DE1540167C3 - Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer - Google Patents
Cermet-Widerstandsschicht für ein PotentiometerInfo
- Publication number
- DE1540167C3 DE1540167C3 DE1540167A DE1540167A DE1540167C3 DE 1540167 C3 DE1540167 C3 DE 1540167C3 DE 1540167 A DE1540167 A DE 1540167A DE 1540167 A DE1540167 A DE 1540167A DE 1540167 C3 DE1540167 C3 DE 1540167C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- resistance
- cermet
- contact
- resistance layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/30—Adjustable resistors the contact sliding along resistive element
- H01C10/308—Adjustable resistors the contact sliding along resistive element consisting of a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
ohmige Potentiometer hergestellt werden. Wie gefunden wurde, zeichnen sich ferner Potentiometer mit
erfindungsgemäß ausgebildeter Widerstandsschicht durch ein ungewöhnlich niedriges Rauschen bei Verstellung
des Schleifers (Drehgeräusch) aus. Im Vergleich zu den bekannten Glas-Edelmetall-Widerstandsschichten
sind die Abriebfestigkeit der Schicht und die Langzeitkonstanz bei hoher thermischerBeanspruchung
wesentlich verbessert.
Das eindiffundierte Edelmetall ist wegen der guten Korrosionsbeständigkeit in Verbindung mit hervorragender
elektrischer Leitfähigkeit vorzugsweise Gold.
Die Widerstandsschicht kann als Dünnschicht mit einer maximalen Dicke von ingefähr 1 μιη ausgebildet
sein. Sie eignet sich in dieser Form besonders für Miniaturpotentiometer.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist die Widerstandsschicht auf eine Berylliumoxid-Sintermasse
aufgedampft. Bekanntlich (deutsche Patentschrift 1 085 261) ist eine solche Trägermasse elektrisch ao
gut isolierend, während sie eine Wärmeleitfähigkeit hat, die mindestens derjenigen von Aluminium entspricht.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Cermet-Widerstandsschicht kann zweckmäßig in der Weise as
erfolgen, daß auf einen isolierenden Träger eine aus Siliziumoxid und Chrom bestehende Widerstandsschicht
im Vakuum schnell aufgedampft, anschließend ebenfalls im Vakuum auf diese Widerstandsschicht
eine im Vergleich dazu dünne Edelmetallschicht aufgedampft und die Anordnung dann einer Wärmebehandlung
unterworfen wird, welche das Edelmetall unter Ausbildung von untereinander nicht zusammenhängenden
Brücken zwischen der Widerstandsschicht und der Kontaktfläche des Potentiometerschleifers
in mindestens den Oberflächenbereich der Widerstandsschicht eindiffundieren läßt.
Die Aufdampfung der Widerstandsschicht kann von einer einzigen Verdampfungsquelle aus erfolgen, der
eine feinpulverisierte Mischung der Cermetkomponenten zugeführt wird. Statt dessen können auch zwei
Verdampfungsquellen vorgesehen sein, von denen die eine Chrom und die andere Siliziumoxid, z. B. SiIiziummonoxid,
ausströmt. Das verdampfte Material wird auf einem Träger aus Glas oder einer keramischen
Unterlage, vorzugsweise Berylliumoxid, kondensiert. Um die Haftung der Widerstandsschicht auf dem Träger
zu verbessern, wird der Träger während der Aufdampfung zweckmäßig auf erhöhter Temperatur
gehalten, die bis zu 350 bis 400° C betragen kann.
Die durch Aufdampfen von Chrom und Siliziumoxid erhaltene Schicht dürfte leitende Phasen von
Chrom, Chromsilizid und Chromoxid (letzteres mit verhältnismäßig hohem spezifischem elektrischem
Widerstand) in Verbindung mit isolierenden Einlagerungen oder Zwischenschichten umfassen, die
unter anderem Siliziummonoxid, Siliziumdioxid und Chromsilikat enthalten.
Da es vorkommen kann, daß sich leitende Bestandteile an der Oberfläche der Widerstandsschicht, z. B.
Chrom und Chromsilizid, während des späteren Betriebs des Potentiometers in nicht oder schlecht
leitende Phasen umwandeln und sich damit der Bahnwiderstand sowie der Kontaktwiderstand zwischen
Widerstandsschicht und Schleifer nachträglich ändern, kann in an sich bekannter Weise' eine künstliche
Alterung erfolgen, indem die Cermet-Widerstandsschicht vor dem Aufdampfen der Edelmetallschicht
einer Wärmezwischenbehandlung zur Oxydation leitender Oberflächenteile unterworfen wird. Auf diese
Weise werden die Widerstandswerte über die gesamte Lebensdauer des Potentiometers weitgehend stabil.
Der durch die Alterung an sich erhöhte Kontaktwiderstand wird durch die Edelmetalleindiffusion hinreichend
klein gehalten.
Der Wert des Bahnwiderstands kann durch die Schichtdicke, das gegenseitige Verhältnis der Cermetbestand
teile, die Auf dampf bedingungen, z. B. die Temperatur des Trägers, und die Bedingungen der
Wärmezwischenbehandlung beeinflußt werden.
Die auf die Cermet-Widerstandsschicht aufgedampfte, elektrisch gut leitende Edelmetallschicht
würde als zusammenhängende Schicht die Widerstandsbahn zwischen den Bahnendkontakten kurzschließen.
Dieser Kurzschluß wird jedoch durch die an das Aufdampfen der Edelmetallschicht anschließende,
die Bildung nicht zusammenhängender Edelmetallbrücken bewirkende Wärmebehandlung aufgehoben.
Die Wärmebehandlung erfolgt vorzugsweise als Vakuumglühen; sie wird im Falle von Gold bei
ungefähr 400 bis 6000C durchgeführt.
Die jeweils zweckmäßigste Menge des für die Brückenbildung aufzudampfenden Edelmetalls kann
durch Vergleichsversuche leicht ermittelt werden. Als rohe Grenzwerte können gelten, daß die Edelmetallmenge
ausreichen muß, um den Kontaktwiderstand zwischen Widerstandsschicht und Schleifer auf mindestens
±10% konstant zu halten und einen Betrag nicht überschreiten soll, bei welchem der gesamte
Bahnwiderstand um mehr als 60% abgesenkt wird.
Beispielsweise wurde auf einem vorgealterten Chrom-Siliziumoxid-Film
mit einer Schichtdicke von 0,2 μιη eine Goldschicht von 10 μιη Dicke mittels Vakuumverdampfung
aufgebracht. Die Anordnung wurde dann im Vakuum 1 Stunde lang auf 5500C gehalten.
Die dabei erhaltenen Kennwerte der Widerstandsschicht sind in der untenstehenden Tabelle den entsprechenden
Werten einer im übrigen gleichen Widerstandsschicht ohne eindiffundiertes Gold gegenübergestellt.
Flächenwiderstand .... | Ohne Gold | Mit Gold | |
behandlung | behandlung | ||
1. | Bahnwiderstand | 500 Ohm/ | 235 Ohm/ |
zwischen den Bahnend | Quadrat | Quadrat | |
2. | kontakten | ||
Rauschen bei Schleifer | |||
verstellung von 30U/min | 6350 Ohm | 2985 Ohm | |
3. | a) Schleiferdruck 5g.. | ||
b) Schleiferdruck 15 g | |||
Abnutzung | bis zu IV/V | 0,1 mV/V | |
Max. Anzahl von Schlei | 0,1 mV/V | 0,1 mV/V | |
4. | ferumdrehungen bei ei | ||
nem Rauschpegel von | |||
0,1 mV/V bei Schleifer | |||
verstellung | |||
12 000 | über 20000 | ||
Claims (7)
1. Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentio- riebfestigkeit solcher Schichten ist aber verhältnismäßig
meter, die auf einen isolierenden Träger auf- 5 klein. Außerdem ist es schwierig, wenn nicht unmöggebracht
ist und außer dem keramischen Bestand- lieh, mit den bekannten Schichten hochohmige
teil mindestens zwei verschiedene Metalle, von Miniaturpotentiometer herzustellen.
denen eines ein Edelmetall oder eine Edelmetall- Daneben ist es bekannt (Transactions 8th Vacuum
legierung ist, enthält, dadurch gekenn- Symposium, 1961, S. 905 bis 911), als Widerstandszeichnet,
daß in den Oberflächenbereich der io schicht von Schichtwiderständen Cermetfilme aus
aus Siliziumoxid als keramischem Anteil und aus Siliziumoxid und Chrom zu verwenden. Solche
Chrom als metallischem Anteil bestehenden Wider- Schichten zeichnen sich durch hohe Stabilität, große
Standsschicht das Edelmetall oder die Edelmetall- Belastbarkeit und gute Reproduzierbarkeit der eleklegierung
eindiffundiert ist und dort untereinander trischen und mechanischen Eigenschaften aus. Ihre
nicht zusammenhängende Brücken zwischen der 15 Oberflächenstruktur machte sie jedoch für Potentio-Widerstandsschicht
und der Kontaktfläche des meter ungeeignet. Infolge der Mischstruktur aus Potentiometerschleifers bildet. elektrisch leitenden und schlecht oder nicht leitenden
2. Cermet-Widerstandsschicht nach Anspruch 1, Phasen ist insbesondere der Kontakt zwischen Widerdadurch
gekennzeichnet, daß das eindiffundierte Standsschicht und Schleifer des Potentiometers proble-Edelmetall
Gold ist. 20 matisch. Es kann vorkommen, daß die Kontaktfläche
3. Cermet-Widerstandsschicht nach Anspruch 1 des Schleifers in einer bestimmten Schleifeisteilung
oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider- auf überwiegend schlecht oder nicht leitende Schicht-Standsschicht
als Dünnschicht mit einer maximalen bestandteile zu stehen kommt, während in anderen
Dicke von ungefähr 1 μηι ausgebildet ist. Schleiferstellungen die Schleiferkontaktfläche an einem
4. Cermet-Widerstandsschicht nach einem der 25 besser leitenden Schichtbereich anliegt. Dies würde bei
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- einer Verwendung der bekannten Siliziumoxid-Chromnet,
daß die Widerstandsschicht auf eine Beryllium- Cermetfilme als Widerstandsschicht von Potentiooxid-Sintermasse
aufgedampft ist. metern erhebliche Schwankungen des Kontaktwider-
5. Verfahren zur Herstellung einer Cermet- Standes an der Treffstelle von Widerstandsschicht und
Widerstandsschicht nach einem der Ansprüche 1 30 Schleifer bedingen. Es würde zu regellosen, nicht
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen reproduzierbaren Abweichungen zwischen der Istisolierenden
Träger eine aus Siliziumoxid und Kennlinie und der Soll-Kennlinie des Potentiometers
Chrom bestehende Widerstandsschicht im Vakuum kommen. Bei Miniaturpotentiometern mit sehr kleinen
schnell aufgedampft, anschließend ebenfalls im Schleiferkontaktflächen würden diese Schwierigkeiten
Vakuum auf diese Widerstandsschicht eine im 35 besonders stark in Erscheinung treten. Die Konstanz
Vergleich dazu dünne Edelmetallschicht auf- des Kontaktwiderstandes zwischen Widerstandsschicht
gedampft und die Anordnung dann einer Wärme- und Schleifer kann zwar durch einen hohen Schleiferbehandlung
unterworfen wird, welche das Edel- druck verbessert werden. Diese Maßnahme führt aber
metall unter Ausbildung von untereinander nicht zwangläufig zu großer mechanischer Abnutzung,
zusammenhängenden Brücken zwischen der Wider- 40 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Standsschicht und der Kontaktfläche des Potentio- Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer so meterschleifers in mindestens dem Oberflächen- auszubilden, daß bei mäßigem Kontaktdruck des bereich der Widerstandsschicht eindiffundieren läßt. Schleifers ein möglichst gleichbleibender Kontakt-
zusammenhängenden Brücken zwischen der Wider- 40 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Standsschicht und der Kontaktfläche des Potentio- Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer so meterschleifers in mindestens dem Oberflächen- auszubilden, daß bei mäßigem Kontaktdruck des bereich der Widerstandsschicht eindiffundieren läßt. Schleifers ein möglichst gleichbleibender Kontakt-
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn- widerstand und gute Reproduzierbarkeit der Einstellzeichnet,
daß die Wärmebehandlung als Vakuum- 45 werte bei gleichzeitiger guter Langzeitkonstanz der
