JPH07254510A - 磁気抵抗材料 - Google Patents
磁気抵抗材料Info
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- JPH07254510A JPH07254510A JP5216340A JP21634093A JPH07254510A JP H07254510 A JPH07254510 A JP H07254510A JP 5216340 A JP5216340 A JP 5216340A JP 21634093 A JP21634093 A JP 21634093A JP H07254510 A JPH07254510 A JP H07254510A
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- magnetoresistive
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し鋭敏
に電気抵抗が変化する磁気抵抗材料を提供する。 【構成】 その原子比組成が（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙＡ
ｇ１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜
０．３６）により表される合金、又は（Ｃｏ１−ｘＦｅ
ｘ）ｙ（Ａｇ１−ｚＣｕｚ）１−ｙ（但し、０．３＜ｘ
＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６、ｚ≦０．１４）によ
り表される合金により、磁気抵抗材料を構成する。
に電気抵抗が変化する磁気抵抗材料を提供する。 【構成】 その原子比組成が（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙＡ
ｇ１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜
０．３６）により表される合金、又は（Ｃｏ１−ｘＦｅ
ｘ）ｙ（Ａｇ１−ｚＣｕｚ）１−ｙ（但し、０．３＜ｘ
＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６、ｚ≦０．１４）によ
り表される合金により、磁気抵抗材料を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の変化に応じ
て電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子
比組成のＣｏＦｅＡｇ合金（又は、ＣｏＦｅＡｇＣｕ合
金）により構成され、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの
磁界による微分値）が高く、僅かな磁界変化に対し電気
抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料に関するものであ
る。
て電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子
比組成のＣｏＦｅＡｇ合金（又は、ＣｏＦｅＡｇＣｕ合
金）により構成され、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの
磁界による微分値）が高く、僅かな磁界変化に対し電気
抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化
する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effec
t）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド
及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。
従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合
金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析
出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析
出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁
気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気
抵抗材料が知られている。
する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effec
t）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド
及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。
従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合
金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析
出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析
出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁
気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気
抵抗材料が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。
即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が
比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場
合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）
を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下
してしまう。つまり、図７（ａ），（ｂ）に示すよう
に、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０
に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界
Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材
料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁
界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一
方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反
磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を
狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界
感度が低いため、実用に適していない。
た従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。
即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が
比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場
合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）
を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下
してしまう。つまり、図７（ａ），（ｂ）に示すよう
に、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０
に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界
Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材
料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁
界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一
方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反
磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を
狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界
感度が低いため、実用に適していない。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電
気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを
目的とする。
のであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電
気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗材
料は、その原子比組成が（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y（但
し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）で表
される合金からなることを特徴とする。
料は、その原子比組成が（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y（但
し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）で表
される合金からなることを特徴とする。
【０００６】なお、母相であるＡｇ中には、Ｃｕがその
固溶限（１４原子％）まで固溶していてもよい。
固溶限（１４原子％）まで固溶していてもよい。
【０００７】
【作用】本願発明者等は、磁界感度（磁気抵抗変化率Ｍ
Ｒの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべ
く、種々実験研究を行った。その結果、Ｃｏ、Ｆｅ及び
Ａｇ（又は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）合金の原子比
組成を所定の範囲とすることにより、磁界感度が高い磁
気抵抗材料を得ることができるとの知見を得た。本願発
明は、このような実験結果に基づいてなされたものであ
る。
Ｒの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべ
く、種々実験研究を行った。その結果、Ｃｏ、Ｆｅ及び
Ａｇ（又は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）合金の原子比
組成を所定の範囲とすることにより、磁界感度が高い磁
気抵抗材料を得ることができるとの知見を得た。本願発
明は、このような実験結果に基づいてなされたものであ
る。
【０００８】即ち、本発明に係る磁気抵抗材料は、下記
化学式１に示される原子比組成の合金により構成されて
いる。
化学式１に示される原子比組成の合金により構成されて
いる。
【０００９】
【化１】（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y 但し、０．３＜ｘ＜０．８ ０．２＜ｙ＜０．３６。
【００１０】この化学式１におけるｙの値が０．２以下
（ｙ≦０．２）の場合又は０．３６以上（ｙ≧０．３
６）の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１
（％／Ｏｅ）未満になる。また、ｘの値が０．３以下
（ｘ≦０．３）の場合又は０．８以上（ｘ≧０．８）の
場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上とするこ
とが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使用する
ためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１（％／Ｏ
ｅ）以上であることが必要である。このため、前記化学
式１におけるｘの値は０．３＜ｘ＜０．８とし、ｙの値
は０．２＜ｙ＜０．３６）とすることが必要である。な
お、ｘの値が０．４を超え０．６未満（０．４＜ｘ＜
０．６）であると共に、ｙの値が０．２４乃至０．３５
（０．２４≦ｙ≦０．３５）である（Ｃｏ1-xＦｅx）y
Ａｇ1-y合金は、磁気抵抗材料の磁界感度が約０．０５
（％／Ｏｅ）以上となり、微弱な磁界を検知する磁気ヘ
ッドにも使用することができる。このため、ｘの値は
０．４＜ｘ＜０．６、ｙの値は０．２４≦ｙ≦０．３５
とすることがより一層好ましい。
（ｙ≦０．２）の場合又は０．３６以上（ｙ≧０．３
６）の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１
（％／Ｏｅ）未満になる。また、ｘの値が０．３以下
（ｘ≦０．３）の場合又は０．８以上（ｘ≧０．８）の
場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上とするこ
とが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使用する
ためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１（％／Ｏ
ｅ）以上であることが必要である。このため、前記化学
式１におけるｘの値は０．３＜ｘ＜０．８とし、ｙの値
は０．２＜ｙ＜０．３６）とすることが必要である。な
お、ｘの値が０．４を超え０．６未満（０．４＜ｘ＜
０．６）であると共に、ｙの値が０．２４乃至０．３５
（０．２４≦ｙ≦０．３５）である（Ｃｏ1-xＦｅx）y
Ａｇ1-y合金は、磁気抵抗材料の磁界感度が約０．０５
（％／Ｏｅ）以上となり、微弱な磁界を検知する磁気ヘ
ッドにも使用することができる。このため、ｘの値は
０．４＜ｘ＜０．６、ｙの値は０．２４≦ｙ≦０．３５
とすることがより一層好ましい。
【００１１】また、母相であるＡｇ中にＣｕがその固溶
限（１４原子％）まで固溶していても、磁界感度は殆ど
変化しない。従って、下記化学式２に示す原子比組成の
合金であっても、前記化学式１に示す原子比組成の合金
と同様の磁界感度を得ることができる。
限（１４原子％）まで固溶していても、磁界感度は殆ど
変化しない。従って、下記化学式２に示す原子比組成の
合金であっても、前記化学式１に示す原子比組成の合金
と同様の磁界感度を得ることができる。
【００１２】
【化２】 （Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２） 但し、０．３＜ｘ＜０．８ ０．２＜ｙ＜０．３６ ｚ≦０．１４。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について、その特許請
求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【００１４】平行平板電極型高周波スパッタリング装置
を使用し、Ａｇ又はＡｇＣｕ合金ターゲット上にＦｅＣ
ｏ合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガラス基板
上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１０００Å
の磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲット及びＦ
ｅＣｏ合金の組成を種々変化させて、磁気抵抗膜の原子
比組成が相互に異なる複数の試料を形成した。なお、成
膜条件は、雰囲気ガスがＡｒガス、圧力が０．４Ｐａ、
装置出力が３００Ｗ、成膜時間が５分間である。また、
成膜時のマスクとしては、ステンレス（ＳＵＳ）製メタ
ルマスクを用いた。
を使用し、Ａｇ又はＡｇＣｕ合金ターゲット上にＦｅＣ
ｏ合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガラス基板
上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１０００Å
の磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲット及びＦ
ｅＣｏ合金の組成を種々変化させて、磁気抵抗膜の原子
比組成が相互に異なる複数の試料を形成した。なお、成
