DE3518864C2

DE3518864C2 -

Info

Publication number: DE3518864C2
Application number: DE3518864A
Authority: DE
Inventors: Masahiro Tokio/Tokyo Jp Kitada; Hideo Hachioji Tokio/Tokyo Jp Tanabe; Noboru Tokotozawa Saitama Jp Shimizu; Hiroshi Kanagawa Jp Tsuchiya; Masao Odawara Kanagawa Jp Katsumata
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: HGST Japan Ltd
Priority date: 1984-05-29
Filing date: 1985-05-24
Publication date: 1989-12-14
Also published as: US4663607A; JPS60251682A; DE3518864A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein magnetoresistives Element gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1, wie es z. B. aus der J. Appl. Phys., Bd. 53, 1982, Nr. 3, S. 2596-2598 bekannt ist, welches gut für einen Meßfühler zum Erfassen eines Magnetfeldes und für einen Magnetkopf eingesetzt werden kann.

In einem konventionellen magnetoresistiven Element aus einer Ni-Fe Legierungsschicht (ein sogenanntes Permalloy) mit hoher Permeabilität unterliegen die magnetischen Ei genschaften einer Veränderung in Abhängigkeit von dem das Element bildenden Materialien und bei der Benützung des Elementes ausgeübten Belastung. Um eine Veränderung der magnetischen Eigenschaften zu verhindern, ist daher bis her eine Permalloyschicht mit einer Zusammensetzung be nutzt worden, welche keine Magnetostriktion bzw. eine Magnetostriktion Null aufweist. Der Zusammensetzungsbe reich, in welchem die Magnetostriktion der Permalloy schicht Null bleibt, ist jedoch sehr klein. Bei einer dün nen Schicht, welche insbesondere durch Verdampfen oder Zerstäuben gebildet wird, ist es sehr schwierig, die Zu sammensetzung genau zu steuern. Darüber hinaus verändert sich die Magnetostriktion der Permalloyschicht erheblich in Abhängigkeit von Art und Umfang von Verunreinigungs elementen, welche in der Schicht enthalten sind. Demzufol ge verändern sich die elektromagnetischen Eigenschaften des Elementes in Abhängigkeit von der Belastung.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein magnetoresistives Element der eingangs genannten Art zu schaffen, welches eine sehr geringe Veränderung seiner elektro magnetischen Eigenschaften zeigt, selbst wenn eine Be lastung auf das Element ausgeübt wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein magnetore sistives Element gemäß Anspruch 1 gelöst.

Das erfindungsgemäße magnetoresistive Element zeigt eine sehr geringe Veränderung seiner elektromagne tischen Eigenschaften, wenn eine Belastung auf das Element ausgeübt wird.

Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist ein mehr schichtiger Film gebildet durch abwechselndes Laminieren einer gleichen Anzahl metallischer Schichten mit Wider standsänderungseffekt im Magnetfeld, welche gleiche Dicke und gleichen Absolutwert der Magneto striktion, aber mit entgegengesetztem Vorzeichen aufweisen. Wenn die Schichten in dem mehrschichtigen Film unterschiedliche Dicke haben, sind die Dicken der Schichten und die Anzahl der laminierten Schichten so abgestimmt, daß der Betrag der Magnetostriktion von Schichten mit Magnetostriktion verschiedenen Vorzeichens durch einen vorbestimmten posi tiven oder negativen Wert kompensiert wird.

Bei einer anderen Weiterbildung der Erfindung weisen die metallischen Schichten mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit positiver und negativer Magnetostriktion jeweils eine Dicke von 1 nm oder größer auf und der mehrschichtige Film weist eine Dicke von 100 nm oder kleiner auf. Eine Schicht mit einer Dicke kleiner als 1 nm zeigt keine spontane Magnetisierung und ist daher nicht wünschenswert. Wie allgemein bekannt ist, zeigt der konventionelle Film mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld seine Wirkungen in ausreichendem Umfang nur dann, wenn seine Dicke nicht größer als 100 nm ist.