glühen bei einer Temperatur von ungefähr 400 bis Widerstandsschicht bei hoher thermischer Bean-6000C
erfolgt. spruchung gewährleistet sind.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gegekennzeichnet,
daß die Widerstandsschicht vor löst, daß in den Oberflächenbereich der aus Siliziumdem
Aufdampfen der Edelmetallschicht einer 50 oxid als keramischem Anteil und aus Chrom als
Wärmezwischenbehandlung zur Oxydation leiten- metallischem Anteil bestehenden Widerstandsschicht
der Oberflächenteile unterworfen wird. das Edelmetall oder die Edelmetallegierung eindiffundiert
ist und dort untereinander nicht zusammenhängende Brücken zwischen der Widerstands-
55 schicht und der Kontaktfläche des Potentiometerschleifers bildet. Die Edelmetallbrücken erhöhen die
statistische Wahrscheinlichkeit für das Vorhandensein
Die Erfindung betrifft eine Cermet-Widerstands- von elektrisch gut leitenden Verbindungen zwischen
schicht für ein Potentiometer, die auf einen iso- Schleifer und Widerstandsschicht in jeder beliebigen
lierenden Träger aufgebracht ist und außer dem 60 Schleiferstellung. Der Kontaktwiderstand wird daher
keramischen Bestandteil mindestens zwei verschiedene auf wirksame Weise weitgehend konstant gehalten und
Metalle, von denen eines ein Edelmetall oder eine verglichen mit der Verwendung bekannter Silizium-
Edelmetallegierung ist, enthält. oxid-Chrom-Cermetschichten insgesamt stark herab-
Bekannte Widerstandsschichten dieser Art (USA.- gesetzt, was ebenfalls erwünscht ist. Demgegenüber
Patentschrift 3 149 002) bestehen aus einer geschmol- 65 wird der Bahnwiderstand selbst, d. h. der von End-
zenen Mischung aus einem keramischen Glas, ins- kontakt zu Endkontakt gemessene Widerstand der
besondere Blei-Borsilikatglas, und einem oder mehreren Widerstandsschicht nur verhältnismäßig wenig beein-
Edelmetallen. Als metallische Komponente sind dabei flußt. Es können daher ohne weiteres auch hoch-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEM0065490 | 1965-06-04 | ||
DEM0069378 | 1966-05-03 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1540167A1 DE1540167A1 (de) | 1970-01-02 |
DE1540167B2 DE1540167B2 (de) | 1974-03-07 |
DE1540167C3 true DE1540167C3 (de) | 1974-10-03 |
Family
ID=25987710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1540167A Expired DE1540167C3 (de) | 1965-06-04 | 1965-06-04 | Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3717837A (de) |
AT (1) | AT276569B (de) |
BE (1) | BE681906A (de) |
CH (1) | CH466405A (de) |
DE (1) | DE1540167C3 (de) |
DK (1) | DK124642B (de) |
FR (1) | FR1481595A (de) |
GB (1) | GB1152683A (de) |
NL (1) | NL151201B (de) |
SE (1) | SE323443B (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4278725A (en) * | 1980-01-21 | 1981-07-14 | Spectrol Electronics Corp. | Cermet resistor and method of making same |
SE8204648D0 (sv) * | 1982-08-11 | 1982-08-11 | Andrzej Tomasz Iwanicki | Rorkoppling |
US4732802A (en) * | 1986-09-26 | 1988-03-22 | Bourns, Inc. | Cermet resistive element for variable resistor |
US5006421A (en) * | 1988-09-30 | 1991-04-09 | Siemens-Bendix Automotive Electronics, L.P. | Metalization systems for heater/sensor elements |
DE3911101A1 (de) * | 1989-04-06 | 1990-10-11 | Siedle Horst Kg | Potentiometer |
US5111178A (en) * | 1990-06-15 | 1992-05-05 | Bourns, Inc. | Electrically conductive polymer thick film of improved wear characteristics and extended life |
US5243318A (en) * | 1991-04-11 | 1993-09-07 | Beltone Electronics Corporation | Low noise precision resistor |
US5148143A (en) * | 1991-04-12 | 1992-09-15 | Beltone Electronics Corporation | Precision thick film elements |
US6821821B2 (en) * | 1996-04-18 | 2004-11-23 | Tessera, Inc. | Methods for manufacturing resistors using a sacrificial layer |
US20050064435A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Xing Su | Programmable molecular barcodes |
US7079005B2 (en) * | 2003-12-01 | 2006-07-18 | Cochran Gary D | Mechanically buffered contact wiper |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2950995A (en) * | 1957-03-18 | 1960-08-30 | Beckman Instruments Inc | Electrical resistance element |
US3149002A (en) * | 1957-03-18 | 1964-09-15 | Beckman Instruments Inc | Method of making electrical resistance element |
US3193408A (en) * | 1961-08-22 | 1965-07-06 | David P Triller | Method for producing integrated circuitry components |
US3200010A (en) * | 1961-12-11 | 1965-08-10 | Beckman Instruments Inc | Electrical resistance element |
NL298179A (de) * | 1962-09-20 | |||
US3343985A (en) * | 1963-02-12 | 1967-09-26 | Beckman Instruments Inc | Cermet electrical resistance material and method of using the same |
US3326720A (en) * | 1963-02-12 | 1967-06-20 | Beckman Instruments Inc | Cermet resistance composition and resistor |
US3308528A (en) * | 1963-11-06 | 1967-03-14 | Ibm | Fabrication of cermet film resistors to close tolerances |
US3252831A (en) * | 1964-05-06 | 1966-05-24 | Electra Mfg Company | Electrical resistor and method of producing the same |
US3353134A (en) * | 1964-08-17 | 1967-11-14 | Amphenol Corp | Resistive element and variable resistor |
US3479216A (en) * | 1964-11-04 | 1969-11-18 | Beckman Instruments Inc | Cermet resistance element |
US3573229A (en) * | 1968-01-30 | 1971-03-30 | Alloys Unlimited Inc | Cermet resistor composition and method of making same |
-
1965
- 1965-06-04 DE DE1540167A patent/DE1540167C3/de not_active Expired
-
1966
- 1966-05-26 CH CH763666A patent/CH466405A/de unknown
- 1966-05-27 AT AT508566A patent/AT276569B/de active
- 1966-05-28 DK DK277466AA patent/DK124642B/da unknown
- 1966-05-31 FR FR63503A patent/FR1481595A/fr not_active Expired
- 1966-06-01 BE BE681906D patent/BE681906A/xx not_active IP Right Cessation
- 1966-06-02 NL NL666607657A patent/NL151201B/xx not_active IP Right Cessation
- 1966-06-03 GB GB24753/66A patent/GB1152683A/en not_active Expired
- 1966-06-03 SE SE7620/66A patent/SE323443B/xx unknown
-
1970
- 1970-12-09 US US00096622A patent/US3717837A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE323443B (de) | 1970-05-04 |
BE681906A (de) | 1966-11-14 |
DE1540167A1 (de) | 1970-01-02 |
NL151201B (nl) | 1976-10-15 |
GB1152683A (en) | 1969-05-21 |
AT276569B (de) | 1969-11-25 |
CH466405A (de) | 1968-12-15 |
US3717837A (en) | 1973-02-20 |
NL6607657A (de) | 1966-12-05 |
FR1481595A (fr) | 1967-05-19 |
DK124642B (da) | 1972-11-06 |
DE1540167B2 (de) | 1974-03-07 |
DE1665040A1 (de) | 1970-12-17 |
DE1665040B2 (de) | 1976-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19747756C2 (de) | Klemmenmaterial und Anschlußklemme | |
DE1540167C3 (de) | Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer | |
DE2001515A1 (de) | Verbesserte Metallisierung auf einem Monolithen | |
EP0919644B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundbands | |
DE2644283B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrische!! Bausteins | |
DE1614148B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektrode fuer halbleiter bauelemente | |
DE2218460C3 (de) | Elektrisches Kontaktmaterial | |
DE1614668B2 (de) | Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3101015C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Cermet-Widerstandsschicht, insbesondere für Potentiometer | |
DE1465205C3 (de) | Widerstandselement | |
DE3874492T2 (de) | Elektrische leistungsverbinder. | |
DE102020004695A1 (de) | Elektrisches kontaktmaterial, anschlusspassstück, verbinder und kabelbaum | |
DE1275221B (de) | Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes | |
EP0092754A2 (de) | Mit Edelmetall oder einer Edelmetallegierung beschichtetes elektrisches Kontaktstück | |
DE1564069C2 (de) | Verbundwerkstoff für elektrische Kontakte | |
DE1665040C3 (de) | Cermet-Widerstandsschictht für ein Potentiometer | |
EP0160290B2 (de) | Kontaktwerkstoff | |
DE3434627A1 (de) | Elektrischer gleitkontakt, insbesondere fuer kommutierungssysteme | |
DE3146020A1 (de) | "temperaturabhaengiger widerstand" | |
DE2540999B2 (de) | Elektrischer Steckkontakt mit einer Kontaktschicht aus einer Silber-Palladium-Legierung | |
DE2704405A1 (de) | Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3621779C2 (de) | ||
EP4325227A1 (de) | Bandförmiger verbundwerkstoff für prüfnadeln | |
DE102020004696A1 (de) | Elektrisches kontaktmaterial, anschlusspassstück, verbinder und kabelbaum | |
DE2506145C3 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |