JP3050094B2 - スピンバルブ素子 - Google Patents
スピンバルブ素子Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗センサの
感受部に用いられるスピンバルブ素子に関する。
感受部に用いられるスピンバルブ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のスピンバルブ素子を利用し
た磁気抵抗（以下ＭＲという）センサの要部を示す斜視
図であり、図中11は基板である。基板11上には平断面視
が矩形の２電極部17，17が互いに所定の間隙を隔てて基
板11の一端から他端に向かって形成してある。両電極部
17，17の一端近傍の間隙には、図中白抜き矢符で示した
信号磁場ＨS を検出すべく、短冊状に複数の層を積層し
たスピンバルブ素子16が所要の素子高さｈとなるように
形成してあり、該スピンバルブ素子16の信号磁場ＨS に
対向する面は基板11の一端面と面一にしてある。このス
ピンバルブ素子16には両電極部17，17によってセンス電
流ＩS が通流してある。
た磁気抵抗（以下ＭＲという）センサの要部を示す斜視
図であり、図中11は基板である。基板11上には平断面視
が矩形の２電極部17，17が互いに所定の間隙を隔てて基
板11の一端から他端に向かって形成してある。両電極部
17，17の一端近傍の間隙には、図中白抜き矢符で示した
信号磁場ＨS を検出すべく、短冊状に複数の層を積層し
たスピンバルブ素子16が所要の素子高さｈとなるように
形成してあり、該スピンバルブ素子16の信号磁場ＨS に
対向する面は基板11の一端面と面一にしてある。このス
ピンバルブ素子16には両電極部17，17によってセンス電
流ＩS が通流してある。
【０００３】図６は図５に示したスピンバルブ素子16の
拡大縦断面図である。基板11上にはＮｉ−Ｆｅ（パーマ
ロイ），Ｃｏ，Ｆｅ又はＮｉ等の金属磁性材料を積層し
た磁性自由層12、Ｃｕ，Ａｕ又はＡｇ等，他層より電気
抵抗率が小さい材料を用いた非磁性導電層13、及び前述
した金属磁性材料と同じ材料を用い、交換結合によって
その磁化が固定された磁性固定層14がこの順に形成され
ている。これによって、前述したセンス電流ＩS の殆ど
は非磁性導電層13内を流れる。そして、磁性固定層14上
にはＦｅ−Ｍｎ又はＮｉＯ等が積層されてなり、後述す
る如く磁性固定層14の磁化方向を決定する反強磁性層15
が形成されている。
拡大縦断面図である。基板11上にはＮｉ−Ｆｅ（パーマ
ロイ），Ｃｏ，Ｆｅ又はＮｉ等の金属磁性材料を積層し
た磁性自由層12、Ｃｕ，Ａｕ又はＡｇ等，他層より電気
抵抗率が小さい材料を用いた非磁性導電層13、及び前述
した金属磁性材料と同じ材料を用い、交換結合によって
その磁化が固定された磁性固定層14がこの順に形成され
ている。これによって、前述したセンス電流ＩS の殆ど
は非磁性導電層13内を流れる。そして、磁性固定層14上
にはＦｅ−Ｍｎ又はＮｉＯ等が積層されてなり、後述す
る如く磁性固定層14の磁化方向を決定する反強磁性層15
が形成されている。
【０００４】反強磁性層15を構成する複数の原子層内で
は原子間の磁化を平行にする正の交換相互作用が働いて
いる一方、原子層間では原子間の磁化を反平行にする負
の交換相互作用が働いている。このため、反強磁性層15
はその外部には磁極を形成しないが、その内部には、交
互に磁化の向きが１８０°異なる複数の層が形成されて
いる。なお、反強磁性層15の磁化の方向は素子高さｈの
方向になるようにしてある。このような反強磁性層15に
前述した磁性固定層14が隣接している。そして、磁性固
定層14は隣接する原子層の磁化との交換結合するため、
磁性固定層14の磁化は反強磁性層15内の磁性固定層14に
隣接する原子層の磁化方向と同じ方向に固定される。
は原子間の磁化を平行にする正の交換相互作用が働いて
いる一方、原子層間では原子間の磁化を反平行にする負
の交換相互作用が働いている。このため、反強磁性層15
はその外部には磁極を形成しないが、その内部には、交
互に磁化の向きが１８０°異なる複数の層が形成されて
いる。なお、反強磁性層15の磁化の方向は素子高さｈの
方向になるようにしてある。このような反強磁性層15に
前述した磁性固定層14が隣接している。そして、磁性固
定層14は隣接する原子層の磁化との交換結合するため、
磁性固定層14の磁化は反強磁性層15内の磁性固定層14に
隣接する原子層の磁化方向と同じ方向に固定される。
【０００５】一方、磁性自由層12は前述した如く磁化さ
れた磁性固定層14とは非磁性導電層13で隔てられている
ため、外部磁場によって自由に磁化することができ、信
号磁場ＨS の向きに応じてスピンバルブ素子16の素子高
さｈの方向に磁化される。この磁性自由層12の磁化の向
きと磁性固定層14の磁化の向きとが同じであるとき、Ｍ
Ｒセンサにおける電気抵抗が小さく、磁性自由層12の磁
化の向きと磁性固定層14の磁化の向きとが異なるとき、
ＭＲセンサにおける電気抵抗が大きい。このようなスピ
ンバルブ作用を備える素子は、磁場によって電気抵抗が
変化するＭＲ効果が他のＭＲ素子より高いという優れた
効果がある。そして、電極部17，17間の電圧の変化を検
出することによって信号磁場ＨS を電気信号に変換す
る。
れた磁性固定層14とは非磁性導電層13で隔てられている
ため、外部磁場によって自由に磁化することができ、信
号磁場ＨS の向きに応じてスピンバルブ素子16の素子高
さｈの方向に磁化される。この磁性自由層12の磁化の向
きと磁性固定層14の磁化の向きとが同じであるとき、Ｍ
Ｒセンサにおける電気抵抗が小さく、磁性自由層12の磁
化の向きと磁性固定層14の磁化の向きとが異なるとき、
ＭＲセンサにおける電気抵抗が大きい。このようなスピ
ンバルブ作用を備える素子は、磁場によって電気抵抗が
変化するＭＲ効果が他のＭＲ素子より高いという優れた
効果がある。そして、電極部17，17間の電圧の変化を検
出することによって信号磁場ＨS を電気信号に変換す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のス
ピンバルブ素子にあっては、プロセス温度が略２５０℃
に達するＭＲ素子の製造工程における熱によってＭＲ比
（ＭＲ比＝ΔＲ／Ｒmin×１００；但し、Ｒ：電気抵
抗，Ｒmin ：最低電気抵抗，Δ：変化量）が略２０％低
下するため、信号磁場を電圧の変化に再生する場合に、
再生出力電圧が低下するという問題があった。
ピンバルブ素子にあっては、プロセス温度が略２５０℃
に達するＭＲ素子の製造工程における熱によってＭＲ比
（ＭＲ比＝ΔＲ／Ｒmin×１００；但し、Ｒ：電気抵
抗，Ｒmin ：最低電気抵抗，Δ：変化量）が略２０％低
下するため、信号磁場を電圧の変化に再生する場合に、
再生出力電圧が低下するという問題があった。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは磁性固定層である第
１磁性層及び磁性自由層である第２磁性層の非磁性導電
層に対向する部分を窒化することによって、熱によるＭ
Ｒ比の低下を防止することができるスピンバルブ素子を
提供することにある。
であって、その目的とするところは磁性固定層である第
１磁性層及び磁性自由層である第２磁性層の非磁性導電
層に対向する部分を窒化することによって、熱によるＭ
Ｒ比の低下を防止することができるスピンバルブ素子を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスピンバル
ブ素子は、反強磁性層と、該反強磁性層の磁化と交換結
合した第１磁性層と、非磁性導電層と、外部磁場によっ
て磁化される第２磁性層とがこの順番に形成されている
スピンバルブ素子において、前記第１磁性層及び第２磁
性層は、前記非磁性導電層に対向する部分が窒化されて
いることを特徴とする。
ブ素子は、反強磁性層と、該反強磁性層の磁化と交換結
合した第１磁性層と、非磁性導電層と、外部磁場によっ
て磁化される第２磁性層とがこの順番に形成されている
スピンバルブ素子において、前記第１磁性層及び第２磁
性層は、前記非磁性導電層に対向する部分が窒化されて
いることを特徴とする。
【０００９】ＭＲ比が低下した従来のスピンバルブ素子
をＸ線回折によって解析したところ、磁性固定層である
第１磁性層と非磁性導電層との界面、及び磁性自由層で
ある第２磁性層と非磁性導電層との界面において、原子
拡散によって混合が生じ、両界面に例えばＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｕのような混合層が形成されるためＭＲ比が低下する
のではないかという知見を得た。
をＸ線回折によって解析したところ、磁性固定層である
第１磁性層と非磁性導電層との界面、及び磁性自由層で
ある第２磁性層と非磁性導電層との界面において、原子
拡散によって混合が生じ、両界面に例えばＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｕのような混合層が形成されるためＭＲ比が低下する
のではないかという知見を得た。
【００１０】本発明に係るスピンバルブ素子にあって
は、第１磁性層の非磁性導電層に隣接する部分，及び第
２磁性層の非磁性導電層に隣接する部分が共に窒化され
ているため、耐熱性が高く、プロセス温度では原子拡散
を生じない。従って、原子混合が防止されて、高いＭＲ
比が維持される。
は、第１磁性層の非磁性導電層に隣接する部分，及び第
２磁性層の非磁性導電層に隣接する部分が共に窒化され
ているため、耐熱性が高く、プロセス温度では原子拡散
を生じない。従って、原子混合が防止されて、高いＭＲ
比が維持される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。図１は本発明に係るスピ
ンバルブ素子の模式的断面図である。基板１上には主に
Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ），Ｃｏ，Ｆｅ又はＮｉ等の金
属磁性材料を堆積した磁性自由層２が形成されており、
該磁性自由層２上にはＣｕ，Ａｕ又はＡｇ等，他層より
電気抵抗率が小さい材料を用いた非磁性導電層３，及び
前述した金属磁性材料と同じ材料を用いた磁性固定層４
がこの順に形成されている。そして、磁性固定層４上に
は、Ｆｅ−Ｍｎ又はＮｉＯ等を堆積した反強磁性層５が
形成されている。
に基づいて具体的に説明する。図１は本発明に係るスピ
ンバルブ素子の模式的断面図である。基板１上には主に
Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ），Ｃｏ，Ｆｅ又はＮｉ等の金
属磁性材料を堆積した磁性自由層２が形成されており、
該磁性自由層２上にはＣｕ，Ａｕ又はＡｇ等，他層より
電気抵抗率が小さい材料を用いた非磁性導電層３，及び
前述した金属磁性材料と同じ材料を用いた磁性固定層４
がこの順に形成されている。そして、磁性固定層４上に
は、Ｆｅ−Ｍｎ又はＮｉＯ等を堆積した反強磁性層５が
形成されている。
【００１２】非磁性導電層３を挟持する磁性自由層２及
び磁性固定層４はそれぞれ、金属磁性材料を堆積すると
きに窒素を取り込ませることによって形成した窒化層2
2，42と、金属磁性材料のみを堆積させた非窒化層21，4
1を備えており、両窒化層22，42は非磁性導電層３に隣
接させてある。この窒化層22，42は耐熱性が高く、２５
０℃程度のプイロセス温度では原子拡散を生じない。従
って、窒化層22又は窒化層42と非磁性導電層３との原子
混合が防止されて、高いＭＲ比が維持される。これらの
各層は、デュアルイオンビームスパッタ装置によって形
成することができる。
び磁性固定層４はそれぞれ、金属磁性材料を堆積すると
きに窒素を取り込ませることによって形成した窒化層2
2，42と、金属磁性材料のみを堆積させた非窒化層21，4
1を備えており、両窒化層22，42は非磁性導電層３に隣
接させてある。この窒化層22，42は耐熱性が高く、２５