Bei einer anderen Weiterbildung der Erfindung weisen die metallischen Schichten mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld eine positive bzw. negative Magnetostriktion mit einem Absolutwert nicht größer als 15 × 10^-6 auf. Eine metallische Schicht mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit einem Absolutwert der Magnetostriktion, welcher größer als 15 × 10^-6 ist, erzeugt nämlich eine sehr kleine Ausgangs spannung, welche auf dem Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld beruht. Wenn die Magnetostriktion insbesondere kleiner als 15 × 10^-6 ist, fällt die Ausgangsspannung dra matisch ab.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben. Darin zeigt

Fig. 1 eine Darstellung der Steuerung der Magnetostrik tion eines konventionellen Permalloyfilms,

Fig. 2 eine Darstellung der Eigenschaften des Wider standsänderungseffektes im Magnetfeld (Magnet feld-Spannungseigenschaften) eines konventio nellen aufgedampften Permalloyfilms mit der Be lastung als Parameter,

Fig. 3 einen Querschnitt durch ein magnetoresistives Element gemäß einem Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung,

Fig. 4 eine Darstellung der Eigenschaften des Wider standsänderungseffektes im Magnetfeld (Magnet feld-Spannungseigenschaften) des magneto resistiven Elementes gemäß Fig. 3 mit der Be lastung als Parameter,

Fig. 5 einen Querschnitt eines magnetoresistiven Ele mentes gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und

Fig. 6 einen Querschnitt eines magnetoresistiven Ele mentes gemäß einem noch weiteren Ausführungs beispiel der vorliegenden Erfindung.

Vergleichsbeispiel

Als Vergleichsbeispiel wurde ein konventioneller metallischer Einschichtfilm mit Widerstandsänderungseffekt im Magnet feld hergestellt, um seine Eigenschaften zu prüfen.

In Fig. 1 sind Meßwerte der Magnetostriktion einer Viel zahl von Proben aus einem Ni-19% Fe Legierungsfilm (Pro zent ist hiernach immer Gew.-%) illustriert, der auf ei nem Glassubstrat, welches auf 200°C gehalten wird, bis zu einer Dicke von 40 nm durch eine Elektrostrahl- Verdampfungsmethode abgelagert ist und der eine Zusammen setzung mit einer Magnetostriktion Null aufweisen soll. Die Schichten bzw. Fime wurden kontinuierlich auf ver schiedenen Substraten aus der gleichen Verdampfungsquelle und unter den gleichen Verdampfungsbedingungen gebildet. Die Dicke des aufgedampften Films wurde durch ein Film dicke-Kontrollgerät gemessen, welches einen Quarzoszilla tor verwendete. Der Magnetostriktionsgrad wurde bestimmt aus der Beziehung zwischen der Veränderung in der Magnet feld-Spannungskurve und der aufgebrachten Belastung, in dem die Magnetfeld-Spannungskurve der Eigenschaften des Widerstandsänderungseffektes im Magnetfeld im magnetischen Wechselfeld gemessen wurde, während eine vorbestimmte Be lastung auf die Probe aufgebracht wurde. Die Magnetostrik tion wurde in der gleichen Weise in den später aufgeführ ten Arbeitsbeispielen gemessen.

Wie aus Fig. 1 hervorgeht, ergibt sich eine erhebliche Streuung der Magnetostriktion, selbst wenn der Film unter einheitlichen Bedingungen aufgedampft wird. Es ist sehr schwierig, zuverlässig einen Permalloyfilm (Ni-Fe Legie rung) mit einer Magnetostriktion Null zu erzielen. Der Grund hierfür besteht darin, daß die Zusammensetzung des Permalloyfilms sich in Abhängigkeit von den empfindlichen Verdampfungsbedingungen wie z. B. Verdampfungsrate, Sub strattemperatur und Vakuumsgrad in der Verdampfungskammer verändert. Der Grund hierfür besteht insbesondere z. B. aus zwei Faktoren:

1. Nickel und Eisen haben verschiedene Dampfdrücke; daher werden eine verschiedene Anzahl von Nickelatomen und Eisenatomen aus der Verdampfungsquelle in Abhängigkeit vom anfänglichen Verdampfungszustand und vom letzten Verdampfungszustand verdampft, und
2. die Art und Menge von Verunreinigungen in dem Film ver ändern sich in Abhängigkeit von den Verdampfungsbe dingungen wie z. B. die Wirkung von Sauerstoff.

In Fig. 2 sind die Magnetfeld-Spannungseigenschaften einer Probe mit einer Magnetostriktion von -2,2 × 10^-6 gezeigt, welche eine der konventionellen, in Fig. 1 gezeigten Per malloyfilmproben ist. In Fig. 2 stellt eine Kurve 1 Eigen schaften einer Probe dar, welche aus einem Glassubstrat besteht, auf das ein Permalloyfilm aufgedampft ist, und eine Kurve 2 stellt Eigenschaften einer Probe dar, welche aus einem Glassubstrat besteht, auf welches ein Permalloy film aufgedampft ist und eine Zugbelastung von ungefähr 500 kg/cm² ausgeübt wird. Das Aufbringen der Belastung verursacht einen drastischen Abfall der Spannung. Dies rührt von der Magnetostriktion des Permalloyfilms her. Die Ordinate und Abszisse in Fig. 2 stellen beliebige Ein heiten dar.

Die Magnetfeld-Spannungseigenschaften werden gemessen, in dem ein einheitliches magnetisches Wechselfeld auf einen rechtwinkligen metallischen Film mit Widerstandsänderungs effekt im Magnetfeld in Richtung der kurzen Achse aufge bracht wird, ein konstanter Strom durch den Film über Aluminiumleiter, welche an beiden Enden des Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld vorgesehen sind, in dessen Längsrichtung geschickt wird und indem die Wi derstandsänderung des Films in Abhängigkeit vom Magnet feld als Veränderung der Klemmenspannung über den Aluminium leitern gemessen wird. Die Magnetfeld-Spannungseigenschaf ten können daher als Ausgangsspannungseigenschaften des magnetoresistiven Elementes betrachtet werden. Die Belastung ist eine Zugbelastung, welche in Längsrichtung des Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld aufgebracht wird.

Das Meßverfahren der Magnetfeld-Spannungseigenschaften und das Verfahren des Aufbringens von Belastungen sind die gleichen bei den weiter unteren beschriebenen Arbeitsbeispie len.

Beispiel 1

Das magnetoresistive Element weist, wie in Fig. 3 gezeigt ist, zwei Schichten auf, d. h. eine Ni-21% Fe Schicht 12 mit positiver Magnetostriktion (+3 × 10^-6) und eine Ni- 17% Fe Schicht 13 mit negativer Magnetostriktion (-3 × 10^-6), die kontinuierlich auf ein Glassubstrat 11 jeweils bis zu einer Dicke von 20 nm aufgedampft sind. Aluminium leiter, die als Klemmen für die Zufuhr von Strom dienen, sind in Fig. 3 nicht gezeigt. Die Aluminiumleiter sind ebenfalls mit den Ausführungsbeispielen der Fig. 5 und 6 nicht dargestellt.

In Fig. 4 ist ein Diagramm der Magnetfeld-Spannungseigen schaften eines Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld dieses Ausführungsbeispiels gezeigt, welche in der gleichen Weise wie bei dem oben erwähnten Vergleichsbei spiel gemessen worden sind, wobei eine Kurve 3 (ausgezo gene Linie) Eigenschaften einer Probe aus einem Glassubstrat, auf welcher die Permalloyfilme aufgedampft sind, und eine Kurve 4 (gestrichelte Linie) Eigenschaften einer Probe aus einem Glassubstrat darstellt, auf welches die Permalloyfilme aufgedampft sind und auch welches eine Belastung ausgeübt wird, wobei die Ordinate und Abszisse beliebige Einheiten darstellen. Die Belastung wurde in der gleichen Weise wie in dem oben erwähnten Vergleichsbeispiel aufgebracht. Wie ohne weiteres aus Fig. 4 hervorgeht, liegen die Kurve 3 und die Kurve 4 innerhalb eines Bereichs von Meßfehlern. Die Magnetfeld-Spannungseigenschaften werden durch das Auf bringen einer Belastung nicht verändert. Obwohl es nicht klar ist, warum die Magnetfeld-Spannungseigenschaften durch die Belastung nicht berührt werden, wird angenommen, daß dünne magnetische Filme mit verschiedenen magnetostriktiven Ei genschaften, wenn sie in Berührung miteinander gebracht werden, eine elektromagnetische Wechselwirkung erzeugen, so daß die positive und negative Magnetostriktion sich gegeneinander auslöschen.

