DE68909462T2 - Magnetoresistiver Lesewandler. - Google Patents
Magnetoresistiver Lesewandler.Info
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen magnetoresistiven Lesewandler, mit dem Informationssignale von einem magnetischen Aufzeichnungsmedium gelesen werden.
- Bekannte Ausführungen von magnetoresistiven (MR-) Lesewandlern sind in der Lage, Daten von einer magnetischen Oberfläche mit hohen linearen Dichten zu lesen. Ein MR-Wandler ermittelt magnetische Feldsignale über die Widerstandsänderungen eines Leseelements aus einem magnetoresistiven Material abhängig von dem Betrag und der Richtung des Magnetflusses, der von dein Element abgefühlt wird.
- Ferner ist bekannt, daß bestimmte Vormagnetisierungsfelder vorgesehen werden sollten, damit ein MR-Element optimal arbeiten kann. Um das MR-Element so vorzumagnetisieren, daß es auf ein Magnetflußfeld linear anspricht, wird im allgemeinen ein quergerichtetes Vormagnetisierungsfeld bereitgestellt. Diese Vormagnetisierungsfeld wirkt senkrecht zur Ebene des magnetischen Mediums und parallel zu der Oberfläche des planaren MR-Elements.
- In der Patentschrift US-A-3.864.751 wird ein MR-Lesewandler offenbart, in welchem eine quergerichtete Vormagnetisierung durch einen weichmagnetischen Vormagnetisierungsfilm erzeugt wird, der von dem MR-Element durch eine Isolierschicht getrennt ist. Der in der Patentschrift für die Isolierschicht genannte Werkstoff ist Siliziumdioxid mit einer Dicke von etwa 200 nm.
- Die Patentschriften US-A-3.814.863 und US-A-3.967.368 offenbaren einen MR-Lesewandler, in dem das MR-Element mit einein hoch resistiven, nichtmagnetischen Nebenschlußfilm in Kontakt steht und das MR-Element durch einen Teil des MR-Abfühlstroms vormagnetisiert wird, der durch die nichtmagnetische Schicht nebengeschlossen wird. Der für den Nebenschlußfilm bevorzugte Werkstoff ist Titan, und Chrom wird als ungeeigneter Werkstoff für den Nebenschlußfilm genannt.
- In der Patentschrift US-A-4.663.685 wird ein MR-Lesewandler offenbart, in dem eine quergerichtete Vormagnetisierung durch einen weichmagnetischen Film erzeugt wird, der von dem MR- Element durch eine nichtmagnetische Abstandsschicht getrennt ist. Das bevorzugte Material für die Abstandsschicht ist Tantal, doch es können auch Al&sub2;O&sub3; und SiO&sub2; verwendet werden.
- In der Patentschrift EP-A-0265798 wird ein MR-Lesewandler beschrieben, in dem eine quergerichtete Vormagnetisierung durch einen weichmagnetischen Film sichergestellt wird, der von dem MR-Element nur im mittleren Bereich des MR-Elements getrennt ist. Das bevorzugte Material für die Abstandsschicht ist Tantal.
- Den in den zuvor genannten Patentschriften US-A-4.663.685 und EP-A-0265798 offenbarten MR-Sensoren können Betriebsparameter zugeordnet werden, die bis heute die Anforderungen für magnetische Aufzeichnungssysteme erfolgreich erfüllt haben. Um die Betriebsparameter jedoch weiter zu verbessern, wäre eine bessere Kontrolle der Resistivitätseigenschaften der Abstandsschicht wunschenswert - sowohl hinsichtlich der Stabilität der Resistivität, hinsichtlich des Vermögens, eine Resistivität über einen breiten Wertebereich auszuwählen, als auch hinsichtlich einer Abstandsschicht, deren Verarbeitungsschritte mit den Verarbeitungsschritten kompatibel sind, die bei der Herstellung eines zugehörigen magnetischen Schreibkopfes zum Einsatz kommen.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, einen magnetoresistiven (MR-) Lesewandler mit einer nichtmagnetischen Abstandsschicht zu offenbaren, in der die Resistivitätseigenschaften genau kontrollierbar sind.
