JPS623682Y2 - - Google Patents
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- JPS623682Y2 JPS623682Y2 JP1892081U JP1892081U JPS623682Y2 JP S623682 Y2 JPS623682 Y2 JP S623682Y2 JP 1892081 U JP1892081 U JP 1892081U JP 1892081 U JP1892081 U JP 1892081U JP S623682 Y2 JPS623682 Y2 JP S623682Y2
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- Japan
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- thin film
- resistance
- layer
- polyparaxylylene
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- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、圧力や力の測定に用いられる抵抗ひ
ずみゲージに関するものである。
ずみゲージに関するものである。
ばね材となる基板の表面に薄膜抵抗体を形成す
る抵抗ひずみゲージにおいて、従来、薄膜抵抗素
子の安定性を図るために、それをカプセル内に密
封するようにしたものがあるが、構造が複雑とな
る欠点がある。薄膜抵抗素子の表面を、ガラスや
アルミナなどの酸化物、あるいは窒化物やシリコ
ン樹脂などでコーテイングするようにして素子の
安定化を図るようにしたものもある。しかしなが
ら、薄膜抵抗素子の材料として、ニクロムなどの
金属膜を使用した場合、これらの材料とコーテイ
ング材料との機械的性質や電気的性質が著しく異
なることとなつて、耐熱性や耐湿性に問題が生ず
る欠点があつた。
る抵抗ひずみゲージにおいて、従来、薄膜抵抗素
子の安定性を図るために、それをカプセル内に密
封するようにしたものがあるが、構造が複雑とな
る欠点がある。薄膜抵抗素子の表面を、ガラスや
アルミナなどの酸化物、あるいは窒化物やシリコ
ン樹脂などでコーテイングするようにして素子の
安定化を図るようにしたものもある。しかしなが
ら、薄膜抵抗素子の材料として、ニクロムなどの
金属膜を使用した場合、これらの材料とコーテイ
ング材料との機械的性質や電気的性質が著しく異
なることとなつて、耐熱性や耐湿性に問題が生ず
る欠点があつた。
ここにおいて、本考案はこのような従来装置お
ける問題点を解決することを目的としてなされた
ものである。
ける問題点を解決することを目的としてなされた
ものである。
第１図は本考案にかかわる抵抗ひずみゲージの
構成断面図である。図において、１はばね板とな
る基板で、例えばNi−SpanCが用いられる。２は
この基板表面上に形成した絶縁層で、例えばSio2
が用いられている。この絶縁層２は、基板１の表
面を、はじめに鏡面研摩した後、例えば蒸着、ス
パツタリングなどの技術により形成される。３は
この絶縁層２を介して基板表面上に形成された薄
膜抵抗層で、例えばNi−Crなどが用いられてい
る。４１，４２はいずれも薄膜抵抗層３上に形成
したリード線としての役目をなす薄膜で、例えば
Al，Auなどが用いられている。これらは、例え
ばホトグラフイーとエツチングの技術を利用して
形成される。５は薄膜抵抗層３およびリード用薄
膜４１，４２の表面を覆うように設けたポリパラ
キシリレンのコーテイング層である。
構成断面図である。図において、１はばね板とな
る基板で、例えばNi−SpanCが用いられる。２は
この基板表面上に形成した絶縁層で、例えばSio2
が用いられている。この絶縁層２は、基板１の表
面を、はじめに鏡面研摩した後、例えば蒸着、ス
パツタリングなどの技術により形成される。３は
この絶縁層２を介して基板表面上に形成された薄
膜抵抗層で、例えばNi−Crなどが用いられてい
る。４１，４２はいずれも薄膜抵抗層３上に形成
したリード線としての役目をなす薄膜で、例えば
Al，Auなどが用いられている。これらは、例え
ばホトグラフイーとエツチングの技術を利用して
形成される。５は薄膜抵抗層３およびリード用薄
膜４１，４２の表面を覆うように設けたポリパラ
キシリレンのコーテイング層である。
ここで、ポリパラキシリレンは、熱可塑性樹脂
でり、この樹脂の最も特徴とするところは、常温
付近で真空蒸着により、薄膜抵抗層３上およびリ
ード用薄膜４１，４２上に0.2ミクロン程度の非
常に薄いコーテイング層をピンホールなく簡単に
形成できる点にある。このポリパラキシリレン
は、パラキシリレンよりダイマーを間接的に生成
し、それを比較的低温で分解することによつて全
く架橋結合のない線状パラキシレンポリマーを形
成するもので、蒸着によつて得られたポリパラキ
シリレンの絶縁層は、非常に丈夫で、高い結晶性
を示すうえに、温度に対しても柔軟性を持つてい
る。なお、ポリパラキシリレンは、例えば米国ユ
ニオン・カーバイト・コーポレーシヨンから商品
名パリレンとして市販されている。
でり、この樹脂の最も特徴とするところは、常温
付近で真空蒸着により、薄膜抵抗層３上およびリ
ード用薄膜４１，４２上に0.2ミクロン程度の非
常に薄いコーテイング層をピンホールなく簡単に
形成できる点にある。このポリパラキシリレン
は、パラキシリレンよりダイマーを間接的に生成
し、それを比較的低温で分解することによつて全
く架橋結合のない線状パラキシレンポリマーを形
成するもので、蒸着によつて得られたポリパラキ
シリレンの絶縁層は、非常に丈夫で、高い結晶性
を示すうえに、温度に対しても柔軟性を持つてい
る。なお、ポリパラキシリレンは、例えば米国ユ
ニオン・カーバイト・コーポレーシヨンから商品
名パリレンとして市販されている。
第２図および第３図は抵抗ひずみゲージの一例
を示す構成斜視図である。
を示す構成斜視図である。
第２図に示すものは、ばね板基板１をＪ形と
し、一方の腕１１側の一端を固定とし、他方の腕
１２側の一端に力あるいは圧力に関連する機械量
を与え、一方の腕１１に他の部分より薄く構成し
た起歪部１３，１４を設け、この上に、薄膜抵抗
層３１〜３４を形成したものである。
し、一方の腕１１側の一端を固定とし、他方の腕
１２側の一端に力あるいは圧力に関連する機械量
を与え、一方の腕１１に他の部分より薄く構成し
た起歪部１３，１４を設け、この上に、薄膜抵抗
層３１〜３４を形成したものである。
第３図に示すものは、ばね板基板１をＵ形と
し、一方の腕１１側の一端を固定とし、他方の腕
１２側の一端に機械量を与え、両方の腕１１，１
２に起歪部１３，１４を設け、この上に薄膜抵抗
層３１〜３４を形成したものである。
し、一方の腕１１側の一端を固定とし、他方の腕
１２側の一端に機械量を与え、両方の腕１１，１
２に起歪部１３，１４を設け、この上に薄膜抵抗
層３１〜３４を形成したものである。
このように構成したひずみゲージは、いずれも
ばね板基板１の起歪部１３，１４の表面に互いに
極性の異なつた歪が生ずるものであつて、同一平
面上で、同時に薄膜抵抗層の形成、リード用薄膜
の形成、およびポリパラキシリレンのコーテイン
グ層の形成、およびポリパラキシリレンのコーテ
イング層の形成を行うことができ、各薄膜抵抗層
３１〜３４はいずれも温度特性等、各種特性の揃
つた素子を得ることができる。
ばね板基板１の起歪部１３，１４の表面に互いに
極性の異なつた歪が生ずるものであつて、同一平
面上で、同時に薄膜抵抗層の形成、リード用薄膜
の形成、およびポリパラキシリレンのコーテイン
グ層の形成、およびポリパラキシリレンのコーテ
イング層の形成を行うことができ、各薄膜抵抗層
３１〜３４はいずれも温度特性等、各種特性の揃
つた素子を得ることができる。
そして、このように各薄膜抵抗層およびリード
用薄膜の表面に、特にポリパラキシリレンで構成
されるコーテイング層を蒸着によつて形成したも
のは、室温付近で真空蒸着法によつてコーテイン
グ層を形成できるもので、その形成は容易であ
り、また蒸着室を利用して一度に大量の生産を行
うことができる。
用薄膜の表面に、特にポリパラキシリレンで構成
されるコーテイング層を蒸着によつて形成したも
のは、室温付近で真空蒸着法によつてコーテイン
グ層を形成できるもので、その形成は容易であ
り、また蒸着室を利用して一度に大量の生産を行
うことができる。
第４図は、本考案に係るひずみゲージの安定性
を示す実験結果の線図で、Ｘ軸は経過時間、Ｙ軸
は抵抗変化率ΔＲ／Ｒをとつてある。ここでは、
ポリパラキシリレンで構成されるコーテイング層
を設けたもの（実線）と、設けないもの（破線）
を、温度55℃、湿度95℃％の湿度の室内に置いた
ものである。
を示す実験結果の線図で、Ｘ軸は経過時間、Ｙ軸
は抵抗変化率ΔＲ／Ｒをとつてある。ここでは、
ポリパラキシリレンで構成されるコーテイング層
を設けたもの（実線）と、設けないもの（破線）
を、温度55℃、湿度95℃％の湿度の室内に置いた
ものである。
ポリパラキシリレンのコーテイング層を設けな
いものは、抵抗変化率ΔＲ／Ｒが5000時間経過し
た時点で、1.0％以上であるのに対し、ポリパラ
キシリレンのコーテイング層を設けたものは、抵
抗変化率ΔＲ／Ｒが同じく5000時間経過した時点
で0.08％以下で、ひずみゲージの安定性に関して
極めて満足すべき結果が得られた。
いものは、抵抗変化率ΔＲ／Ｒが5000時間経過し
た時点で、1.0％以上であるのに対し、ポリパラ
キシリレンのコーテイング層を設けたものは、抵
抗変化率ΔＲ／Ｒが同じく5000時間経過した時点
で0.08％以下で、ひずみゲージの安定性に関して
極めて満足すべき結果が得られた。
なお、上記の実施例では基板上に薄膜抵抗層を
設けたが、基板上に各薄膜抵抗からの電気信号を