０℃程度のプイロセス温度では原子拡散を生じない。従
って、窒化層22又は窒化層42と非磁性導電層３との原子
混合が防止されて、高いＭＲ比が維持される。これらの
各層は、デュアルイオンビームスパッタ装置によって形
成することができる。
【００１３】図２はデュアルイオンビームスパッタ装置
の要部平面図であり、図中50は平面視が略正方形状の真
空チャンバである。真空チャンバ50の対向する部分には
略平行に、アルゴン（Ａｒ）イオンビームを出射する第
１ガン51と窒素（Ｎ）イオンビームを出射する第２ガン
52が配設してある。真空チャンバ50内には第１ガン51と
対向して所要のターゲットがセットしてあるターゲット
ホルダ53が回転可能に設けてあり、該ターゲットホルダ
53に対向して、基板１がセットしてある基板ホルダ54が
回転可能に設けてある。
の要部平面図であり、図中50は平面視が略正方形状の真
空チャンバである。真空チャンバ50の対向する部分には
略平行に、アルゴン（Ａｒ）イオンビームを出射する第
１ガン51と窒素（Ｎ）イオンビームを出射する第２ガン
52が配設してある。真空チャンバ50内には第１ガン51と
対向して所要のターゲットがセットしてあるターゲット
ホルダ53が回転可能に設けてあり、該ターゲットホルダ
53に対向して、基板１がセットしてある基板ホルダ54が
回転可能に設けてある。
【００１４】ターゲットホルダ53は第１ガン51が出射し
たＡｒイオンビームが所定の角度で入射するようにして
あり、Ａｒイオンビームでスパッタリングされたターゲ
ット粒子は基板ホルダ54にセットされた基板１上に堆積
する。この基板ホルダ54上には前述した第２ガン52から
所要の角度でＮイオンビームが入射されるようになって
おり、ターゲット粒子を基板１へ堆積させると共に第２
ガン52からＮイオンビームを出射することによって、堆
積したターゲット粒子にＮイオンが取り込まれ窒化層が
形成される。なお、窒化層を形成しないときはＮイオン
ビームの出射は行わない。
たＡｒイオンビームが所定の角度で入射するようにして
あり、Ａｒイオンビームでスパッタリングされたターゲ
ット粒子は基板ホルダ54にセットされた基板１上に堆積
する。この基板ホルダ54上には前述した第２ガン52から
所要の角度でＮイオンビームが入射されるようになって
おり、ターゲット粒子を基板１へ堆積させると共に第２
ガン52からＮイオンビームを出射することによって、堆
積したターゲット粒子にＮイオンが取り込まれ窒化層が
形成される。なお、窒化層を形成しないときはＮイオン
ビームの出射は行わない。
【００１５】
【実施例】次に比較試験を実施した結果について説明す
る。図３は比較試験に用いた本発明に係るスピンバルブ
素子を示す模式図である。本発明に係るスピンバルブ素
子は、Ｓｉ製の基板１上にＮｉ80Ｆｅ20（Ｎｉ−８０原
子％，Ｆｅ−２０原子％の合金）をターゲットとしてＡ
ｒイオンビームを出射してその厚みが５０Åになるまで
堆積して非窒化層21を形成した後、Ａｒイオンビームを
出射しつつＮイオンビームを基板１へ出射してＮｉ−Ｆ
ｅ−Ｎの窒化層22を１０Åとなるように堆積して磁性自
由層２を形成した。この磁性自由層２の窒化層22上に、
ＣｕをターゲットとしてＡｒイオンビームを出射して非
磁性導電層３を２０Åとなるように堆積した。
る。図３は比較試験に用いた本発明に係るスピンバルブ
素子を示す模式図である。本発明に係るスピンバルブ素
子は、Ｓｉ製の基板１上にＮｉ80Ｆｅ20（Ｎｉ−８０原
子％，Ｆｅ−２０原子％の合金）をターゲットとしてＡ
ｒイオンビームを出射してその厚みが５０Åになるまで
堆積して非窒化層21を形成した後、Ａｒイオンビームを
出射しつつＮイオンビームを基板１へ出射してＮｉ−Ｆ
ｅ−Ｎの窒化層22を１０Åとなるように堆積して磁性自
由層２を形成した。この磁性自由層２の窒化層22上に、
ＣｕをターゲットとしてＡｒイオンビームを出射して非
磁性導電層３を２０Åとなるように堆積した。
【００１６】次に、Ｎｉ80Ｆｅ20をターゲットとしてこ
れにＡｒイオンビームを出射しつつＮイオンビームを基
板１へ出射してＮｉ−Ｆｅ−Ｎの窒化層42を１０Åとな
るように堆積した後、Ｎイオンビームの出射を停止して
Ｎｉ−Ｆｅの非窒化層41を５０Åとなるように堆積し、
磁性固定層４を形成した。そして、磁性固定層４の非窒
化層42上にＦｅ50Ｍｎ50をターゲットとしてＡｒイオン
ビームを出射して反強磁性層５を１５０Åとなるように
形成した。このようなスパッタリング操作の間、基板１
には永久磁石を用いて基板１と平行に３００Ｏｅの平行
磁場を印加しており、この方向に磁性固定層４の磁化が
固定されている。
れにＡｒイオンビームを出射しつつＮイオンビームを基
板１へ出射してＮｉ−Ｆｅ−Ｎの窒化層42を１０Åとな
るように堆積した後、Ｎイオンビームの出射を停止して
Ｎｉ−Ｆｅの非窒化層41を５０Åとなるように堆積し、
磁性固定層４を形成した。そして、磁性固定層４の非窒
化層42上にＦｅ50Ｍｎ50をターゲットとしてＡｒイオン
ビームを出射して反強磁性層５を１５０Åとなるように
形成した。このようなスパッタリング操作の間、基板１
には永久磁石を用いて基板１と平行に３００Ｏｅの平行
磁場を印加しており、この方向に磁性固定層４の磁化が
固定されている。
【００１７】一方、従来のスピンバルブ素子には、Ｓｉ
製の基板上にＮｉ−Ｆｅの磁性自由層，Ｃｕの非磁性導
電層，Ｎｉ−Ｆｅの磁性固定層及びＦｅ−Ｍｎの反強磁
性層をこの順に、その厚みが各々６０Å，２０Å，６０
Å，１５０Åとなるように積層させたものを用いた。
製の基板上にＮｉ−Ｆｅの磁性自由層，Ｃｕの非磁性導
電層，Ｎｉ−Ｆｅの磁性固定層及びＦｅ−Ｍｎの反強磁
性層をこの順に、その厚みが各々６０Å，２０Å，６０
Å，１５０Åとなるように積層させたものを用いた。
【００１８】両スピンバルブ素子は、６００Ｏｅの静磁
場を基板と平行に印加しつつ、２５０℃，１０時間，略
１×１０-5Ｔｏｒｒでアニールし、５０℃以下まで冷却
した。そして、４プローブ法によってアニール前後のＭ
Ｒ比を測定した。また、ＭＲ比を測定した後、更に、３
００℃，１時間のアニールを行い、冷却後のＭＲ比を測
定した。
場を基板と平行に印加しつつ、２５０℃，１０時間，略
１×１０-5Ｔｏｒｒでアニールし、５０℃以下まで冷却
した。そして、４プローブ法によってアニール前後のＭ
Ｒ比を測定した。また、ＭＲ比を測定した後、更に、３
００℃，１時間のアニールを行い、冷却後のＭＲ比を測
定した。
【００１９】図４は４プローブ法によるＭＲ比測定の実
施態様を示す斜視図であり、図中10は試料である。試料
10はその磁性固定層の磁化方向が矢符方向となるように
セットしてある。試料10上には４つのプローブ33，34，
35，36が前述した磁化方向と直交する方向に所定間隔を
隔てて一列に配置してあり、各プローブ33，34，35，36
の下端は試料10の表面に接触させてある。外側の２つの
プローブ33，34には直流電源32から１ｍＡのセンス電流
が通流してあり、内側の２つのプローブ35，36は外側の
プローブ33，34間の電圧を測定すべく電圧計31に接続し
てある。そして、図中白抜き矢符で示した如く、磁性固
定層の磁化方向と同じ方向の外部磁場を試料に印加し、
印加した外部磁場を掃引させたときの外側のプローブ3
3，34間の電圧の変化からＭＲ比を算出した。
施態様を示す斜視図であり、図中10は試料である。試料
10はその磁性固定層の磁化方向が矢符方向となるように
セットしてある。試料10上には４つのプローブ33，34，
35，36が前述した磁化方向と直交する方向に所定間隔を
隔てて一列に配置してあり、各プローブ33，34，35，36
の下端は試料10の表面に接触させてある。外側の２つの
プローブ33，34には直流電源32から１ｍＡのセンス電流
が通流してあり、内側の２つのプローブ35，36は外側の
プローブ33，34間の電圧を測定すべく電圧計31に接続し
てある。そして、図中白抜き矢符で示した如く、磁性固
定層の磁化方向と同じ方向の外部磁場を試料に印加し、
