JPH0799110A - 磁気抵抗材料 - Google Patents
磁気抵抗材料Info
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- JPH0799110A JPH0799110A JP5241729A JP24172993A JPH0799110A JP H0799110 A JPH0799110 A JP H0799110A JP 5241729 A JP5241729 A JP 5241729A JP 24172993 A JP24172993 A JP 24172993A JP H0799110 A JPH0799110 A JP H0799110A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し鋭敏
に電気抵抗が変化する磁気抵抗材料を提供する。 【構成】 その原子比組成が（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y
（但し、０．１０＜ｘ＜０．６、０．１５＜ｙ＜０．６
０）により表される合金、又は（ＦｅxＭyＮｉ1-x-y）z
Ｃｕ1-z（但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂからなる群
から選択された少なくとも１種の元素、０．１０＜ｘ＜
０．６、０．００１＜ｙ＜０．１０、０．１５＜ｚ＜
０．６０）により表される合金により、磁気抵抗材料を
構成する。
に電気抵抗が変化する磁気抵抗材料を提供する。 【構成】 その原子比組成が（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y
（但し、０．１０＜ｘ＜０．６、０．１５＜ｙ＜０．６
０）により表される合金、又は（ＦｅxＭyＮｉ1-x-y）z
Ｃｕ1-z（但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ又はＮｂからなる群
から選択された少なくとも１種の元素、０．１０＜ｘ＜
０．６、０．００１＜ｙ＜０．１０、０．１５＜ｚ＜
０．６０）により表される合金により、磁気抵抗材料を
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の変化に応じ
て電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子
比組成のＦｅＮｉＣｕ合金（又は、更にＭｏ、Ｃｒ若し
くはＮｂを含有する合金）により構成され、磁界感度
（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高く、僅
かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗
材料に関するものである。
て電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子
比組成のＦｅＮｉＣｕ合金（又は、更にＭｏ、Ｃｒ若し
くはＮｂを含有する合金）により構成され、磁界感度
（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高く、僅
かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗
材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化
する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effec
t）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド
及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。
従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合
金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析
出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析
出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁
気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気
抵抗材料が公知である。
する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effec
t）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド
及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。
従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合
金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析
出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析
出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁
気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気
抵抗材料が公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。
即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が
比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場
合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）
を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下
してしまう。つまり、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０
に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界
Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材
料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁
界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一
