JPH04501040A - ヒータ／センサ素子の金属化系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ヒータ／センサ素子の金属化系 発明の分野 本発明は、改良された物理的および化学的特性を有する金轡化されたセンサ／ヒ ータ素子およびその製造方法に関する。

発明の背景 シリコンをベースとした電子部品系は特に自動車の適用に関して近年ますます重 要になってきた。このシリコンをベースとした電子部品は主として制御アルゴリ ズム、処理情報を記憶し、ならびに使用者に操縦、停止および運転者情報の表示 を含む記載すべき多くの機能を実行するように指示するために使用される。電子 部品のデザインは急速に進歩したが、センサ技術の発達は同じ速度では進歩しな かった、更にセンサデザインはそれ自体の限界を有するおくれた技術に依拠しつ づけた。シリコンは将来のセンサ技術の基礎として近年認識され、シリコンは技 術隔差をせばめセンサ技術を使用する制御装置の広い適用を可能にすると期待さ れている。

シリコンは現在、シリコンをベースとした電子部品に使用するのに適していると 産業上広く認識されており、シリコンセンサデザインは今や多様な製造工程を用 いて製造することができるが、該工程の最も有効なものの１つがマイクロメカニ ングと言われ、該方法は三次元機械構造をシリコンに導入する化学的工程を使用 する。このマイクロ構造は言及されているように特殊な物理現象、たとえば加速 度、圧力、液体の流量に感度よ（することができ、したがって加速度計、圧力セ ンナならびに熱線流速計および燃料流速計を包含する空気質量流量センサ（ＭＡ ＦＳ）を製造することができる。マイクロメカニングについての異なる見解はＬ ｅｅｅｔａｌ著「自動車適用に関するシリコンマイクロ機械技術Ｊ　（Ｓｉｌｉ ｃｏｎ　Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｆｏｒ　Ａｕｔ。

ｍｏｔｉｖｅ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、５ＡＥＰｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｎ ｏ、５Ｐ６５５．１９８６年２月）に記載されている。

そのような装置の性能を向上するために、ヒータ／センサ素子が、熱的エージン グとともに変化しない、実質的に一定で有利には高い線状の抵抗の温度係数を有 することが重要である。従来は、金がヒータ／センサ素子として使用されてきた が、これは金がほとんどの半導体工程と相容性でなく低い抵抗を有し、それによ りシリコンウェーハ上に貴重な場所を使用する長い抵抗器が必要であるという事 実から受け入れられない。

クロム／金金属化システムを用いて半導体と接続して使用する場合に、金の金属 化特性を改良するためにいくつかの試みがなされたが、この試みも、約２００℃ より高い温度での相互拡散特性により不成功に終わった。空気質量流量センサは 通常少な（とも２００℃の温度で運転されるので、そのようなセンサに感知およ び加熱素子として使用される材料は、この加熱状態で安定した電気特性を有しな ければならない、ならびに特に安定した抵抗の温度係数およびシート抵抗（Ｒ− ｓｈ）を示さなければならない。

又貝旦員！ ところで、本発明により、実質的に一定で線状の、抵抗の温度係数特性および高 いシート抵抗を有し、同時に金属化されたセンサ／ヒータ素子を製造するために 使用される半導体工程と相容性である素子を製造できることが判明した。

本発明の１つの対象によれば、１００万分の少なくとも２０００（Ｐａｒｔｓ　 Ｐｅｒ　ｍ１ｌｌｉｏｎ）の抵抗の温度係数を有する金属化されたセンサ／ヒー タ素子が提供される。

本発明の他の対象によれば、１００万分の少なくとも２０００ｐｐｍの抵抗の温 度係数を有する金属化されたセンサ／ヒータ素子からなる半導体装置が提供され る。

更に他の対象によれば、本発明は、基板の表面に接触した第１の金属の層と第１ の層に接触した第２の金属の層とからなり、１００万分の少なくとも２０００の 抵抗の温度係数を有する金属化された素子を提供する。

