-06-16 | 피에스티 센서스 (피티와이) 리미티드 | 후막 반도체성 잉크 |
| US8637138B2 (en) * | 2005-12-27 | 2014-01-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Layered structures on thin substrates |
| US20070234918A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Edward Hirahara | System and method for making printed electronic circuits using electrophotography |
| JP4997933B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2012-08-15 | パナソニック株式会社 | サーミスタ |
| WO2009125370A1 (en) | 2008-04-09 | 2009-10-15 | University Of Cape Town | Method of producing stable oxygen terminated semiconducting nanoparticles |
| JP5186007B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-04-17 | アルプス電気株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
| US8895962B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
-
2011
- 2011-09-13 ES ES11824675.0T patent/ES2663098T3/es active Active
- 2011-09-13 EP EP11824675.0A patent/EP2616784B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-13 US US13/822,965 patent/US9029180B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 RU RU2013116739/07A patent/RU2013116739A/ru unknown
- 2011-09-13 KR KR1020137009246A patent/KR20130128383A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-09-13 WO PCT/IB2011/054001 patent/WO2012035494A1/en active Application Filing
- 2011-09-13 CN CN201180054592.XA patent/CN103210290B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 JP JP2013528807A patent/JP5806316B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-13 ZA ZA2013/01890A patent/ZA201301890B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA201301890B (en) | 2014-05-28 |
| CN103210290B (zh) | 2015-12-09 |
| JP2013538462A (ja) | 2013-10-10 |
| EP2616784A1 (en) | 2013-07-24 |
| CN103210290A (zh) | 2013-07-17 |
| US20130203201A1 (en) | 2013-08-08 |
| WO2012035494A1 (en) | 2012-03-22 |
| KR20130128383A (ko) | 2013-11-26 |
| EP2616784B1 (en) | 2017-12-20 |
| JP5806316B2 (ja) | 2015-11-10 |
| ES2663098T3 (es) | 2018-04-11 |
| EP2616784A4 (en) | 2015-09-09 |
| US9029180B2 (en) | 2015-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013116739A (ru) | Печатный датчик температуры | |
| JP2013538462A5 (ru) | ||
| Hsia et al. | Highly flexible, all solid-state micro-supercapacitors from vertically aligned carbon nanotubes | |
| Kim et al. | Selective wetting-induced micro-electrode patterning for flexible micro-supercapacitors | |
| JP4547852B2 (ja) | 電気部品の製造方法 | |
| KR101645213B1 (ko) | 용량형 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR20140113437A (ko) | 센서 및 센싱 방법 | |
| US8749950B2 (en) | Ionic polymer metal composite capacitor | |
| US20160056455A1 (en) | Structure equipped with amorphous carbon film having electrically conductive part and containing silicon, and method for manufacturing same | |
| Yu et al. | Facile ion-exchange synthesis of silver films as flexible current collectors for micro-supercapacitors | |
| JP6510045B2 (ja) | 熱電変換素子および熱電変換モジュール | |
| JP2016529706A (ja) | ポリマーフィルムに基づく熱電モジュールの製造方法 | |
| KR101568459B1 (ko) | 배터리 모듈용 면상발열체 | |
| Mondal et al. | Flexible thermoelectric generator from bulk graphite and bismuth traces on emery paper | |
| Tai et al. | “Self‐Peel‐off” transfer produces ultrathin polyvinylidene‐fluoride‐based flexible nanodevices | |
| Jeong et al. | Electrode design on plastic substrates using laser patterned double-sided tape and gold leaf | |
| JP5499518B2 (ja) | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| CN202564377U (zh) | 一种石墨烯电极 | |
| TW202014045A (zh) | 加熱器及附加熱器之物品 | |
| SU989422A1 (ru) | Датчик влажности и температуры | |
| Rydosz et al. | Thermal and electrical investigation on LTCC gas sensor substrates | |
| US20120180853A1 (en) | Photovoltaic Cells | |
| KR102253983B1 (ko) | 비스무트 티타네이트 기반 연성 강유전체 서미스터 장치 및 그 제조방법, 비스무트 티타네이트 적용 복합 필름-기반 압전 나노제너레이터 및 그 제조방법, 상기 장치를 적용하는 자가 발전 구조의 실시간 환경 온도 모니터링 시스템 | |
| KR20230154690A (ko) | 온도 센서 및 그의 제조 방법 | |
| JP2007212633A (ja) | 加熱ステージ |