- Im Hinblick auf einen Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt die Erfindung einen magnetoresistiven Lesewandler bereit, der einen dünnen magnetoresistiven Film aus ferromagnetischem Material, einen dünnen, mit dem magnetoresistiven Film in Kontakt stehenden Abstandsfilm sowie einen dünnen weichmagnetischen Materialfilm enthält, der mit dem Abstandsfilm in Kontakt steht, so daß der weichmagnetische Materialfilm parallel zu dem magnetoresistiven Film angeordnet ist, jedoch durch eine Zwischenschicht von diesem getrennt ist, wodurch eine quergerichtete Vormagnetisierung in mindestens einem Teil des magnetoresistiven Films erzeugt werden kann, um diesen Teil des magnetoresistiven Films in einem linearen Ansprechmodus zu erhalten, wobei der Wandler durch den dünnen Abstandsfilm aus einem Material gekennzeichnet ist, der aus der Nichrom und Nichrom mit Chromoxid umfassenden Gruppe ausgewählt wurde.
- Im Hinblick auf einen anderen Aspekt der Erfindung bietet die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Lesewandlers, das die folgenden Schritte umfaßt: Abscheiden eines dünnen, magnetoresistiven Films aus ferromagnetischem Material auf einem Substrat, Abscheiden eines dünnen, in Kontakt mit diesem magnetoresistiven Film stehenden Abstandsfilms, wobei der Abstandsfilm aus einem Material besteht, das aus der Nichrom und Nichrom mit Chromoxid umfassenden Gruppe ausgewählt wurde, und Abscheiden eines dünnen weichmagnetischen Materialfilms, der in Kontakt mit dem Abstandsfilm steht, so daß der weichmagnetische Materialfilm zwar parallel, jedoch in einer bestimmten Entfernung zu dem magnetoresistiven Film angeordnet ist, wodurch eine quergerichtete Vormagnetisierung in zumindest einem Teil dieses magnetoresistiven Films erzeugt werden kann, um in diesem Teil des magnetoresistiven Films einen linearen Ansprechmodus aufrechtzuerhalten.
- Die Resistivität der Abstandsschicht kann ein spezifischer Wert sein, der aus einer umfassenden Reihe von Resistivitätswerten durch Bestimmung des Verhältnisses von Nichrom zu Chromoxid in der Abstandsschicht ausgewählt wurde.
- In einem speziellen Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Abstandsschicht nur über den mittleren Bereich des MR-Bereichs. In einem weiteren speziellen Ausführungsbeispiel ist die MR-Schicht eine Legierung auf Nickelbasis, und die Abstandsschicht ist durch ein naßchemisches Ätzverfahren unter Einsatz eines Ätzmittels, das eine wäßrige Lösung aus Zer- Ammoniumnitrat und Essigsäure enthält, strukturiert worden.
- Im folgenden wird die Ausführungsform der Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen:
- Fig. 1 eine Endansicht einer ersten magnetoresistiven Lesewandlerbaugruppe zeigt, in welcher der Gegenstand der Erfindung implementiert ist;
- Fig. 2 eine Endansicht eines zweiten magnetoresistiven Lesewandlers zeigt, in welchem der Gegenstand der Erfindung implementiert ist;
- Fig. 3 ein Resistivitätsdiagramm der Abstandsschicht abhängig von dem Anteil an Nichrom und Chromoxid in der Abstandsschicht zeigt; und
- Fig. 4 eine grafische Darstellung zeigt, aus der die Schritte A bis E eines Verfahrens zur Herstellung des magnetoresistiven Lesewandlers gemäß Fig. 2 hervorgehen.
- Wie in Fig. 1 dargestellt, umfaßt ein magnetischer Lesekopf einen magnetoresistiven (MR-) Sensor 8, und eine quergerichtete Vormagnetisierung für den MR-Sensor 8 wird durch eine weichmagnetische Filmschicht 12 erzeugt, die von einer MR- Schicht 10 durch eine dünne, nichtmagnetische Abstandsschicht 14 getrennt ist, deren Zweck darin besteht, eine magnetische Austauschvormagnetisierung zwischen der MR-Schicht 10 und der Schicht mit dem weichmagnetischen Vormagnetisierungsfilm 12 zu unterbinden. Eine Schicht aus antiferromagnetischem Material 16 wird in direktem Kontakt mit der MR-Schicht 10 abgeschieden, um eine longitudinale Vormagnetisierung mittels Austauschkopplung entlang der Schnittstelle zwischen der MR- Schicht 10 und der antiferromagnetischen Schicht 16 zu erzeugen. Anschlußleitungen 18, 20 sind ebenfalls für den Anschluß an ein Abfühlmittel (nicht gezeigt) zwecks Abtastung eines Ausgangssignals vorgesehen.
- Die nichtmagnetische Abstandsschicht 14 sollte eine wesentlich höhere Resistivität als die Magnetfilme aufweisen, die sie voneinander trennt, damit kein Strom von der MR-Schicht 10 nebengeschlossen wird. Die Abstandsschicht 14 muß ebenfalls kompatibel mit dem Verfahren zur Herstellung des MR- Sensors sein, und dies bedeutet, daß die Abstandsschicht in situ, sequentiell mit der MR-Schicht 10 und der weichmagnetischen Vormagnetisierungsschicht 12 ohne Vakuumunterbrechung aufgebracht werden muß. Darüber hinaus müssen die elektrischen Eigenschaften sowie die Materialeigenschaften der Abstandsschicht 14 nicht nur während der Abscheidung, sondern auch während der nachfolgenden Verfahrensschritte stabil sein, zu denen Glühzyklen bei höheren Temperaturen gehören. In den nachfolgenden Verarbeitungsschritten sollten die Resistivität der Abstandsschicht 14 und die magnetischen Eigenschaften der angrenzenden Filme 10 und 12 nicht beeinträchtigt werden. Beispielsweise könnte sich die Resistivität der Abstandsschicht 14 infolge von Phasen- und Mikrostrukturänderungen ändern, und die magnetischen Eigenschaften der MR- Schicht 10 und der weichmagnetischen Vormagnetisierungsschicht 12 könnten sich ändern, wenn eine atomare Diffusion des Abstandsmaterials in eine der angrenzenden magnetischen Filme 10 und 12 stattfindet, wodurch wiederum die magnetischen Momente der MR-Schicht 10 und der weichmagnetischen Vormagnetisierungsschicht 12 herabgesetzt und der Vormagnetisierungspunkt der MR-Sensorstruktur verschoben werden könnte.
- Unsere Untersuchungen ergaben, daß alle der obigen Anforderungen durch den Einsatz von Nichrom (NiCr) oder Nichrom mit Chromoxidzugaben (NiCrOx) als Material für die nichtmagnetische Abstandsschicht 14 erfüllt werden. Das Nichrom-Material mit Chromoxidzugaben wird als (NiCrOx) angegeben, da, obwohl das Ausgangsmaterial ein warmgepreßtes Target mit Ni&sub8;&sub0;Cr&sub2;&sub0; und Cr&sub2;O&sub3; in einem festgelegten Anteil enthalten kann, die Auffassung vertreten wird, daß die Zusammensetzung des resultierenden Films ein oder mehr Chrom-Suboxide statt Cr&sub2;O&sub3; enthält.
- In einem speziellen Ausführungsbeispiel enthält die MR- Schicht NiFe, und die weichmagnetische Vormagnetisierungsschicht enthält NiFeRh; diese Filme weisen eine elektrische Resistivität (p) von etwa 25 bzw. 60 uOhm-cm auf. Die elektrische Resistivität von verdampften und aufgesputterten Nichrom-Filmen mit einer Dicke von 100 nm liegt in der Größenordnung von 120 uOhm-cm, und dieser Resistivitätswert ist ausreichend hoch, um für die Nutzung als Abstandsschicht 14 zwischen den beiden oben genannten magnetischen Filmen in Frage zu kommen.
- Höhere Resistivitätswerte sind sogar noch wünschenswerter, und ein Merkmal der vorliegenden Erfindung bietet die Möglichkeit, eine Abstandsschicht 14 mit einem weitaus höheren Resistivitätswert als jenen der magnetischen Filme zu erzeugen, die sie voneinander trennt. Es wurde festgestellt, daß die Abscheidungsbedingungen einen beträchtlichen Einfluß auf den Resistivitätswert infolge der unterschiedlichen in den Filmen enthaltenen Sauerstoffmengen sowie infolge der Bildung von Chromoxiden wie z.B. Cr&sub2;O&sub3; während der Vorbereitung haben können. Die Zusammensetzung des Nichroms scheint einen weitaus geringeren Einfluß auf die Resistivität zu haben, und der Wert ist innerhalb des Bereiches von etwa 20 bis 80% für Chrom recht konstant.