方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反
磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を
狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界
感度が低いため、実用に適していない。
た従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。
即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が
比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場
合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）
を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下
してしまう。つまり、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０
に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界
Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材
料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁
界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一
方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反
磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を
狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界
感度が低いため、実用に適していない。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電
気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを
目的とする。
のであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電
気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明に係る磁
気抵抗材料は、その原子比組成が（ＦｅxＮｉ1-x）yＣ
ｕ1-y（但し、０．１０＜ｘ＜０．６、０．１５＜ｙ＜
０．６０）で表される合金からなることを特徴とする。
気抵抗材料は、その原子比組成が（ＦｅxＮｉ1-x）yＣ
ｕ1-y（但し、０．１０＜ｘ＜０．６、０．１５＜ｙ＜
０．６０）で表される合金からなることを特徴とする。
【０００６】本願の第２発明に係る磁気抵抗材料は、そ
の原子比組成が（ＦｅxＭyＮｉ1-x- y）zＣｕ1-z（但
し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ及びＮｂからなる群から選択され
た少なくとも１種の元素、０．１０＜ｘ＜０．６、０．
０１＜ｙ＜０．１０、０．１５＜ｚ＜０．６０）で表さ
れる合金からなることを特徴とする。
の原子比組成が（ＦｅxＭyＮｉ1-x- y）zＣｕ1-z（但
し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ及びＮｂからなる群から選択され
た少なくとも１種の元素、０．１０＜ｘ＜０．６、０．
０１＜ｙ＜０．１０、０．１５＜ｚ＜０．６０）で表さ
れる合金からなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本願発明者等は、磁界感度（磁気抵抗変化率Ｍ
Ｒの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべ
く、種々実験研究を行った。その結果、Ｆｅ、Ｎｉ及び
Ｃｕ合金の原子比組成を所定の範囲とすることにより、
磁界感度が高い磁気抵抗材料を得ることができるとの知
見を得た。本願発明は、このような実験結果に基づいて
なされたものである。
Ｒの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべ
く、種々実験研究を行った。その結果、Ｆｅ、Ｎｉ及び
Ｃｕ合金の原子比組成を所定の範囲とすることにより、
磁界感度が高い磁気抵抗材料を得ることができるとの知
見を得た。本願発明は、このような実験結果に基づいて
なされたものである。
【０００８】即ち、本発明に係る磁気抵抗材料は、下記
化学式１に示される組成の合金により構成されている。
化学式１に示される組成の合金により構成されている。
【０００９】
【化１】（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y 但し、その原子比は、０．１０＜ｘ＜０．６及び０．１
５＜ｙ＜０．６０を満足する。
５＜ｙ＜０．６０を満足する。
【００１０】この合金の原子比ｘの値が０．１０以下
（ｘ≦０．１０）の場合又は０．６以上（ｘ≧０．６）
の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１（％／
Ｏｅ）未満になる。また、原子比ｙの値が０．１５以下
（ｘ≦０．１５）の場合又は０．６以上（ｘ≧０．６
０）の場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上と
することが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使
用するためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１
（％／Ｏｅ）以上であることが必要である。このため、
本発明合金の原子比ｘの値は０．１０＜ｘ＜０．６と
し、ｙの値は０．１５＜ｙ＜０．６０とすることが必要
である。
（ｘ≦０．１０）の場合又は０．６以上（ｘ≧０．６）
の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１（％／
Ｏｅ）未満になる。また、原子比ｙの値が０．１５以下
（ｘ≦０．１５）の場合又は０．６以上（ｘ≧０．６
０）の場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上と
することが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使
用するためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１
（％／Ｏｅ）以上であることが必要である。このため、
本発明合金の原子比ｘの値は０．１０＜ｘ＜０．６と
し、ｙの値は０．１５＜ｙ＜０．６０とすることが必要
である。
【００１１】なお、上記合金に、Ｍｏ、Ｃｒ及びＮｂか
らなる群から選択された１種又は２種以上の元素を所定
の範囲内で添加しても、磁界感度は殆ど変化しない。即
ち、下記化学式２に示す原子比組成の合金であっても、
前記化学式１に示す合金と同様の磁界感度を得ることが
できる。
らなる群から選択された１種又は２種以上の元素を所定
の範囲内で添加しても、磁界感度は殆ど変化しない。即
ち、下記化学式２に示す原子比組成の合金であっても、
前記化学式１に示す合金と同様の磁界感度を得ることが
できる。
【００１２】
【化２】（ＦｅxＭyＮｉ1-x-y）zＣｕ1-z 但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ及びＮｂからなる群から選択さ
れた少なくとも１種の元素であり、その原子比は、０．
１０＜ｘ＜０．６、０．０１＜ｙ＜０．１０及び０．１
５＜ｚ＜０．６０を満足する。
れた少なくとも１種の元素であり、その原子比は、０．
１０＜ｘ＜０．６、０．０１＜ｙ＜０．１０及び０．１
５＜ｚ＜０．６０を満足する。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について、その特許請
求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【００１４】先ず、スパッタ法により磁気抵抗材料を形
成し、その磁界感度を調べた。即ち、平行平板電極型高
周波スパッタリング装置を使用し、Ｃｕターゲット上に
ＦｅＮｉ合金又はＦｅＮｉＭ（但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ
又はＮｂ）合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガ
ラス基板上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１
０００Åの磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲッ
ト、ＦｅＮｉ合金及びＦｅＮｉＭ合金の組成を種々変化
させて、磁気抵抗膜の原子比組成が相互に異なる複数の
試料を形成した。なお、成膜条件は、雰囲気ガスがＡｒ
ガス、圧力が０．４Ｐａ、装置出力が３００Ｗ、成膜時
間が５〜１０分間である。
成し、その磁界感度を調べた。即ち、平行平板電極型高
周波スパッタリング装置を使用し、Ｃｕターゲット上に
ＦｅＮｉ合金又はＦｅＮｉＭ（但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ
又はＮｂ）合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガ
ラス基板上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１
０００Åの磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲッ
ト、ＦｅＮｉ合金及びＦｅＮｉＭ合金の組成を種々変化
させて、磁気抵抗膜の原子比組成が相互に異なる複数の
試料を形成した。なお、成膜条件は、雰囲気ガスがＡｒ
ガス、圧力が０．４Ｐａ、装置出力が３００Ｗ、成膜時
間が５〜１０分間である。
【００１５】次に、これらの試料を、Ａｒガス（流量：
２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、３０
０℃の温度で３時間保持した後、炉中で室温まで冷却し
た。
２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、３０
０℃の温度で３時間保持した後、炉中で室温まで冷却し
た。
【００１６】これらの試料の磁界感度を、図３に示す４
端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１
９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電
流密度が１００Ａ／ｍｍ2の電流をガラス基板１上の磁
気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯ
ｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５
ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対
する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対
する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流
に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加し
た。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定し
た。
端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１
９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電
流密度が１００Ａ／ｍｍ2の電流をガラス基板１上の磁
気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯ
ｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５
ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対
する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対
する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流
に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加し
た。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定し
た。
【００１７】磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関
係を図１及び表１〜３に示す。但し、図１は（ＦｅxＮ