膜条件は、雰囲気ガスがＡｒガス、圧力が０．４Ｐａ、
装置出力が３００Ｗ、成膜時間が５分間である。また、
成膜時のマスクとしては、ステンレス（ＳＵＳ）製メタ
ルマスクを用いた。
【００１５】次に、これらの試料を、Ａｒガス（流量：
２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、２７
０℃の温度で１時間保持した後、炉中で室温まで冷却し
た。
２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、２７
０℃の温度で１時間保持した後、炉中で室温まで冷却し
た。
【００１６】これらの試料の磁界感度を、図３に示す４
端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１
９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電
流密度が１００Ａ／ｍｍ2 の電流をガラス基板１上の磁
気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯ
ｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５
ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対
する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対
する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流
に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加し
た。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定し
た。
端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１
９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電
流密度が１００Ａ／ｍｍ2 の電流をガラス基板１上の磁
気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯ
ｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５
ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対
する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対
する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流
に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加し
た。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定し
た。
【００１７】磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関
係を下記表１，２及び図１，２に示す。但し、表１及び
図１は（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金により構成された
磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示し、表
２及び図２は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y
合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感
度との関係を示す。また、表１，２中の数値（磁界感
度）の単位は、％／Ｏｅである。
係を下記表１，２及び図１，２に示す。但し、表１及び
図１は（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金により構成された
磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示し、表
２及び図２は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y
合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感
度との関係を示す。また、表１，２中の数値（磁界感
度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び図１から明らかなように、（Ｃｏ
1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の場合、ｘの値を０．３＜ｘ＜
０．８とし、且つ、ｙの値を０．２＜ｙ＜０．３６とす
ることにより、磁界感度を確実に０．０１０（％／Ｏ
ｅ）以上とすることができる。また、表２及び図２から
明らかなように、母相であるＡｇの１４原子％までをＣ
ｕに置換しても、磁界感度は殆ど変化せず、良好な磁界
感度を示す。
1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の場合、ｘの値を０．３＜ｘ＜
０．８とし、且つ、ｙの値を０．２＜ｙ＜０．３６とす
ることにより、磁界感度を確実に０．０１０（％／Ｏ
ｅ）以上とすることができる。また、表２及び図２から
明らかなように、母相であるＡｇの１４原子％までをＣ
ｕに置換しても、磁界感度は殆ど変化せず、良好な磁界
感度を示す。
【００２１】次に、磁気抵抗膜成膜後の熱処理温度と磁
界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の
方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、
１２０乃至３６０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気
抵抗膜は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y（ｙは、０．２
４、０．２８、０．３２又は０．３５）合金により形成
されたものである。そして、これらの試料に対し、図３
に示す方法により磁界感度を調べた。その結果を、表３
及び図５に示す。なお、表３中の数値（磁界感度）の単
位は、％／Ｏｅである。
界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の
方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、
１２０乃至３６０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気
抵抗膜は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y（ｙは、０．２
４、０．２８、０．３２又は０．３５）合金により形成
されたものである。そして、これらの試料に対し、図３
に示す方法により磁界感度を調べた。その結果を、表３
及び図５に示す。なお、表３中の数値（磁界感度）の単
位は、％／Ｏｅである。
【００２２】
【表３】
【００２３】この表３及び図５から明らかなように、組
成により最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に
係る磁気抵抗材料は、１２０乃至３３０℃の温度で熱処
理を施すことにより、熱処理しない場合に比して磁界感
度が向上する。
成により最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に
係る磁気抵抗材料は、１２０乃至３３０℃の温度で熱処
理を施すことにより、熱処理しない場合に比して磁界感
度が向上する。
【００２４】次に、本発明に係る磁気抵抗材料をＭＲ素
子として磁気ヘッドに組み込む場合の構造例について説
明する。図４（ａ），（ｂ）は、夫々磁気ヘッドのギャ
ップ内にＭＲ素子を配置したインギャップタイプ（in g
ap type）及びギャップの外に両側をシールしたＭＲ素
子を配置したピギーバックタイプ（piggy back type）
の磁気ヘッドを示す模式的断面図である。この種の磁気
ヘッドは、絶縁層１３に埋め込まれたコイル１４を下コ
ア１１ａ又は１１ｂ及び上コア１２で挟んで構成されて
おり、インギャップタイプの場合は、下コア１１ａの先
端（リーディングポール）と上コア１２の先端（トレー
リングポール）との間にピギーバックタイプの場合は、
下コア（シールド）１１ｂとシールド１６との間にＭＲ
素子１５が配置されている。
子として磁気ヘッドに組み込む場合の構造例について説
明する。図４（ａ），（ｂ）は、夫々磁気ヘッドのギャ
ップ内にＭＲ素子を配置したインギャップタイプ（in g
ap type）及びギャップの外に両側をシールしたＭＲ素
子を配置したピギーバックタイプ（piggy back type）
の磁気ヘッドを示す模式的断面図である。この種の磁気
ヘッドは、絶縁層１３に埋め込まれたコイル１４を下コ
ア１１ａ又は１１ｂ及び上コア１２で挟んで構成されて
おり、インギャップタイプの場合は、下コア１１ａの先
端（リーディングポール）と上コア１２の先端（トレー
リングポール）との間にピギーバックタイプの場合は、
下コア（シールド）１１ｂとシールド１６との間にＭＲ
素子１５が配置されている。
【００２５】この磁気ヘッド用のＭＲ素子として、パー
マロイ（Ｎｉ0.81Ｆｅ0.19）により形成されたもの及び
（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）0.28Ａｇ0.72により形成されたもの
を用意し、ＭＲ素子の線幅を変化させて、図３の方法に
より磁界感度を調べた。その結果を、下記表４及び図６
に示す。なお、表４中の数値（磁界感度）の単位は、％
／Ｏｅである。
マロイ（Ｎｉ0.81Ｆｅ0.19）により形成されたもの及び
（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）0.28Ａｇ0.72により形成されたもの
を用意し、ＭＲ素子の線幅を変化させて、図３の方法に
より磁界感度を調べた。その結果を、下記表４及び図６
に示す。なお、表４中の数値（磁界感度）の単位は、％
／Ｏｅである。
【００２６】
【表４】
【００２７】この表４及び図６から、素子線幅１０μｍ
以下の場合は、従来の磁気抵抗材料であるパーマロイよ
りも、本発明に係る磁気抵抗材料の方が磁界感度が高く
なることがわかる。
以下の場合は、従来の磁気抵抗材料であるパーマロイよ
りも、本発明に係る磁気抵抗材料の方が磁界感度が高く
なることがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る磁気抵
抗材料は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａ
ｇ及びＣｕ）の原子組成比が所定の範囲の合金により構
成されているから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に
対し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係
る磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界
検出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極め
て好適である。
抗材料は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａ
ｇ及びＣｕ）の原子組成比が所定の範囲の合金により構
成されているから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に
対し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係
る磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界
検出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極め
て好適である。
【図１】 （Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の原子比組成
と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図２】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y合
金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図であ
る。
金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図であ
る。
【図３】 磁界感度の測定方法を示す模式図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）は、夫々インギャップタイプ
及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面
図である。
及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面
図である。
【図５】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y合金の熱処理温
度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図６】 ＭＲ素子の線幅と磁界感度との関係を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
１…ガラス基板、２…磁気抵抗膜、１０…磁気抵抗部
材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶
縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶
縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙＡｇ１−ｙ合金の原
子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図２】 （Ｃｏ０．５Ｆｅ０．５）ｙ（Ａｇ１−ｚＣ
ｕｚ）１−ｙ合金の原子比組成と磁界感度との関係を示
すグラフ図である。
ｕｚ）１−ｙ合金の原子比組成と磁界感度との関係を示
すグラフ図である。
【図３】 磁界感度の測定方法を示す模式図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）は、夫々インギャップタイプ
及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面
図である。
及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面
図である。
【図５】 （Ｃｏ０．５Ｆｅ０．５）ｙＡｇ１−ｙ合金
の熱処理温度と磁界感度との関係を示すグラフ図であ
る。
の熱処理温度と磁界感度との関係を示すグラフ図であ
る。
【図６】 ＭＲ素子の線幅と磁界感度との関係を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図７】 従来の磁気抵抗材料の欠点を説明する図であ
る。
る。
【符号の説明】 １…ガラス基板、２…磁気抵抗膜、１０…磁気抵抗部
材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶
縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶
縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 43/10
Claims (2)
- 【請求項１】 その原子比組成が下記（１）式で表され
る合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。 （Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y …（１） 但し、０．３＜ｘ＜０．８ ０．２＜ｙ＜０．３６ - 【請求項２】 その原子比組成が下記（２）式で表され
る合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。 （Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２） 但し、０．３＜ｘ＜０．８ ０．２＜ｙ＜０．３６ ｚ≦０．１４
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