- Tabelle I veranschaulicht den Einfluß, den die Abscheidungsbedingungen auf den Resistivitätswert ausüben. Diese Tabelle zeigt, daß ein Ni&sub8;&sub0;Cr&sub2;&sub0;-Film mit einer Dicke von etwa 100 nm eine Resistivität von etwa 100 uOhm-cm aufweist, doch eine Resistivitätsänderung über mehr als eine Größenordnung bis etwa 1100 uOhm-cm kann durch Hinzufügen von etwa 20% CrOx zu dem Film erzielt werden. TABELLE I: Einfluß von Cr-O auf die Resistivität von Nichrom Zusammensetzung (nm) Dicke/Resistivität (uOhm-cm)
- Um eine größere Flexibilität bei der Konstruktion von MR- Sensoren zu erhalten, wäre es wünschenswert, über eine Abstandsschicht zu verfügen, zu deren Eigenschaften die Möglichkeit zur Anpassung der Resistivität an spezifische Werte innerhalb eines umfassenden Wertebereichs gehört. Nach unseren Untersuchungen kann diese Eigenschaft erzielt werden, indem der während des Abscheidungsprozesses vorhandene Sauerstoffanteil und somit das Konzentrationsverhältnis von NiCr/Cr&sub2;O&sub3; festgelegt wird. Ein Weg zur Verwirklichung dieser Zielsetzung besteht darin, die Zusammensetzung/Reinheit des Targets zu ändern. Durch den Einsatz von vakuumvergossenen und warmgepreßten Targets mit unterschiedlichen Nichrom- Zusammensetzungen ist es uns gelungen, Filme mit stark unterschiedlichen Resistivitätswerten bis zu 1 mOhm-cm herzustellen.
- Es gibt mehrere Wege, um Einfluß auf den beim Abscheidungsverfahren vorhandenen Sauerstoffanteil zu nehmen, damit aufgesputterte Filme mit hoher und hoch spezifischer Resistivität hergestellt werden können. Ein Weg besteht darin, Einfluß auf die Sauerstoffkonzentration des Sputter-Targets zu nehmen. Dies kann auf einfache Weise erreicht werden, indem vakuumvergossene und warmgepreßte Targets mit einem spezifizierten Verhältnis von Cr&sub2;O&sub3; (z.B. 10% bis 80%) z.B. zu NiCr in dem Target bereitgestellt werden. Targets mit einem Cr&sub2;O&sub3;- Bereich von 50% bis 80% wurden in einer speziellen Anwendung bevorzugt.
- Ein anderer Weg zur Einflußnahme auf die beim Abscheidungsverfahren vorhandene Sauerstoffmenge besteht darin, den Film in einer geeignet sauerstoffreichen Atmosphäre abzuscheiden.
- Ein weiterer Weg zur Erzielung dieses Ergebnisses besteht in dem gleichzeitigen Besputtern von zwei Targets ("Dual-Target Co-Sputtering") mit Targets aus hochreinem Nichrom und Cr&sub2;O&sub3;. Fig. 3 zeigt ein Diagramm der Resistivität, die abhängig von dem Konzentrationsverhältnis von NiCr/CrOx erreicht werden kann. Dieses Diagramm zeigt den Anteil, der zur Menge von CrOx proportional ist, das in den mittels Auger-Spektroskopie gemessenen Filmen vorhanden ist.
- Im folgenden wird eine alternative Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf Fig. 2 kurz beschrieben, die einen magnetischen Lesekopf mit einem magnetoresistiven (MR-) Sensor 22 mit einer MR-Schicht 10 zeigt, die aus magnetischem Material und einer nichtmagnetischen Abstandsschicht 24 besteht, die nur den mittleren Bereich 28 der MR-Schicht 10 bedeckt. Ein dünner Film aus weichmagnetischem Material 30 erstreckt sich über die mit ihr in Kontakt stehenden Endbereiche 32 der MR-Schicht 10 und steht mit der Abstandsschicht 24 in dem mittleren Bereich 28 in Kontakt, so daß der dünne Film aus weichmagnetischem Material 30 von der MR-Schicht 10 im mittleren Bereich 28 getrennt ist, jedoch mit der MR-Schicht 10 in den Endbereichen 32 in Kontakt steht. Diese Struktur ermöglicht es, den MR-Sensor mit einer quergerichteten Vormagnetisierung nur im mittleren Bereich zu versehen, in dem die Daten effektiv abgetastet werden. Zusätzliche Schichten (nicht gezeigt) zur longitudinalen Vormagnetisierung und elektrische Leitungen können auch wie in dem Ausführungsbeispiel in Fig. 1 gezeigt vorgesehen werden.
- In dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel enthält die Abstandsschicht 24 Nichrom (NiCr) oder Nichrom mit Chromoxidzugaben (NiCrOx). Die elektrischen Eigenschaften sowie die Materialeigenschaften der Abstandsschicht 24 sind mit denen vergleichbar, die in Verbindung mit dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel beschrieben wurden.
- Das bevorzugte Verfahren der Strukturierung der Abstandsschicht 24 ist ein naßchemisches Ätzverfahren. In Fällen, in denen die angrenzende MR-Schicht 10 eine NiFe-Legierung enthält, entsteht hierdurch ein Problem, da ein effektives chemisches Ätzmittel über eine hoch differentielle Ätzgeschwindigkeit zwischen dem Material der Abstandsschicht 24 und jenem der MR-Schicht 10 verfügen sollte. Da beide Schichten Legierungen auf Nickelbasis sind und eine ähnliche Zusammensetzung (Ni&sub8;&sub0;&submin;&sub6;&sub0;Cr&sub2;&sub0;&submin;&sub4;&sub0; bzw. Ni&sub8;&sub0;Fe&sub2;&sub0;) aufweisen, ist es schwierig, ein geeignetes Ätzmittel zu finden. Es gibt jedoch ein naßchemisches Ätzmittel, das ein Ätzverhältnis von > 200 bietet und aus einer wäßrigen Lösung aus Zer-Ammoniumnitrat und Essigsäure (100 ml, 15 Gramm und 3,5 ml) besteht. Diese Ätzlösung löste Nichromfilme mit einer Ätzgeschwindigkeit von mehr als 90 nm pro Minute gründlich auf. Diese hohe Atzgeschwindigkeit erwies sich hinsichtlich aller erprobten, unterschiedlichen Nichrom-Zusammensetzungen unabhängig von ihren Resistivitätswerten als geeignet.
- Durch die Möglichkeit zur selektiven Ätzung der Abstandsschicht 24, ohne die darunterliegende MR-Schicht 10 anzugreifen, wird die Komplexität der Herstellungsoperation für das in Fig. 2 gezeigte Ausführungsbeispiel des MR-Sensors 22 beträchtlich reduziert. Der Ablauf dieses Herstellungsverfahrens ist in den Schritten A-E in Fig. 4 veranschaulicht. In Schritt A aus Fig. 4 werden die MR-Schicht 10 und die Abstandsschicht 24 als volle Filme auf einem geeigneten Substrat (nicht gezeigt) durch ein beliebiges Dünnfilm-Beschichtungsverfahren abgeschieden. Hierbei wird eine Abscheidung mittels Aufsputtern bevorzugt. Ein geeignetes Abdeckungsmaterial wie z.B. ein Fotoresist-Material 26 wird abgeschieden und entsprechend der gewünschten Form strukturiert (wie in Schritt B gezeigt), so daß die Abstandsschicht 24 im mittleren Bereich der MR-Schicht 10 abgedeckt ist. Die nicht abgedeckten Bereiche der Abstandsschicht 24 werden dann wie in Schritt C unter Einsatz eines naßchemischen Ätzmittels aus einer wäßrigen Lösung von Zer-Ammoniumnitrat und Essigsäure entfernt. Anschließend wird das Fotoresist-Material 26 entfernt, und der weichmagnetische Vormagnetisierungsfilm 30 wird nachfolgend mittels einem Sputterverfahren wie in Schritt D gezeigt abgeschieden. Der weichmagnetische Film 30 erstreckt sich über den gesamten Sensor, so daß er mit der MR-Schicht 10 in den Endbereichen 32 in Kontakt steht und von der MR-Schicht 10 im mittleren Bereich 28 durch die Abstandsschicht 24 getrennt ist. Der MR-Sensor 22 wird dann wie in Schritt E gezeigt unter Einsatz eines geeigneten Ätzverfahrens hergestellt, um den MR-Sensor 22 entsprechend der gewünschten Konfiguration zu gestalten.
- Der Einsatz von Nichrom oder Nichrom mit Chromoxidbeigaben als Abstandsmaterial in MR-Sensoren ermöglicht beträchtliche Verbesserungen in der Konstruktions- und Herstellungsphase. Diese Einsatzmöglichkeit bietet ebenfalls zahlreiche Material- und Herstellungsvorteile und zusätzliche Flexibilität bei Änderungen und Erweiterungen in der Konstruktionsphase.
Claims (8)
1. Ein magnetoresistiver Lesewandler, der folgendes umfaßt:
einen dünnen, magnetoresistiven Film (10) aus
ferromagnetischem Material, einen dünnen, mit dem magnetoresistiven
Film (10) in Kontakt stehenden Abstandsfilm (14; 24), und
einen dünnen, mit dem Abstandsfilm (14; 24) in Kontakt
stehenden weichmagnetischen Materialfilm (12; 30), so daß
der weichmagnetische Materialfilm (12; 30) parallel,
jedoch in einer bestimmten Entfernung zu dem
magnetoresistiven Film (10) angeordnet ist, wodurch eine
quergerichtete Vormagnetisierung in mindestens einem Teil des
magnetoresistiven Films (10) erzeugt werden kann, um in
diesem Teil des magnetoresistiven Films (10) einen
linearen Ansprechmodus aufrechtzuerhalten, wobei der
Wandler durch den dünnen Abstandsfilm (14; 24) gekennzeichnet
ist, der aus einem Material besteht, das aus der Nichrom
und Nichrom mit Chromoxid umfassenden Gruppe ausgewählt
wurde.
2. Ein magnetoresistiver Lesewandler gemäß Anspruch 1, bei
dem die Resistivität des Abstandsfilmmaterials (14; 24)
durch Auswählen des Verhältnisses von Nichrom zu
Chromoxid in dem Material festgelegt wird.
3. Eine magnetoresistiver Lesewandler gemäß Anspruch 1 oder
Anspruch 2, bei dem sich der dünne Abstandsfilm (24) nur
über den mittleren Bereich (28) des magnetoresistiven
Films erstreckt.
4. Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Lesewandlers, das die folgenden Schritte umfaßt:
Abscheidung eines dünnen, aus ferromagnetischem
Material bestehenden magnetoresistiven Films (10) auf einem
Substrat;
Abscheidung eines dünnen Abstandsfilms (14; 24), der in
Kontakt mit jenem magnetoresistiven Film steht, und der
Abstandsfilm (14; 24) aus einem Material besteht, das
aus der Gruppe ausgewählt wurde, die Nichrom und
Nichrom mit Chromoxid umfaßt; und
Abscheidung eines dünnen weichmagnetischen
Materialfilms (12; 30) in Kontakt mit dem Abstandsfilm, so daß
der weichmagnetische Materialfilm (12; 30) parallel,
jedoch in einer bestimmten Entfernung zu dem
magnetoresistiven Film (10) angeordnet ist, wodurch eine
quergerichtete Vormagnetisierung in mindestens einem Teil des
magnetoresistiven Films (10) erzeugt werden kann, um in
diesem Teil des magnetoresistiven Films (10) einen
linearen Ansprechmodus aufrechtzuerhalten.
5. Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Lesewandlers gemäß Anspruch 4, der zusätzlich vor dem
Schritt der Abscheidung des dünnen weichmagnetischen
Materialfilms (12; 30) die Strukturierung des dünnen
Abstandsfilms (14; 24) umfaßt, so daß er sich nur über den
mittleren Bereich des magnetoresistiven Films (10)
erstreckt.
6. Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Lesewandlers gemäß Anspruch 5, wobei der magnetoresistive
Film (10) eine Legierung auf Nickelbasis enthält.
7. Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Lesewandlers gemäß Anspruch 6, bei dem der
Strukturierungsschritt durch den Einsatz eines naßchemischen
Ätzverfahrens ausgeführt wird.
8. Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Lesewandlers gemäß Anspruch 7, bei welchem das naßchemische
Ätzverfahren unter Einsatz eines Ätzmittels erfolgt, das
eine wäßrige Lösung aus Zer-Ammoniumnitrat und Essigsäure
enthält.
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