DE3911101A1 - Potentiometer - Google Patents
PotentiometerInfo
- Publication number
- DE3911101A1 DE3911101A1 DE19893911101 DE3911101A DE3911101A1 DE 3911101 A1 DE3911101 A1 DE 3911101A1 DE 19893911101 DE19893911101 DE 19893911101 DE 3911101 A DE3911101 A DE 3911101A DE 3911101 A1 DE3911101 A1 DE 3911101A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- grinder
- layer
- hard coating
- potentiometer
- potentiometer according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/30—Adjustable resistors the contact sliding along resistive element
- H01C10/308—Adjustable resistors the contact sliding along resistive element consisting of a thin film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einem Potentiometer nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Potentiometer sind in vielfältiger Form bekannt, so daß
im folgenden lediglich stellvertretend auf eine Veröf
fentlichung für viele in Form der DE-OS 32 24 069
verwiesen wird, die den grundsätzlichen Aufbau
eines Präzisions-Drehpotentiometers genauer beschreibt.
Üblicherweise sind daher Präzisions-Drehpotentiometer
im Grundaufbau so getroffen, daß ein Trägerflansch
eine Platte lagert, auf welcher eine zur Zuführung
der am Potentiometer anliegenden Spannung unterbroche
ne Widerstandsmassebahn, üblicherweise auf Leitplastik
basis sowie gegebenenfalls eine durchlaufende Kollek
torring-Massebahn aufgebracht sind. Der Trägerflansch
lagert ferner, gegebenenfalls über Kugellager,
eine Welle, die ihrerseits den Abgriff trägt, der
in Querrichtung von der Welle ausgehend einen an
ihm befestigten Schleifer über die Widerstandspiste
oder -bahn und gegebenenfalls die Kollektorpiste
oder -bahn führt. Der Schleifer kann ein einstückiges
metallisches Gleitteil sein und besteht üblicherweise
aus einer Anzahl nebeneinander angeordneter einzelner
Schleiferfinger, die auf der Widerstandspiste und
der Kollektorpiste gleiten, so daß die abgegriffene
Spannung auf den Kollektor übertragen und dann
von diesem abgenommen werden kann.
Die Erfindung ist nicht auf ein solches Präzisions-
Drehpotentiometer beschränkt, sondern für alle
Arten von Stellwiderständen, linearen Längswiderstän
den und Potentiometer geeignet, insbesondere für
solche, bei denen sehr schnell ablaufende Bewegungen
zu realisieren sind, etwa wenn sie als Sensoren
oder Istwertgeber bei Maschinen oder Nachlaufregelun
gen eingesetzt werden oder in Form von Drehpotentiome
tern beispielsweise zur Erzeugung von Sägezahnspannun
gen u. dgl. Spezielle Ausführungsformen solcher
Präzisionspotentiometer, die beispielsweise im
Schleiferbereich eine dämpfende Kunststoffbeschich
tung zusätzlich tragen, sind in der Lage, mit unter
schiedlichen, zum Teil sehr hohen Geschwindigkeiten
sich unter Umständen millionenfach wiederholende
Arbeitsdreh- oder Längsbewegungen durchzuführen,
wobei die Notwendigkeit besteht, die ursprüngliche
Linearisierung und den Spannungsgradienten möglichst
unverfälscht über die Lebensdauer des Elementes
aufrecht zu erhalten, auch bei entsprechender Alte
rung, bei auftretendem Verschleiß u. dgl. Ein solcher
Verschleiß ergibt sich deshalb, weil der auf der
Leitplastikbasis gleitende Schleifer mit seinen
Fingern (gegenseitigen) Abrieb verursacht, was
zu Linearitätsveränderungen und auch zu einer Änderung
des Übergangswiderstandes zwischen Schleifer und
Piste im Sinne einer Erhöhung führen kann. Die
Wirkung des Verschleißes und die Änderung der Lineari
tätsverhältnisse können bis zum Ausfall des Poten
tiometers führen.
Hier sind noch genauere Untersuchungen von Bedeu
tung, die auf die spezielle Art des Verschleißes
abstellen. Der üblicherweise auftretende abrasive
Verschleiß ist ein linearer Verschleiß und kann
in seiner Beziehung zur Lebensdauer, also über
der Zeit mehr oder weniger vorausgesagt werden,
auch in seinen Wirkungen und in den Änderungen,
die sich an den Daten des Potentiometers voraussicht
lich ergeben.
Eine zweite, wesentlich unangenehmere Verschleißwir
kung ist der sogenannte adhäsive Verschleiß, der
sich bei einer Paarung von Schleifer und Pistenmate
rial beispielsweise dadurch ergibt, daß einer der
Partner Material von dem anderen Partner aufnimmt
und an sich anlagert, so daß es beispielsweise
an diesem aufnehmenden Partner festklebt. Dieser
adhäsive Verschleiß verschließt sich allerdings
einer qualifizierten Voraussage, da er mehr oder
weniger statistisch auftritt und auch nicht immer
sichergestellt ist, daß es nun gerade der "harte"
Partner bei der Materialpaarung ist, der stärker
in Mitleidenschaft gezogen wird.
Der adhäsive Verschleiß beruht also auf Transportme
chanismen zwischen den beiden Partnern und hängt
vermutlich hauptsächlich von metallischen Oberflächen
spannungen zum Beispiel des Schleifermaterials
ab, so daß bei unglücklicher Paarung statt des
üblichen Grenzflächenverhältnisses Schleifermaterial/
Piste mit einem doppelten Übergang gerechnet werden
muß, also Schleifer/Pistenmaterial/Piste. Durch
seine metallischen Oberflächenspannungen versucht
der Schleifer sich mit anderem, verfügbarem Material
zu überziehen, und dies ist dann üblicherweise
das Pistenmaterial der Leitplastikbasis. Hierdurch
können sich im Übergangsbereich zwischen Piste
und Abgriff erheblich veränderte Widerstandsverhält
nisse ergeben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, hier
Abhilfe zu schaffen und bei einem Potentiometer
beliebiger Art dafür zu sorgen, daß unter allgemeiner
Vermeidung von Verschleißerscheinungen insbesondere
der sogenannte adhäsive Verschleiß vermieden werden
kann.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den kennzeichnen
den Merkmalen des Hauptanspruchs und hat den Vorteil,
daß üblicherweise sehr dünne, auf der Basis
plasmatechnologischer Vorgänge aufgebrachte Hart
schichten, vorzugsweise mit Metallzusatz, sowohl
sehr gute Verschleiß- als auch Gleiteigenschaften
aufweisen und, wie Versuche ergeben haben, gegen
jede Art von adhäsivem Verschleiß geschützt sind
und daher entsprechend auch Schleifer schützen
können, auf deren Gleitflächen sie bevorzugt aufge
bracht werden.
Hierbei hat sich herausgestellt, daß ein solchermaßen
beschichteter Schleifer beispielsweise Durchläufe
bei einem Drehpotentiometer in der Größenordnung
von 10 Millionen zurücklegen kann, bis ein Abtrag
dieser plasmatechnologisch aufgebrachten Hartcoating-
Schicht etwa im stärker vorspringenden Mittenbereich
der Schleiferfinger-Gleitfläche auftritt. Es läßt
sich dann feststellen, daß nach nur weiterer kürzerer
Betriebsdauer an dem durch den Abtrag der Hart
coating-Schicht freigelegten eigentlichen Schleifer
material wieder adhäsive Verschleißerscheinungen
auftreten, also eine Anlagerung hier von Leitplastik
material, während die angrenzenden, noch die Hart
coating-Beschichtung aufweisenden Flächen völlig
sauber und unbeeinflußt bleiben. Hieraus ergibt
sich auch deutlich der Vorteil, der sich aufgrund
einer solchen Beschichtung im Gleitbereich von
Potentiometern realisieren läßt.
Grundsätzlich kann die Hartcoating-Schicht auch auf
das herkömmliche Widerstandselement, also auf die
Leitplastikbasis aufgebracht werden, wodurch sich
in Verbindung mit geeigneten Schleifersystemen
die erwähnten Vorteile ergeben; in bevorzugter
Ausgestaltung der Erfindung sind es aber die Schleifer
systeme selbst, die allein oder zusätzlich zu einer
Hartcoating-Schicht auf dem Widerstandselement
plasmatechnologisch beschichtet werden, so daß
neben der allgemeinen Verschleißreduzierung auch
wesentliche Verbesserungen im Bereich der erforder
lichen Drehmomente Schleifer/Piste erzielt werden
können.
Vorteilhaft ist ferner, daß durch die erreichten
Fortschritte im Bereich der Plasmatechnologie das
Aufbringen von Hartcoating-Schichten im Bereich
oder jedenfalls nahe Raumtemperatur (< 200°C)
durchgeführt werden kann, so daß eine merkliche
Beeinflussung von Plastikmaterialien, die ebenfalls
Verwendung finden können, beispielsweise auch das
schon erwähnte Leitplastikmaterial für die Wider
stands- und Kollektorpiste, ausgeschlossen werden kann.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnah
men sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesse
rungen der Erfindung möglich. Besonders vorteilhaft
ist die Ausbildung der Hartcoating-Schichten in
Form sogenannter Diamond-like-Carbon(DLC)- bzw.
Graphite-like-Carbon(GLC)-Beschichtungen, die Metall
zusätze enthalten, so daß sich bestimmte Leitfähig
keiten ergeben, die bis zu 10-4 Ohm-1 m-1 betragen
können. Es ist dann möglich, solche Schichten auch
dicker aufzubringen, so daß sich besonders günstige
Arbeitsbedingungen für den Dauerbetrieb ergeben.
Als Metallzusätze mit sehr guten Verschleiß- und
Gleiteigenschaften können beispielsweise verwendet
werden Wolfram (W), Tantal (Ta) und Niob (NB).
In diesem Zusammenhang ist noch darauf hinzuweisen,
daß Metall enthaltende Kohlenwasserstoffverbindungen
(metal-containing hydrogenated carbon films) in
Form von Beschichtungen oder Filmen, die auf der
Basis plasmatechnologischer Verfahren auf Träger
aufgebracht werden, für sich gesehen schon bekannt
sind, beispielsweise aus der Veröffentlichung:
Appl. Phys. Lett. 50 (16), 20. April 1987 als Aufsatz
von H. Dimigen, H. Hübsch und R. Memming aus dem
Philips GmbH Forschungslaboratorium Hamburg.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der
Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden
Beschreibung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt
in Draufsicht in spezieller Anwendung auf ein Drehpoten
tiometer parallel nebeneinanderliegende Widerstands-
und Kollektorpisten, die von einem gemeinsamen
Schleifer überstrichen werden.
Der Grundgedanke vorliegender Erfindung besteht
darin, mindestens einen der Gleitpartner, die sich
bei einem Stellwiderstand oder Potentiometer ergeben,
also Schleifer und/oder die Leitplastikbasis mit
einer nach plasmatechnologischen Gesichtspunkten
hergestellten Hartcoating-Schicht zu versehen,
so daß neben einer allgemeinen Reduzierung des
abrasiven Verschleißes hauptsächlich der adhäsive
Verschleiß beseitigt ist.
In Fig. 1, die zum allgemeinen Verständnis des
Grundanwendungsgebiets vorliegender Erfindung angege
ben ist, ist eine Trägerplatte 10 vorgesehen, auf
welcher sich eine Widerstandsbahn 12 und eine Kollektor
bahn 14 befinden.
Eine zentrale Achse 15 lagert, beispielsweise über
einen Sprengring 16 befestigt, einen (metallischen)
Abgriff 17, der seinerseits wieder einen aus mehreren
einzelnen Schleiferfingern 18 und 19 bestehenden
Schleifer so lagert, daß dieser mit seinen federnden
Endbereichen auf der Widerstandsbahn 12 und der
Kollektorbahn 14 aufliegt. Die Widerstandsbahn
ist bei 20 unterbrochen, weist also Endbereiche
auf, die der äußerem Spannungszuführung dienen.
Widerstandsbahn oder -piste und Kollektorbahn oder
-piste bestehen üblicherweise aus einem speziellen
Leitplastikmaterial, auf welchen die Schleiferfinger
gleiten, die üblicherweise aus einer Legierung
bestimmter edler Metalle wie Palladium Gold, Platin
u.dgl. bestehen können, aber infolge dieser Beschichtung
nunmehr auch aus kostengünstigeren Materialien, wie Kupfer-
Beryllium oder Edelstahl, bestehen können.
Die Unterseite der Schleiferfinger im vorderen
Ansatz, also dort, wo diese Schleiferfinger mit
ihren Auflageflächen auf den Leitplastikschichten
von Widerstands- und Kollektorpiste gleiten, wird
entsprechend vorliegender Erfindung mit den Hartcoating-
Schichten versehen, die auf plasmatechnologischer
Grundlage aufgebracht werden, so daß sich als Schichten
sogenannte Metall-Carbon-Wasserstoffe oder Graphit-
Carbon-Wasserstoffe, aber auch isolierende Polyamid
schichten ergeben. Durch Metallzusätze zu den Metall-
Carbon-Wasserstoff- bzw. den Graphit-Carbon-Wasserstoff
schichten gewinnt man die elektrische Leitfähigkeit,
die erforderlich ist, während man bei isolierenden
Polyamidschichten in Form von Hartcoatings bevorzugt
mit sehr dünnen Schichtdicken arbeitet, die beispiels
weise im Bereich von 10 Nanometer liegen. Durch
diese geringe Schichtdicke gelingt es, die Polyamid-
Isolationsschicht elektrisch unsichtbar zu machen,
wobei die Leitfähigkeit beispielsweise von Tunnel
elektroden übernommen werden kann.
Die andere und hier bevorzugte Art einer Hartcoating-
Schichtausbildung umfaßt die schon genannten Metall-
bzw. Graphit-Kohlenwasserstoffe.
Die Plasmatechnologie ermöglicht die Herstellung
solcher Schichten, indem physikalisch aus einer
Plasmawolke heraus homogene Schichtablagerungen
vorgenommen werden. Hierzu gehört hauptsächlich
die sogenannte Hochvakuum-Sputtering-Technik, durch
welche extrem dichte und glatte, sehr dünne Schichten
im Bereich zwischen 10 Nanometer bis etwa 2000 Nano
meter aufgebracht werden können, bestehend aus
verschiedenen Arten von Materialien, wie beispielsweise
Metallverbindungen, Oxyde, Nitride oder Carbide.
Da wie erwähnt die Temperaturen bei diesen Vorgängen
niedrig liegen, können auch Kunststoffe auf diese
Weise metallisiert werden.
Die Grundform einer plasmatechnologischen Schichtauf
bringung läuft so ab, daß von einem hochionisierten
Dampf ausgegangen wird (Plasma). Man kann dies
realisieren durch Anlegen einer Vorspannung oder
durch Zuführen eines Strahls beschleunigter Partikel,
wobei im ersten Fall eine durch die Vorspannung
verursachte Zerlegung von Kohlenwasserstoffen in
die Plasmaform oder im zweiten Fall eine Ionenstrahl
zerlegung erfolgt. Durch ein solches Vorgehen lassen
sich dünne Filme mit den gewünschten Eigenschaften
ablagern. Da solche plasmatechnologischen Vorgänge
für sich gesehen bekannt sind, wird im folgenden
hierauf nicht genauer eingegangen; es wird beispiels
weise verwiesen auf die genannte Veröffentlichung.
Die bekannten Zerlegungsverfahren zur Gewinnung
von Kohlenwasserstoffen können unterteilt werden
in die Zerlegung von Kohlenwasserstoffgasen und
solche, bei denen fester Kohlenstoff als Kohlenstoff
quelle selbst verwendet wird. Im ersten Fall kann
beispielsweise Methan, Äthan o. dgl. durch Glimment
ladung zerlegt und Kohlenstoffionen gebildet werden.
Diese Ionen werden dann in Richtung auf ein elektrisch
vorgespanntes Substrat beschleunigt.
Bei der Verwendung von festem Kohlenwasserstoff
kann eine Laser- oder Lichtbogenverdampfung von
Kohlenwasserstoffen in Frage kommen. Es ist auch
möglich, kombiniert zu arbeiten, also sowohl festen
Kohlenstoff als auch ein Kohlenstoffwasserstoffgas
oder Wasserstoff als Quelle für Strahlpartikel
zu verwenden.