入力する高入力インピーダンス増幅器の入力部等
を例えば集積回路技術によつて形成し、これらの
回路上も同じようにポリパラキシリレンのコーテ
イング層を設けるようにしてもよい。この場合、
ガードリングなどの絶縁処理が不要となる等、機
器全体の安定性を向上できる。
設けたが、基板上に各薄膜抵抗からの電気信号を
入力する高入力インピーダンス増幅器の入力部等
を例えば集積回路技術によつて形成し、これらの
回路上も同じようにポリパラキシリレンのコーテ
イング層を設けるようにしてもよい。この場合、
ガードリングなどの絶縁処理が不要となる等、機
器全体の安定性を向上できる。
以上説明したように、本考案によれば、従来装
置に比べて構成が簡単で、耐熱性、耐湿性のある
動作の安定なひずみゲージが実現できる。
置に比べて構成が簡単で、耐熱性、耐湿性のある
動作の安定なひずみゲージが実現できる。
第１図は本考案に係る抵抗ひずみゲージの構成
断面図、第２図および第３図は抵抗ひずみゲージ
の一例を示す構成斜視図、第４図は本考案に係る
ひずみゲージの安定性を示す実験結果の線図であ
る。 １……ばね板基板、２……絶縁層、３……薄膜
抵抗層、４１，４２……リード用薄膜、５……ポ
リパラキシリレンのコーテイング層。
断面図、第２図および第３図は抵抗ひずみゲージ
の一例を示す構成斜視図、第４図は本考案に係る
ひずみゲージの安定性を示す実験結果の線図であ
る。 １……ばね板基板、２……絶縁層、３……薄膜
抵抗層、４１，４２……リード用薄膜、５……ポ
リパラキシリレンのコーテイング層。
Claims (1)
- ばね材となる基板の表面に絶縁層を介して薄膜
抵抗層を形成した抵抗ひずみゲージにおいて、前
記薄膜抵抗層表面を真空蒸着によつて形成したポ
リパラキシリレンのコーテング層で覆うようにし
た抵抗ひずみゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1892081U JPS623682Y2 (ja) | 1981-02-13 | 1981-02-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1892081U JPS623682Y2 (ja) | 1981-02-13 | 1981-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132207U JPS57132207U (ja) | 1982-08-18 |
| JPS623682Y2 true JPS623682Y2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=29816871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1892081U Expired JPS623682Y2 (ja) | 1981-02-13 | 1981-02-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS623682Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003062782A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-05 | Myotoku Ltd | 吸着パッド、及び、吸着パッドの製造方法 |
| JP5884921B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ装置および圧力センサ装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014044180A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-13 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 歪みセンサモジュール |
-
1981
- 1981-02-13 JP JP1892081U patent/JPS623682Y2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003062782A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-05 | Myotoku Ltd | 吸着パッド、及び、吸着パッドの製造方法 |
| JP5884921B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ装置および圧力センサ装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132207U (ja) | 1982-08-18 |
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