JP2003173901A - 薄膜サーミスタ及びその抵抗値調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザーの照射熱による特性劣化や抵抗変動
の小さい構造の薄膜サーミスタを提供すること。 【解決手段】 薄膜サーミスタ１０は、絶縁基板１１
と、該絶縁基板１１の一主表面に形成された絶縁被膜１
３と、該絶縁被膜１３上に互いに対向するように形成さ
れた一対の櫛歯状電極１４ａ、１５ａと、該一対の櫛歯
状電極１４ａ、１５ａに各々接合された引出電極１４，
１５と、該引出電極１４，１５の少なくともひとつから
延設された抵抗値調整用金属パターン１６と、該抵抗値
調整用金属パターン１６のトリミング用切断部１６ａ、
１６ｂ、１６ｃと、該トリミング用切断部１６ａ、１６
ｂ、１６ｃの一部と前記一対の櫛歯状電極１４ａ、１５
ａとを覆うように形成された感熱膜１７Ａ，１７Ｂと、
該感熱膜１７Ａ，１７Ｂを覆う保護膜１８を設けた構造
のものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、温度補償
回路や温度検出素子に用いられる薄膜サーミスタ及びそ
の抵抗値調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜サーミスタを含む感温抵抗体
等は、抵抗値精度を向上させる手段として、直接感熱膜
をレーザートリミングして調整する方法が行われてい
た。例えば、特開平５−３４７２０５号公報（特許文献
１）に開示されている方法では、絶縁基板上に抵抗値調
整用抵抗パターンを含む感温抵抗体等の抵抗薄膜と、こ
の抵抗薄膜上にレーザービームに対する透過性の高い絶
縁性保護膜が形成されていて、この絶縁性保護膜の上か
らレーザーを照射して、上記抵抗値調整用抵抗パターン
をトリミングする抵抗値調整方法が開示されている。

【０００３】この方法では抵抗薄膜から形成された抵抗
値調整用抵抗パターンを直接レーザートリミングするた
めに、レーザーの照射熱によって抵抗薄膜が発熱蒸発
し、レーザ照射された付近の抵抗薄膜は、ガラス等の保
護膜と反応して抵抗薄膜の電気的特性が部分的に変化し
てしまう欠点があった。

【０００４】また、上記した従来の方法は、抵抗薄膜等
が直接絶縁基板上に形成されているために、抵抗薄膜や
保護膜の熱処理工程において、熱処理温度によっては抵
抗薄膜を構成する成分の一部が絶縁基板へ拡散して抵抗
薄膜の組成が変動し、その結果として抵抗薄膜の特性変
化を生じさせる場合があった。

【０００５】このような問題を解決する方法として、絶
縁基板上に感熱膜が形成され、この感熱膜上に一対の取
出電極と、この一対の取出電極に向かって交互に延出す
る櫛形電極を備えた薄膜サーミスタにおいて、前記感熱
膜の一部分に形成された絶縁膜上に、取出電極から延び
るトリミング用電極が形成されている構造のサーミスタ
素子が特開２００１−３５７０５号公報（特許文献２）
に開示されている。そして、ここで提案された抵抗値調
整方法は、トリミング用電極の金属パターンの一部をレ
ーザー光の照射によって切断することによって達成する
ことが出来るというものである。

【０００６】

【特許文献１】特開平５−３４７２０５号公報

【特許文献２】特開２００１−３５７０５号公報

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たレーザーによるトリミング方法は、感熱膜を直接トリ
ミングする方法ではないが、感熱膜上の絶縁膜を介して
形成された金属パターンをトリミングするために、レー
ザーの照射熱が絶縁膜を通して感熱膜にも伝達されるた
めに、薄膜サーミスタのように大きな温度係数を有する
感熱膜の電気的特性がトリミング時に変動してしまい、
精密な抵抗値調整ができない欠点があった。

【０００８】また，絶縁基板上に直接金属パターンが形
成された構造では、トリミング時に熱容量の大きな絶縁
基板にレーザーの照射熱が吸収されてしまうために、レ
ーザ出力を大きくしたり、あるいはトリミングの時間を
長くしなければならなかった。このような照射熱の影響
によって、感熱膜の抵抗が変動したり、あるいは特性が
劣化してしまうことがあった。

【０００９】また、熱処理工程において感熱膜を構成す
る成分の一部が絶縁基板へ拡散して感熱膜の特性（性
質）を変化させてしまうために抵抗値のバラツキが大き
くなり、レーザートリミングによる抵抗値許容差の小さ
な製品を生産することは非常に難しかった。また感熱膜
と絶縁基板との接着強度が低下することによって、感熱
膜の電気的特性が不安定になる欠点もあった。

【００１０】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑み、レーザーの照射熱による特性劣化や抵抗変動の
小さい構造の薄膜サーミスタを提供することを目的とし
ている。

【００１１】また、本発明は、従来よりも優れた精密な
抵抗値調整が可能となる薄膜サーミスタの抵抗値調整方
法を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の薄
膜サーミスタは、絶縁基板と、該絶縁基板の一主表面に
形成された絶縁被膜と、該絶縁被膜上に互いに対向する
ように形成された一対の櫛歯状電極と、該一対の櫛歯状
電極に各々接合された引出電極と、該引出電極の少なく
ともひとつから延設された抵抗値調整用金属パターン
と、該抵抗値調整用金属パターンのトリミング用切断部
と、該トリミング用切断部の一部と前記一対の櫛歯状電
極とを覆うように形成された感熱膜と、該感熱膜を覆う
保護膜を設けた構造のものである。

【００１３】請求項２記載の発明の薄膜サーミスタは、
絶縁基板と、該絶縁基板の一主表面に形成された絶縁被
膜と、該絶縁被膜上に互いに対向するように形成された
一対の櫛歯状電極と、該一対の櫛歯状電極に各々接合さ
れた引出電極と、該引出電極の少なくともひとつから延
設された抵抗値調整用金属パターンと、該抵抗値調整用
金属パターンのトリミング用切断部と、該トリミング用
切断部の一部と前記一対の櫛歯状電極とを覆うように形
成された第１の感熱膜と、該第１の感熱膜上に積層して
形成された第２の感熱膜と、前記第１及び第２の感熱膜
を覆う保護膜を設けた構造のものである。

【００１４】請求項３記載の発明の薄膜サーミスタは、
絶縁基板と、該絶縁基板の一主表面上に形成された絶縁
被膜と、該絶縁被膜上に形成された第１の感熱膜と、該
第１の感熱膜上に互いに対向するように形成された一対
の櫛歯状電極と、該一対の櫛歯状電極に各々接合された
引出電極と、該引出電極の少なくともひとつから延設さ
れた抵抗値調整用金属パターンと、前記第１の感熱膜に
重ならないように配置された前記抵抗値調整用金属パタ
ーンのトリミング用切断部と、該トリミング用切断部の
一部と前記一対の櫛歯状電極とを覆うように形成された
第２の感熱膜と、前記第１及び第２の感熱膜を覆う保護
膜を設けた構造のものである。

【００１５】請求項４記載の発明の薄膜サーミスタは、
請求項１から３のいずれか１項に記載の発明において、
前記絶縁基板上に形成された一対の下地電極をさらに含
み、前記絶縁被膜は、該一対の下地電極間の前記絶縁基
板上に形成されているものである。

【００１６】請求項５記載の発明の薄膜サーミスタは、
請求項１から４のいずれか１項に記載の発明において、
前記絶縁基板に形成された前記引出電極が、前記絶縁基
板上の下地電極を介して形成されたものである。

【００１７】請求項６記載の発明の薄膜サーミスタは、
請求項１から５のいずれか１項に記載の発明において、
前記絶縁被膜が、二酸化珪素、窒化珪素、またはジルコ
ニアとするものである。

【００１８】請求項７記載の発明の薄膜サーミスタは、
請求項１から６のいずれか１項に記載の発明において、
前記保護膜が、硼珪酸鉛ガラス、または絶縁性耐熱樹脂
とするものである。

【００１９】請求項８記載の発明の薄膜サーミスタの抵
抗値調整方法は、請求項２記載の薄膜サーミスタの抵抗
値調整方法であって、前記第１の感熱膜形成後の測定か
ら得られた抵抗値に基づいて、形成されるべき第２の感
熱膜の膜厚を算出する膜厚算出ステップと、該膜厚算出
ステップによる算出値に基づいて前記第２の感熱膜を形
成することにより、前記抵抗値を所望の値に粗調整する
粗調整ステップと、予めシュミレーションにより求めた
トリミングデータに基づいて、前記保護膜形成後の測定
から得られた抵抗値から前記トリミング用切断部のトリ
ミング部位を決定するトリミング部位決定ステップと、
前記決定されたトリミング部位を、前記保護膜上からレ
ーザートリミングすることにより、前記抵抗値を前記所
望の値に微調整する微調整ステップとからなるものであ
る。

【００２０】請求項９記載の発明の薄膜サーミスタの抵
抗値調整方法は、請求項３記載の薄膜サーミスタの抵抗
値調整方法であって、前記一対の櫛歯状電極と前記抵抗
値調整用金属パターン形成後の測定から得られた抵抗値
に基づいて、形成されるべき第２の感熱膜の膜厚を算出
する膜厚算出ステップと、該膜厚算出ステップによる算
出値に基づいて前記第２の感熱膜を形成することによ
り、前記抵抗値を所望の値に粗調整する粗調整ステップ
と、予めシュミレーションにより求めたトリミングデー
タに基づいて、前記保護膜形成後の測定から得られた抵
抗値から前記トリミング用切断部のトリミング部位を決
定するトリミング部位決定ステップと、前記決定された
トリミング部位を、前記保護膜上からレーザートリミン
グすることにより、前記抵抗値を前記所望の値に微調整
する微調整ステップとからなるものである。

【００２１】請求項１０記載の発明の薄膜サーミスタの
抵抗値調整方法は、請求項８または９記載の薄膜サーミ
スタの抵抗値調整方法において、前記トリミング部位決
定ステップは、一枚の絶縁基板上に多数個形成される薄
膜サーミスタの分割前の各薄膜サーミスタの位置と抵抗
値を番地データと抵抗値データとして演算処理する演算
処理ステップと、予めシュミレーションにより求めたト
リミングデータに基づいて、各薄膜サーミスタの抵抗値
から前記トリミング用切断部のトリミング部位を決定す
る決定ステップとを含むものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態例に
係る薄膜サーミスタの構成を示す説明図、図２（ａ）及
び（ｂ）は、それぞれ、図１の薄膜サーミスタのＢ−Ｂ
線断面図およびＣ−Ｃ線断面図、図３（ａ）〜（ｃ）
は、図１の薄膜サーミスタの製造工程を説明する図、図
４は、図１の薄膜サーミスタにおける抵抗値調整用金属
パターンのトリミング用切断部の拡大図である。

【００２３】図１及び図２において、本発明の薄膜サー
ミスタ１０は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設け
た対向する下地電極１２Ａ、１２Ｂと、下地電極１２
Ａ、１２Ｂの間に設けた絶縁被膜１３と、引出電極１
４、１５と、引出電極１４、１５から絶縁被膜１３上に
延設させた櫛歯状電極１４ａ、１５ａと、引出電極１４
と電気的に接続されたトリミング用の切断部１６ａ、１
６ｂ、１６ｃを有する抵抗値調整用金属パターン１６
と、櫛歯状電極１４ａ、１５ａの上に設けた第１の感熱
膜１７Ａと、第１の感熱膜１７Ａ上に設けた第２の感熱
膜１７Ｂと、第１及び第２の感熱膜１７Ａ，１７Ｂを覆
う保護膜１８から構成されている。

【００２４】次に、薄膜サーミスタ１０の製造方法を図
３に基づいて説明する。

【００２５】薄膜サーミスタ１０は、次のようにして製
造される。

【００２６】まず、アルミナ、石英、ムライト、ステア
タイトなどのセラミックスで構成された絶縁基板１１の
一主表面に、図３（ａ）に示すように、スパッタリング
などによって下地電極となるチタン（Ｔｉ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）などの第１の金属膜を成膜
した後、この金属膜上に白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、タンタル（Ｔａ）などの第２の金属膜を成膜して
下地電極用の金属膜を形成する。

【００２７】次に公知のフォトエッチングによって、不
要部分を除去し、絶縁基板１１上に下地電極１２Ａ、１
２Ｂを形成する。

【００２８】次に、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）、窒
化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）などの厚さ０．１μｍ〜１．０μ
ｍの低熱伝導性の絶縁被膜１３をパターニングして下地
電極１２Ａ、１２Ｂの間に形成する。

【００２９】次に、引出電極、櫛歯状電極、抵抗値調整
用金属パターンを形成するために、白金（Ｐｔ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）などの金属膜をスパ
ッタリングで成膜する。

【００３０】そして、フォトエッチングによって不要部
分を除去して、図３（ｂ）に示すように、絶縁被膜１３
上に、各引出電極１４、１５に接続する櫛歯状電極１４
ａ、１５ａを対向するように形成すると共に、さらに引
出電極１４に接続されたトリミング用切断部１６ａ、１
６ｂ、１６ｃを有する抵抗値調整用金属パターン１６を
形成する。

【００３１】次に、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）などの複合酸化物
で構成された焼結体をターゲットとし、スパッタリング
などの公知の処理方法によって０．１μｍ〜２．０μｍ
の厚さの感熱膜を成膜する。

【００３２】次に、成膜した感熱膜は、図３（ｃ）に示
すように、フォトエッチングによって感熱膜の不要部分
を除去し、さらに、感熱膜の特性を安定させるために、
必要に応じて５００℃〜１０００℃の温度で熱処理を行
い、第１の感熱膜１７Ａが形成される。パターニングさ
れた感熱膜１７Ａは、抵抗値調整用金属パターン１６の
トリミング用切断部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの先端部分
を覆うように形成される。

【００３３】この段階で、第１の感熱膜１７Ａの抵抗値
が測定され、この測定データに基づいて、以下に述べる
第２の感熱膜１７Ｂを形成するための膜厚が決定され
る。この第２の感熱膜１７Ｂは必要に応じて形成され
る。

【００３４】即ち、第２の感熱膜１７Ｂを第１の感熱膜
１７Ａ上に形成するために、まず第１の感熱膜１７Ａの
抵抗値を測定し、測定された第１の感熱膜１７Ａの抵抗
値の測定データから所望する抵抗値付近に粗調整するた
めに形成される第２の感熱膜１７Ｂの膜厚が計算され
る。算出された第２の感熱膜１７Ｂの膜厚からスパッタ
リング時間を算出して、第１の感熱膜１７Ａと同じター
ゲットを用いて第１の感熱膜１７Ａ上に第２の感熱膜１
７Ｂが形成される。その後パターニングして所定の形状
とする。パターニング後、第２の感熱膜１７Ｂは５００
℃〜１０００℃の温度で熱処理される。

【００３５】なお、測定された第１の感熱膜１７Ａの抵
抗値が所望する抵抗値付近であれば、第２の感熱膜は必
ずしも形成する必要はない。また、第１および第２の感
熱膜１７Ａ、１７Ｂは、抵抗値調整用金属パターン１６
から延設されたトリミング用切断部１６ａ、１６ｂ、１
６ｃのそれぞれの間にスリットを入れた形状でも良い。

【００３６】次に、第１および第２の感熱膜１７Ａ、１
７Ｂを保護するための保護膜１８を形成するために、前
記感熱膜１７Ａ、１７Ｂ上に硼珪酸鉛を主成分としたガ
ラスペーストをスクリーン印刷などの方法で印刷し、印
刷したガラス層を焼成することで保護膜１８が形成さ
れ、薄膜サーミスタ１０が完成する。なお、上記した一
連の薄膜サーミスタ製造の各工程は、一枚の絶縁基板上
に多数個の薄膜サーミスタ１０が形成されるように上述
したようなパターニング処理がなされ、最後に上記保護
膜１８が形成される。このとき、一枚の絶縁基板上に多
数の薄膜サーミスタ１０が載置された状態にある。

【００３７】次に、前述した絶縁基板１１上に形成され
た分割前の多数の薄膜サーミスタ１０は、目標抵抗値に
微調整される。この抵抗値の微調整は、レーザを用い
て、薄膜サーミスタ１０の抵抗値調整用金属パターン１
６のトリミング用切断部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの適切
な部位を切断して行われる。

【００３８】まず、上記した絶縁基板上に形成されてい
る分割前の多数の薄膜サーミスタ１０の抵抗値を順次測
定して、各薄膜サーミスタ１０の位置と抵抗値が番地デ
ータと抵抗値データとして図示しない演算処理装置に記
憶される。演算装置では、予めシュミレーションによっ
て求めたトリミングデータに基づいて、測定された抵抗
値からトリミング部位を決定するための演算処理が行わ
れ、トリミング用切断部１６ａ、１６ｂ、１６ｃのどの
部分を切断するかが決定される。

【００３９】次に、決定された条件に従って、トリミン
グ用切断部１６ａ、１６ｂ、１６ｃの何れか若しくは複
数の切断部位が、保護膜１８の上から波長９００ｎｍ〜
１４００ｎｍのレーザーを照射して切断され、所望する
抵抗値の薄膜サーミスタ１０が得られる。

【００４０】図４は、トリミング用切断部の部分拡大図
を示し、ここではトリミング用切断部１６ａの切断例を
示す。なお、トリミング用切断部１６ａ、１６ｂ、１６
ｃの形状，大きさや配置は、本実施の形態に限定される
ものではなく、微調整する抵抗値の範囲や第１および第
２の感熱膜１７Ａ，１７Ｂの比抵抗等を考慮して、第１
および第２の感熱膜１７Ａ，１７Ｂとトリミング用切断
部１６ａ、１６ｂ、１６ｃとの接触面積や形状、対向す
る電極との距離（本実施例では櫛歯状電極１５ａとの距
離）が決定される。本実施の形態では、感熱膜を２層積
層した例を示したが、抵抗の粗調整手段として、感熱膜
を３層以上積層して抵抗値を調整する手段を用いてもよ
い。

【００４１】この後、絶縁基板上に形成された多数の薄
膜サーミスタ１０をダイシング装置等で切断分割するこ
とによって、個々の薄膜サーミスタ１０の完成品が得ら
れる。

【００４２】このように、本発明によれば、レーザート
リミングによる抵抗値調整用部位を、従来のような抵抗
値調整用抵抗膜パターンではなく、抵抗値調整用金属パ
ターン１６とし、かつ感熱膜１７Ａ、１７Ｂに重ならな
いように絶縁被膜１３上に配置する構造とすることで、
レーザーの照射熱による特性劣化や抵抗変動の小さい構
造の薄膜サーミスタが得られる。

【００４３】さらに、本発明によれば、熱的に安定な絶
縁被膜１３を選択的に絶縁基板１１上に設けたことによ
り、絶縁被膜１３がバリアとなって感熱膜１７Ａ、１７
Ｂを構成する成分が絶縁基板１１側へ拡散されることが
なくなり、感熱膜１７Ａ、１７Ｂの組成変動を防ぎ、特
性のばらつきが小さく、安定した薄膜サーミスタを提供
できるになった。

【００４４】さらに、本発明によれば、絶縁被膜１３を
設けたことによって、レーザー照射熱は熱容量の大きな
絶縁基板１１に吸収されなくなり、レーザー照射熱はト
リミング部位に正確に伝達され、短時間でトリミングを
行えることにより、感熱膜１７Ａ、１７Ｂの特性劣化や
トリミング時の感熱膜１７Ａ、１７Ｂの特性変化が生じ
にくい構造を提供でき、従来よりも優れた精密な抵抗値
調整が可能となった。

【００４５】以上の通り、本発明の実施の形態について
説明したが、本発明はこれに限らず、種々の変形、応用
が可能である。

【００４６】たとえば、上記した製作工程では、図３
（ｂ）に示すように、パターニングされた絶縁被膜１３
上に櫛歯状電極１４ａ、抵抗値調整用金属パターン１６
をパターン形成した後に、第１および第２の感熱膜１７
Ａ、１７Ｂを積層形成する例を示したが、本発明の他の
実施例として、図５および図６に示すように、絶縁被膜
１３上に、まず第１の感熱膜１７Ａをパターン形成し
て、第１の感熱膜１７Ａ上に櫛歯状電極１４ａ，１５ａ
及び抵抗値調整用金属パターン１６をパターン形成した
後に、第２の感熱膜１７Ｂを形成する方法であっても良
い。この場合、櫛歯状電極１４ａ，１５ａ及び抵抗値調
整用金属パターン１６の一部は、第１の感熱膜１７Ａと
第２の感熱膜１７Ｂの間に挟まれた構造となる。

【００４７】

【発明の効果】本発明における薄膜サーミスタは、レー
ザートリミングによる抵抗値調整用部位として、従来の
ような抵抗体膜を直接トリミングするのではなく、抵抗
値調整用金属パターンを感熱膜と別に設け、この抵抗値
調整用金属パターンのトリミング用切断部を感熱膜から
離れた部分に設けて、このパターン部分をレーザによっ
て切断することによって抵抗値調整を行うために、直接
に感熱膜がレーザー照射を受けることがないので、レー
ザーの照射熱による感熱膜の電気的特性の劣化や抵抗変
動がなくなり信頼性が向上した。

【００４８】また、本発明における薄膜サーミスタは、
絶縁基板上に熱的に安定な絶縁被膜を選択的に設け、こ
の絶縁被膜上に感熱膜を配置する事で、熱処理過程で感
熱膜を構成する成分の一部が絶縁基板へ熱拡散して、感
熱膜の電気的特性が変化してしまうことは殆どなく、従
ってこの原因による抵抗値の変動が小さく、トリミング
による抵抗値調整がし易くなるとともに、完成品の歩留
まりも向上した。また、感熱膜は絶縁被膜と保護膜によ
って密閉された構造であるために、外気雰囲気に対して
安定な構造となり信頼性が向上した。

【００４９】また、本発明における薄膜サーミスタは、
絶縁被膜上に抵抗値調整用金属パターンを配置したこと
によって、レーザー照射熱が熱容量の大きい絶縁基板側
に吸収されにくい構造になった。このために、トリミン
グ時に、レーザーの出力エネルギを抑え、トリミング時
間を短くしてもトリミング部位へ熱エネルギーが無駄な
く伝達され、従来よりも短時間でトリミングが可能とな
った。この結果、レーザーの照射熱の感熱膜に与える影
響が小さくなり、感熱膜の特性劣化や抵抗変動がなくな
り信頼性が向上した。

【００５０】また、本発明の薄膜サーミスタの抵抗値調
整方法は、第１の感熱膜上に抵抗値の粗調整用に第２の
感熱膜を形成する構造にしたことで、第１段階で第２の
感熱膜の膜厚の調整によって抵抗値の粗調整を行い、第
２段階で抵抗値調整用金属パターンのトリミング用切断
部を適切にトリミングして微調整を行って、目標抵抗値
に対する抵抗値偏差の小さい薄膜サーミスタが得られ
る。実験の結果からは，目標抵抗値に対して許容差±１
％の薄膜サーミスタを約９５％の歩留まりで得ることが
できた。

【００５１】また、本発明の薄膜サーミスタの抵抗値調
整方法は、一枚の絶縁基板上に多数形成された薄膜サー
ミスタを個々のチップ状の薄膜サーミスタに分割する前
に、その抵抗値を測定し、各薄膜サーミスタの位置と抵
抗値が番地データと抵抗値データとして演算処理装置に
記憶され、予めシュミレーションによって求められたト
リミングデータから、トリミング部位を決定して、抵抗
値調整用金属パターンの切断部を適切に切断してトリミ
ングする方法であり、これら手段は演算処理装置を介し
て自動的に実行されるために、短時間で多数の薄膜サー
ミスタの抵抗値調整が可能となり生産性が向上した。ま
た、薄膜サーミスタのように抵抗温度係数の大きな抵抗
体薄膜が、レーザー照射熱による熱の影響を受けること
なく抵抗値調整できるので、精密な抵抗値調整が可能と
なり抵抗偏差の小さい薄膜サーミスタを歩留まり良く生
産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜サーミスタの構
成を示す説明図である。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１の薄膜サ
ーミスタのＢ−Ｂ線断面図及びＣ−Ｃ線断面図である。

【図３】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、図１の薄膜サー
ミスタの製造工程を説明する図である。

【図４】図１の薄膜サーミスタの抵抗値調整用金属パタ
ーンの部分拡大図である。

【図５】本発明の他の実施例の薄膜サーミスタの構成を
示す説明図である。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図５の薄膜サ
ーミスタのＤ−Ｄ線断面図及びＥ−Ｅ線断面図である。

【符号の説明】

１０ 薄膜サーミスタ １１ 絶縁基板 １２Ａ 下地電極 １２Ｂ 下地電極 １３ 絶縁被膜 １４ 引出電極 １４ａ 櫛歯状電極 １５ 引出電極 １５ａ 櫛歯状電極 １６ 抵抗値調整用金属パターン １６ａ トリミング用切断部 １６ｂ トリミング用切断部 １６ｃ トリミング用切断部 １７Ａ 第１の感熱膜 １７Ｂ 第２の感熱膜 １８ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 直 東京都墨田区錦糸１丁目７番７号 石塚電 子株式会社内 (72)発明者 田村 正一 東京都墨田区錦糸１丁目７番７号 石塚電 子株式会社内 Ｆターム(参考） 5E034 BA09 BB08 BC01 DA02 DE01 DE04 DE07 DE14

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、 該絶縁基板の一主表面に形成された絶縁被膜と、 該絶縁被膜上に互いに対向するように形成された一対の
   櫛歯状電極と、 該一対の櫛歯状電極に各々接合された引出電極と、 該引出電極の少なくともひとつから延設された抵抗値調
   整用金属パターンと、 該抵抗値調整用金属パターンのトリミング用切断部と、 該トリミング用切断部の一部と前記一対の櫛歯状電極と
   を覆うように形成された感熱膜と、 該感熱膜を覆う保護膜とからなることを特徴とする薄膜
   サーミスタ。
2. 【請求項２】 絶縁基板と、 該絶縁基板の一主表面に形成された絶縁被膜と、 該絶縁被膜上に互いに対向するように形成された一対の
   櫛歯状電極と、 該一対の櫛歯状電極に各々接合された引出電極と、 該引出電極の少なくともひとつから延設された抵抗値調
   整用金属パターンと、 該抵抗値調整用金属パターンのトリミング用切断部と、 該トリミング用切断部の一部と前記一対の櫛歯状電極と
   を覆うように形成された第１の感熱膜と、 該第１の感熱膜上に積層して形成された第２の感熱膜
   と、 前記第１及び第２の感熱膜を覆う保護膜とからなること
   を特徴とする薄膜サーミスタ。
3. 【請求項３】 絶縁基板と、 該絶縁基板の一主表面上に形成された絶縁被膜と、 該絶縁被膜上に形成された第１の感熱膜と、 該第１の感熱膜上に互いに対向するように形成された一
   対の櫛歯状電極と、 該一対の櫛歯状電極に各々接合された引出電極と、該引
   出電極の少なくともひとつから延設された抵抗値調整用
   金属パターンと、 前記第１の感熱膜に重ならないように配置された前記抵
   抗値調整用金属パターンのトリミング用切断部と、 該トリミング用切断部の一部と前記一対の櫛歯状電極と
   を覆うように形成された第２の感熱膜と、 前記第１及び第２の感熱膜を覆う保護膜とからなること
   を特徴とする薄膜サーミスタ。
4. 【請求項４】 前記薄膜サーミスタは、前記絶縁基板上
   に形成された一対の下地電極をさらに含み、前記絶縁被
   膜は、該一対の下地電極間の前記絶縁基板上に形成され
   ていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
   に記載の薄膜サーミスタ。
5. 【請求項５】 前記絶縁基板に形成された前記引出電極
   が、前記絶縁基板上の下地電極を介して形成されている
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載
   の薄膜サーミスタ。
6. 【請求項６】 前記絶縁被膜が、二酸化珪素、窒化珪
   素、またはジルコニアである請求項１から５のいずれか
   １項に記載の薄膜サーミスタ。
7. 【請求項７】 前記保護膜が、硼珪酸鉛ガラス、または
   絶縁性耐熱樹脂である請求項１から６のいずれか１項に
   記載の薄膜サーミスタ。
8. 【請求項８】 請求項２記載の薄膜サーミスタの抵抗値
   調整方法であって、 前記第１の感熱膜形成後の測定から得られた抵抗値に基
   づいて、形成されるべき第２の感熱膜の膜厚を算出する
   膜厚算出ステップと、 該膜厚算出ステップによる算出値に基づいて前記第２の
   感熱膜を形成することにより、前記抵抗値を所望の値に
   粗調整する粗調整ステップと、 予めシュミレーションにより求めたトリミングデータに
   基づいて、前記保護膜形成後の測定から得られた抵抗値
   から前記トリミング用切断部のトリミング部位を決定す
   るトリミング部位決定ステップと、 前記決定されたトリミング部位を、前記保護膜上からレ
   ーザートリミングすることにより、前記抵抗値を前記所
   望の値に微調整する微調整ステップとからなることを特
   徴とする薄膜サーミスタの抵抗値調整方法。
9. 【請求項９】 請求項３記載の薄膜サーミスタの抵抗値
   調整方法であって、 前記一対の櫛歯状電極と前記抵抗値調整用金属パターン
   形成後の測定から得られた抵抗値に基づいて、形成され
   るべき第２の感熱膜の膜厚を算出する膜厚算出ステップ
   と、 該膜厚算出ステップによる算出値に基づいて前記第２の
   感熱膜を形成することにより、前記抵抗値を所望の値に
   粗調整する粗調整ステップと、 予めシュミレーションにより求めたトリミングデータに
   基づいて、前記保護膜形成後の測定から得られた抵抗値
   から前記トリミング用切断部のトリミング部位を決定す
   るトリミング部位決定ステップと、 前記決定されたトリミング部位を、前記保護膜上からレ
   ーザートリミングすることにより、前記抵抗値を前記所
   望の値に微調整する微調整ステップとからなることを特
   徴とする薄膜サーミスタの抵抗値調整方法。
10. 【請求項１０】 前記トリミング部位決定ステップは、
    一枚の絶縁基板上に多数個形成される薄膜サーミスタの
    分割前の各薄膜サーミスタの位置と抵抗値を番地データ
    と抵抗値データとして演算処理する演算処理ステップ
    と、予めシュミレーションにより求めたトリミングデー
    タに基づいて、各薄膜サーミスタの抵抗値から前記トリ
    ミング用切断部のトリミング部位を決定する決定ステッ
    プとを含むことを特徴とする請求項８または９記載の薄
    膜サーミスタの抵抗値調整方法。