更に本発明は、少なくとも１種の金属を含有する層を基板に被覆して、１００万 の少なくとも２０００の抵抗の温度係数を有する金属化された素子を製造する工 程からなるセンサ／ヒータ素子を金属化する方法を提供する。

有利な実施態様では、それぞれ１００万分の少なくとも２０００の抵抗の温度係 数を有する金属系および珪化物系から選択される金属化系を使用する。

本発明による金属化されたヒータ／センサ素子の抵抗の温度係数（以下ＴＣＲ） は１００万分の少なくとも２０００でありおよび１００万分の少なくとも３゜０ ０も可能である。一般にはＴＣＲは１００万分の２２００〜３５００であり、有 利には１００万分の２４００〜３２００である。素子を上昇した温度、典型的に は少なくとも２００℃で、短（て５時間、長くて１００時間の延長した時間にわ たって加熱した場合は、ＴＣＰは相当して１００万分の少なくとも２０００の値 で線状である。これは、室温で１００万分の約１８００の初期値を有するが、約 ３５０℃で約５時間加熱後約１００万分の３５０またはそれ以下に著しく下降す る、公知のクロム／金系のＴＣＲと対照をなしている（図３参照）。

本発明の金属化系を２つの広いカテゴリに分けることができる、すなわちそれ自 体金属をベースとしたおよび金属を含有する材料、たとえば金属酸化物と結合し たそれ自体金属をベースとしたカテゴリ（ここでは金属系と記載する）ならびに 金属珪化物をベースとしたカテゴリ（ここでは珪化物系と記載する）である。

本発明による金属系は金属および金属酸化物のような金属を含有する化合物から なることができる。有利な金属は耐熱金属、たとえばチタニウム、タングステン 、モリブデン、ハフニウム、ジルコニウムおよびクロム、ならびに貴金属、たと えばパラジウムおよび白金である。特に有利には第１および第２の金属を有する 前記センサのように、耐熱金属および／または貴金属の複数の層を使用する。こ の構造において空気質量流量センサのような半導体装置の膜に典型的に接触する 第１の金属は、有利には耐熱金属たとえばチタニウム、タングステン、モリブデ ンおよびハフニウム、ジルコニウムならびにクロム、またはこれら金属の組合せ 、たとえばチタニウム−タングステンであり、第２の金属は典型的に貴金属、た とえば金およびパラジウムである。特にチタニウム−タングステン／金を使用す ると良好な成果が得られた。第１と第２の金属層の間にバリア層を施した場合に も良好な成果が得られ該バリア層は、金属を含有する物質たとえば金属酸化物か らまたは他の金属から形成される。そのような金属化系の例は、クロム／酸化Ｗ ｌｊｌ金およびクロム／ニッケル／金層の系である。そのような系では、バリア 層はニッケル層または酸化物層である。酸化物層が二酸化ニクロムである、クロ ム／酸化物／金量を使用すると特に有効な結果が得られた。

珪化物系に関しては、珪化物、すなわち金属とシリコンの混合物、有利にはポリ シリコンは基板にポリシリコンを被覆し、引続きポリシリコンに金属を被覆し加 熱して珪化物を形成することにより形成される。生ずる珪化された素子が前記の 所望の安定した電気的および物理的特性を示すならば、珪化物を形成するどの金 属を使用してもよい、珪化物は、有利には珪化白金、珪化チタニウム、珪化モリ ブデン、珪化タングステン、珪化コバルトおよび珪化パラジウムから選択される 。

最も有利な珪化物は珪化白金である。

本発明により使用される金属化系は、多くの利点を有し、感度がよく正確なヒー ター／センサ素子の開発に使用するためにきわめて有利である。特に、この系は 少なくとも２０００ｐｐｍのＴＣＲ値を示し、該値は延長した加熱において実買 的に一定である。すなわち、少なくとも約２５０℃で少なくとも約１５時間加熱 した場合に１００万分の約１０００以下、特に１００万分の４００〜６００だけ 変化するにすぎない、更に、本発明による金属化されたセンサにより熱的エージ ングに対する良好な熱的安定性および耐性が示され、高いシート抵抗も示される 、典型的には金属の厚さ３０００オングストロームにもとづく金属系では０．２ オーム／スクウエアから５オーム／スクウエアまでおよび層厚約１０００オング ストロームの珪化物系、たとえば珪化白金では約２．０オーム／スクウエアから ２．５オーム／スクウエアまでの範囲である。これによりより短いセンサ素子が 製造でき、したがって該素子がシリコンウェーハーにかなり少ない場所を占める ことができる。更に本発明により金属化されたセンサは、電気移動問題を示さず 、すぐれた腐食耐性および高い融点を有する。これら利点は通常はクロム／金層 に関する相互拡散問題が、本発明による金属化されたセンサでは著しく減少する ことを表す、この観点から、前記のバリア層を使用することができるが、クロム ／金層を使用する場合に常に要求されるように、相互拡散が生ずるのを阻止する ためにバリア層を使用しな（でよい。

本発明により金属化されたセンサにより示される、安定した抵抗特性の温度係数 およびシート抵抗はクロム／金層を用いて金属化された素子によりては示されな い（図３参照）。更にクロム／金層を使用すると、上昇する温度とともに抵抗の 温度係数が減少するが、シート抵抗は上昇する温度とともに増加することが確認 された０本発明による金属化された素子ではこのことは生じない。

本発明から生ずる他の利点は、金属化を低い温度、典型的には５００℃より低い 、更に有利には３５０〜４００℃の範囲で実施できることである。これは、金属 化工程と生ずるシリコンベースのセンサ技術とを相用容性にし、それによりセン ナにすでに存在する電子物品が熱的損失を受けずに集積したシリコンセンサを製 造することができる。

本発明による金属化系は低い接触抵抗を示し、それにより良好なオーム接触を形 成し、特にシリコンまたはウェーハーに存在する二酸化珪素に良好な付着を示す 。

の簡単な脱 次いで本発明を付属の図面により詳細に説明する。

図面において、 図１は本発明による金属化された素子を有する装置の側面図である。

図２は金属化された素子の形を示す図１の装置の平面図である。

図３は、クロム／金の抵抗の温度係数に関する熱処理効果を示すグラフである。

図４は、チタニウム／タングステン／金の抵抗の温度係数に関する熱処理効果を 示すグラフである。

図５は、クロム／二酸化ニクロム／金の抵抗の温度係数に関する熱処理効果を示 すグラフである。

図６はクロム／二゛ツケル／金の抵抗の温度係数に関する熱処理効果を示すグラ フである。

の詳細な説 図１によれば、集積回路６を有する部分４と加熱素子ｌＯを支持する上部表面８ とを存する膜構造が全体として２で示されている０本発明による金属化系を構成 する素子ＩＯに関して、空気流量センサ、特に熱線流速計の部品としての加熱素 子であるとして以下に説明するが、本発明を他のセンサ素子、たとえば図１に示 されるような、ブリッジ構造１２および／または片持ち構造１４にも同様に適用 できることは自明である。

ＩＩＩに示される空気質料流量計は少なくとも２層からなる膜部分１６からなり 、１つの層は典型的には二酸化珪素および他の層は窒化珪素である。有利には部 分１６は、酸化珪素、窒化珪素および酸化珪素の交互の３層からなる。酸化物お よび窒化物の交互の層を形成することにより、酸化珪素に示される固有の圧縮圧 および窒化珪素に示される固有の張力を相殺することができ、全体にわたり低圧 で薄板状の膜層を製造することができる。これは向上した感度および柔軟性を生 じ、その結果、センサでの速度／ガス量の測定を正確に実施することができる。

Ｑｌｌおよび図２に示された膜構造は前記Ｌｅｅ　ｅｔ　ａｌの刊行物に記載さ れた従来のバックサイドエツチングにより形成されており、従ってここで更に言 及する必要はないと思う。

図３は３５０℃に加熱した場合のＣｒ　／　Ａ　ｕのＴＣＲ変化を時間の関数と して示している。グラフにおいて、層はアニーリングしていないＣｒ　／　Ａ　 ｕ、◆は２００℃でアニーリングしたＣ　ｒ　／　Ａ　ｕ、※は２５ｏ℃でアニ ーリングしたＣｒ／Ａｕ、ｘは３００’ＣでアニーリングしたＣ　ｒ　／　Ａ　 ｕ　、口は３５０”ＣでアニーリングしたＣ　ｒ　／　Ａ　ｕおよび◇は４００ ℃でアニーリングしたＣ　ｒ　／　Ａ　ｕの変化を表す。

前記のように、本発明による金属化系は、金属系がらまたは珪化物系からなって いてもよい。有利な金属系は、前記の耐熱金属または貴金属から形成されるが、 特に有利な金属系はチタニウム−タングステン／金（Ｔｉｗ／Ａｕ）である、有 利な構成によればこの金属系は膜の上部表面８に適用され、最初に膜にチタニウ ム／タングステンの層を被覆するが、その際タングステンの量はチタニウムの量 より過剰である。一般にタングステンは約９０重量％の量で存在し、チタニウム の量は約１０重量％である。チタニウムおよびタングステンをスパッタ被覆技術 を用いて真空で高めた温度で、一般には２００℃〜４５０℃の範囲で、特に２５ ０℃で被覆する。スパッタリングをチタニウム−タングステンの層厚が約２００ 〜２０００オングストローム、有利には５００−１５００オングストローム、特 に約１０００オングストロームになるまで続ける。

その後金層をチタニウム−タングステンの上に施す。

典型的には、金を真空でグラファイトるつぼから約３５０℃で蒸着する。金の蒸 着を金層の厚さが２２００〜３５００オングストロームの範囲に、有利には約２ ４００オングストロームになるまで続ける。その後金属化層のエツチングを従来 技術を用いて実施し、所望の形状のヒーター／センサ素子１０を形成する。

Ｔｉｗ−Ａｕ金属化系は、たとえばＴＣＲおよびＲ−ｓｈが約２５〜４００℃の 温度範囲で非常に安定である電気特性を有する。特にＴＣＲは２５〜４００℃の 温度範囲にわたりおよび５〜１００時間の時間にわたって高い程度の線を示す、 更にこの温度でおよびこの時間にわたるＴＣＲはｌＯＯ万分の２０００より高く 約１００万分の２７００〜３２００の範囲であった。

これは、延長した時間にわたり加熱した場合に、安定で感度によい高いＴＣＲを 有するＴｉｗ／Ａｕ系を生じる。

本発明を適用した図４は、２５０℃〜３５０℃で２０時間にわたる熱処理でのＴ ｉｗ／ＡｕのＴＣＲ変化を示す。ＴＣＲは２０時間にわたる加熱時間においても 多（て１００万分の約４００〜５００変化することが認められる。Ｔｉｗ／Ａｕ 系はＴｉｗおよびＡｕのそれぞれの層の低い自己拡散係数に主に帰因する相互拡 散特性を示さない。この結果として電気移動特性が最小になり、それにより、従 来のクロム／金系で経験された問題が克服された。

他の有利な金属化系はクロム／酸化物／金である。

酸化物が二酸化ニクロムである場合は金属化系は３５０℃で特に安定で高い線状 のＴＣＲを有し、同様に安定したＲ−ａｈを有することがわかる。これは図５に 示され、該因において２５０℃で２０時間にわたる加熱においてＴＣＨの変化が わずか１００万分の６００および有利には１００万分の４００〜５００であるこ とが認められる。グラフにおいてΔは２５０℃でアニーリングした、更に酸化も 理しない例、◇は３５００でアニーリングした、更に酸化処理しない例、口は２ ５０℃でアニーリングした、更に酸化も理した例およびｌは３５０℃でアニーリ ングした、更に酸化処理した例を表す、驚異的にも二酸化ニクロムはきわめて薄 い酸化物層として、たとえばわずか８〜２０オングストローム、典型的には１２ 〜１５オングストロームの厚さで存在する場合でも、３５０℃でバリアとして有 効に作用する。

クロム／酸化物／金糸を上昇した温度、通常は２５０°〜５００℃の範囲で、有 利には約３５０℃で真空蒸着を用いて最初にクロムを析出させることにより基板 に被覆する。そのようにして形成されたクロム層を有する基板を約８００℃〜１ ０００℃で炉中に入れ、酸素を導入して薄いクロムの表面層を酸化し、酸化クロ ムを形成することにより二酸化ニクロムを製造する。

最後に金をＴ　ｉ　ｗ　／　Ａ　ｕ系の製造に関して記載した前記蒸着技術を用 いて、二酸化ニクロムの上に施す。その後有利には金属化された素子の表面の酸 化物の形成を減少するために水素を含有するガスを用いてアニーリングを実施す る。アニーリングは通常は約２５０〜４５０℃、典型的にも約３５０℃で約２０ 〜１２０分間、特に約３０分間で実施する０通常は約４〜８容量％の水素を含有 する窒素ガス雰囲気で行う。

他の金属化システムはクロム／ニッケル／金系（以下Ｃｒ　／　Ｎ　ｉ　／　Ａ 　ｕ系）である、温度に伴うＴＣＨの変化は図６に示される。この金属化系は３ ５０℃でかなりの時間（２０時間）にわたって安定かつ実質的に線状のＴＣＲ特 性を示す。良好なＲ−ｓｈ特性も示されている。

前記のように、従来公知のクロム／金金属化系ではクロムおよび金原子が２つの 層の境界面で他の金属に移動する相互拡散特性が問題であった。結果としてＴＣ Ｒは、図３に示されるように、延長した加熱で著しく下降する。　Ｃｒ／Ｎ　ｉ ／Ａｕ系においてクロムと金の間のバリア層としてのニッケル機能はそれにより 電気移動および相互拡散問題を最小にする。

本発明により使用することができる珪化物金属化系に関しては、シリコン、有利 にはポリ結晶シリコンまたはポリシリコンと反応して珪化物を形成する金属はど れでも原則的に使用可能である。前記のように、多くの珪化物が使用可能である が、珪化白金が最も有利である。該物質は従来広く使用されてきた金よりすぐれ た多くの利点を有する。金は多くの不都合に直面していたが、その主なものは、 金が多くの半導体工程と特に相容性でなく、低い抵抗を有し、それゆえウェーハ に重要なシリコン部分を占める大きな抵抗器面積が必要とされることであった。

他方珪化白金は、同じ厚さの金層の抵抗の少なくとも１０倍大きなシート抵抗（ Ｒ−ｓｈ）を有する。かくて、珪化物センサ素子はより短く製造することができ 、それによりかなり少ないシリコン部分を占有する６更に珪化白金は、集積回路 の製造に広く利用されるポリシリコンから製造され、それゆえ、同じシリコンウ ェーハ上のセンサ装置の製造と相容性である。更に珪化白金は熱圧に耐性であり 、７００℃より高い温度に耐えることができる。更に珪化白金のＴＣＲはｌＯＯ 万分の約２０００〜３０００の範囲であり、珪化白金のＴＣＲは延長した加熱に おいて実質的に一定であり、柔軟で感度のよいセンサを開発するのに非常に有利 である。

珪化白金は有利な珪化物であるが、他の珪化物も。

センサ、特に空気賀料流量センサ、圧力センサおよび加速度計のための珪化物金 属化系としてすぐれた物理的および化学的特性を示すものと記載されている。こ れらすぐれた特性を示す他の珪化物は、珪化チタニウム、珪化コバルト、珪化モ リブデン、珪化タングステンおよび珪化パラジウムである。これら物質のすぐれ た物質的および化学的特性の結果として、そのような珪化物金属化系を非常に浅 い接続部分（１０００オングストローム未満）への接続、第ルベルゲートおよび 相互連結金属ならびに半導体珪化物を用いたヘテロ構造に使用することができる ０本発明による珪化物から生ずる付加的な利点は低温技術を使用して、典型的に は５００℃より低い温度で、有利には３５０℃〜４５０℃の範囲で珪化物を被覆 できることである。そのような方法には、たとえばスパッタリング、コスパッタ リング、ＣＶＤ　（化学的蒸着）法、焼成法等が含まれる。本発明に使用される 珪化物は低い接触抵抗を有し、良好なオーム接触を形成し、非常に安定で実質的 に一定のＴＣＲ特性を示す。この珪化物は、シリコンまたは二酸化珪素へのすぐ れた付着と同様に高い導電率をも示す、更に、該珪化物はすぐれた腐食耐性を示 し、電気移動問題を生じない。

珪化した素子（説明の都合上図１の素子１０を参照）は、有利には従来の低圧化 学的蒸着を用いて、図１で膜１６として示されている基板または半導体シリコン ウェーハにポリシリコンの層を施すことにより有利に形成する。被覆を層厚が約 ３５００〜４５００オングストロームの範囲に、特に約３８００オングストロー ムになるまで続ける。その後ポリシリコン層に、蒸気を用いた従来の湿式酸化条 件下で酸化珪素の層を形成する。更に従来のフォトリトグラフィ技術を用いてポ リシリコンを成形し、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）を引続き行う、更に金 属の層を、エツチングした酸化物／ポリシリコン層に施す、白金の場合には、電 子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）または高めた温度、たとえＩｆ　２００〜４５０℃、 特に約２５０℃でスパッタ被覆を用いて被覆することができる。生ずる白金層は 約８００〜２５００オングストローム、有利には約１０００〜２０００オングス トロームの厚さを有する。更に高めた温度で、通常は約３５０〜６００℃、特に 約５５０℃で、約１０〜３５分、有利には約１５分の時間で焼成を実施し、珪化 された素子１０を形成する。

アニーリングを窒素雰囲気下で３５０〜５００℃に加熱することにより、または ウェーハを約３５０℃で約１時間窒素下で保持し、引続き約１時間部度を約４５ ０℃に上昇し、更に約３０分加熱して約５５０℃に上昇し、炉から取り出す前に 約３５０℃に冷却する段階的アニーリング工程によりアニーリングを実施するこ とができる。更に過剰の珪化物を洗浄溶液たとえば王水（硝酸１部／塩酸７部／ 水８部）を用いて約１０〜４５秒、有利には約１５秒エツチングする。王水を１ ００℃より低い温度、たとえば約８５℃に加熱することができる。更に珪化物の 連続性をパラメトリックテスタを用いて検査することができる。スパッタリング したフィルムおよび長いアニーリング結果の例から特に良好な結果を得た。更に 、金属を実際に被覆する前にサンプルを洗浄するプレスパツタリングもポリシリ コンへのフィルムの付着を向上する。

特に白金に関しては、この金属を室温で蒸発することができる。有利には、上昇 した温度で、たとえ１ｆ２００〜３００℃の範囲で、特に約２５０℃で蒸発させ る。最も有利な白金の被覆およびその後の珪化白金の形成は通常の洗浄剤を用い てウェー１１を最初（二洗浄することにより、特にウェーッ１をフッ化水素溶液 （二約５秒間浸しその後すすぐことにより、達成される。更（こブレスバッタリ ング工程を実施することζ：よ１ノウエーハを洗浄する。プレスパツタリングを 通常ｌよ“スノくツタリングオフ”すなわちウェーッ１をアルゴンイオンを用い て洗浄することにより実施する。ブレスノ曵・ツタ１ノングに続き白金を約２５ ０℃の温度で、層力（約１０００オングストロームの厚さになるまで被覆する。

交に焼成を約５５０℃で約１５分間窒素を供給して実施し、引続き焼結した物質 を王水腐食に約１５秒間さらす。

金属化効果を更に高めるために珪化白金１こ選択的ｌ：チタニウムータングステ ン／アルミニウムを被覆することができる。焼結に続（フッ化水素の使用番よ基 板力＼ら金属化された層を取り出すことが起きるので好ましくないことが判明し た。′ 前記のように本発明め金属化系は安定かつ実質的各二線状のＴＣＲ特性を示すだ けでなく、高１Ｘシート抵抗も示す、金属系のシート抵抗は金属層の厚さ３００ ０オングストロームに対し通常１．２〜５．０オーム／スクウエアの範囲である 。珪化物系、たとえｉｆ珪イヒ白６５０℃における熱処理（ＨＲ） 国際調査報告 国際調査報告

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. １．１００万分の少なくとも２０００の抵抗の温度係数を有する金属化された素 子からなる装置。
2. ２．抵抗の温度係数が１００万分の少なくとも３０００である請求項１記載の装 置。
3. ３．金属化された素子が珪化物からなる請求項１記載の装置。
4. ４．珪化物が珪化白金、珪化チタニウム、珪化モリブデン、珪化タングステン、 珪化コバルトおよび珪化パラジウムからなるグループから選択される請求項３記 載の装置。
5. ５．珪化物が珪化白金である請求項４記載の装置。
6. ６．金属化された素子が第１の金属の層および第１の金属の層に接触する第２の 金属の層からなる請求項１記載の装置。
7. ７．第１の金属が耐熱金属であり第２の金属が貴金属である請求項６記載の装置 。
8. ８．耐熱金属含有チタニウム、タングステン、モリブデン、ハフニウム、ジルコ ニウムおよびクロムからなるグループから選択され、貴金属がパラジウムおよび 白金からなるグループから選択される請求項７記載の装置。
9. ９．第１の金属がクロムであり第２の金属が金であり、第１と第２の金属層の間 にバリア層が施されている請求項６記載の装置。
10. １０．バリア層が三酸化ニクロムおよびニッケルからなるグループから選択され る物質からなる請求項９記載の装置。
11. １１．バリア層が５〜２０オングストロームの範囲の厚さを有する請求項９記載 の装置。
12. １２．チタニウム約１０重量％およびタングステン約９０重量％の量でチタニウ ムおよびタングステンが一緒に存在し、第２の金属が金である請求項８記載の装 置。
13. １３．金属化された素子が延長した加熱において実質的に一定の、抵抗の温度係 数を有する請求項１記載の装置。
14. １４．抵抗の温度係数が約２５０〜３５０℃の温度で２０時間加熱して約１００ 万分の１０００以下の変化を示す請求項１３記載の装置。
15. １５．変化が約１００万分の４００〜６００である請求項１４記載の装置。
16. １６．少なくとも１種の金属を含有する層を基板に施し、１００万分の少なくと も２０００のＴＣＲを有する金属化された層を生ずる工程からなる金属化された センサ／ヒータ素子を形成する方法。
17. １７．第１の金属層を基板に施し第２の金属層を第１の金属に施す請求項１６記 載の方法。
18. １８．第１の金属層をチタニウム、タングステンおよびクロムからなるグループ から選択し、第２の金属層を金およびパラジウムからなるグループから選択する 請求項１７記載の方法。
19. １９．第２の層を施す前にバリア層を第１の層に施し、バリア層が、ニッケルお よび三酸化ニクロムからなるグルーブから選択される物質からなる請求項１８記 載の方法。
20. ２０．金属を含有する層が珪化物からなる請求項１６記載の方法。
21. ２１．珪化物を珪化白金、珪化チタニウム、珪化モリブデン、珪化タングステン 、珪化コバルトおよび珪化パラジウムからなるグルーブから選択する請求項２０ 記載の方法。
22. ２２．珪化物が珪化白金である請求項２１記載の方法。
23. ２３．ポリシリコンの層を基板に施し、ポリシリコンに白金の層を施し加熱して 珪化白金を形成することにより珪化白金を形成する請求項２１記載の方法。
24. ２４．１００万分の少なくともの２０００の抵抗の温度係数を有する金属化され た半導体ヒータ／センサ素子。