TW202014045A - 加熱器及附加熱器之物品 - Google Patents
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Abstract
加熱器具備：基板、透明導電性氧化物層、第一饋電用電極與第二饋電用電極。相對於在第一饋電用電極與第二饋電用電極之間的透明導電性氧化物層的電阻，第一饋電用電極在特定方向上的電阻及第二饋電用電極在特定方向上的電阻之和的比為45%以下。透明導電性氧化物層具有20~250nm的厚度，且係由具有1.4~3.0×10-4
Ω・cm之比電阻的材料形成。
Description
本發明涉及加熱器及附加熱器之物品。
發明背景
以往，已知有使用有銦錫氧化物(ITO)等透明導電性氧化物之薄膜的面狀加熱器。
例如專利文獻1中記載有一種加熱板，其具備：具有可撓性的薄膜狀基板、以ITO等材料之單一層所構成的透明薄膜導電層及2條棒狀電極。在該加熱板中，透明薄膜導電層係附著於基板之表面。2條棒狀電極係配置於透明薄膜導電層上。棒狀電極係利用網版印刷等印刷來形成，可印刷之導電性墨水適於形成棒狀電極。有用之導電性墨水係於環氧樹脂之黏結劑中具備銀粒子。
專利文獻2中記載有一種具有透明基板、透明導電性薄膜及電極之透明面狀加熱器。透明基板的材料係使用聚酯樹脂等高分子樹脂。透明導電性薄膜為金屬薄膜或半導體薄膜，且半導體薄膜的材料可為In2
O3
、SnO2
或ITO。電極係形成於透明導電性薄膜的兩端部。電極具備有導電性樹脂層與導電性金屬箔。藉由印刷或塗敷，於透明導電性薄膜上形成導電性樹脂層。該導電性樹脂層上設有導電性金屬箔。導電性金屬箔上更疊合有導電性樹脂層。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：美國專利第4952783號說明書
專利文獻2：日本特開平4-289685號公報
發明概要
發明欲解決之課題
專利文獻1及2中所記載之加熱器的電極由提高加熱器之發熱量且抑制發熱體中發熱量之空間性不均的觀點看來，有改良的餘地。
基於所述情事，本發明提供一種加熱器，其一對饋電用電極係與透明導電性氧化物層電性連接，並且由發揮高發熱量及抑制發熱體中發熱量之空間性不均的觀點看來甚為有利。
用以解決課題之方法
本發明提供一種加熱器，其具備：
基板；
透明導電性氧化物層，其配置於前述基板上；
第一饋電用電極，其與前述透明導電性氧化物層電性連接且沿特定方向延伸；及
第二饋電用電極，其與前述透明導電性氧化物層電性連接，且與前述第一饋電用電極分離而沿前述特定方向延伸；
相對於在前述第一饋電用電極與前述第二饋電用電極之間的前述透明導電性氧化物層的電阻，前述第一饋電用電極在前述特定方向上的電阻及前述第二饋電用電極在前述特定方向上的電阻之和的比為45%以下；
前述透明導電性氧化物層具有20~250nm之厚度，且係由具有1.4×10-4
~3.0×10-4
Ω・cm之比電阻的材料形成。
發明效果
上述加熱器中，雖第一饋電用電極及第二饋電用電極係與透明導電性氧化物層電性連接，但由發揮高發熱量及抑制發熱體中發熱量之空間性不均的觀點看來甚為有利。
用以實施發明之形態
本發明人等針對具備透明導電性氧化物層的加熱器反覆檢討，而鑒於下述新見解想出了本發明之加熱器。
專利文獻1所記載之加熱器中的電極係使用導電性墨水形成，吾等認為該電極在長度方向上的電阻較金屬材料構成之電極要高。專利文獻1所記載之加熱器中，電極之長度方向的端部係與電源連接。電極在長度方向上的電阻相對較高，因此吾等認為流過連接電源的電極之端部附近的透明薄膜導電層部位的電流大小、和流過與連接電源的電極之端部分離的透明薄膜導電層部位的電流大小相差甚大。結果，連接電源的電極之端部附近的透明薄膜導電層部位的發熱量、和與連接電源的電極之端部分離的透明薄膜導電層部位的發熱量相差甚大，而使加熱器的發熱量產生空間性不均。並且，吾等認為在使用導電性墨水形成電極時，電路整體之電阻會容易變大，而難以提高加熱器之發熱量。且，吾等認為使用導電性墨水形成的電極容易剝落。根據專利文獻2所記載之技術，吾等認為利用導電性金屬箔就可減少電極在長度方向上的電阻。但專利文獻2中所記載之加熱器的電極亦具備導電性樹脂層，因此專利文獻2中所記載之技術有更進一步減少電極在長度方向上之電阻的餘地。
若欲僅以以往之透明導電性氧化物層來減少發熱體之電阻，則須將透明導電性氧化物層之厚度增大甚多。而具有大厚度的透明導電性氧化物層會容易產生裂痕。
因此，本發明人等為了開發以下加熱器而日夜反覆進行研討，該加熱器為即使一對饋電用電極與透明導電性氧化物層電性連接，仍可發揮高發熱量，且可抑制發熱體中發熱量之空間性不均。反覆進行無數次試錯後，結果發現藉由從根本上重新檢討透明導電性氧化物層之製作條件，可成功減少形成透明導電性氧化物層之材料的比電阻，而可在將透明導電性氧化物層之厚度抑制得較小的同時，減少發熱體之電阻。並且，吾等亦研討了在使用所述透明導電性氧化物層的前提下，由抑制發熱量之空間性不均的觀點看來較為理想的電極之電阻與透明導電性氧化物層之電阻的關係。
以下邊參照圖式邊說明本發明之實施形態。此外，下述說明僅舉例說明本發明，本發明並不受限於以下實施形態。
如圖1A及圖1B所示，加熱器1a具備有：基板10、透明導電性氧化物層20、第一饋電用電極31與第二饋電用電極32。透明導電性氧化物層20係配置於基板10上。基板10典型上係與透明導電性氧化物層20之主面21(第一主面)接觸。加熱器1a中，透明導電性氧化物層20作為發熱體發揮機能。第一饋電用電極31係與透明導電性氧化物層20電性連接且沿特定方向延伸。第一饋電用電極31具有在特定方向上展現最大尺寸的細長形狀。第二饋電用電極32係與透明導電性氧化物層20電性連接，且與第一饋電用電極31分離而沿特定方向延伸。換言之，在第二主面22上，第二饋電用電極32係與第一饋電用電極31平行延伸。第二饋電用電極32具有在特定方向上展現最大尺寸的細長形狀。相對於在第一饋電用電極31與第二饋電用電極32之間的透明導電性氧化物層20的電阻RH
，第一饋電用電極31在特定方向上的電阻Re1
與第二饋電用電極32在特定方向上的電阻Re2
之和(Re1
+Re2
)的比(Re1
+Re2
)/RH
為45%以下。並且，透明導電性氧化物層20具有20~250nm的厚度，且係由具有1.4×10-4
~3.0×10-4
Ω・cm之比電阻的材料形成。
第一饋電用電極31及第二饋電用電極32上安裝有用以將加熱器1a與電源電性連接的配線(省略圖式)。該配線之安裝位置只要可供給加熱器1a所期望之電力即無特別限定。該配線可於第一饋電用電極31及第二饋電用電極32的厚度方向上安裝於相同側，亦可安裝於不同側。舉例而言，該配線可配置於第一饋電用電極31之特定方向上的端部31e及第二饋電用電極32之特定方向上的端部32e。端部31e及端部32e係於特定方向上位於加熱器1a的相同側。端部31e及端部32e亦可於特定方向上位於加熱器1a的不同側。
如同上述，透明導電性氧化物層20係由具有低比電阻的材料所形成，因此加熱器1a可發揮高發熱量。並且，雖透明導電性氧化物層20之厚度為20~250nm而較小，但加熱器1a仍可發揮高發熱量。另外，若透明導電性氧化物層20之厚度為20~250nm而較小，則透明導電性氧化物層20上不易產生裂痕。(Re1
+Re2
)/RH
為45%以下，因此Re1
+Re2
較RH
小，而可抑制發熱體中發熱量之空間性不均。(Re1
+Re2
)/RH
可為35%以下，亦可為25%以下。
透明導電性氧化物層20可由具有1.5~2.9×10-4
Ω・cm之比電阻的材料形成，亦可由具有1.6~2.8×10-4
Ω・cm之比電阻的材料形成。
透明導電性氧化物層20的厚度可為30~230nm，亦可為40~200nm。
例如，形成第一饋電用電極31之材料具有4×10-5
Ω・m以下之比電阻，且形成第二饋電用電極32之材料具有4×10-5
Ω・m以下之比電阻。此由滿足(Re1
+Re2
)/RH
在45%以下之關係的觀點來看乃有利。形成第一饋電用電極31之材料亦可具有8×10-6
Ω・m以下之比電阻，且形成第一饋電用電極31之材料亦可具有6×10-6
Ω・m以下之比電阻。形成第二饋電用電極32之材料亦可具有8×10-6
Ω・m以下之比電阻，且形成第二饋電用電極32之材料亦可具有6×10-6
Ω・m以下之比電阻。
例如，形成第一饋電用電極31之材料為金屬材料，且形成第二饋電用電極32之材料為金屬材料。此由滿足(Re1
+Re2
)/RH
在45%以下之關係的觀點來看乃有利。金屬材料可為銅等之單體金屬或不鏽鋼等之合金。第一饋電用電極31及第二饋電用電極32可分別以單一金屬材料形成，亦可以多種金屬材料形成。
例如，第一饋電用電極31具有1μm以上的厚度，且第二饋電用電極32具有1μm以上的厚度。此由滿足(Re1
+Re2
)/RH
在45%以下之關係的觀點來看乃有利。又，在使加熱器1a在高升溫速度下運作時，第一饋電用電極31及第二饋電用電極32不易損壞。另，與形成於觸控面板等顯示裝置所用透明導電性薄膜上之電極的厚度相比，該饋電用電極30之厚度特別大。第一饋電用電極31的厚度可為2μm以上，可為3μm以上，亦可為5μm以上。第一饋電用電極31的厚度可為例如200μm以下，可為150μm，亦可為100μm以下。第二饋電用電極31的厚度可為2μm以上，可為3μm以上，亦可為5μm以上。第二饋電用電極32的厚度可為例如200μm以下，可為150μm，亦可為100μm以下。
形成透明導電性氧化物層20之材料例如係含有銦氧化物作為主成分。本說明書中，「主成分」意指以質量基準計含有最多的成分。形成透明導電性氧化物層20之材料宜為銦錫氧化物(ITO)。ITO之氧化錫的含有率例如為4~14質量%，且宜為5~13質量%。形成透明導電性氧化物層20之ITO宜具有多晶結構。此由可將透明導電性氧化物層20之比電阻維持較低之觀點來看乃有利。
透明導電性氧化物層20藉由霍爾效應測定決定之載體密度例如為6.0×1020
cm-3
以上。霍爾效應測定為依照例如van der Pauw法。若透明導電性氧化物層20的載體密度如所述般較高，則可易將形成透明導電性氧化物層20之材料的比電阻調節至上述範圍。因此，加熱器1a易發揮高發熱量。
透明導電性氧化物層20的載體密度宜為7.0×1020
cm-3
以上，且宜為7.5×1020
cm-3
以上。透明導電性氧化物層20的載體密度例如為16×1020
cm-3
以下。
加熱器1a中，透明導電性氧化物層20的霍爾移動率舉例而言為15cm2
/(V・s)以上。藉此，可易將形成透明導電性氧化物層20之材料的比電阻調節成上述範圍。因此，加熱器1a易發揮高發熱量。
透明導電性氧化物層20的霍爾移動率宜為10cm2
/(V・s)以上，且12cm2
/(V・s)以上更佳。透明導電性氧化物層20的霍爾移動率舉例而言為50cm2
/(V・s)以下。
基板10例如具有可撓性。此時，基板10之材料只要具有可撓性即無特別限定，基板10例如可以有機高分子構成。基板10例如可以選自於由下述所構成群組中之至少1者構成：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚醚醚酮及芳香族聚醯胺。基板10亦可為具有可撓性之薄板玻璃。
基板10之厚度無限定為特定之厚度，惟從良好的透明性、良好的強度及操作容易性之觀點來看，例如為10~200μm。基板10的厚度可為15~180μm，亦可為20~160μm。
基板10亦可具備硬塗層、應力緩和層或光學調整層等機能層。該等機能層例如可形成為基板10之與透明導電性氧化物層20接觸之一主面。該等機能層可為透明導電性氧化物層20之基底。
透明導電性氧化物層20無特別限定，例如可藉由使用含有氧化銦作為主成分之靶材進行濺鍍，於基板10之一主面上形成源自靶材之薄膜而得。較佳是以高磁場DC磁控濺鍍法於基板10之一主面上形成源自靶材之薄膜。此時，可以低溫形成透明導電性氧化物層20。因此，譬如即使基板10的耐熱溫度不高，仍可於基板10形成透明導電性氧化物層20。並且，透明導電性氧化物層20中不易產生缺陷，而透明導電性氧化物層20的內部應力易變低。且，藉由調整濺鍍條件，可易形成適宜作為透明導電性氧化物層20之薄膜。例如將高磁場DC磁控濺鍍法中靶材之表面的水平磁場調整為預定大小，藉此透明導電性氧化物層20的霍爾移動率會提高，而易於製得在比電阻之觀點下所期望之透明導電性氧化物層20。
形成於基板10之一主面之薄膜可視需要進行退火處理。例如，將薄膜置於120℃~150℃之大氣中1小時~3小時進行退火處理。藉此可促進薄膜的結晶化，而有利於形成以多晶體構成之透明導電性氧化物層20。若退火處理時薄膜的環境溫度及退火處理的時間在上述範圍內，則即使基板10的耐熱溫度不高，仍可使用有機高分子作為基板10之材料。並且，透明導電性氧化物層20中不易產生缺陷，而透明導電性氧化物層20的內部應力易變低。藉由調整退火處理之條件，可易於製得在比電阻之觀點下所期望之透明導電性氧化物層20。例如將退火處理時的氧供給量限制在預定範圍內，藉此可易於製得具有高載體密度的多結晶體之透明導電性氧化物層，而可易將透明導電性氧化物層20的比電阻調整至所期望之範圍內。
第一饋電用電極31及第二饋電用電極32例如係如下製作。配置遮蔽薄膜以覆蓋透明導電性氧化物層20之第二主面22的一部分。透明導電性氧化物層20之第二主面22上積層有其他薄膜時，亦可於該薄膜上配置遮蔽薄膜。於該狀態下，係透過化學氣相沉積法(CVD)及物理氣相沉積法(PVD)等乾式法或鍍敷法等濕式法，於透明導電性氧化物層20之露出部及遮蔽薄膜上形成1μm以上之金屬膜。其後，可藉由去除遮蔽薄膜，使透明導電性氧化物層20之露出部上留有金屬膜，而形成第一饋電用電極31及第二饋電用電極32。又，亦可透過CVD及PVD等乾式法或鍍敷法等濕式法，於透明導電性氧化物層20之第二主面22上形成1μm以上之金屬膜，其後，藉由蝕刻除去不需要的金屬膜，而形成第一饋電用電極31及第二饋電用電極32。
加熱器1a由各種觀點來看是可變更的。例如，加熱器1a亦可變更為如圖2所示之加熱器1b。加熱器1b除了有特別說明的情況之外，係與加熱器1a以同樣方式構成。加熱器1b之與加熱器1a之構成要素相同或相對應的構成要素係給予相同符號，並省略詳細說明。關於加熱器1a之說明只要在技術上不矛盾，亦可適用於加熱器1b。
如圖2所示，加熱器1b具備有保護層40。保護層40是配置於透明導電性氧化物層20之較第一主面21更靠近第二主面22的位置。保護層40例如具備有預定之保護薄膜與黏著劑層，該黏著劑層係用以將保護薄膜貼附至透明導電性氧化物層20的第二主面22者。形成透明導電性氧化物層20之材料的韌性典型上為低。因此，利用保護層40保護透明導電性氧化物層20，從而加熱器1b具有高耐衝擊性。保護層40中的保護薄膜之材料並無特別限定，例如為氟樹脂、聚矽氧、丙烯酸樹脂及聚酯等合成樹脂。保護薄膜的厚度並無特別限定，例如為20~200μm。藉此，可使加熱器1b具有良好的耐衝擊性並可防止加熱器1b的厚度變得過大。黏著劑層例如可以丙烯酸系黏著劑等公知的黏著劑而形成。
可使用加熱器1a製作附加熱器之物品。如圖3所示為例，附加熱器之物品2具備有成形體50、黏著層60與加熱器1a。成形體50具有被覆面51。成形體50係以金屬材料或合成樹脂形成。黏著層60係與被覆面51接觸。接著層60係以例如丙烯酸系黏著劑等公知的黏著劑形成。加熱器1a係與黏著層60接觸同時利用黏著層60安裝於成形體50上。
黏著層60例如亦可預先形成於加熱器1a的基板10之與透明導電性氧化物層20接觸之主面的相反側之主面上。此時，使黏著層60與被覆面51相對向而將加熱器1a壓附至成形體50，藉此可將加熱器1a安裝至成形體50。又，黏著層60亦可被分離件(省略圖式)覆蓋著。此時，在將加熱器1a安裝至成形體50時，分離件會被剝離而露出黏著層60。分離件60例如為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯樹脂製薄膜。
加熱器1a例如在使用近紅外線進行處理的裝置中，是配置於該近紅外線之光路上。該裝置係例如使用近紅外線進行感測或通訊等預定處理。成形體50例如可構成所述裝置之殼體。
實施例
以下藉由實施例詳細說明本發明。此外，本發明不受以下實施例限定。首先，說明有關實施例及比較例之評估方法及測定方法。
[厚度測定]
使用X射線繞射裝置(Rigaku公司製，製品名：RINT2200)，利用X射線反射率法測定各實施例及各比較例之加熱器的透明導電性氧化物層(發熱體)的厚度。將結果列於表1。並使用X射線繞射裝置獲得了對於透明導電性氧化物層之X射線繞射圖譜。X射線係使用CuKα射線。於各實施例中從所得X射線繞射圖譜可確認到透明導電性氧化物層(發熱體)為多晶結構。又，使用觸針式表面形狀測定器(ULVAC公司製，製品名：Dektak8)，計測各實施例及各比較例之加熱器的饋電用電極的端部高度，並測定各實施例及各比較例之加熱器的饋電用電極的厚度。將結果列於表1。
[薄片電阻、比電阻及電性電阻]
使用非接觸式電阻測定裝置(Napson公司製，製品名：NC-80MAP)，依照日本工業規格(JIS)Z 2316-1：2014，利用渦電流測定法測定各實施例及各比較例之加熱器的透明導電性氧化物層(發熱體)的薄片電阻。將結果列於表1。並求出由厚度測定所得之透明導電性氧化物層(發熱體)的厚度與透明導電性氧化物層(發熱體)的薄片電阻之乘積，判定各實施例及各比較例之加熱器的透明導電性氧化物層(發熱體)的比電阻。將結果列於表1。此外，表1中，饋電用電極之比電阻係基於文獻或規格書記載之值。由饋電用電極之電極尺寸及比電阻求得一對饋電用電極在長度方向上的電阻之和(Re1
+Re2
)。將結果列於表2。並由透明導電性氧化物層的薄片電阻與一對饋電用電極間的距離求得在一對饋電用電極間的透明導電性氧化物層之電阻RH
。將結果列於表2。
[霍爾效應測定]
使用霍爾效應測定裝置(TOYO Corporation製，製品名：ResiTest 8400)，對各實施例及各比較例之加熱器的透明導電性氧化物層(發熱體)，依照van der Pauw法進行霍爾效應測定。從霍爾效應測定的結果求出各實施例及各比較例之加熱器的透明導電性氧化物層(發熱體)的載體密度。將結果列於表1。
[加熱器特性]
使用菊水電子工業公司製之直流恆壓電源，對各實施例及各比較例之加熱器的一對饋電用電極施加12V的電壓，進行接通加熱器之透明導電性氧化物層(發熱體)電流的通電試驗。用以將加熱器與電源連接的配線係安裝於饋電用電極之長度方向上的同一側之端部。在通電試驗的期間中，使用FLIR Systems公司製之熱像儀，測定透明導電性氧化物層(發熱體)之表面溫度，算出升溫速度。將面內之升溫速度的最高值及最低值之結果列於表2。
[耐裂痕性]
將形成有透明導電性氧化物層的薄膜裁切成2cm×10cm之矩形狀，製作出用於評估耐裂痕性的試驗片。將該試驗片沿長度方向以透明導電性氧化物層為外側捲附至直徑25mm的不鏽鋼製圓棒上後，於試驗片兩端安裝112.5g之砝碼使砝碼懸垂，並於該狀態下維持30秒。其後，目視確認於透明導電性氧化物層有無產生裂痕。將結果列於表2。
>實施例1>
於具有100μm厚度的聚萘二甲酸乙二酯(PEN)之薄膜(TEIJIN FILM SOLUTIONS LIMITED製，製品名：Teonex)的一主面上，使用氧化銦錫(ITO)(氧化錫之含有率：10重量%)作為靶材，在該靶材之表面的水平磁場之磁通密度為100mT(毫特斯拉)的高磁場且有非活性氣體存在之狀態下，利用DC磁控濺鍍法形成ITO膜。將形成ITO膜後的PEN薄膜置於150℃之大氣中3小時，進行加熱退火處理。藉此使ITO結晶化，形成透明導電性氧化物層。透明導電性氧化物層的厚度為50nm。
接著，將形成有透明導電性氧化物層的PEN薄膜裁切成短籤狀，並以遮蔽薄膜覆蓋部分透明導電性氧化物層，使透明導電性氧化物層之彼此相對向延伸的一對端部露出。一對端部各具有2mm的寬度。於該狀態下，於透明導電性氧化物層及遮蔽薄膜之上，以DC磁控濺鍍法形成具有厚度100nm之Cu薄膜。再對Cu薄膜進行濕式鍍敷處理，使Cu膜之厚度增加到20μm。其後，除去遮蔽薄膜，而於透明導電性氧化物層之對應一對端部的部分形成一對饋電用電極(第一饋電用電極及第二饋電用電極)。依上述而製得實施例1之加熱器。各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度為60mm，且一對饋電用電極間的距離為20mm。
>實施例2>
調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度成為100mm，除此之外依與實施例1相同方式製出實施例2之加熱器。
>實施例3>
調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度為500mm，除此之外依與實施例1相同方式製出實施例3之加熱器。
>實施例4>
除下述點外，依與實施例1相同方式製作出實施例4之加熱器。其係調整用以形成ITO膜之DC磁控濺鍍法之條件，使透明導電性氧化物層之厚度成為200nm。調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度成為100mm且一對饋電用電極間的距離成為100mm。
>實施例5>
除下述點外，依與實施例1相同方式製作出實施例5之加熱器。其係調整用以形成ITO膜之DC磁控濺鍍法之條件，使透明導電性氧化物層之厚度成為35nm。調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度成為100mm。
>實施例6>
除下述點外，依與實施例1相同方式製作出實施例6之加熱器。其係調整用以形成ITO膜之DC磁控濺鍍法之條件，使透明導電性氧化物層之厚度成為120nm。調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度成為100mm。
>實施例7>
調整饋電用電極之製作條件，使饋電用電極為鎳製，除此之外依與實施例2相同方式製作出實施例7之加熱器。
>實施例8>
調整饋電用電極之製作條件，使饋電用電極為SnPb(錫鉛)合金，除此之外依與實施例2相同方式製作出實施例7之加熱器。
>實施例9>
調整饋電用電極之製作條件，使饋電用電極的厚度成為2μm，除此之外依與實施例2相同方式製作出實施例9之加熱器。
>比較例1>
除下述點外，依與實施例1相同方式製作出比較例1之加熱器。將形成有透明導電性氧化物層的PEN薄膜裁切成短籤狀，並於透明導電性氧化物層之彼此相對向延伸的一對端部上塗佈分散有銀粒子的糊料(藤倉化成公司製，製品名：DOTITED-500)並使其固化，而形成具有20μm厚度的一對饋電用電極。各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度為100mm，且一對饋電用電極間的距離為20mm。
>比較例2>
除下述點外，依與實施例1相同方式製作出比較例2之加熱器。其係調整透明導電性氧化物層之製作條件，以使形成透明導電性氧化物層之材料(ITO)的比電阻成為8.0×10-4
Ω・cm。具體來說，係不進行加熱退火處理而以非晶質ITO形成透明導電性氧化物層。並且，調整形成有透明導電性氧化物層之PEN薄膜之裁切及調整饋電用電極之製作條件，以使各饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度成為100mm。
>比較例3>
除下述點外，依與比較例2相同方式製作出比較例3之加熱器。調整DC磁控濺鍍法之條件，以使透明導電性氧化物層的厚度成為320nm。另外，若對具有320nm厚度的非晶質ITO膜進行加熱退火處理，則會產生捲曲及裂痕，而無法製作出可使用之加熱器。
如表2所示，對比實施例之加熱器的通電試驗結果與比較例1之加熱器的通電試驗結果顯示出，由抑制發熱體中發熱量之空間性不均的觀點看來，(Re1
+Re2
)/RH
為45%以下乃有利。對比實施例之加熱器的通電試驗結果與比較例2之加熱器的通電試驗結果顯示出，由提高加熱器之發熱量的觀點看來，形成透明導電性氧化物層20之材料具有1.4~3.0×10-4
Ω・cm之比電阻乃有利。對比實施例之加熱器的通電試驗結果與比較例3之加熱器的通電試驗結果顯示出，由防止裂痕產生之觀點看來，透明導電性氧化物層20之厚度具有20~250nm之厚度乃有利。
[表1]
[表2]
1a、1b:加熱器
2:附加熱器之物品
10:基板
20:透明導電性氧化物層
21:第一主面
22:第二主面
30:饋電用電極
31:第一饋電用電極
31e、32e:端部
32:第二饋電用電極
40:保護層
50:成形體
51:被覆面
60:黏著層
L1:第一饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度
L2:第二饋電用電極與透明導電性氧化物層之接觸面的長度
W:一對饋電用電極間的距離
IB:線
圖1A係顯示本發明加熱器之一例的俯視圖。
圖1B係沿圖1A之IB-IB線的加熱器的截面圖。
圖2係顯示本發明加熱器之另一例的截面圖。
圖3係顯示本發明附加熱器之物品之一例的截面圖。
1a:加熱器
10:基板
20:透明導電性氧化物層
21:第一主面
22:第二主面
31:第一饋電用電極
32:第二饋電用電極
Claims (8)
- 一種加熱器，具備： 基板； 透明導電性氧化物層，其配置於前述基板上； 第一饋電用電極，其與前述透明導電性氧化物層電性連接且沿特定方向延伸；及 第二饋電用電極，其與前述透明導電性氧化物層電性連接，且與前述第一饋電用電極分離而沿前述特定方向延伸； 相對於在前述第一饋電用電極與前述第二饋電用電極之間的前述透明導電性氧化物層的電阻，前述第一饋電用電極在前述特定方向上的電阻及前述第二饋電用電極在前述特定方向上的電阻之和的比為45%以下； 前述透明導電性氧化物層具有20~250nm之厚度且係由具有1.4~3.0×10-4 Ω・cm之比電阻的材料形成。
- 如請求項1之加熱器，其中形成前述第一饋電用電極之材料具有4×10-5 Ω・m以下之比電阻，且形成前述第二饋電用電極之材料具有4×10-5 Ω・m以下之比電阻。
- 如請求項1或2之加熱器，其中形成前述第一饋電用電極之材料為金屬材料，且形成前述第二饋電用電極之材料為金屬材料。
- 如請求項1至3中任一項之加熱器，其中前述第一饋電用電極具有1μm以上之厚度，且前述第二饋電用電極具有1μm以上之厚度。
- 如請求項1至4中任一項之加熱器，其中形成前述透明導電性氧化物層之材料含有銦氧化物作為主成分。
- 如請求項1至5中任一項之加熱器，其中前述透明導電性氧化物層藉由霍爾效應測定決定之載體密度為6.0×1020 cm-3 以上。
- 如請求項1至6中任一項之加熱器，其中前述基板具有可撓性。
- 一種附加熱器之物品，具備： 成形體，其具有被覆面； 黏著層，其與前述被覆面接觸；及 如請求項1至7中任一項之加熱器，其係與前述黏著層接觸同時利用前述黏著層安裝於前述成形體上。
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