Bei dem magnetostriktiven Element dieses Ausführungsbeispiels verändert sich die Magnetostriktion um 0,2 × 10^-6 oder weniger, selbst wenn die Zusammensetzung des Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld um 1,5 Gew.-% verändert wird, was eine bemerkenswerte Verringerung in der Veränderung der Magnetostriktion darstellt, verglichen mit dem konventionellen Element.

Beispiel 2

In Fig. 5 ist ein Querschnitt eines magnetoresistiven Ele mentes aus einem Permalloyfilm mit einer Gesamtdicke von 40 nm dargestellt, welcher durch kontinuierliches Aufdampfen einer Gesamtheit von 4 Schichten erhalten wird, nämlich zwei Ni-21% Fe Schichten 22, 24 und zwei Ni-17% Fe Schichten 23, 25, wobei jede Schicht eine Dicke von 10 nm aufweist, auf ein Glassubstrat 21 in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1. Selbst wenn eine Belastung aus geübt wird, zeigte das magnetoresistive Element keine Ver änderung in den Magnetfeld-Spannungseigenschaften, die in der gleichen Weise wie Beispiel 1 gemessen wurden. Selbst wenn die Filmzusammensetzung geändert wurde, war die Ver änderung im Wert der Magnetostriktion die gleiche wie bei Beispiel 1. Es wurde außerdem gefunden, daß, wenn viele Filme mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit positiver und negativer Magnetostriktion von ungefähr dem gleichen Absolutwert laminiert wurden, die Effekte ähnlich zu denjenigen des Beispiels 1 waren.

Beispiel 3

Einen maximalen Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld zeigt eine Ni-Fe Legierung mit ungefähr 10% Fe, welche jedoch große Magnetostriktion zeigt und daher als magneto resistive Element ungeeignet ist. Der Effekt der Magneto striktion kann durch Laminieren einer Ni-10% Fe Schicht mit negativer Magnetostriktion (ungefähr -15 × 10^-6) und einer Ni-24% Fe Schicht mit einer positiven Magnetostrik tion (ungefähr +7 × 10^-6) verringert werden. Das heißt ein dreischichtiger Film aus Ni-24% Fe Schichten 32, 34 mit einr Dicke von 15 nm und einer Ni-10% Fe Schicht 33 mit einer Dicke von 15 nm, die zwischen den Schichten 32, 34 eingefügt ist, welche auf einem Glassubstrat 31, wie in Fig. 6 gezeigt ist, laminiert sind, zeigte keine Veränderung in der Magnetfeld-Spannungseigenschaften, selbst wenn eine Belastung aufgebracht wurde. Das heißt, selbst wenn magnetische Filme mit verschiedenen Absolutwerten der Ma gnetostriktion laminiert werden, konnte die Wirkung der Magnetostriktion kompensiert werden durch Erhöhen der Ge samtdicke der magnetischen Filme mit geringen Absolutwerten.

Bei diesem Ausführungsbeispiel waren die Verdampfungsbedin gungen und die Bedingungen zum Aufbringen einer Belastung die gleichen wie bei Beispiel 1.

Die Veränderung des Wertes der Magnetostriktion relativ zur Änderung der Filmzusammensetzung war klein wie bei den Beispielen 1 und 2.

Das Element dieses Ausführungsbeispiels zeigt einen Widerstands änderungseffekt im Magnetfeld, der um ungefähr 10% kleiner ist als derjenige eines Elementes, das ausschließlich aus dem Ni-10% Fe Film besteht, aber welcher ungefähr 20% größer ist als derjenige eines Elementes aus einem konven tionellen Ni-19% Fe Film. Das Element weist außerdem Vorteile wie oben beschrieben auf.

Beispiel 4

Effekte ähnlich denjenigen der Beispiele 1 und 2 zeigt auch ein mehrschichtiger Film aus unterschiedlichen magne tischen Materialien, d. h. z. B. aus einer Co-55% Ni Legierungsschicht mit positiver Magnetostriktion (unge fähr +15 × 10^-6) und aus einer Ni-10% Fe Legierungs schicht mit negativer Magnetostriktion (ungefähr -15 × 10^-6), welche beide eine Dicke von 20 nm aufweisen.

Bei diesem Beispiel waren der Aufbau, die Filmaufdampfungs bedingungen und daß Meßverfahren der Eigenschaften die gleichen wie bei denjenigen der Beispiele 1 und 2, ausge nommen für die Filmzusammensetzung.

Beispiel 5

Beispiele 1 bis 4 haben den Kompensationseffekt unter Ver wendung von positiver und negativer Magnetostriktion einge setzt, um eine Magnetostriktion Null zu erzielen. Abhängig vom Zweck soll die Magnetostriktion jedoch positiv oder negativ sein. Eine positive oder negative Magneto striktion kann man erhalten durch abwechselndes Laminieren eines metallischen Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit positiver Magnetostriktion und eines Films mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit negativer Magnetostriktion. Ein Zweischichtfilm aus einer Ni-25 Fe Schicht mit einer Magnetostriktion von +8 × 10^-6, welche in einer Dicke von 20 nm auf einem Glas substrat abgelagert ist, und einer Ni-17% Fe Schicht mit einer Magnetostriktion von -3 × 10^-6, welche in einer Dic ke von 20 nm darauf abgelagert ist, zeigt eine Magne tostriktion von +2 × 10^-6. Es ist auch möglich, einen zu sammengesetzten Film herzustellen, der eine negative Magne tostriktion zeigt. In dem zusammengesetzten Film ist je doch die Veränderung in der Magnetostriktion weniger em pfindlich relativ zur Filmzusammensetzung aufgrund des Kompensationseffektes, der sich durch die Wechselwirkung unter den Schichten mit verschiedener Magnetostriktion er gibt. Die Magnetostriktion des zusammengesetzten Films wird daher nicht durch einfache Addition oder Substraktion der Absolutwerte der Magnetostriktion der einzelnen Schich ten bestimmt; d. h. es ist erforderlich, Schichten mit Magne tostriktionen zu verwenden, welche untereinander unterschied licher sind als dies durch einfache Berechnung hervorgeht. Magnetostriktion und Dicke jeder Schicht werden daher zweckmäßigerweise durch Experimente für jeden Fall be stimmt.

Das magnetoresistive Element dieses Beispiels zeigte die gewünschte Magnetostriktion, wie oben beschrieben, keine Veränderung in den Magnetfeld-Spannungseigenschaften, selbst wenn eine Belastung aufgebracht wurde, und eine Ver änderung der Magnetostriktion von 0,2 × 10^-6 oder weniger bei einer Veränderung der Filmzusammensetzung von 1,5% wie in den Beispielen 1 bis 4, wobei diese Veränderung bemerkenswert kleiner ist als diejenige bei einem konven tionellen Element.

Bei diesem Beispiel waren der Aufbau, die Filmverdampfungs bedingungen und das Meßverfahren der Eigenschaften die gleichen wie diejenigen bei Beispiel 1, ausgenommen für die Filmzusammensetzung.

Durch Laminieren magnetischer Schichten mit einer Magnetostrik tion verschiedenen Vorzeichens in einem Mehrschichtaufbau, wie oben beschrieben, ist es möglich, den Wert der Magneto striktion des zusammengesetzten Films in geeigneter Weise einzustellen. Durch entsprechende Synthese bzw. Zusammen setzung des Filmes kann die Veränderung der Magnetostrik tion relativ zu der Veränderung der Filmzusammensetzung verringert werden. Bei einem konventionellen Permalloy- Einschichtfilm mit einer Zusammensetzung mit einer Magne tostriktion Null verändert sich die Magnetostriktion z. B. um 1 × 10^-6 relativ zu einer Veränderung von 0,5 Gew.-% in der Zusammensetzung. Mit einem Mehrschichtfilm durch Laminieren einer Permalloyschicht mit einer Magnetostrik tion von +6 × 10^-6 und einer Permalloyschicht mit einer Magnetostriktion von -6 × ^-10 ist die Veränderung der Magnetostriktion der zusammengesetzten Schchten kleiner als 0,2 × 10^-6 relativ zu der Veränderung von 1,5 Gew.-% der Zusammen setzung. Ähnliche Ergebnisse sind in den obenerwähnten Beispielen erhalten worden. Durch Verwendung des beschriebenen Mehr schichtfilmes können die Tole ranzgrenzen der Zusammensetzung erheblich um mehr als das 10fache im Vergleich zu den konventionellen Einschicht filmen erhöht werden.

Im vorhergehenden sind Ausführungsbeispiele mit Ni-Fe und Ni-Co Legierungen beschrieben worden, die dünne kristalline Filme bilden. Es können auch dünne amorphen Metallfilmen wie z. B. aus einer Co-Nb Legierung, Co-Zr Legierung, Co-W Legierung oder dgl. Legierungen verwendet werden.

Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen kann das Substrat aus irgendeinem Material wie z. B. Glas, SiO₂, Al₂O₃, MgO, Silicium oder einem Material bestehen, welches durch Laminieren von SiO₂ auf Silicium entsteht, vorausgesetzt, daß das Substrat unmagnetisch und elektrisch isolierend ist und dem Aufbringen einer metallischen Schicht mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld wider stehen kann.

Die metallischen Schichten mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld, welche den mehrschichtigen Film bilden, kön nen miteinander verbunden werden durch ein Verfahren, mit dem ein Film gewünschter Dicke hergestellt werden kann, wie z. B. durch Verdampfen, Zerstäuben, Elektroplattieren oder Ionenstrahl-Zerstäuben.

Die beschriebenen magnetoresistiven Elemente können in einem magnetoresisti ven Kopf verwendet werden, der stabile Eigenschaften zeigt bei der Verwendung für eine Vielzahl von magnetischen Auf zeichnungsgeräten.

Claims

1. Magnetoresistives Element mit einem unmagnetischen iso lierenden Substrat, auf dem ein mehrschichtiger, metallische Schichten mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld ent haltender Film angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der mehrschichtige Film aus einer metallischen Schicht (12) mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld, die eine vorbe stimmte Dicke und eine vorbestimmte positive Magnetostriktion aufweist, und einer metallischen Schicht (13) mit Widerstands änderungseffekt im Magnetfeld, die eine vorbestimmte Dicke und eine vorbestimmte negative Magnetostriktion aufweist, besteht, die abwechselnd aufeinander angeordnet sind.

2. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß die metallischen Schichten (12, 13) mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld eine positive bzw. negative Magnetostriktion mit einem Absolutwert nicht größer als 15 × 10^-6 aufweisen.

3. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1 oder 2, da durch gekennzeichnet, daß die metallischen Schichten (12, 13) mit Widerstandsänderungseffekt im Magnetfeld mit posi tiver und negativer Magnetostriktion jeweils eine Dicke von 1 nm oder größer aufweisen und daß der mehrschichtige Film (12, 13) eine Dicke von 100 nm oder kleiner auf weist.

4. Magnetoresistives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetostriktion des mehrschichtigen Films nahezu Null ist.

5. Magnetoresistives Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der mehrschichtige Film (12, 13) gebildet ist und durch abwechselndes Laminieren einer gleichen Anzahl von metallischen Schichten mit Wider standsänderungseffekt im Magnetfeld, welche gleiche Dicke und gleichen Absolutwert der Magnetostriktion, aber mit entgegengesetztem Vorzeichen aufweisen.