ｉ1-x）yＣｕ1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原
子比組成と磁界感度との関係を示し、表１は（ＦｅxＭ
ｏyＮｉ1-x-y）zＣｕ1-z合金、表２は（ＦｅxＣｒyＮｉ
1-x-y）zＣｕ1-z合金、表３は（ＦｅxＮｂyＮｉ1-x-y）
zＣｕ1-z合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成
と磁界感度との関係を示す。また、表１〜３中の数値
（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
係を図１及び表１〜３に示す。但し、図１は（ＦｅxＮ
ｉ1-x）yＣｕ1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原
子比組成と磁界感度との関係を示し、表１は（ＦｅxＭ
ｏyＮｉ1-x-y）zＣｕ1-z合金、表２は（ＦｅxＣｒyＮｉ
1-x-y）zＣｕ1-z合金、表３は（ＦｅxＮｂyＮｉ1-x-y）
zＣｕ1-z合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成
と磁界感度との関係を示す。また、表１〜３中の数値
（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００１８】図１から明らかなように、ＦｅＮｉＣｕ合
金の場合は、前記化学式における原子比ｘの値を０．１
０＜ｘ＜０．６とし、且つ、ｙの値を０．１５＜ｙ＜
０．６０とすることにより、磁界感度を確実に０．０１
０（％／Ｏｅ）以上とすることができる。また、表１〜
３から明らかなように、ＦｅＭｏＮｉＣｕ合金、ＦｅＣ
ｒＮｉＣｕ合金及びＦｅＮｂＮｉＣｕ合金の場合は、い
ずれも前記化学式における原子比ｘの値を０．１０＜ｘ
＜０．６、ｙの値を０．０１＜ｙ＜０．１０、ｚの値を
０．１５＜ｚ＜０．６０とすることにより、磁界感度を
確実に０．０１０（％／Ｏｅ）以上とすることができ
る。
金の場合は、前記化学式における原子比ｘの値を０．１
０＜ｘ＜０．６とし、且つ、ｙの値を０．１５＜ｙ＜
０．６０とすることにより、磁界感度を確実に０．０１
０（％／Ｏｅ）以上とすることができる。また、表１〜
３から明らかなように、ＦｅＭｏＮｉＣｕ合金、ＦｅＣ
ｒＮｉＣｕ合金及びＦｅＮｂＮｉＣｕ合金の場合は、い
ずれも前記化学式における原子比ｘの値を０．１０＜ｘ
＜０．６、ｙの値を０．０１＜ｙ＜０．１０、ｚの値を
０．１５＜ｚ＜０．６０とすることにより、磁界感度を
確実に０．０１０（％／Ｏｅ）以上とすることができ
る。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【表３】
【００２２】次に、磁気抵抗膜成膜後の熱処理温度と磁
界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の
方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、
９０乃至４２０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気抵
抗膜は（Ｆｅ0.4Ｎｉ0.6）yＣｕ1-y合金により形成され
たものである。そして、これらの試料に対し、図３に示
す方法により磁界感度を調べた。その結果を、図２に示
す。
界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の
方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、
９０乃至４２０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気抵
抗膜は（Ｆｅ0.4Ｎｉ0.6）yＣｕ1-y合金により形成され
たものである。そして、これらの試料に対し、図３に示
す方法により磁界感度を調べた。その結果を、図２に示
す。
【００２３】この図２から明らかなように、組成により
最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に係る磁気
抵抗材料は、１５０乃至３９０℃の温度で熱処理を施す
ことにより、熱処理しない場合に比して磁界感度が向上
する。なお、熱処理時間は３０分間乃至１０時間とする
ことが好ましい。
最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に係る磁気
抵抗材料は、１５０乃至３９０℃の温度で熱処理を施す
ことにより、熱処理しない場合に比して磁界感度が向上
する。なお、熱処理時間は３０分間乃至１０時間とする
ことが好ましい。
【００２４】次に、液体急冷法により磁気抵抗材料を形
成し、その磁界感度を調べた結果について説明する。
成し、その磁界感度を調べた結果について説明する。
【００２５】先ず、純度が９９．９重量％以上のＣｕ、
Ｎｉ及びＦｅの地金を所定量だけ秤量して、Ａｒ雰囲気
中でアーク溶解して、下記表４に原子比ｘ及びｙの値を
示す（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y母合金を溶製した。
Ｎｉ及びＦｅの地金を所定量だけ秤量して、Ａｒ雰囲気
中でアーク溶解して、下記表４に原子比ｘ及びｙの値を
示す（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y母合金を溶製した。
【００２６】次に、この母合金の鋳塊を粉砕し、図４に
示す石英ノズル１１に装入し、このノズル１１を真空チ
ャンバ（図示せず）内に配設された銅製の回転ロール１
２上に配置した。このとき、ノズル１１はその先端がロ
ール１２の周面に略接触するようにした。
示す石英ノズル１１に装入し、このノズル１１を真空チ
ャンバ（図示せず）内に配設された銅製の回転ロール１
２上に配置した。このとき、ノズル１１はその先端がロ
ール１２の周面に略接触するようにした。
【００２７】次に、チャンバ内の雰囲気をＡｒガスで置
換した後、ロール１２を４０〜５０ｍ／秒の周速で図４
中に矢印で示す方向に回転させると共に、高周波コイル
（図示せず）を用いてノズル１１内の母合金を溶解し
た。そして、ノズル１１の上部導入部からノズル１１内
にＡｒガスを導入し、ノズル１１の先端部から溶湯１３
をロール１２に向けて噴出させた。この溶湯１３は、ロ
ーラ１２の周面から前方に向けてはじき飛ばされ、急冷
されて凝固した。これにより、幅が約１ｍｍ、厚さが約
５μｍの帯状合金材１４を得ることができた。
換した後、ロール１２を４０〜５０ｍ／秒の周速で図４
中に矢印で示す方向に回転させると共に、高周波コイル
（図示せず）を用いてノズル１１内の母合金を溶解し
た。そして、ノズル１１の上部導入部からノズル１１内
にＡｒガスを導入し、ノズル１１の先端部から溶湯１３
をロール１２に向けて噴出させた。この溶湯１３は、ロ
ーラ１２の周面から前方に向けてはじき飛ばされ、急冷
されて凝固した。これにより、幅が約１ｍｍ、厚さが約
５μｍの帯状合金材１４を得ることができた。
【００２８】次いで、この帯状合金材１４から長さが２
０ｍｍの試料を切り出し、この試料の磁界感度を測定し
た。その結果を下記表４に示す。但し、表４中の数値
（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
０ｍｍの試料を切り出し、この試料の磁界感度を測定し
た。その結果を下記表４に示す。但し、表４中の数値
（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００２９】
【表４】
【００３０】この表４から明らかなように、液体急冷法
においても、（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-yの原子比ｘの値
を０．１０＜ｘ＜０．６とし、ｙの値を０．１５＜ｙ＜
０．６０とすることにより、良好な磁界感度を得ること
ができた。
においても、（ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-yの原子比ｘの値
を０．１０＜ｘ＜０．６とし、ｙの値を０．１５＜ｙ＜
０．６０とすることにより、良好な磁界感度を得ること
ができた。
【００３１】なお、上述の実施例においては、スパッタ
法及び液体急冷法により磁気抵抗材料を製造する場合に
ついて説明したが、これにより本発明に係る磁気抵抗材
料がスパッタ法及び液体急冷法により製造されたものに
限定されるものではなく、電解圧延法及び蒸着法等の方
法によって製造しても、上述の実施例と同様の効果を得
ることができる。
法及び液体急冷法により磁気抵抗材料を製造する場合に
ついて説明したが、これにより本発明に係る磁気抵抗材
料がスパッタ法及び液体急冷法により製造されたものに
限定されるものではなく、電解圧延法及び蒸着法等の方
法によって製造しても、上述の実施例と同様の効果を得
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る磁気抵
抗材料は、ＦｅＮｉＣｕ合金（又は、更にＭｏ、Ｃｒ若
しくはＮｂを含有する合金）の原子比組成を所定の範囲
に規制したから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対
し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係る
磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界検
出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極めて
好適である。
抗材料は、ＦｅＮｉＣｕ合金（又は、更にＭｏ、Ｃｒ若
しくはＮｂを含有する合金）の原子比組成を所定の範囲
に規制したから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対
し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係る
磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界検
出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極めて
好適である。
【図１】 （ＦｅxＮｉ1-x）yＣｕ1-y合金の原子比組成
と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図２】 （Ｆｅ0.4Ｎｉ0.6）yＣｕ1-y合金の熱処理温
度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図３】 磁界感度の測定方法を示す模式図である。
【図４】 液体急冷法による磁性抵抗材料の製造方法を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図５】 従来の磁気抵抗材料の問題点を示す模式図で
ある。
ある。
１…ガラス基板、２…磁気抵抗膜、１０…磁気抵抗部
材、１１…石英ノズル、１２…銅ロール、１３…溶湯
材、１１…石英ノズル、１２…銅ロール、１３…溶湯
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 33/09 Ｈ０１Ｆ 10/14 Ｈ０１Ｌ 43/10
Claims (2)
- 【請求項１】 その原子比組成が（ＦｅxＮｉ1-x）yＣ
ｕ1-y（但し、０．１０＜ｘ＜０．６、０．１５＜ｙ＜
０．６０）で表される合金からなることを特徴とする磁
気抵抗材料。 - 【請求項２】 その原子比組成が（ＦｅxＭyＮ
ｉ1-x-y）zＣｕ1-z（但し、Ｍは、Ｍｏ、Ｃｒ及びＮｂ
からなる群から選択された少なくとも１種の元素、０．
１０＜ｘ＜０．６、０．０１＜ｙ＜０．１０、０．１５
＜ｚ＜０．６０）で表される合金からなることを特徴と
する磁気抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241729A JPH0799110A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 磁気抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241729A JPH0799110A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 磁気抵抗材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799110A true JPH0799110A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17078672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5241729A Pending JPH0799110A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 磁気抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799110A (ja) |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP5241729A patent/JPH0799110A/ja active Pending
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