印加した外部磁場を掃引させたときの外側のプローブ3
3，34間の電圧の変化からＭＲ比を算出した。
【００２０】ＭＲ比の比較結果を次の表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかな如く、アニール前にあっ
ては、本発明例のＭＲ比が３．５％で、従来例のＭＲ比
は３．７であり、本発明例より従来例の方が少し高かっ
た。これは、本発明例におけるＮｉ−Ｆｅ−Ｎの電気抵
抗が従来例におけるＮｉ−Ｆｅより少し高いためと考え
られる。しかしながら、両試料をアニールすると、従来
例ではＭＲ比が３．０％にまで低下するのに対して、本
発明例ではＭＲ比の低下は見られなかった。
ては、本発明例のＭＲ比が３．５％で、従来例のＭＲ比
は３．７であり、本発明例より従来例の方が少し高かっ
た。これは、本発明例におけるＮｉ−Ｆｅ−Ｎの電気抵
抗が従来例におけるＮｉ−Ｆｅより少し高いためと考え
られる。しかしながら、両試料をアニールすると、従来
例ではＭＲ比が３．０％にまで低下するのに対して、本
発明例ではＭＲ比の低下は見られなかった。
【００２３】両試料を更にプロセス温度より５０℃高い
温度でアニールすると、従来例ではＭＲ比が０．４％に
まで低下したが、本発明例では３．１％のＭＲ比を維持
していた。
温度でアニールすると、従来例ではＭＲ比が０．４％に
まで低下したが、本発明例では３．１％のＭＲ比を維持
していた。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明に係るスピン
バルブ素子にあっては、プロセス温度によるＭＲ比の低
下が防止されるため、高い再生出力電圧が維持されると
共に素子の信頼性が向上する等、本発明は優れた効果を
奏する。
バルブ素子にあっては、プロセス温度によるＭＲ比の低
下が防止されるため、高い再生出力電圧が維持されると
共に素子の信頼性が向上する等、本発明は優れた効果を
奏する。
【図１】本発明に係るスピンバルブ素子の模式的断面図
である。
である。
【図２】デュアルイオンビームスパッタ装置の要部平面
図である。
図である。
【図３】比較試験に用いた本発明に係るスピンバルブ素
子を示す模式図である。
子を示す模式図である。
【図４】４プローブ法によるＭＲ比測定の実施態様を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】従来のスピンバルブ素子を利用した磁気抵抗セ
ンサの要部を示す斜視図である。
ンサの要部を示す斜視図である。
【図６】図５に示したスピンバルブ素子の拡大縦断面図
である。
である。
１ 基板 ２ 磁性自由層 ３ 非磁性導電層 ４ 磁性固定層 ５ 反強磁性層 ２１ 非窒化層 ２２ 窒化層 ４１ 非窒化層 ４２ 窒化層
Claims (1)
- 【請求項１】 反強磁性層と、該反強磁性層の磁化と交
換結合した第１磁性層と、非磁性導電層と、外部磁場に
よって磁化される第２磁性層とがこの順番に形成されて
いるスピンバルブ素子において、 前記第１磁性層及び第２磁性層は、前記非磁性導電層に
対向する部分が窒化されていることを特徴とするスピン
バルブ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199866A JP3050094B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | スピンバルブ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199866A JP3050094B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | スピンバルブ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=16414950
Family Applications (1)
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