JP2020167106A - ヒータ - Google Patents
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Abstract
【課題】高温高湿の環境において、給電用電極に起因して導電膜に発生するクラックを抑制する観点から有利なヒータを提供する。【解決手段】ヒータ1aは、樹脂製の基材10と、発熱体である導電膜20と、給電用電極30とを備える。導電膜20は、基材の主面に沿って形成されている。給電用電極30は、導電膜20に電気的に接続されており、導電膜20の表面Fに沿って延びている。給電用電極30は、突出部35を有する。突出部35は、導電膜20の表面Fに沿って突出している。突出部35は、突出部35の底面35bの端35eと、端35eから底面35bに沿って突出部35の付け根35rに向かって8μm離れた位置35qとの間において、10〜500nmの最大厚みを有する。【選択図】図2
Description
本発明は、ヒータに関する。
従来、発熱体として導電膜を備えたヒータが知られている。
例えば、特許文献1には、発熱抵抗体としてITO膜を備えた、透明導電膜ヒータが記載されている。透明導電膜ヒータにおいて、透明樹脂基体の表面とITO膜との間に特定の膜厚の二酸化シリコン膜が形成されている。二酸化シリコン膜が応力バランス層として機能し、高温加熱時においても、透明樹脂基体とITO膜との熱膨張係数差などに起因する剥離又はクラック現象が防止される。
特許文献2には、透明面状ヒータが記載されている。透明面状ヒータにおいて、透明基板上に設けられた透明導電膜が発熱面として使用される。透明導電膜は、窒化物及び/又は炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各1層ずつ積層したものである。透明面状ヒータは、透明導電膜に通電するための一対の金属電極を備える。透明面状ヒータは、透明導電膜上に設けられた金属からなり実質的に透光性の電極下地層を有する。金属電極は、電極下地層上に形成されている。
特許文献3には、面状透明ヒータが記載されている。面状透明ヒータは、透明導電層、金属電極層、及び透明保護層を備える。面状透明ヒータにおいて、透明導電層に電圧を印加するための電極がドライプロセスとウェットプロセスとを組み合わせて形成される。ドライプロセスは真空成膜法を基本とし、ウェットプロセスは無電解メッキ又は電解メッキを基本とする。
高温高湿の環境に置かれた場合に、ヒータが正常な温度上昇を示さないことがある。この現象には、高温高湿の環境において、給電用電極に起因する、発熱体である導電膜に発生するクラックが影響を及ぼしていると考えられる。特許文献1〜3に記載の技術は、高温高湿の環境において、給電用電極に起因する、発熱体である導電膜に発生するクラックを抑制する観点から再検討の余地を有する。そこで、本発明は、高温高湿の環境において、給電用電極に起因する導電膜に発生するクラックを抑制する観点から有利なヒータを提供する。
本発明は、
樹脂製の基材と、
前記基材の主面に沿って形成された、発熱体である導電膜と、
前記導電膜に電気的に接続されており、前記導電膜の表面に沿って延びている給電用電極と、を備え、
前記給電用電極は、前記導電膜の表面に沿って突出している突出部を有し、
前記突出部は、前記突出部の底面の端と、前記端から前記底面に沿って前記突出部の付け根に向かって8μm離れた位置との間において、10〜500nmの最大厚みを有する、
ヒータを提供する。
樹脂製の基材と、
前記基材の主面に沿って形成された、発熱体である導電膜と、
前記導電膜に電気的に接続されており、前記導電膜の表面に沿って延びている給電用電極と、を備え、
前記給電用電極は、前記導電膜の表面に沿って突出している突出部を有し、
前記突出部は、前記突出部の底面の端と、前記端から前記底面に沿って前記突出部の付け根に向かって8μm離れた位置との間において、10〜500nmの最大厚みを有する、
ヒータを提供する。
上記のヒータは、高温高湿の環境において、給電用電極に起因する導電膜に発生するクラックを抑制する観点から有利である。
発熱体として導電膜を備えたヒータの作製において、例えば、樹脂製の基材の主面に沿って導電膜が形成され、導電膜に電気的に接続された給電用電極が形成される。ヒータの環境が、高温高湿である場合、樹脂製の基材が吸湿及び加温により膨張する。このとき、導電膜は、基材の膨張に伴い、膨張する。ヒータが高温高湿の環境に置かれた場合に、ヒータが正常な温度上昇を示さないことがある。本発明者らは、この原因が、高温高湿の環境において、給電用電極に起因してヒータの導電膜に発生するクラックにあるのではないかと考えた。給電用電極は、導電膜に比べて大きな厚みを有するので導電膜の膨張に従って伸長しにくく、ヒータにおいて給電用電極の底面の端には高い応力集中が生じやすい。これにより、高温高湿の環境において、給電用電極に起因してヒータの導電膜にクラックが発生しやすく、ヒータの正常な温度上昇が損なわれるのではないかと本発明者らは考えた。そこで、本発明者らは、高温高湿の環境において、給電用電極に起因してヒータの導電膜に発生するクラックを抑制できる技術について鋭意検討を重ねた。その結果、本発明者らは、給電用電極を所定の形状に形成することが、高温高湿の環境において導電膜に発生するクラックを抑制するうえで有利であることを遂に見出し、本発明に係るヒータを案出した。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、下記の説明は、本発明を例示的に説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるわけではない。
図1及び図2に示す通り、ヒータ1aは、樹脂製の基材10と、発熱体である導電膜20と、給電用電極30とを備えている。導電膜20は、基材10の主面に沿って形成されている。給電用電極30は、導電膜20に電圧を印加するために、導電膜20に電気的に接続されており、導電膜20の表面に沿って延びている。給電用電極30は、突出部35を有する。突出部35は、導電膜20の表面Fに沿って突出している。突出部35は、突出部35の底面35bの端35eと、端35eから底面35bに沿って突出部35の付け根35rに向かって8μm離れた位置35qとの間において、10〜500nmの最大厚みを有する。端35eは、典型的には、導電膜20の表面に沿って線状に延びている。
図2に示す通り、突出部35は、厚み方向において底面35bから離れて形成された上面35cを有する。突出部35は、例えば、底面35bの基部35hから端35eまで延びる底面35bと、端35eから上面35cの端35gまで延びている端面と、端35gから付け根35rまで延びている上面35cと、付け根35rを含む底面35bに垂直な面Hとによって囲まれた部分である。基部35hは、付け根35rを含む底面35bに垂直な面Hと、底面35bとが交差した部分である。
突出部35がこのように形成されていることにより、高温高湿の環境において、突出部35の底面35bの端35eでは、応力集中が抑制される。このため、ヒータ1aによれば、高温高湿の環境において、給電用電極30に起因して導電膜20に発生するクラックを抑制できる。
端35eと位置35qとの間の領域Dにおける突出部35の最大厚みは、20nm以上であってもよく、50nm以上であってもよく、100nm以上であってもよい。端35eと位置35qとの間の領域Dにおける突出部35の最大厚みは、450nm以下であってもよく、400nm以下であってもよく、350nm以下であってもよく、300nm以下であってもよく、250nm以下であってもよく、200nm以下であってもよい。
突出部35が突出する方向は、特定の方向に限定されない。図1に示す通り、突出部35は、例えば、導電膜20の表面Fに沿って長手方向にストリップ状に延びており、突出部35は、長手方向と垂直な方向に突出している。端35eは、例えば、突出部35の先端に位置している。
端35eと位置35qとの間において突出部35が10〜500nmの最大厚みを有する限り、突出部35の厚みは、端35eと位置35qとの間において、一定であってもよいし、変動していてもよい。
端35eと位置35qとの間において、突出部が10〜500nmの最大厚みを有する限り、突出部35の底面以外の表面の態様は、特定の態様に限定されない。図1に示す通り、突出部35は、突出部35の底面35bと略平行に延びている上面を有していてもよい。
給電用電極30は、例えば、0.5μmより大きい最大厚みを有する。これにより、ヒータ1aが高い昇温速度で発熱しやすい。
給電用電極30の最大厚みは、1μm以上であってもよく、2μm以上であってもよく、5μm以上であってもよい。給電用電極30の最大厚みは、例えば5mm以下であり、1mm以下であってもよく、700μm以下であってもよい。
給電用電極30の幅は、特定の値に限定されない。給電用電極30の幅は、例えば0.5〜50mmである。これにより、ヒータ1aが高い昇温速度で発熱しやすい。給電用電極30の幅は、1mm以上であってもよく、10mm以上であってもよく、20mm以上であってもよい。給電用電極30の幅は、40mm以下であってもよく、35mm以下であってもよい。
突出部35の幅、すなわち、突出部35の突出長さは、特定の値に限定されない。突出部35の幅は、例えば10μm〜10000μmである。これにより、より確実に、高温高湿の環境において、突出部35の底面35bの端35eにおいて応力集中が抑制される。加えて、突出部35を形成するための材料の使用量を少なくできる。突出部35の幅は、50μm以上であってもよく、100μm以上であってもよい。突出部35の幅は、500μm以下であってもよく、1000μm以下であってもよい。
図2に示す通り、給電用電極30は、例えば、第一層30aと、第二層30bとを有する。第二層30bは、第一層30aの上に形成されている。突出部35は、第一層30aによって形成されている。この場合、第一層30aを形成する条件を調整することにより、突出部35を所望の状態に形成しやすい。第二層30bをなす材料は、第一層30aをなす材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、給電用電極30は、その内部に明確な層同士の界面を有することなく、一体的に形成されていてもよい。
第一層30aの厚みと第二層30bの厚みとの関係は特定の関係に限定されない。例えば、第二層30bの、突出部35の付け根35rに接する部分の厚みは、突出部35の最大厚みよりも大きい。
給電用電極30は、例えば、金属を含んでいる。給電用電極30に含まれる金属は、特定の金属に限定されない。給電用電極30に含まれる金属は、例えば、銅、モリブデン、アルミニウム、銀、金、白金、鉄、ニッケル、クロム、及びパラジウムからなる群より選ばれる少なくとも1つである。
図1及び2に示す通り、ヒータ1aは、例えば、一対の給電用電極30を備えている。一対の給電用電極30は、例えば、長手方向に互いに平行に延びている。一対の給電用電極30は、例えば、導電膜20の表面Fに沿って長手方向に垂直な方向における導電膜20の両端部の上に配置されている。例えば、一対の給電用電極30に所定の電圧が印加され、導電膜20が発熱する。
基材10は、例えば、可視光又は近赤外光等の所定の波長の光に対して透明性を有する。基材10の厚みは、特定の厚みに限定されない。基材10の厚みは、透明性、強度、及び取り扱い易さの観点から、例えば、10〜200μmである。基材10の厚みは、20〜180μmであってもよく、30〜160μmであってもよい。
基材10の材料は、特定の材料に限定されない。基材10は、例えば、有機ポリマーを含む。有機ポリマーは、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、及び芳香族ポリアミドからなる群から選ばれる少なくとも1つである。
基材10の主面は、例えば、中間層によって覆われていてもよい。中間層は、例えば、硬化物をなす有機高分子と、その硬化物に分散している無機物粒子とを含有している。この場合、基材10に対する導電層20の密着性が高くなりやすい。
導電膜20は、例えば、金属及び金属化合物の少なくとも1つを含む。これにより、ヒータ1aが所望の出力を発揮しやすい。
導電膜20に含まれる金属は、特定の金属に限定されない。導電膜20に含まれる金属は、例えば、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、鉛、白金、金、及び銀からなる群より選択される少なくとも1つである。導電膜20に含まれる金属化合物は、特定の金属化合物に限定されない。導電膜20に含まれる金属化合物は、例えば、金属酸化物又は金属窒化物である。
導電膜20は、例えば、波長910nm以上の所定の波長λpの光に対し透明である。この場合、波長λpの光を通信又はセンシング等に使用する装置又はシステムに、ヒータ1aを適用できる。本明細書において「所定の波長λpの光に対し透明である」とは、典型的には、波長λpの光の透過率が60%以上であることを意味する。
導電膜20は、望ましくは、酸化インジウムを含む。この場合、導電膜20の比抵抗が低くなりやすい。導電膜20は、酸化インジウムを主成分として含んでいてもよい。なお、本明細書において、「主成分」とは質量基準で最も多く含まれている成分を意味する。
導電膜20は、多結晶体を含んでいてもよい。このことは、導電膜20に所望の特性をもたらすために有利である。例えば、導電膜20が多結晶体であると、導電膜20の比抵抗が低くなりやすい。
導電膜20は、望ましくはインジウムスズ酸化物(ITO)を含む。この場合、ITOにおける酸化スズの含有率は、例えば4〜14質量%であり、望ましくは5〜13質量%である。導電膜20に含まれるITOは、望ましくは、多結晶構造を有する。このことは、導電膜20の比抵抗を低く保つ観点から有利である。
導電膜20は、単層膜であってもよいし、インジウム亜鉛酸化物(IZO)の2つの層の間に銀の層が配置されたIAI膜等の多層膜であってもよい。
導電膜20の厚みは、特定の厚みに限定されない。典型的には、導電膜20の厚みは、給電用電極30の最大厚みよりも小さい。導電膜20の厚みは、例えば20〜200nmである。この場合、ヒータ1aが良好な昇温性能を発揮できるとともに、導電膜20に発生するクラックを抑制できる。導電膜20の厚みは、望ましくは25〜190nmであり、より望ましくは30〜180nmである。
ヒータ1aの製造方法の一例について説明する。導電膜20は、例えば、スパッタリングによって形成される。導電膜20は、望ましくは、所定のターゲット材を用いてスパッタリングを行い、基材10の主面の上にターゲット材に由来する薄膜を形成することにより得られる。より望ましくは、高磁場DCマグネトロンスパッタ法によって、基材10の主面の上にターゲット材に由来する薄膜が形成される。この場合、導電膜20を低温で形成できる。このため、例えば、基材10の耐熱温度が高くなくても、基材10の主面の上に導電膜20を形成できる。加えて、導電膜20の中に欠陥が発生しにくく、導電膜20の内部応力が低くなりやすい。また、スパッタリングの条件を調整することによって、導電膜20として望ましい薄膜を形成しやすい。導電膜20が多層膜である場合、例えば、異なる種類のターゲット材を用いつつ各ターゲット材に適した条件でスパッタリングを行うことによって、導電膜20を形成できる。また、基材10の主面が上記の中間層によって覆われている場合、例えば、中間層の上に導電膜20が形成される。
基材10の主面の上に形成された薄膜は、必要に応じて、アニール処理される。例えば、120℃〜150℃の大気中に、薄膜を1時間〜3時間置いてアニール処理がなされる。これにより、薄膜の結晶化が促され、多結晶体である導電膜20が有利に形成される。アニール処理時の薄膜の環境の温度及びアニール処理の時間が上記の範囲であれば、基材10の耐熱温度は高くなくてもよく、基材10の材料として有機ポリマーを使用できる。加えて、導電膜20の中に欠陥が発生しにくく、導電膜20の内部応力が低くなりやすい。アニール処理の条件を調整することにより、比抵抗の観点で所望の導電膜20が得られやすい。
導電膜20は、スパッタリングではなく、真空蒸着又はイオンプレーティング等の方法によって形成されていてもよい。
給電用電極30の形成方法は、特定の方法に限定されない。給電用電極30は、例えば、以下の様に形成される。まず、化学気相成長法(CVD)及び物理気相成長法(PVD)等のドライプロセス又はメッキ法により、導電膜20の表面Fの上に第一層30aのためのシード層を形成する。次に、給電用電極30を形成すべきでないシード層の上に、マスキングフィルムが配置される。マスキングフィルムは、レジストをシード層上に積層し、その後露光及び現像のプロセスを経て作製されうる。その後、メッキ法等のウェットプロセスによって、第二層30bのためのメッキ層を形成する。次に、シード層上に配置したマスキングフィルムを除去するとともに、シード層及びメッキ層において給電用電極30をなすべき部分をマスキングフィルムで覆う。次に、エッチングにより露出しているシード層を除去する。その後、マスキングフィルムが除去される。これにより、第一層30aの一部が第二層30bよりも突出するように形成された給電用電極30が得られる。このようにして、第一層30aによって突出部35を形成できる。第二層30bは、印刷法によって形成されてもよい。
給電用電極30は、以下の様に形成されてもよい。まず、化学気相成長法(CVD)及び物理気相成長法(PVD)等のドライプロセス又はメッキ法により、導電膜20の表面Fにシード層を形成する。その後、化学気相成長法(CVD)及び物理気相成長法(PVD)等のドライプロセス又はメッキ法等のウェットプロセスにより、導電膜20の上に500nmより大きな厚みを有する金属膜を形成する。次に、レジストを用いて形成されるマスキングフィルムで給電用電極30をなすべき金属膜の一部を覆う。その後、不要な金属膜をエッチングにより除去し、マスキングフィルムを取り除く。さらに金属膜の不要な部分をエッチング又は精密加工により除去して、突出部35を有する給電用電極30を形成する。さらに、導電性インクを導電膜20の表面Fの上に所定のパターンで塗布し、塗布した導電性インクを硬化させ、硬化したインクの一部を削ることによって突出部35を有する給電用電極30を形成してもよい。給電用電極30は、半田ペーストを用いて形成してもよい。
ヒータ1aを用いてヒータ付物品を提供できる。例えば、図3に示す通り、ヒータ付物品2は、成形体50と、粘着層40と、ヒータ1aとを備えている。成形体50は、被着面51を有する。成形体50は、金属材料、ガラス、又は樹脂で形成されている。粘着層40は、被着面51に接触している。粘着層40は、例えば、アクリル系粘着剤等の公知の粘着剤によって形成されている。ヒータ1aは、粘着層40に接触しているともに粘着層40によって成形体50に取り付けられている。
粘着層40は、例えば、導電膜20に対し遠位の基材10の主面を覆うように形成されている。この場合、粘着層40と被着面51とを対向させてヒータ1aを成形体50に押し付けることによって、ヒータ1aを成形体50に取り付けることができる。また、粘着層40はセパレータ(図示省略)によって覆われていてもよい。この場合、ヒータ1aを成形体50に取り付けるときに、セパレータが剥離されて粘着層40が露出する。セパレータは、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル樹脂製のフィルムである。
ヒータ1aは、例えば、波長λpの光を用いた処理をなす装置又はシステムにおいて、この波長λpの光の光路上に配置される。この装置又はシステムは、例えば、波長λpの光を用いて、センシング又は通信等の所定の処理を行う。成形体50は、例えば、このような装置の筐体を構成する。
ヒータ1aは、様々な観点から変更可能である。例えば、ヒータ1aは、図4Aに示すヒータ1b、図4Bに示すヒータ1c、図4Cに示すヒータ1d、図5に示すヒータ1eのように変更されてもよい。ヒータ1b、1c、1d、及び1eは、特に説明する部分を除き、ヒータ1aと同様に構成されている。ヒータ1aの構成要素と同一又は対応するヒータ1b、1c、1d、及び1eの構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。ヒータ1aに関する説明は、技術的に矛盾しない限り、ヒータ1b、1c、1d、及び1eにも当てはまる。
図4Aに示す通り、ヒータ1bにおいて、突出部35の上面は、端35eよりも突出している。一方、図4Bに示す通り、ヒータ1cにおいて、突出部35の底面35bは、突出部35の上面の端35gよりも突出している。このような突出部35は、給電用電極30の作製においてエッチングを行う場合に形成されることがある。このような突出部35は、エッチング以外の方法によって形成されてもよい。
図4Cに示す通り、ヒータ1dにおいて、突出部35の表面は、端35eから付け根35rまで延びる斜面37を含んでいてもよい。斜面37の傾きは一定であってもよいし、不連続に又は連続的に変動していてもよい。ヒータ1dにおいて、突出部35は、例えば、基部35hから端35eまで延びる底面35b、端35eから付け根35rまで延びる斜面37、及び付け根35rを含む底面35bに垂直な面Hによって囲まれた部分である。基部35hは、付け根35rを含む底面35bに垂直な面Hと、底面35bとが交差した部分である。
図5に示す通り、ヒータ1eは、保護層70をさらに備えている。保護層70は、保護層70と基材10との間に導電膜20が位置するように配置されている。保護層70は、例えば、所定の保護フィルムと、保護フィルムを導電膜20に貼り付ける粘着層とを備えている。保護層70によって導電膜20が保護され、ヒータ1eが高い耐衝撃性を有する。保護層70における保護フィルムの材料は、特に限定されないが、例えば、フッ素樹脂、シリコーン、アクリル樹脂、及びポリエステル等の合成樹脂である。保護フィルムの厚みは、特に制限されないが、例えば20〜200μmである。これにより、ヒータ1eが良好な耐衝撃性を有しつつヒータ1eの厚みが大きくなりすぎることを防止できる。粘着層は、例えば、アクリル系粘着剤等の公知の粘着剤によって形成されている。例えば、保護フィルム自体が粘着性を有する場合には、保護フィルムのみによって保護層70が形成されていてもよい。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。まず、各実施例及び比較例に係るサンプルの評価方法について説明する。
[給電用電極の形状]
走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製、製品名:S−4800)を用いて、各実施例及び比較例に係るサンプルの給電用電極を観察した。その観察結果に基づき、給電用電極の最大厚み及び給電用電極の突出部における底面の端Eと、底面の端Eから突出部の付け根に向かって8μm離れた位置Qとの間における突出部の最大厚みを求めた。結果を表1に示す。
走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製、製品名:S−4800)を用いて、各実施例及び比較例に係るサンプルの給電用電極を観察した。その観察結果に基づき、給電用電極の最大厚み及び給電用電極の突出部における底面の端Eと、底面の端Eから突出部の付け根に向かって8μm離れた位置Qとの間における突出部の最大厚みを求めた。結果を表1に示す。
[加湿熱試験]
温度85℃及び相対湿度85%の環境において、各実施例及び比較例に係るサンプルを所定時間置いて加湿熱試験を行った。その後、約25℃の環境で給電用電極に14Vの電圧を印加しながら、サーモグラフィを用いてサンプルの表面の温度分布を測定した。この測定において、電圧を印加した状態のサンプルの導電膜の表面における最低温度をTsm[℃]と決定した。温度Tsm[℃]から、電圧を印加する直前のサンプルの導電膜の表面の温度T0m[℃]を差し引いて導電膜の表面における温度の増分ΔTsm[℃]を決定した。加湿熱試験前のサンプルについても、約25℃の環境で給電用電極に14Vの同一の電圧を印加しながら、サーモグラフィを用いてサンプルの表面の温度分布を測定した。正常に発熱した状態の加湿熱試験前のサンプルの導電膜の表面における最低温度をTsi[℃]と決定した。温度Tsi[℃]から、電圧を印加する直前のサンプルの導電膜の表面の温度T0i[℃]を差し引いて導電膜の表面における温度の増分ΔTsi[℃]を決定した。加湿熱試験後のサンプルにおける温度の増分ΔTsm[℃]が加湿熱試験前のサンプルにおける温度の増分ΔTsi[℃]の25%以上である場合、加湿熱試験後のサンプルが正常に発熱したと判断し、温度の増分ΔTsm[℃]が温度の増分ΔTsi[℃]の25%未満である場合、加湿熱試験後のサンプルが正常に発熱していないと判断した。結果を表1に示す。
温度85℃及び相対湿度85%の環境において、各実施例及び比較例に係るサンプルを所定時間置いて加湿熱試験を行った。その後、約25℃の環境で給電用電極に14Vの電圧を印加しながら、サーモグラフィを用いてサンプルの表面の温度分布を測定した。この測定において、電圧を印加した状態のサンプルの導電膜の表面における最低温度をTsm[℃]と決定した。温度Tsm[℃]から、電圧を印加する直前のサンプルの導電膜の表面の温度T0m[℃]を差し引いて導電膜の表面における温度の増分ΔTsm[℃]を決定した。加湿熱試験前のサンプルについても、約25℃の環境で給電用電極に14Vの同一の電圧を印加しながら、サーモグラフィを用いてサンプルの表面の温度分布を測定した。正常に発熱した状態の加湿熱試験前のサンプルの導電膜の表面における最低温度をTsi[℃]と決定した。温度Tsi[℃]から、電圧を印加する直前のサンプルの導電膜の表面の温度T0i[℃]を差し引いて導電膜の表面における温度の増分ΔTsi[℃]を決定した。加湿熱試験後のサンプルにおける温度の増分ΔTsm[℃]が加湿熱試験前のサンプルにおける温度の増分ΔTsi[℃]の25%以上である場合、加湿熱試験後のサンプルが正常に発熱したと判断し、温度の増分ΔTsm[℃]が温度の増分ΔTsi[℃]の25%未満である場合、加湿熱試験後のサンプルが正常に発熱していないと判断した。結果を表1に示す。
<実施例1>
125μmの厚みを有するポリエチレンナフタレート(PEN)のフィルムの一方の主面上に、酸化インジウムスズ(ITO)(酸化スズの含有率:10重量%)をターゲット材として用いて、当該ターゲット材の表面での水平磁場の磁束密度が80〜150mT(ミリテスラ)の高磁場であり、不活性ガスが存在する状態において、DCマグネトロンスパッタ法により、PENフィルムの上にITO膜を形成した。ITO膜を形成した後のPENフィルムを、150℃の大気中に3時間置いて、アニール処理を行った。これにより、ITOを結晶化させ、透明導電膜を形成した。
125μmの厚みを有するポリエチレンナフタレート(PEN)のフィルムの一方の主面上に、酸化インジウムスズ(ITO)(酸化スズの含有率:10重量%)をターゲット材として用いて、当該ターゲット材の表面での水平磁場の磁束密度が80〜150mT(ミリテスラ)の高磁場であり、不活性ガスが存在する状態において、DCマグネトロンスパッタ法により、PENフィルムの上にITO膜を形成した。ITO膜を形成した後のPENフィルムを、150℃の大気中に3時間置いて、アニール処理を行った。これにより、ITOを結晶化させ、透明導電膜を形成した。
X線回折装置(リガク社製、製品名:RINT2200)を用いて、X線反射率法によって、上記の透明導電膜の厚みを測定した。その結果、透明導電膜の厚みは、50nmであった。また、X線回折装置を用いて、透明導電膜に対するX線回折パターンを得た。X線としてはCuKα線を用いた。得られたX線回折パターンから透明導電膜(発熱体)が多結晶構造であることが確認された。
次に、透明導電膜が形成されたPENフィルムを短冊状に切り出し、透明導電膜の上に100nmの厚みを有するCu薄膜(シード層)をDCマグネトロンスパッタ法により形成した。次に、Cu薄膜の一対の端部が露出するようにマスキングフィルムでCu薄膜の一部を覆った。この状態で、Cu薄膜及びマスキングフィルムの上に、湿式めっき処理によってCuメッキ層を形成した。その後、マスキングフィルムを除去した。次に、Cuメッキ層及びCu薄膜の一部をマスキングフィルムで覆い、Cu薄膜をエッチングして透明導電膜を露出させた。これにより、透明導電膜の一対の端部に相当する部分に20μmの最大厚みを有する一対の給電用電極を形成した。給電用電極の幅は約3mmであった。このようにして、実施例1に係るサンプルを作製した。実施例1に係るサンプルは、平面視で20mmの幅及び50mmの長さを有する矩形状であり、サンプルの長手方向に沿って一対の給電用電極が形成されていた。
<実施例2〜8及び比較例1〜3>
給電用電極における突出部の底面の端Eと位置Qとの間の最大厚み及び給電用電極の最大厚みが表1に示す値となるように、給電用電極の形成条件を調整した以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜8及び比較例1〜3に係るサンプルを作製した。
給電用電極における突出部の底面の端Eと位置Qとの間の最大厚み及び給電用電極の最大厚みが表1に示す値となるように、給電用電極の形成条件を調整した以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜8及び比較例1〜3に係るサンプルを作製した。
<実施例9>
PENフィルムの代わりに、125μmの厚みを有するポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例9に係るサンプルを作製した。
PENフィルムの代わりに、125μmの厚みを有するポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例9に係るサンプルを作製した。
<実施例10>
ITO膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法により、IAI膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例10に係るサンプルを作製した。IAI膜は、40nmの厚みを有するインジウム亜鉛酸化物層、10nmの厚みを有する銀層、及び40nmの厚みを有するインジウム亜鉛酸化物層がこれらの順に積層された多層膜であった。
ITO膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法により、IAI膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例10に係るサンプルを作製した。IAI膜は、40nmの厚みを有するインジウム亜鉛酸化物層、10nmの厚みを有する銀層、及び40nmの厚みを有するインジウム亜鉛酸化物層がこれらの順に積層された多層膜であった。
<実施例11>
DCマグネトロンスパッタ法によってCu薄膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法によってMo薄膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例11に係るサンプルを作製した。
DCマグネトロンスパッタ法によってCu薄膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法によってMo薄膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例11に係るサンプルを作製した。
<実施例12>
DCマグネトロンスパッタ法によってCu薄膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法によってAl薄膜を形成し、かつ、Cuメッキ層を形成する代わりに、湿式めっき処理によってAlメッキ層を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例12に係るサンプルを作製した。
DCマグネトロンスパッタ法によってCu薄膜を形成する代わりに、DCマグネトロンスパッタ法によってAl薄膜を形成し、かつ、Cuメッキ層を形成する代わりに、湿式めっき処理によってAlメッキ層を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例12に係るサンプルを作製した。
表1に示す通り、温度85℃及び相対湿度85%の環境に70時間置かれた各実施例に係るサンプルは正常に発熱した。一方、温度85℃及び相対湿度85%の環境に70時間置かれた各比較例に係るサンプルは正常に発熱しなかった。このため、各実施例に係るサンプルは、比較例に係るサンプルに比べて、高温高湿環境において、透明導電膜に発生するクラックが抑制されていることが示唆された。なお、温度85℃及び相対湿度85%の環境に160時間及び240時間置かれた実施例1及び3に係るサンプルは正常に発熱した。
1a、1b、1c、1d、1e ヒータ
10 基材
20 導電膜(発熱体)
30 給電用電極
30a 第一層
30b 第二層
32 底面
35 突出部
35e 底面の端
35r 付け根
F 導電膜の表面
10 基材
20 導電膜(発熱体)
30 給電用電極
30a 第一層
30b 第二層
32 底面
35 突出部
35e 底面の端
35r 付け根
F 導電膜の表面
Claims (6)
- 樹脂製の基材と、
前記基材の主面に沿って形成された、発熱体である導電膜と、
前記導電膜に電気的に接続されており、前記導電膜の表面に沿って延びている給電用電極と、を備え、
前記給電用電極は、前記導電膜の表面に沿って突出している突出部を有し、
前記突出部は、前記突出部の底面の端と、前記端から前記底面に沿って前記突出部の付け根に向かって8μm離れた位置との間において、10〜500nmの最大厚みを有する、
ヒータ。 - 前記給電用電極は、0.5μmより大きい最大厚みを有する、請求項1に記載のヒータ。
- 前記給電用電極は、第一層と、前記第一層上に形成された第二層とを有し、
前記突出部は、前記第一層によって形成されている、請求項1又は2に記載のヒータ。 - 前記導電膜は、金属及び金属化合物の少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のヒータ。
- 前記導電膜は、波長910nm以上の所定の波長の光に対し透明である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のヒータ。
- 前記導電膜は、酸化インジウムを含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のヒータ。
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---|---|---|---|
JP2019068886A JP2020167106A (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | ヒータ |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6110893A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-18 | 株式会社東芝 | 発熱体 |
JPH04289685A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Teijin Ltd | 透明面状ヒーター |
JPH06283260A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 透明面状ヒーター及びその製造法 |
US20160249413A1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent planar heater |
WO2019027049A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 日東電工株式会社 | ヒータ |
-
2019
- 2019-03-29 JP JP2019068886A patent/JP2020167106A/ja active Pending
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