JP5186007B2 - サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5186007B2 JP5186007B2 JP2010537783A JP2010537783A JP5186007B2 JP 5186007 B2 JP5186007 B2 JP 5186007B2 JP 2010537783 A JP2010537783 A JP 2010537783A JP 2010537783 A JP2010537783 A JP 2010537783A JP 5186007 B2 JP5186007 B2 JP 5186007B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- comb
- resistance value
- thin film
- additional electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/226—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor using microstructures, e.g. silicon spreading resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態に係るサーミスタを示す図であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)における付加電極部の拡大図である。図1に示すサーミスタは、絶縁基板1と、絶縁基板1上に形成されたサーミスタ薄膜2と、サーミスタ薄膜2上に形成された一対の櫛歯電極3,4と、から主に構成されている。なお、基板としては、絶縁基板1の代わりに、導電性基板上に絶縁膜を形成してなる基板を用いても良い。一対の櫛歯電極3,4は、互いに対向するように配置されている。すなわち、一対の櫛歯電極3,4は、一方の櫛歯電極3の櫛部3a間に他方の櫛歯電極4の櫛部4aが挿入するように配置されている。したがって、一方の櫛歯電極3の櫛部3aと、他方の櫛歯電極4の櫛部4aとは、その長手方向を略同じとし、互いに所定の間隔をおいて位置するように形成されている。また、櫛歯電極3,4とサーミスタ薄膜2との間の接触面積(オーバーラップ面積)は、サーミスタ薄膜2の固有抵抗を考慮して所望の抵抗値(目標抵抗値)を達成するために適宜変更することができる。すなわち、櫛歯電極3,4とサーミスタ薄膜2との間の接触面積(オーバーラップ面積)や、櫛歯電極3,4のパターンは、この所望の抵抗値(目標抵抗値)を実現するために、適宜変更することができる。
Claims (7)
- 基板と、前記基板上に形成されたサーミスタ薄膜と、前記サーミスタ薄膜上に形成されており、互いに対向するように設けられた一対の櫛歯電極と、を具備し、前記櫛歯電極は、所望の抵抗値を有するように付加された付加電極部を有し、
前記付加電極部は、前記櫛歯電極の櫛部の長手方向に沿って延在するように設けられることを特徴とするサーミスタ。 - 基板と、前記基板上に形成されたサーミスタ薄膜と、前記サーミスタ薄膜上に形成されており、互いに対向するように設けられた一対の櫛歯電極と、を具備し、前記櫛歯電極は、所望の抵抗値を有するように付加された付加電極部を有し、
前記付加電極部は、前記櫛歯電極の櫛部の幅よりも広い幅を有することを特徴とするサーミスタ。 - 前記付加電極部は、前記櫛歯電極の櫛部の長手方向に沿って延在するように設けられることを特徴とする請求項2記載のサーミスタ。
- 前記付加電極部のサイズは、前記付加電極部の寸法と抵抗値との間の関係から求められたサイズであることを特徴とする請求項1乃至3記載のサーミスタ。
- 基板上にサーミスタ薄膜を形成する工程と、サーミスタが目標抵抗値よりも高い抵抗値を有するようなパターンを持つ一対の櫛歯電極を、前記サーミスタ薄膜上に、互いに対向するように形成する工程と、前記サーミスタが前記目標抵抗値を有するように、前記櫛歯電極に付加電極部を前記櫛歯電極の櫛部の長手方向に沿って延在するように形成する工程と、を具備することを特徴とするサーミスタの製造方法。
- 基板上にサーミスタ薄膜を形成する工程と、サーミスタが目標抵抗値よりも高い抵抗値を有するようなパターンを持つ一対の櫛歯電極を、前記サーミスタ薄膜上に、互いに対向するように形成する工程と、前記サーミスタが前記目標抵抗値を有するように、前記櫛歯電極に付加電極部を前記櫛歯電極の櫛部の幅よりも広い幅を有するように形成する工程と、を具備することを特徴とするサーミスタの製造方法。
- 前記付加電極部は、前記付加電極部の寸法と抵抗値との間の関係から求められたサイズで形成することを特徴とする請求項5または6記載のサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010537783A JP5186007B2 (ja) | 2008-11-17 | 2009-11-11 | サーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008293137 | 2008-11-17 | ||
JP2008293137 | 2008-11-17 | ||
JP2010537783A JP5186007B2 (ja) | 2008-11-17 | 2009-11-11 | サーミスタ及びその製造方法 |
PCT/JP2009/069167 WO2010055841A1 (ja) | 2008-11-17 | 2009-11-11 | サーミスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010055841A1 JPWO2010055841A1 (ja) | 2012-04-12 |
JP5186007B2 true JP5186007B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=42169975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010537783A Expired - Fee Related JP5186007B2 (ja) | 2008-11-17 | 2009-11-11 | サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5186007B2 (ja) |
WO (1) | WO2010055841A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5806316B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2015-11-10 | ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッドPst Sensors (Proprietary) Limited | 印刷された温度センサ |
EP3451352B1 (en) | 2017-08-28 | 2020-05-27 | Hochschule Für Angewandte Wissenschaften München | High-precision additive formation of electrical resistors |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52114954A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of adjusting resistance of thickkfilm resistors |
JPS5314431A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Positive characteristic thermistor heating unit |
JPH05205905A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Koa Corp | サーミスタ及びその製造方法 |
JPH09190905A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Tama Electric Co Ltd | 厚膜サーミスタ |
JPH11329808A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線検出素子の抵抗値調整方法 |
JP2000348911A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ntcサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2001194247A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ温度センサ |
JP2003173901A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Ishizuka Electronics Corp | 薄膜サーミスタ及びその抵抗値調整方法 |
JP2003282309A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Koa Corp | 抵抗値調整方法および抵抗器 |
JP2004311939A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-11-04 | Lg Cable Ltd | 対称構造を持つサーミスタ |
-
2009
- 2009-11-11 WO PCT/JP2009/069167 patent/WO2010055841A1/ja active Application Filing
- 2009-11-11 JP JP2010537783A patent/JP5186007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52114954A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of adjusting resistance of thickkfilm resistors |
JPS5314431A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Positive characteristic thermistor heating unit |
JPH05205905A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Koa Corp | サーミスタ及びその製造方法 |
JPH09190905A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Tama Electric Co Ltd | 厚膜サーミスタ |
JPH11329808A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線検出素子の抵抗値調整方法 |
JP2000348911A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ntcサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2001194247A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ温度センサ |
JP2003173901A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Ishizuka Electronics Corp | 薄膜サーミスタ及びその抵抗値調整方法 |
JP2003282309A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Koa Corp | 抵抗値調整方法および抵抗器 |
JP2004311939A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-11-04 | Lg Cable Ltd | 対称構造を持つサーミスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010055841A1 (ja) | 2012-04-12 |
WO2010055841A1 (ja) | 2010-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2024012570A (ja) | センサ素子及びセンサ素子を製造する方法 | |
JP5186007B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
EP1950771A1 (en) | Chip resistor and its manufacturing method | |
KR100318252B1 (ko) | 서미스터및서미스터의저항치수정방법과제조방법 | |
JP3929705B2 (ja) | 半導体装置及びチップキャリア | |
JP3935687B2 (ja) | 薄膜抵抗素子およびその製造方法 | |
JPH1050502A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
JP5685957B2 (ja) | 薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法 | |
JP5166140B2 (ja) | チップ抵抗器及びその製造方法 | |
JP2008251611A (ja) | 薄型複合素子及びその製造方法 | |
WO2009099012A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6819868B2 (ja) | 薄膜サーミスタ及びその製造方法 | |
JP6410024B2 (ja) | 温度センサ | |
JP3381780B2 (ja) | サーミスタの製造方法 | |
JP4383912B2 (ja) | チップ型ヒューズ及びその製造方法 | |
JP4281136B2 (ja) | チップ型サーミスタの抵抗値修正方法 | |
JP2009076608A (ja) | 薄膜サーミスタ及び薄膜サーミスタの製造方法 | |
JP3651179B2 (ja) | 抵抗器の製造方法 | |
JP2009194129A (ja) | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
JP2000077207A (ja) | 抵抗素子及び抵抗素子の抵抗値調整方法 | |
JPH11219805A (ja) | チップ型サーミスタ | |
JP2004193154A (ja) | 薄膜抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS63169058A (ja) | 薄膜集積回路 | |
JP2001143851A (ja) | 加熱体 | |
JP2017096917A (ja) | フローセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5186007 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |