JPS6341002A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
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- JPS6341002A JPS6341002A JP18460786A JP18460786A JPS6341002A JP S6341002 A JPS6341002 A JP S6341002A JP 18460786 A JP18460786 A JP 18460786A JP 18460786 A JP18460786 A JP 18460786A JP S6341002 A JPS6341002 A JP S6341002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film thermistor
- thermistor element
- support plate
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐熱性の高い薄膜サーミスタに関するものでこ
のサーミスタは電気オープン、ガスオーブンなどの温度
センサとして用いられる。
のサーミスタは電気オープン、ガスオーブンなどの温度
センサとして用いられる。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井他ナショナルテクニカ
ルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ ）Ｖｏｌ、２９ （１９８３） Ｐ
、１４５に示されるように、アルミナなどの平板状絶縁
性基板の一方の表面に炭化硅素（ＳｉＣ）膜と電極膜を
形成したのち、この電極膜にｐｔ線などのリード線を接
続し、更に前記一方の表面に硝子被覆層を設けて構成さ
れる。
ルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ ）Ｖｏｌ、２９ （１９８３） Ｐ
、１４５に示されるように、アルミナなどの平板状絶縁
性基板の一方の表面に炭化硅素（ＳｉＣ）膜と電極膜を
形成したのち、この電極膜にｐｔ線などのリード線を接
続し、更に前記一方の表面に硝子被覆層を設けて構成さ
れる。
発明が解決しようとする問題点
前記従来例に示されているように、硝子被覆層はＳｉＣ
膜を結露、湿度など外部環境から保護する。
膜を結露、湿度など外部環境から保護する。
しかし、この硝子被覆層はＳｉＣ膜の端部で中敷１０μ
ｍ以下の範囲で形成され惟いという欠点があった。この
ため結露などにより特性変動が生じ易いという使用上の
問題点があった。
ｍ以下の範囲で形成され惟いという欠点があった。この
ため結露などにより特性変動が生じ易いという使用上の
問題点があった。
また、この＃膜す−ミスクを実用する場合、Ｐｔ線は通
常０．２０以下の細線が選ばれ、機械的強度が小さいの
で、ｐｔ線は太いリード線に接続される。このため、構
造が複雑で、高価格であるという欠点もあった。
常０．２０以下の細線が選ばれ、機械的強度が小さいの
で、ｐｔ線は太いリード線に接続される。このため、構
造が複雑で、高価格であるという欠点もあった。
本発明は、硝子被覆層を薄膜サーミスタ素子全体に確実
に形成できると共に簡単にリード線を取り出せる薄膜サ
ーミスタを提供するものである。
に形成できると共に簡単にリード線を取り出せる薄膜サ
ーミスタを提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
前記問題点を解決する本発明の技術的手段は、平板状絶
縁性基板の一方の表面に２つの電極膜と感温抵抗体膜が
形成された薄膜サーミスタ素子と、２個の貫通穴を有す
る絶縁性支持板と、２本のリード線とから成り、前記薄
膜サーミスタ素子の前記一方の表面が前記絶縁性支持板
と面しないように前記薄膜サーミスタ素子を前記絶縁性
支持板上に配置し、また前記２本のリード線を前記貫通
穴を通して前記２つの電極膜近傍に配置し、そののち前
記２本のリード線と前記２つの電極膜とを厚膜導電性材
料で接続し、更に前記薄膜サーミスタ素子全体を包むよ
うに硝子被覆層を設ける点にある。
縁性基板の一方の表面に２つの電極膜と感温抵抗体膜が
形成された薄膜サーミスタ素子と、２個の貫通穴を有す
る絶縁性支持板と、２本のリード線とから成り、前記薄
膜サーミスタ素子の前記一方の表面が前記絶縁性支持板
と面しないように前記薄膜サーミスタ素子を前記絶縁性
支持板上に配置し、また前記２本のリード線を前記貫通
穴を通して前記２つの電極膜近傍に配置し、そののち前
記２本のリード線と前記２つの電極膜とを厚膜導電性材
料で接続し、更に前記薄膜サーミスタ素子全体を包むよ
うに硝子被覆層を設ける点にある。
作 用
本発明は上述したように、硝子被覆層は薄膜サーミスタ
素子全体を包むようにして形成される。
素子全体を包むようにして形成される。
従って、硝子被覆層は感温抵抗体膜を確実に被覆して形
成できる。
成できる。
また、薄膜サーミスタ素子の電極膜とリード線とは、導
電性材料で接続されるので、簡単な構成でリード線が取
り出せる。
電性材料で接続されるので、簡単な構成でリード線が取
り出せる。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。平板状アルミナ基板１の一方の表面にあらか
じめＡｕ Ｐｔ厚膜電極膜２．２′を形成し、その後
スパック法によりＳｉＣ感温抵抗体膜３を形成し、薄膜
サーミスタ素子を構成した。
図である。平板状アルミナ基板１の一方の表面にあらか
じめＡｕ Ｐｔ厚膜電極膜２．２′を形成し、その後
スパック法によりＳｉＣ感温抵抗体膜３を形成し、薄膜
サーミスタ素子を構成した。
他方、２個の貫通穴４．４′を有するアルミナ支持板５
を準備した。アルミナ基板１の一方の表面が、アルミナ
支持板５と面しないようにして、薄膜サーミスタ素子を
アルミナ支持板５に配置し、また貫通穴４．４１を通し
て、リード線６．６′を電極膜２、ｚの近傍に配置した
。リード線６．６′と電極膜２．２′とは、それぞれ、
厚膜導電性材料７．７′テ接続した。この後、薄膜サー
ミスタ素子を包むようにしてＺｕＯ−Ｂ２０３ ５ｉ０
２系硝子被覆層８を形成した。硝子被覆層８が、端部も
含め全面的に確実にＳｉＣ感温抵抗体膜３を被覆するこ
とは明らかであろう。
を準備した。アルミナ基板１の一方の表面が、アルミナ
支持板５と面しないようにして、薄膜サーミスタ素子を
アルミナ支持板５に配置し、また貫通穴４．４１を通し
て、リード線６．６′を電極膜２、ｚの近傍に配置した
。リード線６．６′と電極膜２．２′とは、それぞれ、
厚膜導電性材料７．７′テ接続した。この後、薄膜サー
ミスタ素子を包むようにしてＺｕＯ−Ｂ２０３ ５ｉ０
２系硝子被覆層８を形成した。硝子被覆層８が、端部も
含め全面的に確実にＳｉＣ感温抵抗体膜３を被覆するこ
とは明らかであろう。
従来の薄膜サーミスタは、第２図に示すように、ｐｔリ
ード線９．９′を接続したのち、平板状絶縁性基板１の
一方の表面のみに硝子被覆層８が形成されるので、Ｓｉ
Ｃ膜３の端部３１，３１’が硝子被覆され難くかった。
ード線９．９′を接続したのち、平板状絶縁性基板１の
一方の表面のみに硝子被覆層８が形成されるので、Ｓｉ
Ｃ膜３の端部３１，３１’が硝子被覆され難くかった。
本発明は、硝子被覆層８の一部が絶縁性支持板５にも形
成され、硝子被覆層８が薄膜サーミスタ素子を包むよう
に形成されるので、ＳｉＣ膜３の端部も確実に硝子被覆
される。
成され、硝子被覆層８が薄膜サーミスタ素子を包むよう
に形成されるので、ＳｉＣ膜３の端部も確実に硝子被覆
される。
−また、リード線６．６′と電極膜２．２′とは、厚−
膜、導電性材料７．７′で接続されるので、従来例のｌ
＋−− ゛ご１．−・ ようにＰｔ線の溶接が不要となり、リード線取出が容易
になる。
膜、導電性材料７．７′で接続されるので、従来例のｌ
＋−− ゛ご１．−・ ようにＰｔ線の溶接が不要となり、リード線取出が容易
になる。
なお、第１図に示すように硝子被覆層８が厚膜導電性材
料７．７′をも被覆するように構成する方がより好まし
い。
料７．７′をも被覆するように構成する方がより好まし
い。
また、第３図に示すように絶縁性支持板５に凹部１０を
設けることが好ましい。これは、凹部１０に薄膜サーミ
スタ素子を位置させることにより、薄膜サーミスタ素子
の位置決めが容易になるからである。このとき、凹部９
の深さは平板状絶縁基板１の厚さよりも小さいことが好
ましい。これは、厚膜導電性材料７．７′の形成が容易
になるからである。
設けることが好ましい。これは、凹部１０に薄膜サーミ
スタ素子を位置させることにより、薄膜サーミスタ素子
の位置決めが容易になるからである。このとき、凹部９
の深さは平板状絶縁基板１の厚さよりも小さいことが好
ましい。これは、厚膜導電性材料７．７′の形成が容易
になるからである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば次に示す効果が
得られる。
得られる。
（１）硝子被覆層は薄膜サーミスタ素子を包むように形
成されるので、感温抵抗体膜は確実に硝子被覆される。
成されるので、感温抵抗体膜は確実に硝子被覆される。
（２）リード線と電極膜は厚膜導電性材料で接続される
ので、リード線取出が簡単となり、作業性が向上する。
ので、リード線取出が簡単となり、作業性が向上する。
（３）硝子被覆層が薄膜サーミスタ素子のみならず４膜
導電性材料をも被覆するように形成できるので、リード
線間の絶縁距離を長くすることができる。
導電性材料をも被覆するように形成できるので、リード
線間の絶縁距離を長くすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面
図、第２図ａは従来例の断面図、第２図すは第２図ａの
Ａ−に線断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２．２′・・・・・
・電極膜、３・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・
・貫通穴、５・・・・・・絶縁性支持板、６．６′・・
・・・・リード線、ア、７′・・・・・・厚膜導電性材
料、８・・・・・・硝子被覆層、１０・・・・・・絶縁
性支持板５に設けられた凹部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 畝 男 ほか１名７′
−千及び雇ツ覇葺東代 ？２′−−隻１【頃 ３− 込ｌ抵孔体λ 乙−貢屹 Ｓ−一定春性文盲孜 ６６′−一）ノード慌 ７．７’−Ｊ屓暮亀性財お ８− 硝子牧１層 第１図
図、第２図ａは従来例の断面図、第２図すは第２図ａの
Ａ−に線断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２．２′・・・・・
・電極膜、３・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・
・貫通穴、５・・・・・・絶縁性支持板、６．６′・・
・・・・リード線、ア、７′・・・・・・厚膜導電性材
料、８・・・・・・硝子被覆層、１０・・・・・・絶縁
性支持板５に設けられた凹部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 畝 男 ほか１名７′
−千及び雇ツ覇葺東代 ？２′−−隻１【頃 ３− 込ｌ抵孔体λ 乙−貢屹 Ｓ−一定春性文盲孜 ６６′−一）ノード慌 ７．７’−Ｊ屓暮亀性財お ８− 硝子牧１層 第１図
Claims (3)
- （１）平板状絶縁性基板の一方の表面に２つの電極膜と
感温抵抗体膜が形成された薄膜サーミスタ素子と、２個
の貫通穴を有する絶縁性支持板と、２本のリード線とか
ら成り、前記薄膜サーミスタ素子の前記一方の表面が前
記絶縁性支持板と面しないように前記薄膜サーミスタ素
子を前記絶縁性支持板上に配置し、前記２本のリード線
を前記貫通穴を通して前記２つの電極膜近傍に配置し、
そののち前記２本のリード線と前記２つの電極膜とを厚
膜導電性材料で接続し、更に前記薄膜サーミスタ素子全
体を包むように硝子被覆層を設けた薄膜サーミスタ。 - （２）薄膜サーミスタ素子を収容できる凹部を絶縁性支
持板に設けた特許請求の範囲第１項記載の薄膜サーミス
タ。 - （３）凹部の深さが薄膜サーミスタ素子の平板状絶縁性
基板の厚より小さい特許請求の範囲第２項記載の薄膜サ
ーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18460786A JPS6341002A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18460786A JPS6341002A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341002A true JPS6341002A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16156178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18460786A Pending JPS6341002A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6341002A (ja) |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18460786A patent/JPS6341002A/ja active Pending
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