Zu den plasmatechnologischen Hauptherstellungsverfah
ren zählt daher die physikalische Dampfablagerung,
die Ionenimplantation, gegebenenfalls thermische Spray
vorgänge, also überall dort, wo sich auf plasmatechno
logischer Grundlage eine Oberflächenmodifikation von
Materialien im Sinne der Bildung von speziellen Hart
coating-Schichten ergibt. Diese Schichten sind dann
zur Realisierung vorliegender Erfindung so zu bestim
men bzw. auszuwählen, daß adhäsive Verschleißmöglich
keiten ausgeschlossen sind. Dies erreicht man bei
spielsweise speziell durch Aufbringen von diamant
ähnlichen und graphitähnlichen Kohlenwasserstoff
schichten (DLC; GLC) - dort ergänzt durch Metallzu
sätze, wo dies aufgrund der erforderlichen Leitfähig
keiten sinnvoll ist. Es ergeben sich dann Metall-
Carbon-Wasserstoffe und Graphit-Carbon-Wasserstoffe,
die hauptsächlich als Beschichtungen für Schleiferflä
chen bei Potentiometern u. dgl. Systemen in Frage
kommen.
Alle in der Beschreibung, den nachfolgenden Ansprüchen
und der Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl
einzeln als auch in beliebiger Kombination miteinander
erfindungswesentlich sein.
Claims (10)
1. Potentiometer, insbesondere durchdrehbares Präzi
sionspotentiometer oder linearer Weggeber, mit
Widerstands- und gegebenenfalls Kollektorbahn und
auf diesen gleitendem (mehrfingerigem) Schleifer,
dadurch gekennzeichnet, daß auf mindestens einer
der einander zugewandten und aufeinander gleitenden
Flächen von Widerstands- bzw. Kollektorbahn einer
seits und/oder des Schleifers bzw. der Schleifer
finger andererseits eine durch einen plasmatech
nologischen Vorgang gewonnene (dünne) Hartbeschich
tung (Hartcoating) aufgebracht ist.
2. Potentiometer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß lediglich die auf Widerstandsbahn und/
oder Kollektorbahn (12, 14) gleitende Schleifer
fingerunterseite mit der Hartcoating-Schicht verse
hen ist.
3. Potentiometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Hartcoating-Schicht aus einer
diamantähnlichen Kohlenstoffschicht (DLC = Diamond-
like-Carbon Coating) besteht.
4. Potentiometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Hartcoating-Schicht aus einer
graphitähnlichen Kohlenstoffschicht (GLC = Graphit-
like-Carbon Coating) besteht.
5. Potentiometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Hartcoating-Schicht eine
Silizium-Carbid-Schicht ist.
6. Potentiometer nach Anspruch 3, 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Leitfähigkeit
die in den Ansprüchen 3, 4 und 5 angegebenen Hart
coating-Schichten Metallzusätze aufweisen und ins
gesamt eine Schichtdicke zwischen 10-2000 nm
haben.
7. Potentiometer nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Metallzusätze Wolfram (W), Tan
tal (Ta) und Niob (NB) sind.
8. Potentiometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Hartcoating-Schicht eine isolie
rende, elektrisch unsichtbare Polyamid-Schicht
ist mit Leitfähigkeit über Tunnelelektroden und
einer Schichtdicke im Bereich von 10 nm.
9. Potentiometer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß als die Beschichtung
tragendes Material (Schleifergrundmaterial)
Edelmetalle (Palladium, Gold, Platin, Iridium)
oder deren Legierung vorgesehen sind.
10. Potentiometer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß als die Beschichtung
tragendes Trägermaterial (Schleifergrundmaterial)
kostengünstigere Metalle, wie Kupfer-Beryllium
oder Edelstahl, vorgesehen sind.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893911101 DE3911101A1 (de) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Potentiometer |
EP90106098A EP0391267A1 (de) | 1989-04-06 | 1990-03-30 | Potentiometer |
JP9051190A JPH03115868A (ja) | 1989-04-06 | 1990-04-06 | 電位差計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893911101 DE3911101A1 (de) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Potentiometer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3911101A1 true DE3911101A1 (de) | 1990-10-11 |
Family
ID=6377971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893911101 Withdrawn DE3911101A1 (de) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Potentiometer |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0391267A1 (de) |
JP (1) | JPH03115868A (de) |
DE (1) | DE3911101A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10058581C1 (de) * | 2000-11-18 | 2002-03-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektromechanisch regelbares elektrisches Widerstandselement |
DE19752626B4 (de) * | 1996-11-29 | 2014-11-13 | Denso Corporation | Kommutator für Motoren, bei welchem amorpher Kohlenstoff verwendet wird, und den Kommutator verwendende Kraftstoffpumpeneinheit |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101354233B (zh) * | 2008-08-04 | 2010-06-02 | 宁波市北仑机械电器有限公司 | 一体多联角度传感器 |
US11225885B2 (en) * | 2017-08-01 | 2022-01-18 | Eaton Intelligent Power Limited | Rocker arm motion detection for diagnostic feedback and control |
CN109411976B (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-19 | 四川精通电气设备有限公司 | 一种滑环装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1540167C3 (de) * | 1965-06-04 | 1974-10-03 | Micro-Electric Ag, Zuerich (Schweiz) | Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer |
DE2152419A1 (de) * | 1971-10-21 | 1973-04-26 | Bosch Gmbh Robert | Variabler elektrischer widerstand fuer geringe belastungen |
US4451391A (en) * | 1982-09-24 | 1984-05-29 | International Business Machines Corporation | Conductive silicon carbide |
-
1989
- 1989-04-06 DE DE19893911101 patent/DE3911101A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-03-30 EP EP90106098A patent/EP0391267A1/de not_active Withdrawn
- 1990-04-06 JP JP9051190A patent/JPH03115868A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19752626B4 (de) * | 1996-11-29 | 2014-11-13 | Denso Corporation | Kommutator für Motoren, bei welchem amorpher Kohlenstoff verwendet wird, und den Kommutator verwendende Kraftstoffpumpeneinheit |
DE10058581C1 (de) * | 2000-11-18 | 2002-03-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektromechanisch regelbares elektrisches Widerstandselement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03115868A (ja) | 1991-05-16 |
EP0391267A1 (de) | 1990-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2148132C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen piezoelektrischen Films | |
DE2932714A1 (de) | Potentiometer in dickschichttechnologie | |
DE3914476C1 (de) | ||
DD243514B1 (de) | Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile | |
DE2649251A1 (de) | Kommandogeber fuer elektrische positionierantriebe | |
DE68909462T2 (de) | Magnetoresistiver Lesewandler. | |
DE3911101A1 (de) | Potentiometer | |
DE1804911A1 (de) | Duennschicht-Schiebewiderstand | |
DE69118313T2 (de) | Verfahren und Anlage zur Bildung eines dünnen Films | |
DE1931003C3 (de) | Magnetkopf für ein Magnetspeichergerät | |
DE3437609C2 (de) | ||
DE2027460A1 (de) | Einstellbarer elektrischer Widerstand | |
WO2018065251A1 (de) | Multilayer-spiegel zur reflexion von euv-strahlung und verfahren zu dessen herstellung | |
DE8904248U1 (de) | Potentiometer | |
DE3622557C2 (de) | ||
WO2005059197A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum magnetronsputtern | |
DE1465205B2 (de) | Widerstandselement | |
EP0023276A1 (de) | Potentiometer aus wenigstens zwei Leiterbahnen, zwischen denen als elektrische Verbindung eine abrollende Kontaktbrücke vorhanden ist | |
DE4335715A1 (de) | Potentiometer | |
DE2422660C2 (de) | Elektrostatischer drucker | |
DE588369C (de) | Verfahren zur Unterteilung von UEberzuegen auf Teilen elektrischer Apparate, insbesondere von Widerstandsschichten auf isolierenden Traegern | |
DE3786245T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen dünnen Polstücks. | |
DE2314506A1 (de) | Schreibeinrichtung fuer elektrosensitive aufzeichnungstraeger | |
DE2165622C3 (de) | Dünnschichtschaltkreis | |
DE3911100A1 (de) | Vorrichtung zur (bewegten) elektrischen kontaktgabe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |